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• Below gap photon induced photocurrent enhancement in GaPN intermediate band solar cell fabricated by ion implantation　　　　　　　　　　　　　　　
  Md Mamun Or Rashid; Kyoko Munakata; Shuhei YAGI; Hiroyuki Yaguchi
  Japanese Journal of Applied Physics, May 2025, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.35848/1347-4065/add352
  DOI ID：10.35848/1347-4065/add352, ORCID：183351753
• Effects of Carrier Supply to the Intermediate Band by Impurity Doping on Two-Step Photocurrent Generation in GaAs:N-Based Intermediate Band Solar Cell　　　　　　　　　　　　　　　
  Md Faruk Hossain; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  North American Academic Research, Volume：8, Number：2, First page：112, Last page：128, Feb. 2025, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.5281/zenodo.14910609
  DOI ID：10.5281/zenodo.14910609
• Analysis of two-step photocurrent generation in GaAs:N-based intermediate band solar cells with utilization of device simulation
  Md Faruk Hossain; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  AIP Advances, Volume：15, Number：2, First page：025212, Feb. 2025, [Reviewed]
  We developed a novel approach to analyze the two-step photocurrent generation process in intermediate band solar cells (IBSCs) by means of numerical device simulation combined with rate equation analysis. An IBSC having a GaAs:N intermediate band (IB) absorber with the same layered structure as experimentally investigated in our previous work is modeled, and its characteristic behavior of external quantum efficiency (EQE) is successfully simulated with the utilization of Silvaco-Atlas software. The simulated results gave new insights into the material parameters of the device, such as trap states and interface recombination velocity, and revealed that an electron-blocking layer adjacent to the IB absorber plays a significant role in confining the electrons in the IB state, which is the main prerequisite for efficient two-step photocurrent generation. Change in EQE (ΔEQE) induced by additional light illumination of which energy is below the valence band–IB gap is analyzed as an evaluation metric of two-step photocurrent generation based on a rate equation analysis. The integrated electron concentration in the GaAs:N absorber layer is calculated from the simulation results and is used as an input parameter for the rate equation analysis. As a result, the bias voltage-dependent ΔEQE of experimentally investigated IBSC is well reproduced, indicating that the proposed method can be a useful approach for a better understanding of IBSC operation physics and designing more efficient devices.
  AIP Publishing, English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1063/5.0247676
  DOI ID：10.1063/5.0247676, eISSN：2158-3226, ORCID：177570673, 共同研究・競争的資金等ID：40969023
• Nitrogen Concentration Dependence of Two‐Step Photocurrent Generation by Below‐Gap Excitation in GaPN Alloys
  Abdul Qayoom; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  physica status solidi (b), Volume：261, Number：4, Feb. 2024, [Reviewed]
  Two‐step photocurrent generation and its dependence on nitrogen concentration in GaPN alloys using two‐wavelength excited photocurrent (TWEPC) measurements are investigated. External quantum efficiency (EQE) measurements show an increase in the two‐step absorption of below‐gap excitation light through tail states at longer wavelengths and that the quasi‐direct gap redshifts as the nitrogen concentration increases. The improvement in the EQE at longer wavelengths is explained by the increased density of the tail states in GaPN with higher nitrogen concentrations. In contrast, the EQE decreases at shorter wavelengths with increasing nitrogen content. TWEPC results show that differential photocurrent density , which shows the synergy effect of multiple‐wavelength light, reduces with the addition of nitrogen. It is found from rate–equation analysis that the decrease in the EQE at shorter wavelengths and in is mainly due to the increased nonradiative recombination in GaPN with higher nitrogen concentration. The use of lattice‐matched alloys and a p‐type GaP capping layer as well as the optimization of the growth conditions can improve the EQE at shorter wavelengths and .
  Wiley, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.202300369
  DOI ID：10.1002/pssb.202300369, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951
• Two-Step Photocurrent Generation through Band Tail States in GaPN-Based Intermediate Band Solar Cells　　　　　　　　　　　　　　　
  Abdul Qayoom; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  North American Academic Research, Volume：6, Number：8, First page：20, Last page：31, Aug. 2023, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.5281/znodo.8300177
  DOI ID：10.5281/znodo.8300177
• Photocurrent enhancement by below bandgap excitation in GaPN
  Abdul Qayoom; Sanjida Ferdous; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：62, Number：SK, First page：SK1038, Last page：SK1038, May 2023, [Reviewed]
  Abstract
  
  This study presents two-wavelength excited photocurrent (TWEPC) measurements in GaP_1−xN_x grown by metalorganic vapor phase epitaxy. TWEPC measurements reveal that photocurrent generation is significantly enhanced when above gap excitation and below gap excitation (BGE) sources are applied simultaneously. With increasing BGE photon energy, a large increase in photocurrent is observed. The external quantum efficiency measurements show that the effect of BGE light is higher with a higher density of tail states present. The extended numerical study by rate equations reproduced the results in a good manner. Furthermore, the simulation results showed that the addition of the BGE light affects the electron occupancy as well as the electron lifetime, which is found to be 0.1 ns in this study.
  IOP Publishing, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.35848/1347-4065/acd00c
  DOI ID：10.35848/1347-4065/acd00c, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065
• Effects of carrier-blocking barrier height on two-step photocurrent generation in dilute nitride intermediate band solar cells
  Shuhei Yagi; Shun Numata; Yasushi Shoji; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：62, Number：SK, First page：SK1008, Last page：SK1008, Mar. 2023, [Reviewed], [Lead]
  Abstract
  
  GaAs:N dilute nitride intermediate band solar cells (IBSCs) with different barrier heights for blocking electron transport from the intermediate band (IB) were prepared and the role of such an electron blocking layer (EBL) was investigated. It is found that the EBL effectively confines electrons in the IB states, and the two-step photocurrent generation process is strongly affected by its barrier height. A rate equation analysis well reproduced experimental observations of the applied voltage dependence of the two-step photocurrent generation process. It revealed that the electron extraction both from the conduction band and the IB through the EBL is governed by the thermionic emission process. To meet the requirements of an ideal IBSC, optimized device structures including the barrier height of the EBL have to be designed properly taking into account the material parameters and carrier dynamics under the actual operating condition.
  IOP Publishing, English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.35848/1347-4065/acbf5e
  DOI ID：10.35848/1347-4065/acbf5e, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, 共同研究・競争的資金等ID：40969023
• Activation of two dopants, Bi and Er in δ-doped layer in Si crystal
  Murata, K.; Yagi, S.; Kanazawa, T.; Tsubomatsu, S.; Kirkham, C.; Nittoh, K.-I.; Bowler, D.R.; Miki, K.
  Nano Futures, Volume：5, Number：4, First page：045005, Last page：045005, Dec. 2021, [Reviewed]
  IOP Publishing, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1088/2399-1984/ac421d
  DOI ID：10.1088/2399-1984/ac421d, ISSN：2399-1984, eISSN：2399-1984, ORCID：127971459, SCOPUS ID：85140874876
• Detection of Nonradiative Recombination Centers in GaPN by Combining Two-Wavelength Excited Photoluminescence and Time-Resolved Photoluminescence　　　　　　　　　　　　　　　
  Sanjida Ferdous; Hiroki Iwai; Norihiko Kamata; Hiroyuki Yaguchi; Shuhei Yagi
  PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, Volume：258, Number：11, Nov. 2021, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.202100119
  DOI ID：10.1002/pssb.202100119, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, Web of Science ID：WOS:000692804600001
• Influence of Laser Irradiation on the Photoluminescence Intensity of InGaAsN Quantum Wells　　　　　　　　　　　　　　　
  Md. Zamil Sultan; Shuhei Yagi; Kengo Takamiya; Hiroyuki Yaguchi; Osamu Ueda
  North American Academic Research, Volume：4, Number：2, First page：240, Last page：251, Feb. 2021, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.5281/zenodo.4564429
  DOI ID：10.5281/zenodo.4564429
• Photoluminescence intensity change of GaP1-xNx alloys by laser irradiation　　　　　　　　　　　　　　　
  Md. Zamil Sultan; Akinori Shiroma; Shuhei Yagi; Kengo Takamiya; Hiroyuki Yaguchi
  AIP ADVANCES, Volume：10, Number：9, Sep. 2020, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1063/5.0020793
  DOI ID：10.1063/5.0020793, eISSN：2158-3226, Web of Science ID：WOS:000567593300001
• Spectral Change of E − Band Emission in a GaAs:N δ-Doped Superlattice Due to Below-Gap Excitation and Its Discrimination from Thermal Activation　　　　　　　　　　　　　　　
  Md Dulal Haque; Norihiko Kamata; A. Z.M.Touhidul Islam; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  Journal of Electronic Materials, Volume：49, Number：2, First page：1550, Last page：1556, Feb. 2020, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1007/s11664-019-07856-6
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85075954109&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85075954109&origin=inward
  DOI ID：10.1007/s11664-019-07856-6, ISSN：0361-5235, eISSN：1543-186X, SCOPUS ID：85075954109, Web of Science ID：WOS:000500279100002
• Photoluminescence characterization of nonradiative recombination centers in MOVPE grown GaAs:N δ-doped superlattice structure
  Haque, M.D.; Kamata, N.; Islam; A.Z.M.T.; Honda, Z.; Yagi, S.; Yaguchi, H.
  Optical Materials, Volume：89, First page：521, Last page：527, Feb. 2019, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1016/j.optmat.2019.01.047
  DOI ID：10.1016/j.optmat.2019.01.047, ISSN：0925-3467, ORCID：127971375, SCOPUS ID：85061552945
• Detection of Nonradiative Recombination Centers in GaPN (N:0.105%) by Below-Gap Excitation Light　　　　　　　　　　　　　　　
  Sanjida Ferdous; Norihiko Kamata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  Physica Status Solidi (B) Basic Research, 2019, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.201900377
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85074068004&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85074068004&origin=inward
  DOI ID：10.1002/pssb.201900377, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, SCOPUS ID：85074068004, Web of Science ID：WOS:000489972400001
• Growth temperature dependence of cubic GaN step structures and cubic InN dot arrays grown on MgO (001) vicinal substrates　　　　　　　　　　　　　　　
  Kazumasa Okura; Kengo Takamiya; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：58, Number：SC, 2019, [Reviewed], [Corresponding]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab106a
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85070734869&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85070734869&origin=inward
  DOI ID：10.7567/1347-4065/ab106a, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：85070734869, Web of Science ID：WOS:000474911400059
• Effects of solvent vapor annealing on organic photovoltaics with a new type of solution-processable oligothiophene-based electronic donor material　　　　　　　　　　　　　　　
  Akiyama, Yuki; Tachibana, Hiroaki; Azumi, Reiko; Miyadera, Tetsuhiko; Chikamatsu, Masayuki; Koganezawa, Tomoyuki; Yagi, Shuhei; Yaguchi, Hiroyuki
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Volume：57, Number：8, Aug. 2018, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.57.08RE09
  DOI ID：10.7567/JJAP.57.08RE09, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, Web of Science ID：WOS:000443891800067
• Biexciton Emission From Single Quantum-Confined Structures in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells　　　　　　　　　　　　　　　
  Kengo Takamiya; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Hidefumi Akiyama; Kanako Shojiki; Tomoyuki Tanikawa; Ryuji Katayama
  PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, Volume：255, Number：5, May 2018, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.201700454
  DOI ID：10.1002/pssb.201700454, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, Web of Science ID：WOS:000432028400019
• Nonradiative recombination centers in GaAs:N delta-doped superlattice revealed by two-wavelength-excited photoluminescence　　　　　　　　　　　　　　　
  Haque, Md. Dulal; Kamata, Norihiko; Fukuda, Takeshi; Honda, Zentaro; Yagi, Shuhei; Yaguchi, Hiroyuki; Okada, Yoshitaka
  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Volume：123, Number：16, Apr. 2018, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1063/1.5011311
  DOI ID：10.1063/1.5011311, ISSN：0021-8979, eISSN：1089-7550, Web of Science ID：WOS:000431147200029
• Growth of InN/GaN dots on 4H-SiC(0001) 4° off vicinal substrates by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
  Keisuke Matsuoka; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  Journal of Crystal Growth, Volume：477, First page：201, Last page：206, Nov. 2017, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.05.021
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85020105871&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85020105871&origin=inward
  DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2017.05.021, ISSN：0022-0248, SCOPUS ID：85020105871, Web of Science ID：WOS:000413646100043
• Spectral change of intermediate band luminescence in GaP:N due to below-gap excitation: Discrimination from thermal activation　　　　　　　　　　　　　　　
  N. Kamata; M. Suetsugu; D. Haque; S. Yagi; H. Yaguchi; F. Karlsson; P. O. Holtz
  Physica Status Solidi (B) Basic Research, Volume：254, Number：2, Feb. 2017, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.201600566
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85003749566&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85003749566&origin=inward
  DOI ID：10.1002/pssb.201600566, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, SCOPUS ID：85003749566, Web of Science ID：WOS:000394614300035
• Self-organized growth of cubic InN dot arrays on cubic GaN using MgO (001) vicinal substrates　　　　　　　　　　　　　　　
  Kenichi Ishii; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  Physica Status Solidi (B) Basic Research, Volume：254, Number：2, Feb. 2017, [Reviewed], [Corresponding]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.201600542
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85000938311&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85000938311&origin=inward
  DOI ID：10.1002/pssb.201600542, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, SCOPUS ID：85000938311, Web of Science ID：WOS:000394614300028
• Photoluminescence characterization of carrier recombination centers in 4H-SiC substrates by utilizing below gap excitation　　　　　　　　　　　　　　　
  K. Kondo; N. Kamata; H. Yaguchi; S. Yagi; T. Fukuda; Z. Honda
  Materials Science Forum, Volume：897 MSF, First page：315, Last page：318, 2017, [Reviewed]
  English, International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.897.315
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85020048562&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85020048562&origin=inward
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.897.315, ISSN：0255-5476, eISSN：1662-9752, SCOPUS ID：85020048562
• Photoluminescence study of oxidation-induced faults in 4H-SiC epilayers　　　　　　　　　　　　　　　
  Yutaro Miyano; Ryosuke Asafuji; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
  AIP Advances, Volume：5, Number：12, Dec. 2015, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1063/1.4938126
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84952672264&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84952672264&origin=inward
  DOI ID：10.1063/1.4938126, ISSN：2158-3226, eISSN：2158-3226, SCOPUS ID：84952672264, Web of Science ID：WOS:000367596300016
• Control of intermediate-band configuration in GaAs:N δ-doped superlattice　　　　　　　　　　　　　　　
  Kazuki Osada; Tomoya Suzuki; Shuhei Yagi; Shunya Naitoh; Yasushi Shoji; Yasuto Hijikata; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：54, Number：8, Aug. 2015, [Reviewed]
  English, International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.54.08KA04
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84938516127&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84938516127&origin=inward
  DOI ID：10.7567/JJAP.54.08KA04, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：84938516127, Web of Science ID：WOS:000358662900005
• Molecular beam epitaxial growth of intermediate-band materials based on GaAs:N δ-doped superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
  Tomoya Suzuki; Kazuki Osada; Shuhei Yagi; Shunya Naitoh; Yasushi Shoji; Yasuto Hijikata; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：54, Number：8, Aug. 2015, [Reviewed], [Corresponding]
  English, International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.54.08KA07
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84938504709&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84938504709&origin=inward
  DOI ID：10.7567/JJAP.54.08KA07, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：84938504709, Web of Science ID：WOS:000358662900008
• Differences in SiC thermal oxidation process between crystalline surface orientations observed by in-situ spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Daisuke Goto; Yasuto Hijikata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  Journal of Applied Physics, Volume：117, Number：9, Mar. 2015, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1063/1.4914050
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84924310120&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84924310120&origin=inward
  DOI ID：10.1063/1.4914050, ISSN：0021-8979, eISSN：1089-7550, SCOPUS ID：84924310120, Web of Science ID：WOS:000351134400041
• Photoluminescence study of oxidation-induced stacking faults in 4H-SiC epilayers　　　　　　　　　　　　　　　
  Yutaro Miyano; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
  Materials Science Forum, Volume：821-823, First page：327, Last page：330, 2015, [Reviewed]
  International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.327
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84950321920&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84950321920&origin=inward
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.327, ISSN：0255-5476, SCOPUS ID：84950321920
• Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Daisuke Goto; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
  Materials Science Forum, Volume：821-823, First page：371, Last page：374, 2015, [Reviewed]
  International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.371
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84950341587&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84950341587&origin=inward
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.371, ISSN：0255-5476, SCOPUS ID：84950341587
• Growth temperature dependence of the surface segregation of Er atoms in GaAs during molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
  Ri Guo Jin; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：54, Number：5, 2015, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.54.051201
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84983072013&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84983072013&origin=inward
  DOI ID：10.7567/JJAP.54.051201, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：84983072013, Web of Science ID：WOS:000354980300009
• Enhanced optical absorption due to E+-related band transition in GaAs:N δ-doped superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
  Shuhei Yagi; Shunsuke Noguchi; Yasuto Hijikata; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
  Applied Physics Express, Volume：7, Number：10, Oct. 2014, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.7567/APEX.7.102301
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84988891884&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84988891884&origin=inward
  DOI ID：10.7567/APEX.7.102301, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, SCOPUS ID：84988891884, Web of Science ID：WOS:000344439300007
• Photoreflectance study of the temperature dependence of excitonic transitions in dilute GaAsN alloys
  Okubo, W.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Onabe, K.; Yaguchi, H.
  Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Volume：211, Number：4, First page：752, Last page：755, Mar. 2014, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.201300462
  DOI ID：10.1002/pssa.201300462, ISSN：1862-6319, ORCID：127971457, SCOPUS ID：84897986009
• Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata; Yurie Akasaka; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  Materials Science Forum, Volume：778-780, First page：553, Last page：556, 2014, [Reviewed]
  International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.553
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84896066589&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84896066589&origin=inward
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.553, ISSN：0255-5476, eISSN：1662-9752, SCOPUS ID：84896066589, Web of Science ID：WOS:000336634100130
• Stacked structure of self-organized cubic InN nano-dots grown by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
  Shuhei Yagi; Junichiro Suzuki; Misao Orihara; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Volume：10, Number：11, First page：1545, Last page：1548, Nov. 2013, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201300275
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  DOI ID：10.1002/pssc.201300275, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, SCOPUS ID：84887619549, Web of Science ID：WOS:000334583400049
• Conversion efficiency of intermediate band solar cells with GaAs:N δ-doped superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
  Shuhei Yagi; Shunsuke Noguchi; Yasuto Hijikata; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Hiroyuki Yaguchi
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：52, Number：10 PART1, Oct. 2013, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.52.102302
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  DOI ID：10.7567/JJAP.52.102302, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：84887232116, Web of Science ID：WOS:000325209000024
• Direct evidence of carrier excitation from intermediate band states in GaPN by two-wavelength excited photoluminescence　　　　　　　　　　　　　　　
  Abu Zafor Muhammad Touhidul Islam; Tsukasa Hanaoka; Kentaro Onabe; Shuhei Yagi; Norihiko Kamata; Hiroyuki Yaguchi
  Applied Physics Express, Volume：6, Number：9, Sep. 2013, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.7567/APEX.6.092401
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84883664354&origin=inward
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  DOI ID：10.7567/APEX.6.092401, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, SCOPUS ID：84883664354, Web of Science ID：WOS:000324494100020
• Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and c emission model　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Sadafumi Yoshida
  Materials Science Forum, Volume：740-742, First page：833, Last page：836, 2013, [Reviewed]
  International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.833
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  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.833, ISSN：0255-5476, eISSN：1662-9752, SCOPUS ID：84874076989, Web of Science ID：WOS:000319785500198
• Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (0 0 1) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
  Ri Guo Jin; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Ryuji Katayama; Hiroyuki Yaguchi
  Journal of Crystal Growth, Volume：378, First page：85, Last page：87, 2013, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.043
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  DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2012.12.043, ISSN：0022-0248, SCOPUS ID：84885427998, Web of Science ID：WOS:000323355900023
• RF-MBE growth of cubic InN nano-scale dots on cubic GaN　　　　　　　　　　　　　　　
  Junichiro Suzuki; Misao Orihara; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
  Journal of Crystal Growth, Volume：378, First page：454, Last page：458, 2013, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.050
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  DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2012.12.050, ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, SCOPUS ID：84885434999, Web of Science ID：WOS:000323355900113
• Analysis of electronic structures of nitrogen δ-doped GaAs superlattices for high efficiency intermediate band solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
  Shunsuke Noguchi; Shuhei Yagi; Daisuke Sato; Yasuto Hijikata; Kentaro Onabe; Shigeyuki Kuboya; Hiroyuki Yaguchi
  IEEE Journal of Photovoltaics, Volume：3, Number：4, First page：1287, Last page：1291, 2013, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2013.2271978
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  DOI ID：10.1109/JPHOTOV.2013.2271978, ISSN：2156-3381, SCOPUS ID：84884672481, Web of Science ID：WOS:000324881400023
• Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
  Kengo Takamiya; Toshiyuki Fukushima; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Toshimitsu Mochizuki; Masahiro Yoshita; Hidefumi Akiyama; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Ryuji Katayama; Hiroyuki Yaguchi
  AIP Conference Proceedings, Volume：1566, First page：538, Last page：539, 2013, [Reviewed]
  English, International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.1063/1.4848523
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  DOI ID：10.1063/1.4848523, ISSN：0094-243X, eISSN：1551-7616, SCOPUS ID：84907305933, Web of Science ID：WOS:000331793000268
• Biexciton luminescence from individual isoelectronic traps in nitrogen δ-doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
  Kengo Takamiya; Toshiyuki Fukushima; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Toshimitsu Mochizuki; Masahiro Yoshita; Hidefumi Akiyama; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Ryuji Katayama; Hiroyuki Yaguchi
  Applied Physics Express, Volume：5, Number：11, Nov. 2012, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1143/APEX.5.111201
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  DOI ID：10.1143/APEX.5.111201, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, SCOPUS ID：84869186070, Web of Science ID：WOS:000310867800003
• Oxygen partial pressure dependence of the SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Keiko Kouda; Yasuto Hijikata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Sadafumi Yoshida
  Journal of Applied Physics, Volume：112, Number：2, Jul. 2012, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1063/1.4736801
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84865484968&origin=inward
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  DOI ID：10.1063/1.4736801, ISSN：0021-8979, SCOPUS ID：84865484968, Web of Science ID：WOS:000308424500114
• Micro-photoluminescence study on the influence of oxidation on stacking faults in 4H-SiC epilayers　　　　　　　　　　　　　　　
  Hikaru Yamagata; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
  Applied Physics Express, Volume：5, Number：5, May 2012, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1143/APEX.5.051302
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84861398046&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84861398046&origin=inward
  DOI ID：10.1143/APEX.5.051302, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, SCOPUS ID：84861398046, Web of Science ID：WOS:000303932500005
• RF-MBE growth of semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)　　　　　　　　　　　　　　　
  Misao Orihara; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Volume：9, Number：3-4, First page：658, Last page：661, Mar. 2012, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201100365
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84858842029&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84858842029&origin=inward
  DOI ID：10.1002/pssc.201100365, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, SCOPUS ID：84858842029, Web of Science ID：WOS:000306521600059
• Single photon generation from nitrogen atomic-layer doped gallium arsenide　　　　　　　　　　　　　　　
  Kengo Takamiya; Yuta Endo; Toshiyuki Fukushima; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Toshimitsu Mochizuki; Masahiro Yoshita; Hidefumi Akiyama; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Ryuji Katayama; Hiroyuki Yaguchi
  Materials Science Forum, Volume：706-709, First page：2916, Last page：2921, 2012, [Reviewed]
  English, International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.706-709.2916
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84856180201&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84856180201&origin=inward
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.706-709.2916, ISSN：0255-5476, eISSN：1662-9752, SCOPUS ID：84856180201, Web of Science ID：WOS:000308517301220
• High-density quantum dot superlattice for application to high-efficiency solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
  Ryuji Oshima; Yoshitaka Okada; Ayami Takata; Shuhei Yagi; Kouichi Akahane; Ryo Tamaki; Kenjiro Miyano
  PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 2, Volume：8, Number：2, 2011, [Reviewed]
  English, International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201000461
  DOI ID：10.1002/pssc.201000461, ISSN：1862-6351, Web of Science ID：WOS:000301533800123
• High-efficiency solar cells based on quantum dot superlattice　　　　　　　　　　　　　　　
  OKADA Yoshitaka; YAGI Shuhei; OSHIMA Ryuji
  應用物理, Volume：79, Number：3, First page：206, Last page：212, Mar. 2010, [Reviewed]
  応用物理学会, Japanese
  ISSN：0369-8009, J-Global ID：201002233272788305, CiNii Articles ID：10026199411, CiNii Books ID：AN00026679
• Evaluation of selective energy contact for hot carrier solar cells based on III-V semiconductors　　　　　　　　　　　　　　　
  Shuhei Yagi; Ryuji Oshima; Yoshitaka Okada
  Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, First page：000530, Last page：000533, 2009
  English, International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.1109/PVSC.2009.5411629
  DOI ID：10.1109/PVSC.2009.5411629, ISSN：0160-8371, SCOPUS ID：77951595758
• Global Tuning of Local Molecular Phenomena:  An Alternative Approach to Bionanoelectronics　　　　　　　　　　　　　　　
  A. Bandyopadhyay; K. Nittoh; Y. Wakayama; S. Yagi; K. Miki
  The Journal of Physical Cehmistry B, Volume：110, Number：42, First page：20852, Last page：20857, Sep. 2006, [Reviewed]
  English, Scientific journal
• Surface bismuth removal after Bi nanoline encapsulation in silicon
  Shuhei Yagi; Wataru Yashiro; Kunihiro Sakamoto; Kasuzhi Miki
  Surface Science, Volume：595, Number：1-3, 2005, [Reviewed], [Lead]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1016/j.susc.2005.08.013
  DOI ID：10.1016/j.susc.2005.08.013, ISSN：0039-6028, ORCID：127971396, SCOPUS ID：27644522002
• Substitutional C incorporation into Si1-yCy alloys using novel carbon source, 1,3-disilabutane　　　　　　　　　　　　　　　
  S Yagi; K Abe; A Yamada; M Konagai
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, Volume：43, Number：7A, First page：4153, Last page：4154, Jul. 2004, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.43.4153
  DOI ID：10.1143/JJAP.43.4153, ISSN：0021-4922, Web of Science ID：WOS:000223001800019
• C stability in Si1-yCy epitaxial films grown by low-temperature chemical vapor deposition　　　　　　　　　　　　　　　
  S Yagi; K Abe; A Yamada; M Konagai
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, Volume：42, Number：4A, First page：1499, Last page：1502, Apr. 2003, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1143/jjap.42.1499
  DOI ID：10.1143/jjap.42.1499, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：150000041156, Web of Science ID：WOS:000182892300001
• Phosphorous doping of strain-induced Si1-yCy epitaxial films grown by low-temperature chemical vapor deposition　　　　　　　　　　　　　　　
  S Yagi; K Abe; T Okabayashi; Y Yoneyama; A Yamada; M Konagai
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, Volume：41, Number：4B, First page：2472, Last page：2475, Apr. 2002, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.41.2472
  DOI ID：10.1143/JJAP.41.2472, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：150000039821, Web of Science ID：WOS:000175703200038
• Growth and characterization of phosphorus doped Si1-yCy alloy grown by photo- and plasma-CVD at very low temperature　　　　　　　　　　　　　　　
  K Abe; S Yagi; T Okabayashi; A Yamada; M Konagai
  MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, Volume：89, Number：1-3, First page：303, Last page：305, Feb. 2002, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  ISSN：0921-5107, Web of Science ID：WOS:000174015300063
• Characterization of tensile strained Si1-yCy alloy grown by photo- and plasma chemical vapor deposition at very low temperature　　　　　　　　　　　　　　　
  K Abe; S Yagi; T Okabayashi; A Yamada; M Konagai
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, Volume：40, Number：7, First page：4440, Last page：4444, Jul. 2001, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.40.4440
  DOI ID：10.1143/JJAP.40.4440, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：10006237194, Web of Science ID：WOS:000170772500002
• Epitaxial growth of Si1-yCy film by low temperature chemical vapor deposition　　　　　　　　　　　　　　　
  S Yagi; K Abe; A Yamada; M Konagai
  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, Volume：39, Number：11A, First page：L1078, Last page：L1080, Nov. 2000, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  ISSN：0021-4922, Web of Science ID：WOS:000167218300002

• Study on the Binding Energy of Biexcitons Localized at Isoelectronic Traps in Nitrogen δ-Doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
  矢野裕子; 高宮健吾; 藤川沙千恵; 八木修平; 矢口裕之; 小林真隆; 秋山英文
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：70th, 2023
  ISSN：2436-7613, J-Global ID：202302286333664872
• Excitation Power Dependence of Emission Lines from Er Doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
  伊藤駿平; 高宮健吾; 小林真隆; 八木修平; 秋山英文; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：69th, First page：2624, Last page：2624, 2022
  The Japan Society of Applied Physics, Japanese
  DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2624
  DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2624, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：202202243673645430
• Degradation of Photoluminescence Intensity of GaAs under High Power Density Excitation　　　　　　　　　　　　　　　
  Takaoka Shohei; Md. Zamil Sultan; Takamiya Kengo; Yagi Shuhei; Yaguchi Hiroyuki
  JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, Volume：2021.2, First page：3057, Last page：3057, 26 Aug. 2021
  The Japan Society of Applied Physics, Japanese
  DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_3057
  DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_3057, eISSN：2436-7613
• Optical Characterization of Carrier Recombination Process in Intermediate Type GaPN Alloy: Comparison of Nitrogen Content Between 1.4% and 3.2%　　　　　　　　　　　　　　　
  Iwai Hiroki; Ferdous Sanjida; Kamata Norihiko; Yagi Shuhei; Yaguchi Hiroyuki
  JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, Volume：2021.1, First page：2708, Last page：2708, 26 Feb. 2021
  The Japan Society of Applied Physics, Japanese
  DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2708
  DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2708, eISSN：2436-7613
• Biexciton luminescence from individual isoelectronic traps in N -doped GaAs grown on (111) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
  Takaoka Shouhei; Takamiya Kengo; Yagi Shuhei; Hazama Yuji; Akiyama Hidefumi; Yaguchi Hiroyuki
  JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, Volume：2019.2, First page：3419, Last page：3419, 04 Sep. 2019
  The Japan Society of Applied Physics, Japanese
  DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3419
  DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3419, eISSN：2436-7613
• Characterization of Carrier Recombination Levels in Nitrogen δ-Doped GaAs Superlattices by Two- Wavelength Excited Photoluminescence Method　　　　　　　　　　　　　　　
  Nagata Kota; Norihiko Kamata; Syuuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, Volume：2019.2, First page：3688, Last page：3688, 04 Sep. 2019
  The Japan Society of Applied Physics, Japanese
  DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3688
  DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3688, eISSN：2436-7613
• Growth of InN nanocolumns using a cubic GaN interlayer by RF-MBE　　　　　　　　　　　　　　　
  Onuma Rikiya; Yagi Shuhei; Yaguchi Hiroyuki
  JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, Volume：2019.2, First page：3485, Last page：3485, 04 Sep. 2019
  The Japan Society of Applied Physics, Japanese
  DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3485
  DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3485, eISSN：2436-7613
• Fabrication of cubic InN nanowires on GaN V-groove structures　　　　　　　　　　　　　　　
  Nishimura Yusuke; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, Volume：2019.2, First page：3486, Last page：3486, 04 Sep. 2019
  The Japan Society of Applied Physics, Japanese
  DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3486
  DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3486, eISSN：2436-7613
• 第一原理計算によるGaAsN混晶中のN原子配置のバンド構造への影響の検討
  塚原悠太; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：79th, First page：ROMBUNNO.18p‐234B‐6, 05 Sep. 2018
  Japanese
  J-Global ID：201802221348887183
• 二波長励起PL測定によるGaPN混晶のアップコンバージョン発光特性評価
  高橋渉; 高宮健吾; 八木修平; 狭間優治; 秋山英文; 矢口裕之; 鎌田憲彦
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：79th, First page：ROMBUNNO.18p‐234B‐4, 05 Sep. 2018
  Japanese
  J-Global ID：201802238518840151
• 規則配列化InNドットの作製に向けた立方晶GaN表面ステップ構造の成長条件依存性
  大倉一将; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：79th, First page：ROMBUNNO.19p‐PA4‐25, 05 Sep. 2018
  Japanese
  J-Global ID：201802262792771299
• RF‐MBE成長による4H‐SiC(000-1)基板上へのN極性GaNの作製
  杉浦亮; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：79th, First page：ROMBUNNO.19p‐PA4‐14, Sep. 2018
  Japanese
  J-Global ID：201802290158483556
• MBE成長したErドープGaAsの発光特性に対するアニーリングの影響
  五十嵐大輔; 高宮健吾; 伊藤隆; 八木修平; 秋山英文; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：65th, First page：ROMBUNNO.18p‐P8‐12, 05 Mar. 2018
  Japanese
  J-Global ID：201802217506237741
• Growth of InGaAs: N delta-doped superlattices for multi-junction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
  Umeda, Shumpei; Yagi, Shuhei; Miyashita, Naoya; Okada, Yoshitaka; Yaguchi, Hiroyuki
  2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC), First page：1861, Last page：1864, 2018
  English
  ISSN：2159-2330, eISSN：2159-2349, Web of Science ID：WOS:000469200401194
• GaPN混晶のアップコンバージョン発光
  高橋渉; 高宮健吾; 八木修平; 伊藤隆; 秋山英文; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：78th, First page：ROMBUNNO.6p‐PA7‐1, 25 Aug. 2017
  Japanese
  J-Global ID：201702255331459722
• 新規可溶性オリゴチオフェン系電子ドナー材料を用いた有機薄膜太陽電池への溶媒蒸気アニーリング効果
  秋山雄希; 秋山雄希; 橘浩昭; 阿澄玲子; 宮寺哲彦; 近松真之; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：78th, First page：ROMBUNNO.5p‐PA3‐7, 25 Aug. 2017
  Japanese
  J-Global ID：201702271908434102
• 希釈窒化物半導体中の窒素原子配置によるバンドギャップへの影響
  宮島数喜; 八木修平; 庄司靖; 岡田至崇; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：78th, First page：ROMBUNNO.5p‐C21‐1, 25 Aug. 2017
  Japanese
  J-Global ID：201702278507065273
• 基板再利用に向けたELO後基板の清浄化工程と再成長の検討
  宮下直也; 八木修平; 渡辺健太郎; 木村大希; SODABANLU Hassanet; 中田達也; 杉山正和; 杉山正和; 岡田至崇
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：78th, First page：ROMBUNNO.6p‐PA5‐23, Aug. 2017
  Japanese
  J-Global ID：201702288830548138
• ErドープGaAsからの発光のMBE成長温度依存性
  五十嵐大輔; 高宮健吾; 八木修平; 伊藤隆; 秋山英文; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：64th, First page：ROMBUNNO.17p‐P2‐8, 01 Mar. 2017
  Japanese
  J-Global ID：201702218011102092
• 1eV帯InGaAs:Nδドープ超格子の作製
  梅田峻平; 八木修平; 宮下直也; 岡田至崇; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：64th, First page：ROMBUNNO.14p‐B6‐9, 01 Mar. 2017
  Japanese
  J-Global ID：201702242750399704
• n型GaAs:Nδドープ超格子の電気的特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
  加藤諒; 八木修平; 岡田至崇; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：64th, First page：ROMBUNNO.15p‐P16‐8, Last page：3418, 01 Mar. 2017
  The Japan Society of Applied Physics, Japanese
  DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3418
  DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3418, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201702266277509859
• DRCN5T/PCBMバルクヘテロ接合膜の溶媒蒸気アニーリング過程のその場観察
  新井康司; 新井康司; 宮寺哲彦; 小金澤智之; 秋山雄希; 秋山雄希; 橘浩昭; 吉田郵司; 近松真之; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：64th, First page：ROMBUNNO.16p‐F201‐3, 01 Mar. 2017
  Japanese
  ISSN：2436-7613, J-Global ID：201702283758456263
• 4H‐SiC微傾斜基板上に作製した自己組織化InN/GaNドットの配列性制御
  松岡圭佑; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：77th, First page：ROMBUNNO.16a‐P5‐11, 01 Sep. 2016
  Japanese
  J-Global ID：201602236541953232
• レーザ照射によるGaInNAs混晶半導体の発光効率への影響
  米倉成一; 高宮健吾; 八木修平; 上田修; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：77th, First page：ROMBUNNO.15a‐P11‐11, 01 Sep. 2016
  Japanese
  J-Global ID：201602248642339078
• 新規可溶性オリゴチオフェン系電子ドナー材料を用いた有機薄膜太陽電池
  秋山雄希; 秋山雄希; 橘浩昭; 阿澄玲子; 宮寺哲彦; 近松真之; 小金澤智之; 矢口裕之; 八木修平
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：77th, First page：ROMBUNNO.13p‐P9‐11, 01 Sep. 2016
  Japanese
  ISSN：2436-7613, J-Global ID：201602279619229573
• 添加剤導入によるP3HT薄膜の結晶成長過程のその場観察評価
  新井康司; 新井康司; 宮寺哲彦; 小金澤智之; 秋山雄希; 秋山雄希; 杉田武; 近松真之; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：63rd, First page：ROMBUNNO.19P-W242-6, 03 Mar. 2016
  Japanese
  ISSN：2436-7613, J-Global ID：201602206159061072
• MgO微傾斜基板上に作製した立方晶InNドット配列構造の堆積量依存性
  石井健一; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：63rd, First page：ROMBUNNO.22A-P6-10, 03 Mar. 2016
  Japanese
  J-Global ID：201602218989088990
• 4H‐SiC基板の二波長励起PL測定―BGE強度依存性―
  近藤圭太郎; 福田武司; 本多善太郎; 鎌田憲彦; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：63rd, First page：ROMBUNNO.20A-H101-9, 03 Mar. 2016
  Japanese
  J-Global ID：201602220555984119
• Self-Organized Growth of Cubic InN Dot Arrays on MgO (001) Vicinal Substrates　　　　　　　　　　　　　　　
  Kenichi Ishii; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
  2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 2016, [Reviewed]
  English
  Web of Science ID：WOS:000392285400156
• Optical Characterization of Carrier Recombination Processes in GaPN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence　　　　　　　　　　　　　　　
  Makiko Suetsugu; Norihiko Kamata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Takeshi Fukuda; Fredrik Karlsson; Per-Olof Holts
  2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 2016, [Reviewed]
  English
  Web of Science ID：WOS:000392285400155
• Two-Wavelength Excited Photoluminescence in 4H-SiC Substrate -Dependence on BGE Power Density-　　　　　　　　　　　　　　　
  Keitaro Kondo; Norihiko Kamata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Takeshi Fukuda; Zentaro Honda
  2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 2016, [Reviewed]
  English
  Web of Science ID：WOS:000392285400077
• AlAs/GaAs分布ブラッグ反射鏡を有するEr δドープGaAsの発光特性
  須藤真樹; JIN R.G; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.13P-PB2-5, 31 Aug. 2015
  Japanese
  J-Global ID：201502200169002575
• フォトルミネッセンス法による4H‐SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察
  浅藤亮祐; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.15A-1A-11, 31 Aug. 2015
  Japanese
  J-Global ID：201502200868414404
• 第一原理計算によるGaAs:Nδドープ超格子における光学遷移に関する研究
  吉川洋生; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.13P-PB2-2, 31 Aug. 2015
  Japanese
  J-Global ID：201502202887386651
• 微傾斜基板を用いたシングルドメイン立方晶GaNの成長と立方晶InNドット配列の形成
  石井健一; 折原操; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.14P-PB12-19, 31 Aug. 2015
  Japanese
  J-Global ID：201502207396200760
• 第一原理計算によるInAsN混晶の伝導帯の解析
  宮崎貴史; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.13P-PB2-1, 31 Aug. 2015
  Japanese
  J-Global ID：201502207598351728
• GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性
  JIN R; 高宮健吾; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.13P-PB2-3, 31 Aug. 2015
  Japanese
  J-Global ID：201502215233126671
• ErドープGaAsからの発光に対する低温成長の影響
  飯村啓泰; JIN R.G; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.13P-PB2-4, 31 Aug. 2015
  Japanese
  J-Global ID：201502221370971885
• GaAs:Nδドープ超格子を有する太陽電池の二段階光吸収
  鈴木智也; 八木修平; 土方泰斗; 岡田至崇; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：62nd, First page：ROMBUNNO.13P-P19-17, 26 Feb. 2015
  Japanese
  J-Global ID：201502212728546006
• 4H‐SiC(0001)微傾斜基板を用いたInNドット配列の自己形成
  森誠也; 高宮健吾; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：62nd, First page：ROMBUNNO.12P-P16-9, 26 Feb. 2015
  Japanese
  J-Global ID：201502237562705111
• 第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究
  宮崎貴史; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：62nd, First page：ROMBUNNO.13A-P15-2, 26 Feb. 2015
  Japanese
  J-Global ID：201502238490747422
• 中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長
  鈴木智也; 長田一輝; 八木修平; 内藤駿弥; 土方泰斗; 岡田至崇; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：75th, First page：ROMBUNNO.19P-PB3-10, 01 Sep. 2014
  Japanese
  J-Global ID：201402204873316264
• SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化
  今野良太郎; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：75th, First page：ROMBUNNO.19A-PB5-11, 01 Sep. 2014
  Japanese
  J-Global ID：201402218643252926
• GaAs:Nδドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御
  長田一輝; 鈴木智也; 八木修平; 内藤駿弥; 庄司靖; 岡田至崇; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：75th, First page：ROMBUNNO.19A-S1-6, 01 Sep. 2014
  Japanese
  J-Global ID：201402223396439019
• RF‐MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長
  五十嵐健; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 片山竜二; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：61st, First page：ROMBUNNO.20A-PG1-15, 03 Mar. 2014
  Japanese
  J-Global ID：201402228659986330
• 二波長励起PLによるGaPN混晶の光学特性評価
  末次麻希子; TOUHIDUL ISLAM A.Z.M; 花岡司; 福田武司; 鎌田憲彦; 八木修平; 矢口裕之
  照明学会全国大会講演論文集(CD-ROM), Volume：47th, First page：ROMBUNNO.10-3, 2014
  Japanese
  J-Global ID：201402295481095788
• 六方晶SiC無極性面の酸化過程の実時間観察
  後藤大祐; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：74th, First page：ROMBUNNO.19A-P9-4, 31 Aug. 2013
  Japanese
  J-Global ID：201302203339195393
• 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定
  高宮健吾; 八木修平; 土方泰斗; 望月敏光; 吉田正裕; 秋山英文; 窪谷茂幸; 片山竜二; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：74th, First page：ROMBUNNO.19A-P8-11, 31 Aug. 2013
  Japanese
  J-Global ID：201302208930844769
• GaInNAs量子井戸の発光効率へのレーザー照射の影響
  岩崎卓也; 八木修平; 土方泰斗; 上田修; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：74th, First page：ROMBUNNO.19A-P8-13, 31 Aug. 2013
  Japanese
  J-Global ID：201302210710989914
• GaAsN/GaAs量子井戸構造からの発光の励起強度依存性
  山崎泰由; 八木修平; 土方泰斗; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：74th, First page：ROMBUNNO.19A-P8-14, 31 Aug. 2013
  Japanese
  J-Global ID：201302253457891105
• GaAs:Nδドープ超格子を用いた中間バンド型太陽電池の特性評価
  八木修平; 野口駿介; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 岡田至崇; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：74th, First page：ROMBUNNO.17P-D6-14, 31 Aug. 2013
  Japanese
  J-Global ID：201302263267421817
• InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討
  徳田英俊; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：74th, First page：ROMBUNNO.17P-P7-15, 31 Aug. 2013
  Japanese
  J-Global ID：201302285385764625
• An attempt for clarification of SiC oxidation mechanism : Common/different point to Si oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
  HIJIKATA Yasuto; YAGI Shuhei; YAGUCHI Hiroyuki
  Technical report of IEICE. SDM, Volume：113, Number：87, First page：91, Last page：96, 18 Jun. 2013
  Further understanding of the SiC oxidization mechanism is indispensable for MOSFET using a SiC semiconductor to exceed the conventional Si-based power devices. In this report, we summarize what have been found so far about the oxidization mechanism of SiC, and the research tendency and its subjects in recent years are introduced in terms of common or difference against Si oxidization.
  The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Japanese
  ISSN：0913-5685, CiNii Articles ID：110009779110, CiNii Books ID：AN10013254
• An attempt for clarification of SiC oxidation mechanism-Common/different point to Si oxidation-
  土方泰斗; 八木修平; 矢口裕之
  電子情報通信学会技術研究報告, Volume：113, Number：87(SDM2013 44-64), First page：91, Last page：96, 11 Jun. 2013
  Japanese
  ISSN：0913-5685, J-Global ID：201302213724044520
• RF‐MBE法による立方晶InNドット積層構造の作製
  鈴木潤一郎; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：60th, First page：ROMBUNNO.28P-PA1-1, 11 Mar. 2013
  Japanese
  J-Global ID：201302223183186110
• 4H‐SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について
  宮野祐太郎; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：60th, First page：ROMBUNNO.29P-PB4-9, 11 Mar. 2013
  Japanese
  J-Global ID：201302267568241755
• 中間バンド型太陽電池へ向けたGaAs中窒素ドープ超格子のE₊バンド光吸収の観測
  野口駿介; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 岡田至崇; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
  応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：60th, First page：ROMBUNNO.29A-PB7-19, 11 Mar. 2013
  Japanese
  J-Global ID：201302299241158730
• ホットキャリアを利用した新型太陽電池の開発
  八木修平; 岡田至崇
  ゼネラル石油研究奨励財団研究報告書, Number：15, First page：8, Last page：11, 01 Feb. 2013
  Japanese
  J-Global ID：201402263729291920
• Optical Absorption by E+ Miniband of GaAs:N delta-Doped Superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
  Yagi, Shuhei; Noguchi, Shunsuke; Hijikata, Yasuto; Kuboya, Shigeyuki; Onabe, Kentaro; Okada, Yoshitaka; Yaguchi, Hiroyuki
  2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), First page：2490, Last page：2493, 2013
  English
  ISSN：0160-8371, Web of Science ID：WOS:000340054100565
• Thermal Oxidation Mechanism of Silicon Carbide　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Sadafumi Yoshi
  Physics and Technology of Silicon Carbide Devices, Oct. 2012
  {InTech}
  DOI：https://doi.org/10.5772/50748
  DOI ID：10.5772/50748, ORCID put code：79780638
• スパッタ薄膜成長による4H‐SiC基板中の非発光再結合中心生成
  加藤寿悠; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.11P-PB2-12, 27 Aug. 2012
  Japanese
  J-Global ID：201202222514720266
• 堆積と熱酸化による4H‐SiC MOS構造の作製
  大谷篤志; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.11P-PB2-4, 27 Aug. 2012
  Japanese
  J-Global ID：201202230425306688
• InN成長におけるInN高温バッファ層の効果に関する検討
  増田篤; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.12A-PB4-11, 27 Aug. 2012
  Japanese
  J-Global ID：201202235572897960
• 第一原理計算によるGaAsNの電子構造に対する原子配置の影響に関する研究
  坂本圭; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.12A-PB4-22, 27 Aug. 2012
  Japanese
  J-Global ID：201202252900504833
• 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定
  高宮健吾; 八木修平; 土方泰斗; 望月敏光; 吉田正裕; 秋山英文; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 矢口裕之
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.12P-PB11-20, 27 Aug. 2012
  Japanese
  J-Global ID：201202257209482469
• MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長
  JIN R; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 矢口裕之
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.12P-PB11-16, 27 Aug. 2012
  Japanese
  J-Global ID：201202271314197829
• RF‐MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響
  五十嵐健; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.12A-PB4-12, 27 Aug. 2012
  Japanese
  J-Global ID：201202279081759741
• RF‐MBE法によるTiO₂(001)基板上への立方晶GaNの成長
  折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.13P-H9-17, 27 Aug. 2012
  Japanese
  J-Global ID：201202285680090400
• 熱酸化が4H‐SiCエピ膜中積層欠陥に及ぼす影響の顕微フォトルミネッセンスによる観察
  山形光; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：59th, First page：ROMBUNNO.17P-A8-11, 29 Feb. 2012
  Japanese
  J-Global ID：201202246861327481
• 窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光
  高宮健吾; 福島俊之; 星野真也; 八木修平; 土方泰斗; 望月敏光; 吉田正裕; 秋山英文; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 矢口裕之
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：59th, First page：ROMBUNNO.17A-A8-9, 29 Feb. 2012
  Japanese
  J-Global ID：201202254067781707
• 分光エリプソメトリによる立方晶InNの光学的特性評価
  吉田倫大; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：59th, First page：ROMBUNNO.16A-DP1-27, 29 Feb. 2012
  Japanese
  J-Global ID：201202270422534312
• GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価
  野口駿介; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：59th, First page：ROMBUNNO.17P-DP3-12, 29 Feb. 2012
  Japanese
  J-Global ID：201202272956548214
• 窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
  新井佑也; 星野真也; 高宮健吾; 八木修平; 土方泰斗; 望月敏光; 吉田正裕; 秋山英文; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：59th, First page：ROMBUNNO.17P-DP3-13, 29 Feb. 2012
  Japanese
  J-Global ID：201202279946154581
• Analysis of the energy structure of nitrogen δ-doped GaAs superlattices for high efficiency intermediate band solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
  Shunsuke Noguchi; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Kentaro Onabe; Shigeyuki Kuboya; Hiroyuki Yaguchi
  Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, First page：83, Last page：86, 2012
  English
  DOI：https://doi.org/10.1109/PVSC.2012.6317573
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84869429937&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84869429937&origin=inward
  DOI ID：10.1109/PVSC.2012.6317573, ISSN：0160-8371, SCOPUS ID：84869429937
• RF‐MBE法によるInN(10‐13)及びInGaN(10‐13)のGaAs(110)基板上への成長
  折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：72nd, First page：ROMBUNNO.30A-ZE-8, 16 Aug. 2011
  Japanese
  J-Global ID：201102239405788481
• 共鳴トンネル構造を用いたエネルギー選択層における熱励起電流のホットキャリア型太陽電池特性への影響
  八木修平; 土方泰斗; 岡田至崇; 矢口裕之
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：72nd, First page：ROMBUNNO.1A-H-12, 16 Aug. 2011
  Japanese
  J-Global ID：201102252261232919
• Quantum well double barrier resonant tunneling structures for selective contacts of hot carrier solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
  Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
  Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, First page：003309, Last page：003312, 2011
  DOI：https://doi.org/10.1109/PVSC.2011.6186646
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84861083769&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84861083769&origin=inward
  DOI ID：10.1109/PVSC.2011.6186646, ISSN：0160-8371, SCOPUS ID：84861083769
• 極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル
  大久保航; 石川輝; 八木修平; 土方泰斗; 吉田貞史; 片山竜二; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：71st, First page：ROMBUNNO.14P-ZV-1, 30 Aug. 2010
  Japanese
  J-Global ID：201002208945322457
• 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
  新井佑也; 遠藤雄太; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 矢口裕之
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：71st, First page：ROMBUNNO.14P-ZV-2, 30 Aug. 2010
  Japanese
  J-Global ID：201002211648568235
• 酸化中のSiC層へのSiおよびC原子放出についての理論的検討
  土方泰斗; 八木修平; 矢口裕之; 吉田貞史
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：71st, First page：ROMBUNNO.15A-ZS-10, 30 Aug. 2010
  Japanese
  J-Global ID：201002219694574542
• 高密度InAs/GaNAs量子ドット太陽電池構造の光学特性評価
  大島隆治; 高田彩未; 八木修平; 赤羽浩一; 玉置亮; 宮野健次郎; 岡田至崇
  応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：71st, First page：ROMBUNNO.16A-ZV-3, 30 Aug. 2010
  Japanese
  J-Global ID：201002240598104615
• FABRICATION OF RESONANT TUNNELING STRUCTURES FOR SELECTIVE ENERGY CONTACT OF HOT CARRIER SOLAR CELL BASED ON III-V SEMICONDUCTORS　　　　　　　　　　　　　　　
  Shuhei Yagi; Yoshitaka Okada
  35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, First page：1213, Last page：1216, 2010
  English
  DOI：https://doi.org/10.1109/PVSC.2010.5614058
  DOI ID：10.1109/PVSC.2010.5614058, ISSN：0160-8371, Web of Science ID：WOS:000287579501092
• ホットキャリア太陽電池に向けたエネルギー選択層の評価(II)
  八木修平; 大島隆治; 岡田至崇
  応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：70th, Number：3, First page：1308, 08 Sep. 2009
  Japanese
  J-Global ID：200902295067574313
• ホットキャリア太陽電池に向けたエネルギー選択層(SEC)の評価
  八木修平; 大島隆治; 岡田至崇
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：56th, Number：3, First page：1453, 30 Mar. 2009
  Japanese
  J-Global ID：200902253305069261
• EVALUATION OF SELECTIVE ENERGY CONTACT FOR HOT CARRIER SOLAR CELLS BASED ON III-V SEMICONDUCTORS　　　　　　　　　　　　　　　
  Shuhei Yagi; Ryuji Oshima; Yoshitaka Okada
  2009 34TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, VOLS 1-3, First page：1322, Last page：1325, 2009
  English
  ISSN：0160-8371, Web of Science ID：WOS:000280345900288
• InGaAs/GaAs系超格子構造太陽電池におけるキャリアの脱出過程
  八木修平; 永持創一朗; 大島隆治; 岡田至崇
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：55th, Number：1, First page：369, 27 Mar. 2008
  Japanese
  J-Global ID：200902231653046000
• シリコン結晶中へのδドーピング III:電気特性
  八木修平; 坂本邦博; 三木一司
  応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：67th, Number：1, First page：361, 29 Aug. 2006
  Japanese
  J-Global ID：200902263589291134
• シリコン結晶中へのδドーピング I:ビスマス原子細線を利用した手法
  三木一司; 八木修平; 坂本邦博; 深津晋
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：53rd, Number：1, First page：405, 22 Mar. 2006
  Japanese
  J-Global ID：200902225954321952
• シリコン結晶中へのδドーピング II:ビスマスとエルビウムの共ドーピング
  八木修平; 安原望; 坂本邦博; 深津晋; 三木一司
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：53rd, Number：1, First page：405, 22 Mar. 2006
  Japanese
  J-Global ID：200902243706251024
• 光学マルチセルを使った画像処理用2次元分子コンピュータの試作
  日塔光一; 八木修平; 大橋勝文; 三木一司
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：53rd, Number：3, First page：1352, 22 Mar. 2006
  Japanese
  J-Global ID：200902257906680133
• 埋め込み型ビスマス原子細線 4:電気伝導測定
  日塔光一; 八木修平; 矢代航; 白木一郎; 坂本邦博; 三木一司
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：52nd, Number：2, First page：755, 29 Mar. 2005
  Japanese
  J-Global ID：200902236484514645
• 埋め込み型Bi原子細線 1:加熱による消滅
  八木修平; 矢代航; 坂本邦博; 三木一司
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：52nd, Number：2, First page：754, 29 Mar. 2005
  Japanese
  J-Global ID：200902297810926141
• ガスソースMBE法により作製したSi_1-yC_y混晶薄膜の熱的安定性
  阿部克也; 矢部千晶; 八木修平; 綿引達郎; 山田明; 小長井誠
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：50th, Number：1, First page：463, 27 Mar. 2003
  Japanese
  J-Global ID：200902229600851658
• Theoretical and Experimental Analyses of C stability in Epitaxial Si_1-y_C_y_ Films　　　　　　　　　　　　　　　
  S. Yagi; K. Abe; A; Yamada; M. Konagai
  Third International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, First page：62, Last page：64, 2003
• Novel Carbon Source (1,3-Disilabutane) for the Deposition of Microcrystalline Silicon Carbon　　　　　　　　　　　　　　　
  Shuhei Yagi; Takashi Okabayashi; Katsuya Abe Akira Yamada; Makoto Konagai
  3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Abstracts for the Technical Program, First page：101, 2003
• 1,3‐ジシラブタンを用いたSi_1-yC_y薄膜の低温エピタキシャル成長
  八木修平; 阿部克也; 山田明; 小長井誠
  応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：63rd, Number：1, First page：372, 24 Sep. 2002
  Japanese
  J-Global ID：200902114548381468
• 1,3‐ジシラブタンをCソースに用いた微結晶Si_1-xC_x薄膜の作製
  岡林尚志; 八木修平; 阿部克也; 山田明; 小長井誠
  応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：63rd, Number：2, First page：833, 24 Sep. 2002
  Japanese
  J-Global ID：200902176453380338
• 1,3‐ジシラブタンをCソースに用いた光CVD法によるa‐SiC薄膜の作製
  岡林尚志; 八木修平; 阿部克也; 山田明; 小長井誠
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：49th, Number：2, First page：920, 27 Mar. 2002
  Japanese
  J-Global ID：200902102616909370
• IV族混晶半導体Si_1-yC_yにおけるCの熱的安定性
  八木修平; 阿部克也; 岡林尚志; 米山雄一; 山田明; 小長井誠
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：49th, Number：1, First page：412, 27 Mar. 2002
  Japanese
  J-Global ID：200902126295642225
• Novel carbon source (1,3-disilabutane) for the deposition of p-type a-SiC　　　　　　　　　　　　　　　
  S Yagi; T Okkabayashi; K Abe; A Yamada; M Konagai
  AMORPHOUS AND HETEROGENEOUS SILICON-BASED FILMS-2002, Volume：715, First page：533, Last page：537, 2002
  English
  ISSN：0272-9172, Web of Science ID：WOS:000179162400076
• P-Doping into Strain-Induced Si_<1-y>C_y Epitaxial Films Grown by Low Temperature Chemical Vapor Deposition　　　　　　　　　　　　　　　
  YAGI Shuhei; ABE Katsuya; OKABAYASHI Takashi; YAMADA Akira; KONAGAI Makoto
  Volume：2001, First page：484, Last page：485, 25 Sep. 2001
  English
  CiNii Articles ID：10015753496, CiNii Books ID：AA10777858
• プラズマCVD法によるSi_1-yC_y薄導へのPドーピング
  八木修平; 阿部克也; 岡林尚志; 山田明; 小長井誠
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：48th, Number：1, First page：460, 28 Mar. 2001
  Japanese
  J-Global ID：201202168097926110
• SiH₂(CH₃)₂を用いたSi_1-yC_y薄膜の家温エピタキシャル成長
  八木修平; 阿部克也; 岡林尚志; 山田明; 小長井誠
  応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：61st, Number：1, First page：336, 03 Sep. 2000
  Japanese
  J-Global ID：201202147608902773
• 非平衡CVD法により作製したSi_1-yC_y膜の構造評価
  阿部克也; 八木修平; 岡林尚志; 山田明; 小長井誠
  応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：61st, Number：1, First page：336, 03 Sep. 2000
  Japanese
  J-Global ID：201202174940855751
• 低温形成Siエピタキシャル薄膜へのC添加の試み
  八木修平; 阿部克也; 山田明; 小長井誠
  応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：47th, Number：1, First page：409, 28 Mar. 2000
  Japanese
  J-Global ID：201202179484876018
• MBE成長におけるIn表面偏析効果のモンテカルロシミュレーション
  安田佳克; 八木修平; 山口浩一
  応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：60th, Number：3, First page：1113, 01 Sep. 1999
  Japanese
  J-Global ID：200902128553405317

• 超高効率太陽電池・関連材料の最前線（荒川康彦 監修）　　　　　　　　　　　　　　　
  八木 修平, [Contributor]

• Oct. 2020 - Present
  Electrical Circuit, Saitama University
• Apr. 2020 - Sep. 2021
  理工学と現代社会

• Oct. 2020 - Present, The Japan Photovoltaic Society

• Improvement of the efficiency of photovoltaic cells using two-step optical absorption through band tail states　　　　　　　　　　　　　　　
  Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Scientific Research (C), 01 Apr. 2024 - 31 Mar. 2027
  Saitama University
  Grant amount(Total)：4550000, Direct funding：3500000, Indirect funding：1050000
  Grant number：24K07574
• A novel stacked structure of intermediate band cells for higher efficiency　　　　　　　　　　　　　　　
  Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (C), Grant-in-Aid for Scientific Research (C), 01 Apr. 2022 - 31 Mar. 2025
  Saitama University
  Grant amount(Total)：4160000, Direct funding：3200000, Indirect funding：960000
  Grant number：22K04211
  論文ID：49117072
• 希釈窒化物混晶による超高効率中間バンドタンデム太陽電池の研究　　　　　　　　　　　　　　　
  Apr. 2018 - Mar. 2020
  Principal investigator
  Competitive research funding
• 希釈窒化物半導体による高効率マルチバンド太陽電池の研究　　　　　　　　　　　　　　　
  Apr. 2016 - Mar. 2019
  Principal investigator
  Competitive research funding
• Study on the Behavior of Defects in Dilute Nitride Semiconductors and Improvement of Device Reliability　　　　　　　　　　　　　　　
  Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Scientific Research (C), 01 Apr. 2014 - 31 Mar. 2017
  Ueda Osamu; IKENAGA NORIAKI; YAGI SHUHEI, Kanazawa Institute of Technology
  Grant amount(Total)：5070000, Direct funding：3900000, Indirect funding：1170000
  In order to clarify degradation mechanism of optical devices fabricated from dilute nitride semiconductors such as GaInNAs, grown-in defects were characterized by transmission electron microscopy, and generation and multiplication of defects in the crystals under laser irradiation were investigated.
  It has been shown that defects such as point defect clusters and dislocation loops are not generated in as-grown GaInNAs crystals. Furthermore, in the case of laser irradiation of GaInNAs/GaAs SQW structure, we have found that the emission efficiency increased for lower laser power density and that the emission efficiency drastically increased then decreased for higher power density. In both cases, no structural defects were newly generated by the laser irradiation. Further increase in the laser power density is required for detailed investigation of the degradation mechanism.
  Grant number：26390057
• 窒化物半導体ナノ構造中のホットキャリアを利用する新型太陽電池に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
  Dec. 2014 - Nov. 2015
  Principal investigator
  Competitive research funding
• 局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御　　　　　　　　　　　　　　　
  Apr. 2012 - Mar. 2015
  Competitive research funding
• 窒化物量子ドット太陽電池の開発　　　　　　　　　　　　　　　
  Nov. 2012 - Oct. 2013
  Principal investigator
  Competitive research funding
• 局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
  Apr. 2009 - Mar. 2011
  Competitive research funding
• ‐　　　　　　　　　　　　　　　
  Competitive research funding
• -　　　　　　　　　　　　　　　
  Competitive research funding

• 光起電力素子及びその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
  Patent right
  Patent/Registration no：特許第5841231号
  J-Global ID：201603019885568991
• 光起電力素子及びその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
  Patent right
  J-Global ID：201503010382867768
• 光検出素子及び光検出方法　　　　　　　　　　　　　　　
  Patent right
  J-Global ID：201303058776438657
• 可逆光応答素子を用いた並列アナログ演算装置　　　　　　　　　　　　　　　
  Patent right
  Patent/Registration no：特許第5236173号
  J-Global ID：201303078366538698
• 半導体とその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
  Patent right
  Patent/Registration no：特許第5187761号
  J-Global ID：201303069665849951
• 光透過フィルタを用いた画像出力装置及び並列アナログ演算装置　　　　　　　　　　　　　　　
  Patent right
  Patent/Registration no：特許第5121198号
  J-Global ID：201303003170113079
• 可逆光応答素子並びにそれを用いた撮像装置及び並列アナログ演算装置　　　　　　　　　　　　　　　
  Patent right
  J-Global ID：200903049895238508
• 光透過フィルタ並びにそれを用いた画像出力装置及び並列アナログ演算装置　　　　　　　　　　　　　　　
  Patent right
  J-Global ID：200903083194405497
• 半導体とその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
  Patent right
  J-Global ID：201003020026758820