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• Demonstration of Quantum Polarized Microscopy Using an Entangled-Photon Source
  Mousume Samad; Maki Shimizu; Yasuto Hijikata
  Photonics, Volume：12, Number：2, First page：127, Last page：127, Jan. 2025, [Reviewed], [Last, Corresponding]
  With the advancement of non-classical light sources such as single-photon and entangled-photon sources, innovative microscopy based on quantum principles has been proposed for traditional microscopy. This paper introduces the experimental demonstration of a quantum polarization microscopic technique that incorporates a quantum-entangled photon source. Although the point that employs the variation in polarization angle due to reflection or transmission at the sample is similar to classical polarization microscopy, the method for constructing the image contrast is significantly different. The image contrast is constructed by the coincidence count of signal and idler photons. In the case that the coincidence count is recorded from both the signal and idler photons, the photon statistics resemble a thermal state, similar to the blackbody radiation, but with a significantly higher peak intensity in the second-order autocorrelation function at zero delay that is derived from the coincidence count, while, when the coincidence count is taken from either the signal or idler photon only, although the photon state exhibits a thermal state again, the photon statistics become more dispersive and result in a lower peak intensity of the autocorrelation function. These different thermal states can be switched by slightly changing the photon polarization, which is suddenly aroused within a narrow range of the analyzer angle. The autocorrelation function g2(0) at the thermal state exhibits a sensitivity that is three times higher compared to the classical coincidence count rate, and this concept can be effectively utilized to enhance the contrast of the image. One of the key achievements of our proposed method is ensuring a low power of illumination (in the order of Pico-joules) for constructing the image. In addition, the robustness without any precise setup is also favorable for practical use. This polarization microscopic technique can provide a superior imaging technique compared to the classical method, opening a new frontier for research in material sciences, biology, and other fields requiring high-resolution imaging.
  MDPI AG, English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.3390/photonics12020127
  DOI ID：10.3390/photonics12020127, eISSN：2304-6732, ORCID：179943162
• Characterization of Amorphous SnO₂:N Thin-films Prepared by RF Magnetron Sputtering in Ar/N₂ Mixed Gas Atmosphere
  Takuma Kawaguchi; Ryuji Oishi; Maki Shimizu; Yasuto Hijikata; Shinya Aikawa
  IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems, Volume：144, Number：11, First page：1093, Last page：1099, Nov. 2024, [Reviewed]
  Institute of Electrical Engineers of Japan (IEE Japan), Japanese, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1541/ieejeiss.144.1093
  DOI ID：10.1541/ieejeiss.144.1093, ISSN：0385-4221, eISSN：1348-8155
• Thermoelectric measurements of nanomaterials by nanodiamond quantum thermometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Maki Shimizu; Koki Sugimoto; Yasuto Hijikata
  Applied Physics Express, Sep. 2024, [Reviewed], [Last]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad6fe9
  DOI ID：10.35848/1882-0786/ad6fe9, ORCID：165592223
• The Influence of Oxygen‐Related Defects on the Formation of In2O3‐Based Low‐Fluorescence Transparent Conducting Film　　　　　　　　　　　　　　　
  Maki Shimizu; Masataka Shugo; Shun Mori; Yasuto Hijikata; Shinya Aikawa
  physica status solidi (a), Jun. 2023, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.202200896
  DOI ID：10.1002/pssa.202200896, ORCID：134830830
• Optically detected magnetic resonance of silicon vacancies in 4H-SiC at elevated temperatures toward magnetic sensing under harsh environments
  Shu Motoki; Shin-ichiro Sato; Seiichi Saiki; Yuta Masuyama; Yuichi Yamazaki; Takeshi Ohshima; Koichi Murata; Hidekazu Tsuchida; Yasuto Hijikata
  Journal of Applied Physics, Volume：133, Number：15, Apr. 2023, [Reviewed], [Last]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1063/5.0139801
  DOI ID：10.1063/5.0139801, ISSN：1089-7550, ORCID：133244244, SCOPUS ID：85153679126
• Spin property improvement of boron vacancy defect in hexagonal boron nitride by thermal treatment
  Tetta Suzuki; Yuichi Yamazaki; Takashi Taniguchi; Kenji Watanabe; Yusuke Nishiya; Yu-ichiro Matsushita; Kazuya Harii; Yuta Masuyama; Yasuto Hijikata; Takeshi Ohshima
  Applied Physics Express, Volume：16, Number：3, First page：032006, Last page：032006, Mar. 2023, [Reviewed]
  Abstract
  
  Negatively charged boron vacancy (V _B ^–) in hexagonal boron nitride has attracted attention as a promising spin defect for quantum sensing applications. Hence, a fabrication method for generation of V _B ^– with superior spin properties would be desirable. In this study, we demonstrated V _B ^– formation by two thermal treatment methods. Both methods improve the signal-to-noise ratio of optically detected magnetic resonance signal by a factor of 4. Furthermore, a zero-field splitting parameter E which reflects crystal distortion after irradiation significantly reduces for irradiation above 650 °C. These findings indicate that thermal treatment is an effective method for a V _B ^– based quantum sensor.
  IOP Publishing, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.35848/1882-0786/acc442
  DOI ID：10.35848/1882-0786/acc442, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786
• Impact of formation process on the radiation properties of single-photon sources generated on SiC crystal surfaces　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata; Shota Komori; Shunsuke Otojima; Yu-Ichiro Matsushita; Takeshi Ohshima
  Applied Physics Letters, Volume：118, Number：20, May 2021, [Reviewed], [Lead, Corresponding]
  American Institute of Physics Inc., English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1063/5.0048772
  DOI ID：10.1063/5.0048772, ISSN：0003-6951, SCOPUS ID：85106570372
• Influences of hydrogen ion irradiation on NcVsi− formation in 4H-silicon carbide　　　　　　　　　　　　　　　
  Takuma Narahara; Shin-Ichiro Sato; Kazutoshi Kojima; Yasuto Hijikata; Takeshi Ohshima
  Applied Physics Express, Volume：14, Number：2, Feb. 2021, [Reviewed]
  IOP Publishing Ltd, English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.35848/1882-0786/abdc9e
  DOI ID：10.35848/1882-0786/abdc9e, ISSN：1882-0786, SCOPUS ID：85100388082
• Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations　　　　　　　　　　　　　　　
  Yuichi Yamazaki; Yoji Chiba; Shin-Ichiro Sato; Takahiro Makino; Naoto Yamada; Takahiro Satoh; Kazutoshi Kojima; Yasuto Hijikata; Hidekazu Tsuchida; Norihiro Hoshino; Sang-Yun Lee; Takeshi Ohshima
  Applied Physics Letters, Volume：118, Number：2, Jan. 2021, [Reviewed]
  American Institute of Physics Inc., English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1063/5.0028318
  DOI ID：10.1063/5.0028318, ISSN：0003-6951, SCOPUS ID：85099354563
• Influence of neutron radiation on majority and minority carrier traps in n-type 4H-SiC　　　　　　　　　　　　　　　
  Ivana Capan; Tomislav Brodar; Yuichi Yamazaki; Yuya Oki; Takeshi Ohshima; Yoji Chiba; Yasuto Hijikata; Luka Snoj; Vladimir Radulović
  Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Volume：478, First page：224, Last page：228, Sep. 2020, [Reviewed]
  Elsevier B.V., English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1016/j.nimb.2020.07.005
  DOI ID：10.1016/j.nimb.2020.07.005, ISSN：0168-583X, SCOPUS ID：85088126382
• Near infrared photoluminescence of ncvsi-centers in high-purity semi-insulating 4h-sic irradiated with energetic charged particles　　　　　　　　　　　　　　　
  Shin-Ichiro Sato; Takuma Narahara; Shinobu Onoda; Yuichi Yamazaki; Yasuto Hijikata; Brant C. Gibson; Andrew D. Greentree; Takeshi Ohshima
  Materials Science Forum, Volume：1004, First page：355, Last page：360, 2020, [Reviewed]
  Trans Tech Publications Ltd, English, International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.355
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.355, ISSN：1662-9752, SCOPUS ID：85089803119
• Enhancement of ODMR contrasts of silicon vacancy in SiC by thermal treatment　　　　　　　　　　　　　　　
  Yoji Chiba; Yuichi Yamazaki; Shin-Ichiro Sato; Takahiro Makino; Naoto Yamada; Takahiro Satoh; Yasuto Hijikata; Takeshi Ohshima
  Materials Science Forum, Volume：1004, First page：337, Last page：342, 2020, [Reviewed]
  Trans Tech Publications Ltd, English, International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.337
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.337, ISSN：1662-9752, SCOPUS ID：85089798448
• Effects of nitrogen impurity concentration on nitrogen-vacancy center formation in 4h-sic　　　　　　　　　　　　　　　
  Takuma Narahara; Shin-Ichiro Sato; Kazutoshi Kojima; Yuichi Yamazaki; Yasuto Hijikata; Takeshi Ohshima
  Materials Science Forum, Volume：1004, First page：349, Last page：354, 2020, [Reviewed]
  Trans Tech Publications Ltd, English, International conference proceedings
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.349
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.349, ISSN：1662-9752, SCOPUS ID：85089796074
• Optically detected magnetic resonance study of 3d arrayed silicon vacancies in sic pn diodes
  Yamazaki, Y.; Chiba, Y.; Sato, S.-I.; Makino, T.; Yamada, N.; Satoh, T.; Kojima, K.; Hijikata, Y.; Tsuchida, H.; Hoshino, N.; Lee, S.-Y.; Ohshima, T.
  Materials Science Forum, Volume：1004 MSF, 2020, [Reviewed]
  Materials Science Forum, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.343
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.343, ISSN：1662-9752, ORCID：80841223, SCOPUS ID：85089809284
• Creation of color centers in sic pn diodes using proton beam writing
  Chiba, Y.; Yamazaki, Y.; Makino, T.; Sato, S.-I.; Yamada, N.; Satoh, T.; Kojima, K.; Lee, S.-Y.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
  Materials Science Forum, Volume：963 MSF, 2019, [Reviewed]
  Materials Science Forum, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.709
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.963.709, ORCID：69201932, SCOPUS ID：85071847159
• Macroscopic simulations of the SiC thermal oxidation process based on the Si and C emission model　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.
  Diamond and Related Materials, Volume：92, First page：253, Last page：258, 2019, [Reviewed], [Lead, Corresponding]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1016/j.diamond.2019.01.012
  DOI ID：10.1016/j.diamond.2019.01.012, ISSN：0925-9635, eISSN：1879-0062, ORCID：69201950, SCOPUS ID：85060283318, Web of Science ID：WOS:000461129800033
• First-principles study of oxygen-related defects on 4H-SiC surface: The effects of surface amorphous structure　　　　　　　　　　　　　　　
  Matsushita, Y.-I.; Furukawa, Y.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
  Applied Surface Science, Volume：464, First page：451, Last page：454, 2019, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.09.072
  DOI ID：10.1016/j.apsusc.2018.09.072, ISSN：0169-4332, eISSN：1873-5584, ORCID：69201997, SCOPUS ID：85053384490, Web of Science ID：WOS:000447744200054
• Radiation response of negative gate biased SiC MOSFETs　　　　　　　　　　　　　　　
  Takeyama, A.; Makino, T.; Okubo, S.; Tanaka, Y.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
  Materials, Volume：12, Number：7, First page：2741, Last page：2741, 2019, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.3390/ma12172741
  DOI ID：10.3390/ma12172741, eISSN：1996-1944, ORCID：69201964, SCOPUS ID：85071867226, Web of Science ID：WOS:000488880300094
• Formation of nitrogen-vacancy centers in 4H-SiC and their near infrared photoluminescence properties　　　　　　　　　　　　　　　
  Sato, S.-I.; Narahara, T.; Abe, Y.; Hijikata, Y.; Umeda, T.; Ohshima, T.
  Journal of Applied Physics, Volume：126, Number：8, 2019, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1063/1.5099327
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85071323431&origin=inward
  DOI ID：10.1063/1.5099327, ISSN：0021-8979, eISSN：1089-7550, ORCID：69201955, SCOPUS ID：85071323431, Web of Science ID：WOS:000483884600018
• Various single photon sources observed in SiC pin diodes
  Tsunemi, H.; Honda, T.; Makino, T.; Onoda, S.; Sato, S.-I.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
  Materials Science Forum, Volume：924 MSF, 2018, [Reviewed]
  Materials Science Forum, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.204
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.924.204, ORCID：47642246, SCOPUS ID：85049011254
• Oxygen-incorporated single-photon sources observed at the surface of silicon carbide crystals　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Horii, T.; Furukawa, Y.; Matsushita, Y.-I.; Ohshima, T.
  Journal of Physics Communications, Volume：2, Number：11, 2018, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1088/2399-6528/aaede4
  DOI ID：10.1088/2399-6528/aaede4, ISSN：2399-6528, ORCID：69201936, SCOPUS ID：85060292412, Web of Science ID：WOS:000456498500004
• Electrically controllable position-controlled color centers created in SiC pn junction diode by proton beam writing　　　　　　　　　　　　　　　
  Yamazaki, Y.; Chiba, Y.; Makino, T.; Sato, S.-I.; Yamada, N.; Satoh, T.; Hijikata, Y.; Kojima, K.; Lee, S.-Y.; Ohshima, T.
  Journal of Materials Research, Volume：33, Number：20, First page：3355, Last page：3361, 2018, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1557/jmr.2018.302
  DOI ID：10.1557/jmr.2018.302, ISSN：0884-2914, eISSN：2044-5326, ORCID：69201975, SCOPUS ID：85052912484, Web of Science ID：WOS:000452651700001
• Generation of stacking faults in 4H-SiC epilayer induced by oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
  Asafuji, R.; Hijikata, Y.
  Materials Research Express, Volume：5, Number：1, 2018, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1088/2053-1591/aaa00c
  DOI ID：10.1088/2053-1591/aaa00c, ISSN：2053-1591, ORCID：69201994, SCOPUS ID：85041630558, Web of Science ID：WOS:000419328400003
• Room Temperature Electrical Control of Single Photon Sources at 4H-SiC Surface　　　　　　　　　　　　　　　
  Sato, S.-I.; Honda, T.; Makino, T.; Hijikata, Y.; Lee, S.-Y.; Ohshima, T.
  ACS Photonics, Volume：5, Number：8, First page：3159, Last page：3165, 2018, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1021/acsphotonics.8b00375
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85047601078&origin=inward
  DOI ID：10.1021/acsphotonics.8b00375, ISSN：2330-4022, eISSN：2330-4022, ORCID：69201946, SCOPUS ID：85047601078, Web of Science ID：WOS:000442185900025
• Creation and functionalization of defects in SiC by proton beam writing
  Ohshima, T.; Honda, T.; Onoda, S.; Makino, T.; Haruyama, M.; Kamiya, T.; Satoh, T.; Hijikata, Y.; Kada, W.; Hanaizumi, O.; Lohrmann, A.; Klein, J.R.; Johnson, B.C.; McCallum, J.C.; Castelletto, S.; Gibson, B.C.; Kraus, H.; Dyakonov, V.; Astakhov, G.V.
  Materials Science Forum, Volume：897 MSF, 2017, [Reviewed]
  Materials Science Forum, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.897.233
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.897.233, ORCID：47642233, SCOPUS ID：85020032477
• Three-Dimensional Proton Beam Writing of Optically Active Coherent Vacancy Spins in Silicon Carbide　　　　　　　　　　　　　　　
  Kraus, H.; Simin, D.; Kasper, C.; Suda, Y.; Kawabata, S.; Kada, W.; Honda, T.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.; Dyakonov, V.; Astakhov, G. V.
  Nano Letters, Volume：17, Number：5, 2017, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b05395
  DOI ID：10.1021/acs.nanolett.6b05395, ORCID：33755623, SCOPUS ID：85019179211, Web of Science ID：WOS:000401307300018
• Optimum structures for gamma-ray radiation resistant SiC-MOSFETs　　　　　　　　　　　　　　　
  Mitomo, S.; Matsuda, T.; Murata, K.; Yokoseki, T.; Makino, T.; Takeyama, A.; Onoda, S.; Ohshima, T.; Okubo, S.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.
  Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Volume：214, Number：4, 2017, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.201600425
  DOI ID：10.1002/pssa.201600425, ISSN：1862-6300, eISSN：1862-6319, ORCID：47642240, SCOPUS ID：85012884011, Web of Science ID：WOS:000402158300025
• Impacts of gate bias and its variation on gamma-ray irradiation resistance of SiC MOSFETs　　　　　　　　　　　　　　　
  Murata, K.; Mitomo, S.; Matsuda, T.; Yokoseki, T.; Makino, T.; Onoda, S.; Takeyama, A.; Ohshima, T.; Okubo, S.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.
  Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Volume：214, Number：4, 2017, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.201600446
  DOI ID：10.1002/pssa.201600446, ISSN：1862-6300, eISSN：1862-6319, ORCID：47642238, SCOPUS ID：84996555465, Web of Science ID：WOS:000402158300026
• Gamma-ray irradiation response of the motor-driver circuit with SiC MOSFETs
  Kobayashi, Y.; Yokozeki, T.; Matsuda, T.; Mitomo, S.; Murata, K.; Hachisuka, M.; Kaneko, Y.; Makino, T.; Takeyama, A.; Onoda, S.; Ohshima, T.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.
  Materials Science Forum, Volume：858, 2016, [Reviewed]
  Materials Science Forum, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.868
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.858.868, ORCID：47642235, SCOPUS ID：84971498978
• Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers　　　　　　　　　　　　　　　
  Miyazaki, T.; Makino, T.; Takeyama, A.; Onoda, S.; Ohshima, T.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.
  Superlattices and Microstructures, Volume：99, 2016, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.03.005
  DOI ID：10.1016/j.spmi.2016.03.005, ORCID：31489770, SCOPUS ID：84960365133, Web of Science ID：WOS:000390630200035
• Change in characteristics of SiC MOSFETs by gamma-ray irradiation at high temperature　　　　　　　　　　　　　　　
  Matsuda, T.; Yokoseki, T.; Mitomo, S.; Murata, K.; Makino, T.; Abe, H.; Takeyama, A.; Onoda, S.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
  Materials Science Forum, Volume：858, First page：860, Last page：863, 2016, [Reviewed]
  Materials Science Forum, English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.860
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84971500986&origin=inward
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.858.860, ISSN：0255-5476, eISSN：1662-9752, ORCID：47642241, SCOPUS ID：84971500986
• Unified theory of silicon carbide oxidation based on the Si and C emission model　　　　　　　　　　　　　　　
  Goto, D.; Hijikata, Y.
  Journal of Physics D: Applied Physics, Volume：49, Number：22, 2016, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/22/225103
  DOI ID：10.1088/0022-3727/49/22/225103, ISSN：0022-3727, eISSN：1361-6463, ORCID：69201938, SCOPUS ID：84971506934, Web of Science ID：WOS:000377410800006
• Improvement of radiation response of SiC MOSFETs under high temperature and humidity conditions　　　　　　　　　　　　　　　
  Takeyama, A.; Matsuda, T.; Yokoseki, T.; Mitomo, S.; Murata, K.; Makino, T.; Onoda, S.; Okubo, S.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：55, Number：10, 2016, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.55.104101
  DOI ID：10.7567/JJAP.55.104101, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：69201952, SCOPUS ID：84989321764, Web of Science ID：WOS:000384090600001
• Radiation response of silicon carbide metal-oxide-semiconductor transistors in high dose region　　　　　　　　　　　　　　　
  Ohshima, T.; Yokoseki, T.; Murata, K.; Matsuda, T.; Mitomo, S.; Abe, H.; Makino, T.; Onoda, S.; Hijikata, Y.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Okubo, S.; Yoshie, T.
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：55, Number：1, First page：01AD01, 2016, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.55.01AD01
  DOI ID：10.7567/JJAP.55.01AD01, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：69201939, SCOPUS ID：84953216736, Web of Science ID：WOS:000369014400042
• Recovery of the electrical characteristics of SiC MOSFETs irradiated with gamma-rays by thermal treatments　　　　　　　　　　　　　　　
  Yokoseki, T.; Abe, H.; Makino, T.; Onoda, S.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
  Materials Science Forum, Volume：821-823, First page：705, Last page：708, 2015, [Reviewed]
  Materials Science Forum, English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.705
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• Si and C emission into the oxide layer during the oxidation of silicon carbide and its influence on the oxidation rate　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Asafuji, R.; Konno, R.; Akasaka, Y.; Shinoda, R.
  AIP Advances, Volume：5, Number：6, First page：067128, Last page：067128, 2015, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1063/1.4922536
  DOI ID：10.1063/1.4922536, ISSN：2158-3226, ORCID：69201957, SCOPUS ID：84934978437, Web of Science ID：WOS:000357608000028
• Photoluminescence study of oxidation-induced stacking faults in 4H-SiC epilayers　　　　　　　　　　　　　　　
  Miyano, Y.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
  Materials Science Forum, Volume：821-823, First page：327, Last page：330, 2015, [Reviewed]
  Materials Science Forum, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.327
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• Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Goto, D.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
  Materials Science Forum, Volume：821-823, First page：371, Last page：374, 2015, [Reviewed]
  Materials Science Forum, Scientific journal
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• Molecular beam epitaxial growth of intermediate-band materials based on GaAs:N δ-doped superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
  Suzuki, T.; Osada, K.; Yagi, S.; Naitoh, S.; Shoji, Y.; Hijikata, Y.; Okada, Y.; Yaguchi, H.
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：54, Number：8, First page：08KA07, 2015, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.54.08KA07
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  DOI ID：10.7567/JJAP.54.08KA07, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：69201956, SCOPUS ID：84938504709, Web of Science ID：WOS:000358662900008
• Control of intermediate-band configuration in GaAs:N δ-doped superlattice　　　　　　　　　　　　　　　
  Osada, K.; Suzuki, T.; Yagi, S.; Naitoh, S.; Shoji, Y.; Hijikata, Y.; Okada, Y.; Yaguchi, H.
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：54, Number：8, First page：08KA04, 2015, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.54.08KA04
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  DOI ID：10.7567/JJAP.54.08KA04, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：69201960, SCOPUS ID：84938516127, Web of Science ID：WOS:000358662900005
• Photoluminescence study of oxidation-induced faults in 4H-SiC epilayers　　　　　　　　　　　　　　　
  Miyano, Y.; Asafuji, R.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
  AIP Advances, Volume：5, Number：12, First page：127116, Last page：127116, 2015, [Reviewed]
  English, Scientific journal
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• Growth temperature dependence of the surface segregation of Er atoms in GaAs during molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
  Jin, R.G.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：54, Number：5, First page：051201, 2015, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.54.051201
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• Differences in SiC thermal oxidation process between crystalline surface orientations observed by in-situ spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Goto, D.; Hijikata, Y.; Yagi, S.; Yaguchi, H.
  Journal of Applied Physics, Volume：117, Number：9, First page：095306, Last page：095306, 2015, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1063/1.4914050
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• Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Akasaka, Y.; Yagi, S.; Yaguchi, H.
  Materials Science Forum, Volume：778-780, First page：553, Last page：556, 2014, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.553
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• Photoreflectance study of the temperature dependence of excitonic transitions in dilute GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
  Okubo, W.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Onabe, K.; Yaguchi, H.
  Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Volume：211, Number：4, First page：752, Last page：755, 2014, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.201300462
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• Enhanced optical absorption due to E+-related band transition in GaAs:N δ-doped superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
  Yagi, S.; Noguchi, S.; Hijikata, Y.; Kuboya, S.; Onabe, K.; Okada, Y.; Yaguchi, H.
  Applied Physics Express, Volume：7, Number：10, 2014, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.7567/APEX.7.102301
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• Thermal Oxidation Mechanism of Silicon Carbide　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Yasuto; Yagi, Shuhei; Yaguchi, Hiroyuki; Sadafumi, Yoshida
  Physics and Technology of Silicon Carbide Devices, First page：26, Last page：26, 2013, [Reviewed]
  DOI：https://doi.org/10.5772/50748
  DOI ID：10.5772/50748, ORCID：31489793
• Physics and Technology of Silicon Carbide Devices　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Yasuto
  2013, [Reviewed]
  DOI：https://doi.org/10.5772/3428
  DOI ID：10.5772/3428, ORCID：31489790
• Nondestructive and Contactless Characterization Method for Spatial Mapping of the Thickness and Electrical Properties in Homo-Epitaxially Grown SiC Epilayers Using Infrared Reflectance Spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
  Yoshida, Sadafumi; Hijikata, Yasuto; Yaguchi, Hiroyuki
  Physics and Technology of Silicon Carbide Devices, First page：26, Last page：26, 2013, [Reviewed]
  DOI：https://doi.org/10.5772/50749
  DOI ID：10.5772/50749, ORCID：31489788
• RF-MBE growth of cubic InN nano-scale dots on cubic GaN　　　　　　　　　　　　　　　
  Suzuki, J.; Orihara, M.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
  Journal of Crystal Growth, Volume：378, First page：454, Last page：458, 2013, [Reviewed]
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• Optical Absorption by E+ Miniband of GaAs:N delta-Doped Superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
  Shuhei Yagi; Shunsuke Noguchi; Yasuto Hijikata; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
  2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), First page：2490, Last page：2493, 2013, [Reviewed]
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• Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (0 0 1) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
  Jin, R.G.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Kuboya, S.; Onabe, K.; Katayama, R.; Yaguchi, H.
  Journal of Crystal Growth, Volume：378, First page：85, Last page：87, 2013, [Reviewed]
  English, Scientific journal
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• Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and c emission model　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Yagi, S.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：740-742, First page：833, Last page：+, 2013, [Reviewed]
  English, Scientific journal
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• Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps Formed by Nitrogen-Nitrogen Pairs in GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
  Takamiya, Kengo; Fukushima, Toshiyuki; Yagi, Shuhei; Hijikata, Yasuto; Mochizuki, Toshimitsu; Yoshita, Masahiro; Akiyama, Hidefumi; Kuboya, Shigeyuki; Onabe, Kentaro; Katayama, Ryuji; Yaguchi, Hiroyuki; Ihn, T; Rossler, C; Kozikov, A
  Physics of Semiconductors, Volume：1566, Number：1, First page：538, Last page：+, 2013, [Reviewed]
  English, Scientific journal
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• Stacked structure of self-organized cubic InN nano-dots grown by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
  Yagi, S.; Suzuki, J.; Orihara, M.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Volume：10, Number：11, First page：1545, Last page：1548, 2013, [Reviewed]
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• Conversion efficiency of intermediate band solar cells with GaAs:Nλ-doped superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
  Yagi, S.; Noguchi, S.; Hijikata, Y.; Kuboya, S.; Onabe, K.; Yaguchi, H.
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：52, Number：10 PART1, 2013, [Reviewed]
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• Analysis of electronic structures of nitrogen δ-doped GaAs superlattices for high efficiency intermediate band solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
  Noguchi, S.; Yagi, S.; Sato, D.; Hijikata, Y.; Onabe, K.; Kuboya, S.; Yaguchi, H.
  IEEE Journal of Photovoltaics, Volume：3, Number：4, First page：1287, Last page：1291, 2013, [Reviewed]
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• Single photon generation from nitrogen atomic-layer doped gallium arsenide　　　　　　　　　　　　　　　
  Takamiya, K.; Endo, Y.; Fukushima, T.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Mochizuki, T.; Yoshita, M.; Akiyama, H.; Kuboya, S.; Onabe, K.; Katayama, R.; Yaguchi, H.
  Materials Science Forum, Volume：706-709, First page：2916, Last page：+, 2012, [Reviewed]
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• RF-MBE growth of semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)　　　　　　　　　　　　　　　
  Orihara, M.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Volume：9, Number：3-4, First page：658, Last page：661, 2012, [Reviewed]
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• Oxygen partial pressure dependence of the SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Kouda, K.; Hijikata, Y.; Yagi, S.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Journal of Applied Physics, Volume：112, Number：2, First page：6, 2012, [Reviewed]
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• Micro-photoluminescence study on the influence of oxidation on stacking faults in 4H-SiC epilayers　　　　　　　　　　　　　　　
  Yamagata, H.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
  Applied Physics Express, Volume：5, Number：5, First page：3, 2012, [Reviewed]
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• Biexciton luminescence from individual isoelectronic traps in nitrogen δ-doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
  Takamiya, K.; Fukushima, T.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Mochizuki, T.; Yoshita, M.; Akiyama, H.; Kuboya, S.; Onabe, K.; Katayama, R.; Yaguchi, H.
  Applied Physics Express, Volume：5, Number：11, First page：3, 2012, [Reviewed]
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• Analysis of the Energy Structure of Nitrogen delta-Doped GaAs Superlattices for High Efficiency Intermediate Band Solar Cells　　　　　　　　　　　　　　　
  Shunsuke Noguchi; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Kentaro Onabe; Shigeyuki Kuboya; Hiroyuki Yaguchi
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• Quantum well double barrier resonant tunneling structures for selective contacts of hot carrier solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
  Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
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  DOI ID：10.1109/PVSC.2011.6186646, ISSN：0160-8371, SCOPUS ID：84861083769
• Theoretical studies for Si and C emission into SiC layer during oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：679-680, First page：429, Last page：+, 2011, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.429
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• High Cubic-Phase Purity InN on MgO (001) Using Cubic-Phase GaN as a Buffer Layer　　　　　　　　　　　　　　　
  Sanorpim, S.; Kuntharin, S.; Parinyataramas, J.; Yaguchi, H.; Iwahashi, Y.; Orihara, M.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Ihm, J; Cheong, H
  Physics of Semiconductors: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, Volume：1399, First page：131, Last page：132, 2011, [Reviewed]
  English, Scientific journal
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• Growth Rate Enhancement of Silicon-Carbide Oxidation in Thin Oxide Regime
  Hijikata, Yasuto; Yaguchi, Hiroyuki; Yoshida, Sadafumi
  Properties and Applications of Silicon Carbide, First page：77, Last page：87, 2011, [Reviewed]
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• RF-MBE growth of InN on 4H-SiC (0001) with off-angles　　　　　　　　　　　　　　　
  Orihara, M.; Takizawa, S.; Sato, T.; Ishida, Y.; Yoshida, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Volume：7, Number：7-8, First page：2016, Last page：2018, 2010, [Reviewed]
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• Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(1 1 1)A　　　　　　　　　　　　　　　
  Fukushima, T.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Okano, M.; Yoshita, M.; Akiyama, H.; Kuboya, S.; Katayama, R.; Onabe, K.
  Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, Volume：42, Number：10, First page：2529, Last page：2531, 2010, [Reviewed]
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  DOI ID：10.1016/j.physe.2009.12.011, ISSN：1386-9477, eISSN：1873-1759, ORCID：69201954, SCOPUS ID：77958003985, Web of Science ID：WOS:000284723200013
• In-situ spectroscopic ellipsometry study of SiC oxidation at low oxygen-partial-pressures　　　　　　　　　　　　　　　
  Kouda, K.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：645-648, First page：813, Last page：816, 2010, [Reviewed]
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  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.813, ISSN：0255-5476, eISSN：1662-9752, ORCID：69201930, SCOPUS ID：77955437802, Web of Science ID：WOS:000279657600193
• Model calculations of SiC oxide growth rate at various oxidation temperatures based on the silicon and carbon emission model　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：645-648, First page：809, Last page：+, 2010, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.809
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.809, ISSN：0255-5476, ORCID：69201949, SCOPUS ID：77955456281, Web of Science ID：WOS:000279657600192
• Model calculation of SiC oxidation rates in the thin oxide regime　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Yamamoto, T.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：600-603, First page：663, Last page：666, 2009, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/3-908453-11-9.663
  DOI ID：10.4028/3-908453-11-9.663, ISSN：0255-5476, ORCID：69201962, SCOPUS ID：60349102034, Web of Science ID：WOS:000263555300158
• Model calculation of SiC oxide growth rate based on the silicon and carbon emission model　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：615 617, First page：489, Last page：492, 2009, [Reviewed]
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  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.489, ISSN：0255-5476, ORCID：47642249, SCOPUS ID：67650452007, Web of Science ID：WOS:000265961100117
• Observation of SiC oxidation in ultra-thin oxide regime by in-situ spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Takaku, T.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：615 617, First page：509, Last page：512, 2009, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.509
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.509, ISSN：0255-5476, ORCID：47642242, SCOPUS ID：77955444151, Web of Science ID：WOS:000265961100122
• Oxygen-partial-pressure dependence of SiC oxidation rate studied by in-situ spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Yamamoto, T.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：600-603, First page：667, Last page：670, 2009, [Reviewed]
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  DOI ID：10.4028/3-908453-11-9.667, ISSN：0255-5476, ORCID：47642244, SCOPUS ID：60349127717, Web of Science ID：WOS:000263555300159
• Characterization of 4H-SiC-SiO2 interfaces by a deep ultraviolet spectroscopic ellipsometer　　　　　　　　　　　　　　　
  Sekia, H.; Wakabayashib, T.; Hijikatac, Y.; Yaguchid, H.; Yoshidae, S.
  Materials Science Forum, Volume：615 617, First page：505, Last page：508, 2009, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.505
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.505, ISSN：0255-5476, ORCID：69201944, SCOPUS ID：67650428139, Web of Science ID：WOS:000265961100121
• Optical and electrical characterizations of 4H-SiC-oxide interfaces by spectroscopic ellipsometry and capacitance-voltage measurements　　　　　　　　　　　　　　　
  Hashimoto, H.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Applied Surface Science, Volume：255, Number：20, First page：8648, Last page：8653, 2009, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2009.06.058
  DOI ID：10.1016/j.apsusc.2009.06.058, ISSN：0169-4332, eISSN：1873-5584, ORCID：69201940, SCOPUS ID：67650503177, Web of Science ID：WOS:000268123800057
• A kinetic model of silicon carbide oxidation based on the interfacial silicon and carbon emission phenomenon　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Applied Physics Express, Volume：2, Number：2, First page：021203, 2009, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1143/APEX.2.021203
  DOI ID：10.1143/APEX.2.021203, ISSN：1882-0778, ORCID：69201987, SCOPUS ID：60349083681, Web of Science ID：WOS:000264942800007
• Photoluminescence study of hexagonal InN/InGaN quantum well structures grown on 3C-SiC (001) substrates by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
  Hirano, S.; Inoue, T.; Shikata, G.; Orihara, M.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Hirabayashi, Y.
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Volume：5, Number：6, First page：1730, Last page：1732, 2008, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200778606
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  DOI ID：10.1002/pssc.200778606, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, ORCID：69201945, SCOPUS ID：77951210969, Web of Science ID：WOS:000256695700075
• Improvement of the surface morphology of a-plane InN using low-temperature InN buffer layers　　　　　　　　　　　　　　　
  Shikata, G.; Hirano, S.; Inoue, T.; Orihara, M.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Volume：5, Number：6, First page：1808, Last page：1810, 2008, [Reviewed]
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• Photoluminescence of cubic InN films on MgO (001) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
  Inoue, T.; Iwahashi, Y.; Oishi, S.; Orihara, M.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Volume：5, Number：6, First page：1579, Last page：1581, 2008, [Reviewed]
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  DOI ID：10.1002/pssc.200778505, ISSN：1862-6351, ORCID：69201982, SCOPUS ID：65249177185, Web of Science ID：WOS:000256695700031
• Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen δ-doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
  Endo, Y.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Yoshita, M.; Akiyama, H.; Nakajima, F.; Katayama, R.; Onabe, K.
  Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, Volume：40, Number：6, First page：2110, Last page：2112, 2008, [Reviewed]
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  DOI ID：10.1016/j.physe.2007.10.047, ISSN：1386-9477, ORCID：69201991, SCOPUS ID：41349112928, Web of Science ID：WOS:000255717400104
• Oxide growth rate enhancement of silicon carbide (0001) Si-faces in thin oxide regime　　　　　　　　　　　　　　　
  Yamamoto, T.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Japanese Journal of Applied Physics, Volume：47, Number：10 PART 1, First page：7803, Last page：7806, 2008, [Reviewed]
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  DOI ID：10.1143/JJAP.47.7803, ISSN：0021-4922, ORCID：69201929, SCOPUS ID：60349128534, Web of Science ID：WOS:000260443900009
• Fabrication of MOS capacitors by wet oxidation of p-type 4H-SiC preamorphized by nitrogen ion implantation　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Moscatelli, F.; Poggi, A.; Solmi, S.; Cristiani, S.; Nipoti, R.
  Materials Science Forum, Volume：556-557, First page：651, Last page：+, 2007, [Reviewed]
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  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.651
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.651, ISSN：0255-5476, ORCID：69201921, SCOPUS ID：38449112566, Web of Science ID：WOS:000249653900154
• Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC implanted with nitrogen at high dose　　　　　　　　　　　　　　　
  Poggi, A.; Moscatelli, F.; Hijikata, Y.; Solmi, S.; Sanmartin, M.; Tamarri, F.; Nipoti, R.
  Materials Science Forum, Volume：556-557, First page：639, Last page：+, 2007, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.639
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.639, ISSN：0255-5476, ORCID：47642228, SCOPUS ID：38449091394, Web of Science ID：WOS:000249653900151
• Simultaneous determination of the carrier concentration, mobility and thickness of SiC homo-epilayers using terahertz reflectance spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
  Oishi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：556-557, First page：423, Last page：+, 2007, [Reviewed]
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  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.423
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.423, ISSN：0255-5476, ORCID：69201920, SCOPUS ID：38449113387, Web of Science ID：WOS:000249653900101
• Micro-Raman study on the improvement of luminescence efficiency of GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
  Tanioka, K.; Endo, Y.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Yoshita, M.; Akiyama, H.; Onabe, K.
  Journal of Crystal Growth, Volume：298, Number：SPEC. ISS, First page：131, Last page：134, 2007, [Reviewed]
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• Micro-photoluminescence study of nitrogen delta-doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
  Endo, Y.; Tanioka, K.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Yoshita, M.; Akiyama, H.; Ono, W.; Nakajima, F.; Katayama, R.; Onabe, K.
  Journal of Crystal Growth, Volume：298, Number：SPEC. ISS, First page：73, Last page：75, 2007, [Reviewed]
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  DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2006.10.019, ISSN：0022-0248, ORCID：69201951, SCOPUS ID：33846448766, Web of Science ID：WOS:000244622600017
• Photoluminescence study of isoelectronic traps in dilute GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
  Yaguchi, H.; Aoki, T.; Morioke, T.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Yoshita, M.; Akiyama, H.; Aoki, D.; Onabe, K.
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Volume：4, Number：7, First page：2760, Last page：2763, 2007, [Reviewed]
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  DOI ID：10.1002/pssc.200674721, ISSN：1862-6351, ORCID：69201959, SCOPUS ID：49749134309, Web of Science ID：WOS:000248047600135
• RF-MBE growth of InN/InGaN quantum well structures on 3C-SiC substrates　　　　　　　　　　　　　　　
  Hirano, S.; Inoue, T.; Shikata, G.; Orihara, M.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Journal of Crystal Growth, Volume：301, Number：SPEC. ISS., First page：513, Last page：516, 2007, [Reviewed]
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  DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.11.117
  DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2006.11.117, ORCID：31489857, SCOPUS ID：33947366440, Web of Science ID：WOS:000246015800118
• RF-MBE growth of a-plane InN on r-plane sapphire with a GaN underlayer　　　　　　　　　　　　　　　
  Shikata, G.; Hirano, S.; Inoue, T.; Orihara, M.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Journal of Crystal Growth, Volume：301-302, Number：SPEC. ISS., First page：517, Last page：520, 2007, [Reviewed]
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  DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.11.072
  DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2006.11.072, ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, ORCID：69201967, SCOPUS ID：33947363391, Web of Science ID：WOS:000246015800119
• MOS capacitors obtained by wet oxidation of n-type 4H-SiC pre-implanted with nitrogen　　　　　　　　　　　　　　　
  Poggi, A.; Moscatelli, F.; Hijikata, Y.; Solmi, S.; Nipoti, R.
  Microelectronic Engineering, Volume：84, Number：12, First page：2804, Last page：2809, 2007, [Reviewed]
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  DOI：https://doi.org/10.1016/j.mee.2007.01.241
  DOI ID：10.1016/j.mee.2007.01.241, ISSN：0167-9317, ORCID：69201998, SCOPUS ID：36148978949, Web of Science ID：WOS:000252145900006
• Growth rate enhancement of (0001̄)-face silicon-carbide oxidation in thin oxide regime　　　　　　　　　　　　　　　
  Yamamoto, T.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters, Volume：46, Number：29-32, First page：L770, Last page：L772, 2007, [Reviewed]
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• Characterization of oxide films on 4H-SiC epitaxial (000(1)over-bar) faces by high-energy-resolution photoemission spectroscopy: Comparison between wet and dry oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Yasuto; Yaguchi, Hiroyuki; Yoshida, Sadafumi; Takata, Yasutaka; Kobayashi, Keisuke; Nohira, Hiroshi; Hattori, Takeo
  Journal of Applied Physics, Volume：100, Number：5, 2006, [Reviewed]
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• Off-angle dependence of characteristics of 4H-SiC-oxide interfaces　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Takata, Y.; Kobayashi, K.; Nohira, H.; Hattori, T.
  Materials Science Forum, Volume：527-529, Number：PART 2, First page：1003, Last page：1006, 2006, [Reviewed]
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• RF-MBE growth of cubic InN films on MgO (001) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
  Iwahashi, Y.; Yaguchi, H.; Nishimoto, A.; Orihara, M.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Hildebrandt, S.; Stutzmann, M.
  Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics, Vol 3, No 6, Volume：3, Number：6, First page：1515, Last page：1518, 2006, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200565312
  DOI ID：10.1002/pssc.200565312, ORCID：31489863, SCOPUS ID：33746362598, Web of Science ID：WOS:000239543600033
• Simultaneous determination of carrier concentration, mobility, and thickness of SiC homoepilayers by infrared reflectance spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
  Oishi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters, Volume：45, Number：46-50, First page：L1226, Last page：L1229, 2006, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.45.L1226
  DOI ID：10.1143/JJAP.45.L1226, ISSN：0021-4922, ORCID：69201972, SCOPUS ID：34547874643, Web of Science ID：WOS:000243208300002
• Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
  Yaguchi, H.; Morioke, T.; Aoki, T.; Shimizu, H.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Yoshita, M.; Akiyama, H.; Usami, N.; Aoki, D.; Onabe, K.
  Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Volume：3, Number：6, First page：1907, Last page：1910, 2006, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200565372
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=33746359358&origin=inward
  DOI ID：10.1002/pssc.200565372, ISSN：1862-6351, ORCID：69201981, SCOPUS ID：33746359358, Web of Science ID：WOS:000239543600124
• Real time observation of SiC oxidation using an in-situ ellipsometer　　　　　　　　　　　　　　　
  Kakubari, K.; Kuboki, R.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：527-529, Number：PART 2, First page：1031, Last page：1034, 2006, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.1031
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.1031, ISSN：0255-5476, ORCID：69201923, SCOPUS ID：34548454843, Web of Science ID：WOS:000244227200242
• Growth of high-quality hexagonal InN on 3C-SiC (001) by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
  Yaguchi, H.; Kitamura, Y.; Nishida, K.; Iwahashi, Y.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Stutzmann, M.
  Physica Status Solidi C - Conferences and Critical Reviews, Vol 2, No 7, Volume：2, Number：7, First page：2267, Last page：2270, 2005, [Reviewed]
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200461386
  DOI ID：10.1002/pssc.200461386, ORCID：31489867, Web of Science ID：WOS:000230421400058
• Characterization of oxide films on SiC epitaxial (000-1) faces by angle-resolved photoemission spectroscopy measurements using synchrotron radiation　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Takata, Y.; Kobayashi, K.; Shin, S.; Nohira, H.; Hattori, T.
  Materials Science Forum, Volume：483-485, First page：585, Last page：588, 2005, [Reviewed]
  Materials Science Forum, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.585
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=33748898380&origin=inward
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.585, ISSN：0255-5476, eISSN：1662-9752, ORCID：69201925, SCOPUS ID：33748898380
• Effect of Ar post-oxidation annealing on oxide-4H-SiC interfaces studied by capacitance to voltage measurements and photoemission spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Ishida, Y.; Yoshikawa, M.
  Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, Volume：23, Number：2, First page：298, Last page：303, 2005, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1116/1.1865153
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=31344435125&origin=inward
  DOI ID：10.1116/1.1865153, ISSN：0734-2101, CiNii Articles ID：80017842170, ORCID：69201948, SCOPUS ID：31344435125, Web of Science ID：WOS:000227739200013
• Photoemission spectroscopic studies on oxide/SiC interfaces formed by dry and pyrogenic oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Ishida, Y.; Yoshikawa, M.; Kamiya, T.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：457-460, Number：II, First page：1341, Last page：1344, 2004, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.1341
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.1341, ISSN：0255-5476, ORCID：69201918, SCOPUS ID：8744311763, Web of Science ID：WOS:000222802200319
• Characterization of electrical properties in high-dose implanted and post-implantation-annealed 4H-SiC wafers using infrared reflectance spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
  Narita, N.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Senzaki, J.; Nakashima, S.
  Materials Science Forum, Volume：457-460, Number：II, First page：905, Last page：908, 2004, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.905
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.905, ISSN：0255-5476, ORCID：69201919, SCOPUS ID：6444226901, Web of Science ID：WOS:000222802200215
• Epitaxial growth of hexagonal and cubic InN films　　　　　　　　　　　　　　　
  Nishida, K.; Kitamura, Y.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
  Physica Status Solidi (B) Basic Research, Volume：241, Number：12, First page：2839, Last page：2842, 2004, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.200405049
  DOI ID：10.1002/pssb.200405049, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, ORCID：69201971, SCOPUS ID：7444245442, Web of Science ID：WOS:000224488800047
• Characterization of carrier concentration and mobility in n-type SiC wafers using infrared reflectance spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
  Narita, K.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Nakashima, S.
  Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers, Volume：43, Number：8 A, First page：5151, Last page：5156, 2004, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.43.5151
  DOI ID：10.1143/JJAP.43.5151, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：150000043643, CiNii Books ID：AA10457675, ORCID：69201989, SCOPUS ID：6444243848, Web of Science ID：WOS:000224841400013
• Receiving Characteristics of a Fabry-Perot Cavity Fiber Optic Ultrasonic Probe　　　　　　　　　　　　　　　
  NAKAMURA Kentaro; HIJIKATA Yasuto
  The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C, Volume：86, Number：12, First page：1340, Last page：1341, Dec. 2003
  copyright(c)2003 IEICE許諾番号：08RB0010光ファイバの先端に微小なファブリペロー共振器を製作し,その共振光波長変調を検出することで音圧を測定する超音波プローブが提案されている.筆者らは, このプローブの指向性と空間分解能を実験的に評価したところ,シングルモードファイバを用いれば2.25MHzに対してほぼ無指向性であること,空間分解能はファブリペロー共振器の大きさ程度であることが明らかになった.
  The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Japanese
  ISSN：1345-2827, CiNii Articles ID：110003172094, CiNii Books ID：AA11412446
• Electrical Characteristics of Interface Defects in Oxides Grown at 1200℃ in Dry Oxygen Ambient on Silicon Carbide and Their Thermal Annealing Effects　　　　　　　　　　　　　　　
  YOSHIKAWA Masahito; ISHIDA Yuuki; JIKIMOTO Tamotsu; HIJIKATA Yasuto; ITOH Hisayoshi; OKUMURA Hajime; TAKAHASHI Tetsuo; TSUCHIDA Hidekazu; YOSHIDA Sadafumi
  The Transactions of the Institute of Electronics,Information and Communication Engineers. C, Volume：86, Number：4, First page：426, Last page：433, Apr. 2003
  copyright(c)2003 IEICE許諾番号：08RB00101200℃ドライ酸化やそれに引き続いて行われる熱アニーリングが，酸化膜と4積層周期六方晶炭化ケイ素（4H-SiC）基板の界面に与える影響を調べた．n型及びp型4H-SiC基板を1200℃の乾燥酸素雰囲気中で3時間酸化して50 nmの酸化膜を作製した後，酸化膜を500℃から950℃のアルゴン雰囲気中で3時間熱アニーリングした．その酸化膜を用いて金属/酸化膜/半導体（MOS）構造を形成してC-V特性を測定し，酸化膜と4H-SiC界面の電気特性に及ぼす熱アニーリング効果を調べた．1200℃ドライ酸化膜を用いて形成した4H-SiC MOS構造のC-V特性は，電圧軸に沿って正方向へ大きくシフトした．界面には負電荷が蓄積していた．600℃で3時間の熱アニーリングを行うとC-V特性が負方向へシフトし始め，950℃ 3時間の熱アニーリングで電圧シフトが消失した．一方，p型4H-SiC MOS構造のC-V特性を調べると，n型とは反対に電圧軸に沿って負方向へ大きくシフトした．界面には正電荷が蓄積していた．n型とp型のシフト方向の違いと界面欠陥の荷電状態の関連性について調べ，界面欠陥の熱アニーリングのメカニズムを議論した．
  The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Japanese
  ISSN：1345-2827, CiNii Articles ID：110003172129, CiNii Books ID：AA11412446
• Electrical Characteristics of Interface Defects in Oxides Grown at 1200℃ in Dry Oxygen Ambient on Silicon Carbide and Their　　　　　　　　　　　　　　　
  YOSHIKAWA Masahito; ISHIDA Yuuki; JIKIMOTO Tamotsu; HIJIKATA Yasuto; ITOH Hisayoshi; OKUMURA Hajime; TAKAHASHI Tetsuo; TSUCHIDA Hidekazu; YOSHIDA Sadafumi
  IEICE transactions on electronics, Volume：86, Number：4, First page：688, Last page：688, Apr. 2003
  copyright(c)2003 IEICE許諾番号：08RB0010 http://search.ieice.org/index.html
  The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, English
  ISSN：0916-8524, CiNii Articles ID：110003223445, CiNii Books ID：AA10826283
• Improvement in the luminescence efficiency of GaAsN alloys by photoexcitation　　　　　　　　　　　　　　　
  Yaguchi, H; Morioke, T; Aoki, T; Hijikata, Y; Yoshida, S; Akiyama, H; Usami, N; Aoki, D; Onabe, K; Stutzmann, M
  5th International Conference on Nitride Semiconductors (Icns-5), Proceedings, Volume：0, Number：7, First page：2782, Last page：2784, 2003, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200303514
  DOI ID：10.1002/pssc.200303514, ISSN：1862-6351, ORCID：31489872, Web of Science ID：WOS:000189401700190
• Spectroscopic ellipsometry study on the dielectric functions of GaPN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
  Kanaya, H; Yaguchi, H; Hijikata, Y; Yoshida, S; Miyoshi, S; Onabe, K; Stutzmann, M
  5th International Conference on Nitride Semiconductors (Icns-5), Proceedings, Volume：0, Number：7, First page：2753, Last page：2756, 2003, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200303430
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=33749433192&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=33749433192&origin=inward
  DOI ID：10.1002/pssc.200303430, ISSN：1610-1634, ORCID：31489873, SCOPUS ID：33749433192, Web of Science ID：WOS:000189401700183
• The investigation of 4H-SiC/SiO2 interfaces by optical and electrical measurements　　　　　　　　　　　　　　　
  Ishida, Y.; Takahashi, T.; Okumura, H.; Jikimoto, T.; Tsuchida, H.; Yoshikawa, M.; Tomioka, Y.; Midorikawa, M.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：389-393, First page：1013, Last page：1016, 2002, [Reviewed]
  Materials Science Forum, English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1013
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1013, ISSN：0255-5476, ORCID：47642231, SCOPUS ID：0036433805
• X-ray photoelectron spectroscopy studies of post-oxidation process effects on oxide/SiC interfaces　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshikawa, M.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：389-393, First page：1033, Last page：1036, 2002, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1033
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1033, ISSN：0255-5476, ORCID：47642230, SCOPUS ID：0036429057, Web of Science ID：WOS:000177321100249
• Characterization of the interfaces between SiC and oxide films by spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Tomioka, Y.; Iida, T.; Midorikawa, M.; Tukada, H.; Yoshimoto, K.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshikawa, M.; Ishida, Y.; Kosugi, R.; Yoshida, S.
  Materials Science Forum, Volume：389-393, First page：1029, Last page：1032, 2002, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1029
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1029, ISSN：0255-5476, ORCID：47642245, SCOPUS ID：0036433806, Web of Science ID：WOS:000177321100248
• Spatial mapping of the carrier concentration and mobility in SiC wafers by micro fourier-transform infrared spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
  Yaguchi, H.; Narita, K.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Nakashima, S.; Oyanagi, N.
  Materials Science Forum, Volume：389-393, Number：1, First page：621, Last page：624, 2002, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.621
  DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.621, ISSN：0255-5476, ORCID：69201924, SCOPUS ID：34247249828, Web of Science ID：WOS:000177321100150
• Measurements of the depth profile of the refractive indices in oxide films on SiC by spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Iida, T; Tomioka, Y; Yoshimoto, K; Midorikawa, M; Tukada, H; Orihara, M; Hijikata, Y; Yaguchi, H; Yoshikawa, M; Itoh, H; Ishida, Y; Yoshida, S
  Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, Volume：41, Number：2A, First page：800, Last page：804, 2002, [Reviewed]
  Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.41.800
  Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0036478462&origin=inward
  Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0036478462&origin=inward
  DOI ID：10.1143/JJAP.41.800, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：110006340837, ORCID：31489875, SCOPUS ID：0036478462, Web of Science ID：WOS:000176451200070
• Spectroscopic ellipsometry study on the electronic structure near the absorption edge of GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
  Yaguchi, H.; Matsumoto, S.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Maeda, T.; Ogura, M.; Aoki, D.; Onabe, K.
  Physica Status Solidi (B) Basic Research, Volume：228, Number：1, First page：269, Last page：272, 2001, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/1521-3951(200111)228:1<269::AID-PSSB269>3.0.CO;2-3
  DOI ID：10.1002/1521-3951(200111)228:1<269::AID-PSSB269>3.0.CO;2-3, ISSN：0370-1972, ORCID：47642236, SCOPUS ID：0035541085, Web of Science ID：WOS:000172513100060
• Composition analysis of SiO 2 /SiC interfaces by electron spectroscopic measurements using slope-shaped oxide films　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshikawa, M.; Yoshida, S.
  Applied Surface Science, Volume：184, Number：1-4, First page：161, Last page：166, 2001, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1016/S0169-4332(01)00491-3
  DOI ID：10.1016/S0169-4332(01)00491-3, ISSN：0169-4332, eISSN：1873-5584, ORCID：69201992, SCOPUS ID：0035852219, Web of Science ID：WOS:000173000100027
• Photoluminescence study on temperature dependence of band gap energy of GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
  Yaguchi, H.; Kikuchi, S.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Aoki, D.; Onabe, K.
  Physica Status Solidi (B) Basic Research, Volume：228, Number：1, First page：273, Last page：277, 2001, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1002/1521-3951(200111)228:1<273::AID-PSSB273>3.0.CO;2-N
  DOI ID：10.1002/1521-3951(200111)228:1<273::AID-PSSB273>3.0.CO;2-N, ISSN：0370-1972, CiNii Articles ID：80012819598, ORCID：47642250, SCOPUS ID：0035541092, Web of Science ID：WOS:000172513100061
• Wavelength-division-multiplexing in fiber-optic micro-probe array for ultrasonic field measurements　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata, Y.; Nakamura, K.
  IEICE Transactions on Electronics, Volume：E83-C, Number：3, 2000, [Reviewed]
  Scientific journal
  ORCID：69201927, SCOPUS ID：0033742714
• Characterization of oxide films on SiC by spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Iida, T; Tomioka, Y; Hijikata, Y; Yaguchi, H; Yoshikawa, M; Ishida, Y; Okumura, H; Yoshida, S
  Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters, Volume：39, Number：10B, First page：L1054-L1056, Last page：L1056, 2000, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.39.L1054
  DOI ID：10.1143/JJAP.39.L1054, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：110004093448, CiNii Books ID：AA10650595, ORCID：31489882, Web of Science ID：WOS:000090138800014
• Pressure sensitivity of a fiber-optic microprobe for high-frequency ultrasonic field　　　　　　　　　　　　　　　
  Uno, Y; Nakamura, K
  Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, Volume：38, Number：5B, First page：3120, Last page：3123, 1999, [Reviewed]
  English, Scientific journal
  DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.38.3120
  DOI ID：10.1143/JJAP.38.3120, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：130004526269, ORCID：31489884, Web of Science ID：WOS:000081575800028

• 埼玉大学研究シーズ集2021-23　　　　　　　　　　　　　　　
  Apr. 2021
• 埼玉大学研究マップ　　　　　　　　　　　　　　　
  Oct. 2019
• 埼玉大学研究シーズ集2018-19　　　　　　　　　　　　　　　
  Apr. 2018
  寄稿（P.85）
• 埼玉大学研究シーズ集2016-17　　　　　　　　　　　　　　　
  Apr. 2016
  寄稿（P.74）
• InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討　　　　　　　　　　　　　　　
  徳田英俊; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：74th, Number：8, First page：ROMBUNNO.17P-P7-15, Last page：08JL06-4, 31 Aug. 2013
  Creation of short-period InN/GaN superlattices is one of the possible ways of conducting band gap engineering in the green-blue range of the spectrum. The present paper reports results of photoluminescence experiments, including pressure effects, on a superlattice sample consisting of unit cells with one monolayer of InN and 40 monolayers of GaN. The results are compared with calculations performed for different types of superlattices: InN/GaN, InGaN/GaN, and InN/InGaN/GaN with single monolayers of InN and/or InGaN. The superlattices are simulated by band structure calculations based on the local density approximation (LDA) with a semi-empirical correction for the ``LDA gap error''. A similarity is observed between the results of calculations for an InGaN/GaN superlattice (with one monolayer of InGaN) and the experimental results. This indicates that the fabricated InN quantum wells may contain some Ga atoms due to interdiffusion.
  The Japan Society of Applied Physics, Japanese
  DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.52.08JL06
  DOI ID：10.7567/JJAP.52.08JL06, ISSN：0021-4922, J-Global ID：201302285385764625, CiNii Articles ID：40019758965, CiNii Books ID：AA12295836
• 埼玉大学理工学研究科編「理学・工学の散歩道I」　　　　　　　　　　　　　　　
  Nov. 2012
  寄稿（P.112〜113）
• Theoretical studies for Si and C emission into SiC layer during oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
  土方 泰斗; 矢口 裕之; 吉田 貞史
  埼玉大学工学部紀要 第一部 論文集, Volume：44, First page：34, Last page：37, 2010
  To understand the structure of SiC-oxide interface more in detail, we propose a theory for calculating the depth profiles of Si and C emitted into SiC layer during oxidation. Simulations of the depth profiles of Si and C interstitials results in the structures analogous with those observed from a spectroscopic ellipsometry. To determine the diffusivities of Si and C interstitials, we performed capacitance-voltage measurements for examining the re-distribution profiles of nitrogen after oxidation. By comparing between observed and calculated profile, we obtained the self-diffusivity of C interstitials and confirmed that the proposed theory was appropriate to estimate depth profiles of Si and C interstitials emitted into SiC layer.
  埼玉大学工学部広報委員会, Japanese
  ISSN：1880-4446, CiNii Articles ID：120005386082
• 首都圏北部４大学研究室紹介・産学官連携の入り口「４u」　　　　　　　　　　　　　　　
  First page：137, Last page：138, 2009
  研究室紹介記事
• Characterization of oxidizing interface and elucidation of oxidation mechanism of SiC semiconductor using spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  土方 泰斗; 矢口 裕之; 吉田 貞史
  埼玉大学工学部紀要 第一部 論文集, Volume：43, First page：17, Last page：21, 2009
  We tried to elucidate the oxidizing interface structure of SiC semiconductor and its oxidation mechanism. First of all, we investigated the analysis method for deriving the thickness of interface layer and verified the validity of the method by analyzing the multi-angle measurement data. As a result of analysis for SiC-oxide interfaces using the analysis method, it is found that the photon energy dispersion of optical constants of the interface layer is similar to that for SiC, the real part of dielectric function is larger than that of SiC, and the imaginary part agrees with that of SiC. In addition, we examined the thickness dependence of optical constants of interface layer and found that the standing point in energy dispersion of the imaginary part of dielectric function shifted to the lower energy-side at 40 nm of oxide thickness. In addition to the observation of SiC-oxide interface, real-time measurements of oxide growth-rates of SiC at various oxidation temperatures were conducted using an in-situ spectroscopic ellipsometer. We tried to apply 'Si and C emission model', which is proposed as the SiC oxidation model by us, to the experimental growth-rate data. As a result, the Si and C emission model well reproduced the growth-rate at the entire oxide thickness region at all of the oxidation temperatures measured for both of (0001)Si-face and (000-1)C-face. Based on the knowledge on oxidizing interface layer and oxidation mechanism obtained from spectroscopic ellipsometry studies, we discuss the structure of interface layer and the formation mechanism of interface states.
  埼玉大学工学部, Japanese
  CiNii Articles ID：120005386070
• 技術＆事業インキュベーション・フォーラム （平成19年1月25日掲載）　　　　　　　　　　　　　　　
  25 Jan. 2008
  ・ニュースリリース、・テクニカルノート
• 解説記事「炭化ケイ素半導体でシリコンの限界を超えろ」　　　　　　　　　　　　　　　
  国際技術情報誌「M&E」, First page：38, Last page：39, Apr. 2007
• 日経BP総合ニュースサイト 「nikkei BP net」（平成19年2月14日掲載）　　　　　　　　　　　　　　　
  nikkei BP net, 14 Feb. 2007
  
  日経BP社
• 日経BPニュースサイト 「Tech-On！」（平成19年2月14日掲載）　　　　　　　　　　　　　　　
  Tech-On！, 14 Feb. 2007
  
  日経BP社
• 技術＆事業インキュベーション・フォーラム （平成19年2月14日掲載）　　　　　　　　　　　　　　　
  14 Feb. 2007
  
• 日経産業新聞（平成19年1月30日掲載）　　　　　　　　　　　　　　　
  日経産業新聞, 30 Jan. 2007
  日本経済新聞社
• 日刊工業新聞 （平成19年1月26日掲載）　　　　　　　　　　　　　　　
  日刊工業新聞, 26 Jan. 2007
  日刊工業新聞社
• 等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製　　　　　　　　　　　　　　　
  矢口裕之; 吉田貞史; 土方泰斗
  Volume：平成17-18年度, 2007
• 酸化膜／炭化珪素半導体界面の窒素による界面順位密度低減のメカニズム解明　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗
  Volume：第5号(18年度), First page：592, Last page：593, 2007
• 等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製　　　　　　　　　　　　　　　
  矢口裕之; 吉田貞史; 土方泰斗
  科学研究費補助金(基盤研究(c))研究成果報告書, Volume：平成17-18年度, 2007
• 酸化膜／炭化珪素半導体界面の窒素による界面順位密度低減のメカニズム解明　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗
  総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書, Volume：第5号(18年度), First page：592, Last page：593, 2007
• RF-MBE growth of InN epitaxial layers and InN/InGaN quantum wells on SiC substrates　　　　　　　　　　　　　　　
  吉田 貞史; 矢口 裕之; 土方 泰斗; 折原 操
  埼玉大学地域共同研究センター紀要, Volume：5, First page：63, Last page：63, 2004
  埼玉大学地域共同研究センター, Japanese
  ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371469
• Epitaxial Growth of hexagonal and cubic InN using RF-MBE　　　　　　　　　　　　　　　
  吉田 貞史; 矢口 裕之; 土方 泰斗; 折原 操
  Report of Cooperative Research Center, Saitama University, Number：4, First page：61, Last page：64, 2003
  We have grown InN films on 3C-SiC (001) substrates with and without cubic GaN underlayers by RF-MBE. It was found that, in the case of direct growth on 3C-SiC (001), hexagonal InN grows with the crystal orientation as hexagonal InN [1-100]//3C-SiC [110], while, in the case of the growth on cubic GaN underlayers, cubic InN grows with the crystal orientation as cubic InN [110]//cubic GaN [110]. Photoluminescence emissions from the cubic and hexagonal InN films were clearly observed at around 0.7 eV.
  埼玉大学地域共同研究センター, Japanese
  DOI ID：10.24561/00016696, ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120006388491, CiNii Books ID：AA11808968
• Characterization of Oxide Films on SiC by Spectroscopic Ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  吉田 貞史; 矢口 裕之; 土方 泰斗; 折原 操
  Report of Cooperative Research Center, Saitama University, Number：3, First page：41, Last page：48, 2002
  We have developed the method of obtaining the refractive indices of SiC/oxide interfaces by use of spectroscopic ellipsometry, and by using this method we have characterized SiC/oxide interfaces obtained by various oxidation methods and/or post oxidation annealing (POA). We have designed and fabricated the system with which in situ spectroscopic ellipsometry measurements can be carried out. We have observed the initial oxidation stage of SiC. We have also observed the changes of the refractive indices of interfaces by annealing in Ar atmosphere (Ar POA). The changes of atomic bond states at the interface by Ar POA were also observed by angle-resolved XPS and UPS, and compared with the results obtained form optical measurements and C-V measurements. We have developed the measurement method of obtaining carrier density and mobility distribution in SiC wafers by use of microscopic FT-IR. We have shown that the values obtained by this method well agree with those obtained from Hall measurements, suggesting that the method is useful to characterize electrical properties of SiC wafers quantitatively, non-destructively and without contact.
  埼玉大学地域共同研究センター, Japanese
  DOI ID：10.24561/00016656, ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120006388453, CiNii Books ID：AA11808968
• Development of Deep Ultraviolet Spectroscopic Characterization System for Nano Surface Structure of Wide Bandgap Semiconductors　　　　　　　　　　　　　　　
  矢口 裕之; 土方 泰斗
  埼玉大学地域共同研究センター紀要, Volume：3, First page：40, Last page：40, 2002
  埼玉大学地域共同研究センター, Japanese
  ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371525
• 分光偏光解析等によるSiC酸化膜の評価　　　　　　　　　　　　　　　
  吉田 貞史; 矢口 裕之; 土方 泰斗
  Number：2, First page：150, Last page：156, 2001
  Japanese
  ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：40006206458, CiNii Books ID：AA11808968
• 分光偏向解析等によるSiC酸化膜の評価　　　　　　　　　　　　　　　
  吉田 貞史; 矢口 裕之; 土方 泰斗
  Number：1, First page：25, Last page：32, 2000
  Japanese
  ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：40006206430, CiNii Books ID：AA11808968
• Development of A New Crystal Growth Method of Silicon Carbide High-Temperature Semiconductor - Characterization of Crystal Structures andProperties　　　　　　　　　　　　　　　
  吉田 貞史; 矢口 裕之; 土方 泰斗; 折原 操
  埼玉大学地域共同研究センター紀要, Volume：1, First page：74, Last page：74, 2000
  埼玉大学地域共同研究センター, Japanese
  ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001389831

• Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices (Chapter8)　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Hijikata, Y.-I. Matsushita, and T. Ohshima
  Taylor & Francis, CRC, May 2023
  Total pages：444
  ISBN：9780367188269
• Silicon carbide (SiC): An extremely tough semiconducting material　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata
  Science Impact ltd., UK, Mar. 2020
  Total pages：3
• Investigation of SiC/Oxide Interface Structures by Spectroscopic Ellipsometry" (Chapter 4) in "Advanced Silicon Carbide Devices and Processing　　　　　　　　　　　　　　　
  Sadafumi Yoshida, Yasuto Hijikata and Hiroyuki Yaguchi
  InTech, Sep. 2015
  Total pages：256
  ISBN：9789535121688
• Physics and Technology of Silicon Carbide Devices　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata
  InTech, Jan. 2013
  Total pages：402
  DOI：https://doi.org/10.5772/3428
  DOI ID：10.5772/3428
• Thermal Oxidation Mechanism of Silicon Carbide　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  InTech, Jan. 2013
  Total pages：402
  DOI：https://doi.org/10.5772/50748
  DOI ID：10.5772/50748
• Nondestructive and Contactless Characterization Method for Spatial Mapping of the Thickness and Electrical Properties in Homo-Epitaxially Grown SiC Epilayers Using Infrared Reflectance Spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
  Sadafumi Yoshida, Yasuto Hijikata and Hiroyuki Yaguchi
  InTech, Jan. 2013
  Total pages：402
  DOI：https://doi.org/10.5772/50749
  DOI ID：10.5772/50749
• SiC/GaNパワーデバイスの製造プロセスと放熱・冷却技術　　　　　　　　　　　　　　　
  技術情報協会, Feb. 2010
  Total pages：340
• SiCパワｰデバイス最新技術 =次世代パワｰエレクトロニクス=　　　　　　　　　　　　　　　
  サイエンス&テクノロジｰ, 2010
  Total pages：309
• テラヘルツ反射分光法による炭化珪素半導体の電気的特性の非破壊マッピング測定　　　　　　　　　　　　　　　
  土方, 泰斗
  [土方泰斗], Mar. 2007
  Total pages：1冊
  CiNii Books：http://ci.nii.ac.jp/ncid/BA82582794
  CiNii Books ID：BA82582794
• 軟X線光電子分光による4H-SiC(000-1)面上酸化膜の評価　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史、高田恭孝、小林啓介、野平博司、服部健雄
  2005年度前期高輝度光科学研究センター成果報告書, 2005
• Characterization of Thermal Oxidation Films Formed on 4H Silicon Carbide by Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata Y., Yaguchi H., Yoshida S., Ikenaga E., Takata Y., Nohira H., and Hattori T.
  SPring-8 User Experiment Report, 2005
• Properties and Applications of Silicon Carbide　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
  INTECH open access publisher
  Total pages：535
  DOI：https://doi.org/10.5772/14591
  DOI ID：10.5772/14591

• Polarization-Sensitive Quantum Imaging Using an Entangled-Photon Source　　　　　　　　　　　　　　　
  M. Samad; M. Shimizu; Y. Hijikata
  Mar. 2025
  English, Oral presentation
• ITO透明導電膜によるSiC/SiO₂界面単一光子源の発光強度制御　　　　　　　　　　　　　　　
  武藤 隆太; 針井 一哉; 清水 麻希; 木菱 完太; 矢崎 結也; 相川 慎也; 大島 武; 土方 泰斗
  Mar. 2025
  Japanese, Oral presentation
• 4H-SiC中シリコン空孔のODMR特性に対する¹³C核スピンの影響　　　　　　　　　　　　　　　
  山城 宏育; 佐藤 真一郎; 村田 晃一; 花輪 雅史; 山﨑 雄一; 土田 秀一; 土方 泰斗; 大島 武
  Nov. 2024
  Japanese, Poster presentation
• ITO透明導電膜を用いたSiC/SiO₂界面単一光子源の電界制御　　　　　　　　　　　　　　　
  武藤 隆太; 針井 一哉; 清水 麻希; 木菱 完太; 相川 慎也; 大島 武; 土方 泰斗
  Nov. 2024
  Japanese, Poster presentation
• A SiC Single-Photon Emitting Device Embedded with the MOS Interface Color Centers　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata
  The 5th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2024 (Shenzhen, China), Nov. 2024, [Invited]
  English, Invited oral presentation
• Polarization control of SiO₂/SiC interfacial single-photon sources by oxygen pressure during thermal oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
  Rinku Oyama; Yasuto Hijikata
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2024 (Raleigh, USA), Oct. 2024
  English, Poster presentation
• 高酸素圧熱酸化によるSiO₂/SiC界面単一光子源の偏光制御　　　　　　　　　　　　　　　
  大山 倫句; 土方 泰斗
  Sep. 2024
  Japanese, Oral presentation
• 4H-SiC及びSiO2上Pt/Co強磁性薄膜の磁気異方性制御　　　　　　　　　　　　　　　
  六田 大貴, 針井 一哉, Qixian Liao, 丁 浩, 好田 誠, 土方 泰斗, 大島 武
  第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2024, [Domestic conference]
• 低蛍光強度の透明導電膜を用いたNVセンタの電荷制御　　　　　　　　　　　　　　　
  大石 竜嗣, 木菱 完太, 土方 泰斗, 波多野 睦子, 牧野 俊晴, 相川 慎也, 清水 麻希
  第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2024, [Domestic conference]
• RFマグネトロンスパッタ法で作製したSnO2:N薄膜のバルク内酸素空孔低減およびバルク内組成の評価　　　　　　　　　　　　　　　
  川口 拓真, 大石 竜嗣, 清水 麻希, 土方 泰斗, 相川 慎也
  第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2024, [Domestic conference]
• ナノダイヤモンドNVセンタにおける被膜の影響　　　　　　　　　　　　　　　
  小島 翔太, 山口 智弘, 土方 泰斗, 石橋 幸治, 清水 麻希
  第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2024, [Domestic conference]
• 12C濃縮4H-SiC中に形成したシリコン空孔のODMR特性　　　　　　　　　　　　　　　
  山城 宏育, 佐藤 真一郎, 村田 晃一, 花輪 雅史, 張 盛杰, 山﨑 雄一, 土田 秀一, 土方 泰斗, 大島 武
  第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2024, [Domestic conference]
• 熱酸化時の酸素圧によるSiO2/SiC界面単一光子源の偏光制御　　　　　　　　　　　　　　　
  大山倫句,土方 泰斗
  先進パワー半導体分科会第10回講演会, Nov. 2023, [Domestic conference]
• Density and polarization controls of the single photon sources formed at the MOS interface　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Hijikata
  APCSCRM2023 (Beijing, China), Nov. 2023, [Invited], [International conference]
  English, Invited oral presentation
• ナノダイヤモンド温度センサを用いたカーボンナノチューブの熱電測定　　　　　　　　　　　　　　　
  杉本 昂暉, 土方 泰斗, 清水 麻希
  第70回応用物理学会春季学術講演会 (四谷/オンライン), Mar. 2023, [Domestic conference]
• 電子線照射により形成した4H-SiC中シリコン空孔の荷電状態とドーピング濃度の関係　　　　　　　　　　　　　　　
  張 盛杰, 佐藤 真一郎, 村田 晃一, 花輪 雅史, 元木 秀, 張 啓航, 土田 秀一, 土方 泰斗, 大島 武
  第70回応用物理学会春季学術講演会 (四谷/オンライン), Mar. 2023, [Domestic conference]
• 電子線照射による 4H-SiC 中窒素・空孔複合欠陥の高濃度形成　　　　　　　　　　　　　　　
  張 啓航, 佐藤 真一郎, 村田 晃一, 花輪 雅史, 元木 秀, 張 盛杰, 土田 秀一, 土方 泰斗, 大島 武
  第70回応用物理学会春季学術講演会 (四谷/オンライン), Mar. 2023, [Domestic conference]
• Characteristics of the single photon sources formed at the MOS interface　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Hijikata
  APCSCRM2022 (Xuzhou, China / Online), Nov. 2022, [Invited], [International conference]
  English, Invited oral presentation
• 高エネルギー電子線照射による4H-SiC中シリコン空孔の高濃度形成　　　　　　　　　　　　　　　
  元木 秀, 佐藤 真一郎, 佐伯 誠一,村田 晃一,増山 雄太, 山﨑 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
  第83回応用物理学会秋季学術講演会 (仙台/オンライン), Sep. 2022, [Domestic conference]
• Generation of boron vacancy defects in hexagonal boron nitride by high temperature ion irradiation　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Nishiya, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
  ICDCM2022 (Lisbon, Portugal), Sep. 2022, [International conference]
• Magnetic Sensitivity of Silicon Vacancies in 4H-SiC at Different Temperatures　　　　　　　　　　　　　　　
  S. Motoki, S.-I. Sato, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, S. Saiki, Y. Hijikata, T. Ohshima
  DSQT2022 (Stockholm, Sweden), Jun. 2022, [International conference]
• 4H-SiC 結晶中に形成された窒素空孔センタの偏光特性　　　　　　　　　　　　　　　
  松下 大記, 佐藤 真一郎, 大島 武, 土方 泰斗
  第69回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2022, [Domestic conference]
• 電子線照射によって形成した4H-SiC中シリコン空孔の濃度定量　　　　　　　　　　　　　　　
  元木 秀, 佐藤 真一郎, 増山 雄太, 山﨑 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
  第69回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2022, [Domestic conference]
• 高温イオン照射によるhBN中ホウ素空孔欠陥形成　　　　　　　　　　　　　　　
  鈴木 哲太, 山崎 雄一, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 松下 雄一郎, 西谷 侑将, 増山 雄太, 土方 泰斗, 大島 武
  第69回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2022, [Domestic conference]
• 低蛍光強度の透明導電膜の形成　　　　　　　　　　　　　　　
  守護 理高, 清水 麻希, 土方 泰斗, 相川 慎也, 森 峻
  第69回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2022, [Domestic conference]
• 熱酸化したSiC半導体表面に形成する単一光子源の偏光特性　　　　　　　　　　　　　　　
  小森翔太,土方 泰斗
  先進パワー半導体分科会第8回講演会, Dec. 2021, [Domestic conference]
• Optically detected magnetic resonance of silicon vacancies in 4H-SiC with different temperatures　　　　　　　　　　　　　　　
  S. Motoki, S.-I. Sato, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, S. Saiki, Y. Hijikata, T. Ohshima
  Dec. 2021, [International conference]
• Thermal effects on generation of spin defects in hexagonal boron nitride　　　　　　　　　　　　　　　
  T. suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
  4th International Forum on Quantum Metrology and Sensing (IFQMS) (Online), Dec. 2021, [International conference]
  Japanese, Poster presentation
• ２次元薄膜h-BNのスピン欠陥形成及びその光学特性の測定　　　　　　　　　　　　　　　
  鈴木 哲太,山崎 雄一,谷口 尚,渡邊 賢司,松下 雄一郎,針井 一哉,圓谷 志郎,増山 雄太,土方 泰斗,大島 武
  第82回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2021, [Domestic conference]
• 4H-SiC中シリコン空孔における 光検出磁気共鳴スペクトルの温度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
  元木 秀, 佐藤 真一郎, 増山 雄太, 山﨑 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
  Sep. 2021, [Domestic conference]
• Constructing a thermoelectric measurement system by using nitrogen－vacancy center in nanodiamonds　　　　　　　　　　　　　　　
  K. Sugimoto, Y. Hijikata, M. Shimizu
  Jun. 2021, [International conference]
• SiC結晶中窒素空孔センタの量子状態測定　　　　　　　　　　　　　　　
  若林 健,冨高 祐哉,楢原 拓真, 佐藤 真一郎,児島一聡,大島 武, 土方 泰斗
  第68回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2021, [Domestic conference]
• SiC結晶中窒素空孔センタの量子状態測定　　　　　　　　　　　　　　　
  冨高 祐哉,楢原 拓真, 佐藤 真一郎, 大島 武, 児島 一聡, 土方 泰斗
  先進パワー半導体分科会第7回講演会, Dec. 2020, [Domestic conference]
• Structural Identification of the Single-Photon Sources Formed on SiC Surface using Isotope Oxygen　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
  4th QST international symposium, Nov. 2020, [International conference]
  English, Poster presentation
• NCVSi- Centers in Silicon Carbide and Their Photoluminescence Properties　　　　　　　　　　　　　　　
  S.-i. Sato, T. Narahara, T. Higuchi, S. Onoda, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, B. C. Gibson, A. D. Greentree, T. Ohshima
  The 2nd International Forum on Quantum Metrology and Sensing (IFQMS), Dec. 2019, [International conference]
• 量子ビームを用いて形成した炭化ケイ素中の窒素・空孔複合欠陥の 近赤外発光特性　　　　　　　　　　　　　　　
  佐藤 真一郎, 楢原 拓真, 山崎 雄一, 樋口 泰成, 小野田 忍, 土方 泰斗, Brant C. Gibson, Andrew D. Greentree, 大島 武
  QST高崎サイエンスフェスタ2019, Dec. 2019, [Domestic conference]
• SiCデバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性　　　　　　　　　　　　　　　
  山﨑 雄一,千葉 陽史,佐藤 真一郎,牧野 高絋,山田 尚人,佐藤 隆博,土方 泰斗,児島 一聡,土田 秀一,星野 紀博,大島 武
  先進パワー半導体分科会第6回講演会 (広島), Dec. 2019, [Domestic conference]
• SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響　　　　　　　　　　　　　　　
  千葉 陽史,山﨑 雄一,牧野 高絋,佐藤 真一郎,山田 尚人,佐藤 隆博,児島 一聡,土方 泰斗,大島 武
  先進パワー半導体分科会第6回講演会 (広島), Dec. 2019, [Domestic conference]
• 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係　　　　　　　　　　　　　　　
  楢原 拓真,佐藤 真一郎,児島 一聡,山﨑 雄一,土方 泰斗,大島 武
  先進パワー半導体分科会第6回講演会 (広島), Dec. 2019, [Domestic conference]
• PLイメージング法による異なるオフカット角を有する4H-SiC基板中の酸化誘起積層欠陥の観測　　　　　　　　　　　　　　　
  新田 翔司,土方 泰斗
  先進パワー半導体分科会第6回講演会 (広島), Dec. 2019, [Domestic conference]
• Enhancement of ODMR Contrasts of Silicon Vacancy in SiC by Thermal Treatment　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Chiba, Y. Yamazaki, S.-i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, T. Ohshima
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019 (Kyoto), Oct. 2019, [International conference]
• Effects of Nitrogen Impurity Concentration on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Narahara, S.-i. Sato, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, T. Ohshima
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019 (Kyoto), Oct. 2019, [International conference]
• Optically detected magnetic resonance study of 3D arrayed silicon vacancies in SiC pn diodes　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, T. Ohshima
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019 (Kyoto), Sep. 2019, [International conference]
• Near Infrared Photoluminescence in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Irradiated with Energetic Charged Particles　　　　　　　　　　　　　　　
  S.-i. Sato, T. Narahara, S. Onoda, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, B. C. Gibson, A. D. Greentree, T. Ohshima
  International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019 (Kyoto), Sep. 2019, [International conference]
• 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成における窒素不純物濃度の影響　　　　　　　　　　　　　　　
  楢原 拓真,佐藤 真一郎,児島 一聡, 山﨑 雄一,土方 泰斗,大島 武
  第80回応用物理学会秋季学術講演会 (札幌), Sep. 2019, [Domestic conference]
• SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響　　　　　　　　　　　　　　　
  千葉 陽史,山崎 雄一郎,牧野 高紘,佐藤 真一郎,山田 尚人,佐藤 隆博,土方 泰斗,大島 武
  第80回応用物理学会秋季学術講演会 (札幌), Sep. 2019, [Domestic conference]
• SiCデバイス内の3次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定　　　　　　　　　　　　　　　
  山崎 雄一郎,千葉 陽史,佐藤 真一郎,牧野 高紘,山田 尚人,佐藤 隆博,土方 泰斗,児嶋 一聡,土田 秀一,星乃 紀博,大島 武
  第80回応用物理学会秋季学術講演会 (札幌), Sep. 2019, [Domestic conference]
• Below-Gap励起光を用いたFET構造4H-SiCの欠陥準位の検出　　　　　　　　　　　　　　　
  小野寺 奎, 鎌田 憲彦, 土方 泰斗, 武山 昭憲, 大島 武, 吉江 徹
  第80回応用物理学会秋季学術講演会 (札幌), Sep. 2019, [Domestic conference]
• Optical properties of simultaneous optically and electrically excited silicon vacancies in SiC pn diodes　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, T. Ohshima
  QST IRI Workshop, Sep. 2019, [International conference]
• Creation of nitrogen-vacancy centers in SiC by ion irradiation　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Ohshima, S.-i. Sato, T. Narahara, Y. Yamazaki, Y. Abe, T. Umeda, Y. Hijikata
  30th International Conference on Defects in Smiconductors (ICDS-30) (Seattle, WA, USA), Jul. 2019, [International conference]
• Room temperature electronic-controllable quantum devices using single-photon sources in SiC crystals　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
  2nd The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2019 (Beijing, China), Jul. 2019, [Invited], [International conference]
  English, Invited oral presentation
• Structure identification and characterization of the single-photon sources formed on the surface of silicon carbide crystal　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
  2019 Energy Materials and Nanotechnology on Epitaxy (EMN Meeting on Epitaxy 2019) (Amsterdam, Netherland), Jun. 2019, [Invited], [International conference]
  English, Invited oral presentation
• Position-Selective Silicon Vacancy Formation in Silicon Carbide Devices using Proton Beam Writing　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Ohshima, Y. Yamazaki, Y. Chiba, Y. Hijikata, K. Kojima, S.-Y. Lee, W. Kada
  Quantum 2019, May 2019, [International conference]
• Room temperature electronic-driven quantum devices using single defects in silicon carbide semiconductors　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata
  2019 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED-2019) (Prague, Czech), Apr. 2019, [Invited], [International conference]
  English, Keynote oral presentation
• 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオンビーム照射の影響　　　　　　　　　　　　　　　
  楢原 拓真,佐藤 真一郎,土方 泰斗,大島 武
  第66回応用物理学会春季学術講演会(大岡山), Mar. 2019, [Domestic conference]
• γ線照射が炭化ケイ素表面発光中心の生成・発光特性に与える影響　　　　　　　　　　　　　　　
  山崎 雄一郎,常見 大貴,佐藤 真一郎,土方 泰斗,大島 武
  第66回応用物理学会春季学術講演会(大岡山), Mar. 2019, [Domestic conference]
• 同位体酸素を用いたSiC表面に形成される単一光子源の構造推定　　　　　　　　　　　　　　　
  土方 泰斗,松下 雄一郎,大島 武
  第66回応用物理学会春季学術講演会(大岡山), Mar. 2019, [Domestic conference]
• Growth Rate Simulations of Oxide Films on Silicon Carbide based on the Si and C Emission Model　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata
  2018 Conference on Intelligent Computing, Communication & Applied Technologies (CICCAT2018) (Zhuhai, China), Dec. 2018, [Invited], [International conference]
  English, Keynote oral presentation
• Creating single photon sources in SiC pn diodes using proton beam writing　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Sato, K. Kojima, S.-Y. Lee, T. Ohshima, Y. Hijikata
  2018 Conference on Intelligent Computing, Communication & Applied Technologies (CICCAT2018) (Zhuhai, China), Dec. 2018, [International conference]
• プロトンビーム描画により形成されたSiC pnダイオード中シリコン空孔のODMR測定　　　　　　　　　　　　　　　
  千葉 陽史,山﨑 雄一,牧野 高絋,佐藤 真一郎,山田 尚人,佐藤 隆博,児島 一聡,土方 泰斗,大島 武
  第5回講演会(京都), Nov. 2018, [Domestic conference]
• SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性　　　　　　　　　　　　　　　
  常見 大貴,佐藤 真一郎,山﨑 雄一,牧野 高絋,土方 泰斗,大島 武
  第5回講演会(京都), Nov. 2018, [Domestic conference]
• SiC半導体を用いた非接触給電装置の耐放射線性評価　　　　　　　　　　　　　　　
  赤川拓,川原藤樹,金子裕良,武山昭憲,大島武,土方泰斗
  第5回講演会(京都), Nov. 2018, [Domestic conference]
• プロトンビーム描画により形成したシリコン空孔の光学特性劣化要因に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
  山﨑 雄一,千葉 陽史,牧野 高絋,佐藤 真一郎,山田 尚人,佐藤 隆博,加田 渉,土方 泰斗,児島 一聡,S.-Y.Lee,大島 武
  第5回講演会(京都), Nov. 2018, [Domestic conference]
• 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成と発光特性　　　　　　　　　　　　　　　
  楢原 拓真,佐藤 真一郎,土方 泰斗,大島 武
  第5回講演会(京都), Nov. 2018, [Domestic conference]
• プロトンビーム描画プロセスがSiC pnダイオード中に導入したシリコン空孔の光学特性に与える影響　　　　　　　　　　　　　　　
  山﨑 雄一,千葉 陽史,牧野 高絋,山田 尚人,佐藤 隆博,土方 泰斗,児島 一聡,大島 武
  第79回応用物理学会秋季学術講演会(名古屋), Sep. 2018, [Domestic conference]
• プロトンビーム描画を用いてSiCデバイス中に作製したシリコン空孔のODMR測定　　　　　　　　　　　　　　　
  千葉 陽史,山﨑 雄一,牧野 高絋,佐藤 真一郎,山田 尚人,佐藤 隆博,児島 一聡,土方 泰斗,大島 武
  第79回応用物理学会秋季学術講演会(名古屋), Sep. 2018, [Domestic conference]
• SiC p+nn+ダイオード中の単一光子源の発光特性に関する考察　　　　　　　　　　　　　　　
  常見 大貴,佐藤 真一郎,山﨑 雄一,牧野 高絋,土方 泰斗,大島 武
  第79回応用物理学会秋季学術講演会(名古屋), Sep. 2018, [Domestic conference]
• SiC半導体表面に形成した単一光子源の低温フォトルミネッセンス特性　　　　　　　　　　　　　　　
  音嶋俊介,松下雄一郎,大島武,土方泰斗
  第79回応用物理学会秋季学術講演会(名古屋), Sep. 2018, [Domestic conference]
• Creation of electrically controllable radiation centers in SiC using proton beam writing　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Sato, K. Kojima, S.-Y. Lee, Y. Hijikata, T. Ohshima
  ECSCRM2018 (Birmingham, UK), Sep. 2018, [International conference]
• Gate Structure Dependence of Charge Collection and Single Event Burnout Tolerance for SiC MOSFETs　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Makino, S. Takano, S. Harada, Y. Hijikata, and T. Ohshima
  2018 NSREC (Hawaii, USA), Jul. 2018, [International conference]
• A Macroscopic Simulation of the SiC Thermal Oxidation Process based on the Si and C Emission Model　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata
  APCSCRM 2018 (Beijing, China), Jul. 2018, [Invited], [International conference]
  English, Invited oral presentation
• Radiation Efficiency Enhancement of Single Photon Source near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Hijikata, Y. Furukawa, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
  2018 Spring Meeting (Strasbourg, France), Jun. 2018, [International conference]
• SiC半導体が実現する室温電子駆動量子センサ　　　　　　　　　　　　　　　
  土方 泰斗,牧野 高紘,佐藤 真一郎,山崎雄一,大島 武
  第２回学術集会, May 2018, [Domestic conference]
• プロトンビーム描画を用いたSiC pinダイオード中への発光中心の形成　　　　　　　　　　　　　　　
  千葉陽史,常見 大貴,本多 智也,牧野 高紘,佐藤 信一郎,山田尚人,佐藤隆博,土方 泰斗,大島 武
  第65回応用物理学会春季学術講演会（早稲田）, Mar. 2018, [Domestic conference]
• 4H-SiC酸化によるアモルファス構造が表面単一光子源に与える影響の理論的分析　　　　　　　　　　　　　　　
  古川頼誉,土方泰斗,大島武,松下雄一郎
  第65回応用物理学会春季学術講演会（早稲田）, Mar. 2018, [Domestic conference]
• チャネルサイズがSiC-MOSFETのガンマ線照射効果に及ぼす影響　　　　　　　　　　　　　　　
  武山昭憲,牧野高紘,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗,大島武
  第65回応用物理学会春季学術講演会（早稲田）, Mar. 2018, [Domestic conference]
• 4H-SiCエピ層中の積層欠陥近傍における単一光子源の発光効率向上　　　　　　　　　　　　　　　
  赤堀周平,古川頼誉,松下雄一郎,大島武,土方泰斗
  第65回応用物理学会春季学術講演会（早稲田）, Mar. 2018, [Domestic conference]
• Functionalization of Silicon Carbide by Particle Irradiation toward Quantum Devices　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Ohshima, T. Honda, H. Tsunemi, T. Makino, S.-i. Sato, S. Onoda, Y. Hijikata
  2017 MRS Fall meeting (Boston, USA), Dec. 2017, [International conference]
• バイアス印加によるSiCダイオード中の発光中心の発光強度変化　　　　　　　　　　　　　　　
  本多智也,常見大貴,小野田忍,牧野高紘,佐藤真一郎,土方泰斗,大島武
  第４回講演会（名古屋）, Nov. 2017, [Domestic conference]
• SiC 中の積層欠陥が単一光子光源の発光波長に及ぼす影響の理論的分析　　　　　　　　　　　　　　　
  古川頼誉,土方泰斗,大島武,松下雄一郎
  第４回講演会（名古屋）, Nov. 2017, [Domestic conference]
• トレンチゲート型SiC-MOSFETにおける放射線誘起破壊現象の物理過程探索と耐性評価　　　　　　　　　　　　　　　
  高野 修平,牧野 高紘,原田 信介,土方 泰斗,大島 武
  第４回講演会（名古屋）, Nov. 2017, [Domestic conference]
• 負ゲートバイアス印加によるSiC MOSFETのガンマ線照射劣化挙動　　　　　　　　　　　　　　　
  武山 昭憲,松田 拓磨,三友 啓,村田 航一,牧野 高紘,小野田 忍,大久保 秀一,田中 雄季,神取 幹郎,吉江 徹,土方 泰斗,大島 武
  第４回講演会（名古屋）, Nov. 2017, [Domestic conference]
• SiC p+nn+ダイオードに形成される単一光子源の発光特性　　　　　　　　　　　　　　　
  常見 大貴、本多 智也、牧野 高絋、小野田 忍、佐藤 真一郎、土方 泰斗、大島 武
  第４回講演会（名古屋）, Nov. 2017, [Domestic conference]
• Contraolled 3D Placement of Vacancy Spins for Quantum Applications in Silicon Carbide　　　　　　　　　　　　　　　
  H. Kraus, D. Simin, C. Kasper, W. Kada, Y. Hijikata, C. J. Cochrane, T. Ohshima, V. Dyakonov, G. Astakhov
  ICSCRM2017 (Washington D.C.), Sep. 2017, [International conference]
• Enhanced Single Photon Emission near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Hijikata, S. Akahori, and T. Ohshima
  ICSCRM2017 (Washington D.C.), Sep. 2017, [International conference]
• Various single photon sources observed in SiC pin diodes　　　　　　　　　　　　　　　
  H. Tsunemi, T. Honda, T. Makino, S. Onoda, S-I. Sato, Y. Hijikata, and T. Ohshima
  ICSCRM2017 (Washington D.C.), Sep. 2017, [International conference]
• 4H-SiCエピ層における積層欠陥近傍の単一光子源の発光特性　　　　　　　　　　　　　　　
  赤堀 周平、古川 頼誉、松下 雄一郎、大島 武、土方 泰斗
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2017, [Domestic conference]
• SiC p+nn+ダイオードに形成される単一光子源の発光スペクトル　　　　　　　　　　　　　　　
  常見 大貴、本多 智也、牧野 高絋、小野田 忍、佐藤 真一郎、土方 泰斗、大島 武
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2017, [Domestic conference]
• SiC p+nn+ダイオード中の発光中心のバイアス電圧による発光強度変化　　　　　　　　　　　　　　　
  本多 智也、常見 大貴、児島 一聡、佐藤 真一郎、牧野 高紘、小野田 忍、土方 泰斗、大島 武
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2017, [Domestic conference]
• 負ゲートバイアス印加がSiC MOSFETのガンマ線照射劣化に及ぼす影響　　　　　　　　　　　　　　　
  武山 昭憲,牧野 高紘,大久保 秀一,田中 雄季,神取 幹郎,吉江 徹,土方 泰斗,大島 武
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2017, [Domestic conference]
• 重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程　　　　　　　　　　　　　　　
  高野 修平,牧野 高紘,原田 信介,土方 泰斗,大島 武
  第78回応用物理学会秋季学術講演会, Sep. 2017, [Domestic conference]
• SiC pinダイオード中の発光中心の観察　　　　　　　　　　　　　　　
  常見大貴、本多智也、牧野高紘、小野田忍、佐藤信一郎、土方泰斗、大島武
  第64回応用物理学会春季学術講演会 (横浜), Mar. 2017, [Domestic conference]
• SiC-MOSFETにおける高エネルギー重イオン誘起電荷収集の電圧依存　　　　　　　　　　　　　　　
  牧野高紘,高野修平,原田信介,児島一聡,土方泰斗,大島武
  第64回応用物理学会春季学術講演会 (横浜), Mar. 2017, [Domestic conference]
• 高温環境によるSiC MOSFETs のガンマ線照射劣化の抑制　　　　　　　　　　　　　　　
  武山昭憲,松田拓磨,三友啓,村田航一,牧野高紘,小野田忍,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗,大島武
  第64回応用物理学会春季学術講演会 (横浜), Mar. 2017, [Domestic conference]
• Creation of Single Photon Sources in Wide Bandgap Semiconductors by Ion Irradiation　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, Y. Hijikata, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov
  MRS-J (Yokohama), Dec. 2016, [International conference]
• Heavy Ion Induced Charge Collection in SiC MOSFETs　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Makino, S. Takano, S. Harada, K. Kojima, Y. Hijikata, and T. Ohshima
  2016MRS-J (Yokohama), Dec. 2016, [International conference]
• 高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの照射後経時変化について　　　　　　　　　　　　　　　
  松田拓磨,横関貴史,三友啓,村田航一,牧野高紘,武山昭憲,小野田忍,大島武,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗
  第３回講演会（つくば）, Nov. 2016, [Domestic conference]
• 複合環境下でのガンマ線照射によるSiC MOSFETの電気特性変化　　　　　　　　　　　　　　　
  武山昭憲,松田拓磨,三友啓,村田航一,牧野高紘,小野田忍,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗,大島武
  第３回講演会（つくば）, Nov. 2016, [Domestic conference]
• ガンマ線耐性向上に向けたSiC-MOSFETの構造最適化の検討　　　　　　　　　　　　　　　
  三友啓,松田拓磨,村田航一,横関貴史,牧野高紘,武山昭憲,小野田忍,大島武,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗
  第３回講演会（つくば）, Nov. 2016, [Domestic conference]
• ゲートバイアス印加条件がSiC MOSFETのガンマ線照射効果に及ぼす影響　　　　　　　　　　　　　　　
  村田航一,松田拓磨,三友啓,横関貴史,牧野高紘,武山昭憲,小野田忍,大島武,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗
  第３回講演会（つくば）, Nov. 2016, [Domestic conference]
• プロトンビームライティングによるSiC中へのシリコン空孔の形成　　　　　　　　　　　　　　　
  本多智也,Hannes Kraus,加田渉,小野田忍,須田義規,春山盛善,佐藤隆博,江夏昌志,神谷富裕,川端駿介,三浦健太,花泉修,土方泰斗,大島武
  第３回講演会（つくば）, Nov. 2016, [Domestic conference]
• SiC MOSFETにおける高エネルギー重イオン誘起電荷過剰収集　　　　　　　　　　　　　　　
  牧野高紘、高野修平、原田信介、児島一聡、土方泰斗、大島武
  第３回講演会（つくば）, Nov. 2016, [Domestic conference]
• 重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起電荷のイオンエネルギー・電圧依存性　　　　　　　　　　　　　　　
  高野修平、牧野高紘、原田信介、児島一聡、土方泰斗、大島武
  第３回講演会（つくば）, Nov. 2016, [Domestic conference]
• Creation of single photon emitters in silicon carbide using particle beam irradiation　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, Y. Hijikata, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov
  IBMM2016 (Wellington, New Zealand), Nov. 2016, [International conference]
• 3C-SiC中の表面に形成される単一発光源の発光特性と表面処理　　　　　　　　　　　　　　　
  本多智也、小野田忍、土方泰斗、大島武
  第77回秋季応用物理学会講演会（新潟）, Sep. 2016, [Domestic conference]
• SiC-MOSFETにおけるイオン誘起電荷過剰収集　　　　　　　　　　　　　　　
  牧野高紘、高野修平、原田信介、児島一聡、土方泰斗、大島武
  第77回秋季応用物理学会講演会（新潟）, Sep. 2016, [Domestic conference]
• 重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程　　　　　　　　　　　　　　　
  高野修平、牧野高紘、原田信介、児島一聡、土方泰斗、大島武
  第77回秋季応用物理学会講演会（新潟）, Sep. 2016, [Domestic conference]
• Generation of stacking faults in 4H-SiC epilayer during oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
  Ryosuke Asafuji and Yasuto Hijikata
  Sep. 2016, [International conference]
• Creation and Functionalization of Defects in SiC by Irradiation and Thermal Treatment　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, Y. Hijikata, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov
  ECSCRM2016 (Halkidiki, Greek), Sep. 2016, [International conference]
• SiC酸化膜界面のパッシベーション技術　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗
  第２回個別討論会（名古屋）, Aug. 2016, [Domestic conference]
• Impacts of Gate Bias and its Variation on Gamma-ray Irradiation Resistance of SiC MOSFETs　　　　　　　　　　　　　　　
  Koichi Murata, Satoshi Mitomo, Takuma Matsuda, Takashi Tokoseki, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda,Shuichi Okubo, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Takeshi Ohshima , Yasuto Hijikata
  E-MRS2016 Spring Meeting (Lille, France), May 2016, [International conference]
• Optimum Structures for Gamma-ray Radiation Resistant SiC-MOSFETs　　　　　　　　　　　　　　　
  S. Mitomo, T. Matsuda, K. Murata, T. Tokoseki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, S. Okubo, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata
  E-MRS2016 Spring Meeting (Lille, France), May 2016, [International conference]
• Development of Super Radiation Resistant Metal-Oxide-Semiconductor Transistor Based on Silicon Carbide　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Ohshima, T. Yokoseki, K. Murata, T. Matsuda, S. Mitomo, T. Makino, S. Onoda, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, S. Okubo, and T. Yoshie
  R2SRT2016 (Iwaki), Apr. 2016, [International conference]
• 高温・高湿度雰囲気中γ線照射によりSiC MOSFETsに生成される電荷の線量依存　　　　　　　　　　　　　　　
  武山昭憲,松田拓磨,横関貴史,三友啓,村田航一,牧野高紘,小野田忍,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,大島武,土方泰斗
  第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016, [Domestic conference]
• ガンマ線照射耐性における SiC-MOSFET の構造最適化　　　　　　　　　　　　　　　
  三友啓,松田拓磨,村田航一,横関貴史,牧野高紘,武山昭憲,小野田忍,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,大島武,土方泰斗
  第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016, [Domestic conference]
• SiC MOSFET のガンマ線照射効果に及ぼすゲートバイアスの影響　　　　　　　　　　　　　　　
  村田 航一,三友 啓,松田 拓磨,横関貴史,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大久保 秀一,田中 雄季,神取 幹郎,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
  第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016, [Domestic conference]
• プロトンマイクロビーム照射による SiC 中の発光中心の形成　　　　　　　　　　　　　　　
  本多 智也、Kraus Hannes、加田 渉、小野田 忍、春山 盛善、佐藤 隆博、江夏 昌志、神 谷 富裕、川端 駿介、三浦 健太、花泉 修、土方 泰斗、大島 武
  第63回応用物理学会春季学術講演会, Mar. 2016, [Domestic conference]
• プロトンマイクロビーム照射によるSiC中の発光中心の形成　　　　　　　　　　　　　　　
  本多智也; 本多智也; Kraus HANNES; Kraus HANNES; 加田渉; 小野田忍; 春山盛善; 春山盛善; 佐藤隆博; 江夏昌志; 神谷富裕; 川端駿介; 川端駿介; 三浦健太; 花泉修; 土方泰斗; 大島武
  2016
  2016 - 2016
• A Development of Super Radiation-Hardened Power Electronics Using Silicon Carbide Semiconductors -Toward MGy-Class Radiation Resistivity-　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Hijikata, S. Mitomo, T. Matsuda, K. Murata, T. Yokoseki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, and T. Ohshima
  11th RASEDA (Kiryu), Nov. 2015, [Domestic conference]
• Effect of Humidity and temperature on the Radiation Response of SiC MOSFETs　　　　　　　　　　　　　　　
  A. Takeyama, T. Matsuda, T. Yokoseki, S. Mitomo, K. Murata, T. Makino, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata, and T. Ohshima
  11th RASEDA (Kiryu), Nov. 2015, [International conference]
• Effect of Gate Bias on Radiation Response of SiC MOSFETs　　　　　　　　　　　　　　　
  K. Murata, S. Mitomo, T. Matsuda, T. Yokoseki, T. Makino, H. Abe, S. Onoda, T. Ohshima, A. Takeyama, S. Okubo, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, and Y. Hijikata
  11th RASEDA (Kiryu), Nov. 2015, [International conference]
• Difference by the Oxide Fabrication Process of the Gamma-ray Irradiation Effect on SiC-MOSFETs　　　　　　　　　　　　　　　
  S. Mitomo, T. Matsuda, K. Murata, T. Yokoseki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, S. Okubo, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, and Y. Hijikata
  11th RASEDA (Kiryu), Nov. 2015, [International conference]
• Effect of Gamma-ray Irradiation at High Temperature on the Characteristics of SiC MOSFETs　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Yokoseki, T. Matsuda, S. Mitomo, K. Murata, T. Makino, H. Abe, A. Takeyama, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata, T. Ohshima
  11th RASEDA (Kiryu), Nov. 2015, [International conference]
• Characteristics of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors Irradiated with Gamma-rays at Elevated Temperature　　　　　　　　　　　　　　　
  T.Matsuda, T.Yokoseki, S. Mitomo, K. Murata, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, S. Okubo, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, T. Ohshima, and Y. Hijikata
  11th RASEDA (Kiryu), Nov. 2015, [International conference]
• 4H-SiCエピ層のプロセス起因欠陥に対するガンマ線照射の影響　　　　　　　　　　　　　　　
  宮崎 寿基,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大島 武,田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,土方 泰斗
  先進パワー半導体分科会第2回講演会 (大阪), Nov. 2015, [Domestic conference]
• SiC-MOSFETガンマ線照射に及ぼすパッケージ影響　　　　　　　　　　　　　　　
  三友 啓,松田 拓磨,村田 航一,横関 貴史,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大島 武,大久保 秀一, 田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,土方 泰斗
  先進パワー半導体分科会第2回講演会 (大阪), Nov. 2015, [Domestic conference]
• ゲート酸化膜生成方法の異なるSiC MOSFETへのゲートバイアス印加ガンマ線照射　　　　　　　　　　　　　　　
  村田 航一,三友 啓,松田 拓磨,横関 貴史,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大久保 秀一, 田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
  先進パワー半導体分科会第2回講演会 (大阪), Nov. 2015, [Domestic conference]
• 高温下でガンマ線照射されたSiC MOSキャパシタの特性変化　　　　　　　　　　　　　　　
  松田 拓磨,横関 貴史,三友 啓,村田 航一,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大久保 秀一, 田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
  先進パワー半導体分科会第2回講演会 (大阪), Nov. 2015, [Domestic conference]
• 高温・加湿雰囲気下でのガンマ線照射によるSiC MOSFETの電気特性変化　　　　　　　　　　　　　　　
  武山 昭憲,松田 拓磨,横関 貴史,三友 啓,村田 航一,牧野 高紘,小野田 忍,大久保 秀一, 田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
  先進パワー半導体分科会第2回講演会 (大阪), Nov. 2015, [Domestic conference]
• Change in Characteristics of SiC MOSFETs by Gamma-ray Irradiation at High Temperature　　　　　　　　　　　　　　　
  Takuma Matsuda, Takashi Tokoseki, Satoshi Mitomo, Koichi Murata, Takahiro Makino, Hiroshi Abe, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima
  ICSCRM2015 (Giargini Naxos, Italy), Oct. 2015, [International conference]
• Gamma-ray irradiation response of the motor-driver circuit with SiC MOSFETs　　　　　　　　　　　　　　　
  Yugo Kobayashi, Takashi Yokoseki, Takuma Matsuda, Satoshi Mitomo, Koichi Murata, Michihiro Hachisuka, Yasuyoshi Kaneko, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata
  ICSCRM2015 (Giargini Naxos, Italy), Oct. 2015, [International conference]
• 高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの電気的特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
  松田拓磨、横関貴史、三友啓、村田航一、牧野高紘、武山昭憲、小野田忍、大久保秀一、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、大島武、土方泰斗
  第76回秋季応用物理学会講演会（名古屋）, Sep. 2015, [Domestic conference]
• 構造の異なるSiC-MOSFETへのガンマ線照射効果　　　　　　　　　　　　　　　
  三友啓、松田拓磨、村田航一、横関貴史、牧野高紘、武山昭憲、小野田忍、大島武、大久保秀一、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、土方泰斗
  第76回秋季応用物理学会講演会（名古屋）, Sep. 2015, [Domestic conference]
• フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察　　　　　　　　　　　　　　　
  浅藤亮祐、八木修平、土方泰斗、矢口裕之
  第76回秋季応用物理学会講演会（名古屋）, Sep. 2015, [Domestic conference]
• 酸化膜形成プロセスの異なるSiC MOSFETへのゲートバイアス印加を伴うガンマ線照射効果　　　　　　　　　　　　　　　
  村田航一、三友啓、松田拓磨、横関貴史、牧野高紘、武山昭憲、小野田忍、大久保秀一、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、大島武、土方泰斗
  第76回秋季応用物理学会講演会（名古屋）, Sep. 2015, [Domestic conference]
• Si及びC原子放出モデルに基づくSiC熱酸化メカニズムの統合理論　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗、浅藤亮祐
  第76回秋季応用物理学会講演会（名古屋）, Sep. 2015, [Domestic conference]
• GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
  金日国、高宮健吾、八木修平、土方泰斗、矢口裕之
  第76回秋季応用物理学会講演会（名古屋）, Sep. 2015, [Domestic conference]
• Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers　　　　　　　　　　　　　　　
  T.Miyazaki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata
  DRIP-XVI 2015 (Suzhou, China), Sep. 2015, [International conference]
• SiC熱酸化における界面からのSi、C放出と界面欠陥　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗
  第１回個別討論会 (東京), Aug. 2015, [Domestic conference]
• Radiation Response of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Transistors in High Dose Region　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Ohshima, T. Yokoseki, K. Murata, T. Matsuda, S. Mitomo, H. Abe, T. Makino, S. Onoda, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, S. Okubo, and T. Yoshie
  ISPlasma2015 (Nagoya), Mar. 2015, [International conference]
• ゲートバイアス印加を伴うSiC MOSFETへのガンマ線照射効果　　　　　　　　　　　　　　　
  村田 航一,三友 啓,松田 拓磨,横関貴史,牧野 高紘,阿部 浩之,小野田 忍,大久保 秀一,田中 雄季,神取 幹郎,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
  第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, Mar. 2015, [Domestic conference]
• 第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
  宮崎貴史, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, Mar. 2015, [Domestic conference]
• GaAs:N δドープ超格子を有する太陽電池の二段階吸収　　　　　　　　　　　　　　　
  鈴木智也, 八木修平, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
  第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, Mar. 2015, [Domestic conference]
• 高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの耐放射線性評価　　　　　　　　　　　　　　　
  松田拓磨,横関貴史,三友啓,村田航一,牧野高紘,阿部浩之,小野田忍,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,大島武,土方泰斗
  第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, Mar. 2015, [Domestic conference]
• SiC-MOSFETへのガンマ線照射効果の酸化膜作製プロセスによる違い　　　　　　　　　　　　　　　
  三友啓,松田拓磨,村田航一,横関貴史,牧野高紘,阿部浩之,小野田忍,大島武,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗
  第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, Mar. 2015, [Domestic conference]
• 4H-SiC(0001)微傾斜基板を用いたInNドット配列の自己形成　　　　　　　　　　　　　　　
  森誠也, 高宮健吾, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, Mar. 2015, [Domestic conference]
• Control of Intermediate Band Configuration in GaAs:N δ-doped Superlattice　　　　　　　　　　　　　　　
  K. Osada, T, Suzuki, S. Yagi, S. Naito, Y. Shoji, Y. Okada, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
  6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (Kyoto), Nov. 2014, [International conference]
• Molecular Beam Epitaxy Growth of Intermediate Band Materials Based on GaAs:N δ-Doped Superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naito, Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
  6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (Kyoto), Nov. 2014, [International conference]
• In-situ分光エリプソメータによるSiC酸化過程の面方位依存性測定 (II)　　　　　　　　　　　　　　　
  後藤 大祐、八木 修平、土方 泰斗、矢口 裕之
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第１回講演会, Nov. 2014, [Domestic conference]
• ガンマ線照射したSiC MOSFETの熱アニールによる特性劣化の回復　　　　　　　　　　　　　　　
  横関貴史、阿部浩之、牧野高紘、小野田忍、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、土方泰斗、大島武
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第１回講演会, Nov. 2014, [Domestic conference]
• フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察　　　　　　　　　　　　　　　
  宮野祐太郎、八木修平、土方泰斗、矢口裕之
  応用物理学会先進パワー半導体分科会第１回講演会, Nov. 2014, [Domestic conference]
• Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
  10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas (Grenoble, France), Sep. 2014, [International conference]
• Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
  10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas (Grenoble, France), Sep. 2014, [International conference]
• Recovery of the Electrical Characteristics of SiC MOSFETs Irradiated with Gamma-rays by Thermal Treatments　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Yokoseki, H. Abe, T. Makino, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata and T. Ohshima
  10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas (Grenoble, France), Sep. 2014, [International conference]
• 中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長　　　　　　　　　　　　　　　
  鈴木智也, 長田一輝, 八木修平, 内藤俊弥, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
  第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集, Sep. 2014, [Domestic conference]
• SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化　　　　　　　　　　　　　　　
  今野良太郎, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集, Sep. 2014, [Domestic conference]
• ガンマ線照射したSiC MOSFETの特性の安定性　　　　　　　　　　　　　　　
  横関貴史、牧野高紘、阿部浩之、小野田忍、大島武、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、土方泰斗
  第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集, Sep. 2014, [Domestic conference]
• GaAs:N δドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御　　　　　　　　　　　　　　　
  長田一輝, 鈴木智也, 八木修平, 内藤駿弥, 庄司 靖, 岡田至崇, 土方泰斗, 矢口裕之
  第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集, Sep. 2014, [Domestic conference]
• Gamma-Ray Irradiation Response of Silicon Carbide Semiconductor Devices: Extremely High Radiation Resistance　　　　　　　　　　　　　　　
  S. Sato, S. Onoda, T. Makino, N. Fujuta, T. Ohshima1, T. Yokoseki, K. Tanaka, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie
  7th International Youth Nuclear Congress (Burgos, Spain), Jul. 2014, [International conference]
• Resonant tunneling of electrons through cubic-InN quantum dots embedded in GaN　　　　　　　　　　　　　　　
  S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi
  The 41st International Symposium on Compound Semiconductors (Montpellier, France), May 2014, [International conference]
• Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, H. Yaguchi
  The 41st International Symposium on Compound Semiconductors (Montpellier, France), May 2014, [International conference]
• SiC-MOSキャパシタの電気特性のガンマ線照射線量依存性　　　　　　　　　　　　　　　
  田中量也; 横関貴史; 藤田奈津子; 牧野高紘; 小野田忍; 大島武; 田中雄季; 神取幹郎; 吉江徹; 土方泰斗
  2014
  2014 - 2014
• Si及びSiC-MOSFETのI-V特性に対するガンマ線照射の影響　　　　　　　　　　　　　　　
  横関貴史; 田中量也; 藤田奈津子; 牧野高紘; 小野田忍; 大島武; 田中雄季; 神取幹郎; 吉江徹; 土方泰斗
  2014
  2014 - 2014
• ワイドギャップ半導体MIS界面の電気的評価　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗
  SiC及び関連半導体研究 第22回講演会予稿集, Dec. 2013, [Domestic conference]
• In-situ分光エリプソメーターによるSiC酸化過程の面方位依存性測定　　　　　　　　　　　　　　　
  後藤大祐, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  SiC及び関連半導体研究 第22回講演会予稿集, Dec. 2013, [Domestic conference]
• 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS構造の作製(II)　　　　　　　　　　　　　　　
  大谷 篤志, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
  SiC及び関連半導体研究 第22回講演会予稿集, Dec. 2013, [Domestic conference]
• Co-60ガンマ線によるSiC-MOSFETのI-V特性の劣化評価　　　　　　　　　　　　　　　
  横関貴史, 田中量也, 藤田奈津子, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
  SiC及び関連半導体研究 第22回講演会予稿集, Dec. 2013, [Domestic conference]
• ガンマ線照射後のSiC-MOSキャパシタ及びPiN ダイオードの電気的特性の変化　　　　　　　　　　　　　　　
  田中量也, 横関貴史, 藤田奈津子,岩本直也, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
  SiC及び関連半導体研究 第22回講演会予稿集, Dec. 2013, [Domestic conference]
• 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定　　　　　　　　　　　　　　　
  高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
  Sep. 2013, [Domestic conference]
• GaInNAs量子井戸の発光効率へのレーザー照射の影響　　　　　　　　　　　　　　　
  岩崎卓也, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之, 上田修
  Sep. 2013, [Domestic conference]
• GaAsN/GaAs量子井戸構造からの発光の励起強度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
  山崎泰由, 八木修平, 土方泰斗, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
  Sep. 2013, [Domestic conference]
• 六方晶SiC無極性面の酸化過程の実時間観察　　　　　　　　　　　　　　　
  後藤大祐, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  Sep. 2013, [Domestic conference]
• GaAs:N δドープ超格子を用いた中間バンド型太陽電池の特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
  八木修平, 野口駿介, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 岡田至崇, 矢口裕之
  Sep. 2013, [Domestic conference]
• InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討　　　　　　　　　　　　　　　
  徳田英俊, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  Sep. 2013, [Domestic conference]
• InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討　　　　　　　　　　　　　　　
  徳田英俊; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
  応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Aug. 2013, The Japan Society of Applied Physics
  Aug. 2013 - Aug. 2013, Japanese
  Creation of short-period InN/GaN superlattices is one of the possible ways of conducting band gap engineering in the green-blue range of the spectrum. The present paper reports results of photoluminescence experiments, including pressure effects, on a superlattice sample consisting of unit cells with one monolayer of InN and 40 monolayers of GaN. The results are compared with calculations performed for different types of superlattices: InN/GaN, InGaN/GaN, and InN/InGaN/GaN with single monolayers of InN and/or InGaN. The superlattices are simulated by band structure calculations based on the local density approximation (LDA) with a semi-empirical correction for the ``LDA gap error''. A similarity is observed between the results of calculations for an InGaN/GaN superlattice (with one monolayer of InGaN) and the experimental results. This indicates that the fabricated InN quantum wells may contain some Ga atoms due to interdiffusion.
• An attempt for clarification of SiC oxidation mechanism : Common/different point to Si oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
  HIJIKATA Yasuto; YAGI Shuhei; YAGUCHI Hiroyuki
  Technical report of IEICE. SDM, Jun. 2013, The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
  Jun. 2013 - Jun. 2013, Japanese
  Further understanding of the SiC oxidization mechanism is indispensable for MOSFET using a SiC semiconductor to exceed the conventional Si-based power devices. In this report, we summarize what have been found so far about the oxidization mechanism of SiC, and the research tendency and its subjects in recent years are introduced in terms of common or difference against Si oxidization.
• SiC酸化メカニズム解明への試み－Si酸化との共通点/異なる点－　　　　　　　　　　　　　　　
  土方 泰斗,八木 修平,矢口 裕之
  Jun. 2013, [Domestic conference]
• 4H-SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について　　　　　　　　　　　　　　　
  宮野 祐太郎,矢口 裕之,土方 泰斗,八木 修平
  Mar. 2013, [Domestic conference]
• 中間バンド型太陽電池へ向けたGaAs中窒素δドープ超光子のE+バンド光吸収の観測　　　　　　　　　　　　　　　
  野口 駿介,八木 修平,土方 泰斗,窪谷 茂幸,岡田 至崇,尾鍋 研太郎,矢口 裕之
  Mar. 2013, [Domestic conference]
• RF-MBE法による立方晶InNドット積層構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
  鈴木 潤一郞,折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
  Mar. 2013, [Domestic conference]
• RF-MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長　　　　　　　　　　　　　　　
  五十嵐健,折原 操,八木修平,土方泰斗,窪谷茂幸,片山竜二,矢口裕之
  第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集, Mar. 2013, [Domestic conference]
• Si及びSiC-MOSFETのI-V特性に対するガンマ線照射の影響　　　　　　　　　　　　　　　
  横関貴史, 田中量也, 藤田奈津子, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
  第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集, Mar. 2013, [Domestic conference]
• SiC-MOSキャパシタの電気特性のガンマ線照射線量依存性　　　　　　　　　　　　　　　
  田中量也, 横関貴史, 藤田奈津子,牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
  第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集, Mar. 2013, [Domestic conference]
• 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
  大谷 篤志,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
  Oct. 2012, [Domestic conference]
• RF-MBE法によるTiO2(001)基板上への立方晶GaNの成長　　　　　　　　　　　　　　　
  折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
  Sep. 2012, [Domestic conference]
• 窒素δドープGaAs 中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定　　　　　　　　　　　　　　　
  高宮 健吾,八木 修平,土方 泰斗,望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,矢口 裕之
  Sep. 2012, [Domestic conference]
• MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長　　　　　　　　　　　　　　　
  金 日国, 八木 修平, 土方 泰斗, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二, 矢口 裕之
  Sep. 2012, [Domestic conference]
• 第一原理計算によるGaAsN の電子構造に対する原子配置の影響に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
  坂本 圭,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
  Sep. 2012, [Domestic conference]
• RF-MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響　　　　　　　　　　　　　　　
  五十嵐 健,折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
  Sep. 2012, [Domestic conference]
• InN成長におけるInN高温バッファ層の効果に関する検討　　　　　　　　　　　　　　　
  増田 篤, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
  Sep. 2012, [Domestic conference]
• スパッタ薄膜成長による4H-SiC 基板中の非発光再結合中心生成　　　　　　　　　　　　　　　
  加藤 寿悠 ,八木 修平 ,土方 泰斗 ,矢口 裕之
  Sep. 2012, [Domestic conference]
• 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
  大谷 篤志,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
  Sep. 2012, [Domestic conference]
• Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  ECSCRM2012, Saint-Petersburg, Russia, Sep. 2012, [International conference]
• RF-MBE法によるInN量子ドットの結晶構造制御　　　　　　　　　　　　　　　
  徳田英俊,鈴木潤一郎、折原操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之
  Apr. 2012, [Domestic conference]
• 窒素δドープGaAs 中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響　　　　　　　　　　　　　　　
  新井 佑也,星野 真也,高宮 健吾, 八木 修平,土方 泰斗,望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎,矢口 裕之
  第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, Mar. 2012
• GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価　　　　　　　　　　　　　　　
  野口 駿介,八木 修平,土方 泰斗,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,矢口 裕之
  第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, Mar. 2012
• 熱酸化が4H‐SiC エピ膜中積層欠陥に及ぼす影響の 顕微フォトルミネッセンスによる観察　　　　　　　　　　　　　　　
  山形 光,八木 修平,土方 泰斗, 矢口 裕之
  第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, Mar. 2012
• 窒素δドープGaAs における単一等電子トラップからの励起子分子発光　　　　　　　　　　　　　　　
  高宮 健吾,福島 俊之,星野 真也,八木 修平,土方 泰斗,望月 敏光, 吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,矢口 裕之
  第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, Mar. 2012
• 分光エリプソメトリによる立方晶InNの光学的特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
  吉田 倫大,折原 操,八木 修平,土方 泰斗, 矢口 裕之
  第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, Mar. 2012
• MOS構造の電気的特性に対する4H-SiCエピ層中積層欠陥の影響　　　　　　　　　　　　　　　
  外谷 彰悟, 土方 泰斗, 矢口 裕之,吉田 貞史
  第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演予稿集, Dec. 2011
• 顕微フォトルミネッセンスを用いた4H-SiCエピ膜中積層欠陥に対する酸化の影響に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
  山形 光, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演予稿集, Dec. 2011
• SiC熱酸化機構の解明への取り組み　　　　　　　　　　　　　　　
  土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
  第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会予稿集, Dec. 2011
• Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
  K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi
  3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (Traunkirchen, Austria), Sep. 2011
• 共鳴トンネル構造を用いたエネルギー選択層における熱励起電流のホットキャリア型太陽電池特性への影響　　　　　　　　　　　　　　　
  八木修平, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
  第72回応用物理学会学術講演会予稿集, Sep. 2011
• Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide　　　　　　　　　　　　　　　
  K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi
  7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (Quebec, Canada), Aug. 2011
• SiCの2段階酸化における酸化膜成長速度の測定　　　　　　　　　　　　　　　
  篠田 龍, 土方泰斗, 矢口裕之, 八木修平, 吉田貞史
  第72回応用物理学会学術講演会予稿集, Aug. 2011
• RF-MBE法による立方晶GaN上への立方晶InNドットの成長（II）　　　　　　　　　　　　　　　
  鈴木潤一郎, 折原 操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  第72回応用物理学会学術講演会予稿集, Aug. 2011
• RF-MBE法によるInN(10-13)及びInGaN(10-13)のGaAs(110)基板上への成長　　　　　　　　　　　　　　　
  折原 操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
  第72回応用物理学会学術講演会予稿集, Aug. 2011
• 窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性　　　　　　　　　　　　　　　
  高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
  第72回応用物理学会学術講演会予稿集, Aug. 2011
• RF-MBE Growth of Semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)　　　　　　　　　　　　　　　
  M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
  9th International Conference on Nitride Semiconductors (Glasgow, UK), Jul. 2011
• Quantum Well Double Barrier Resonant Tunneling Structures for Selective Contacts of Hot Carrier Solar Cells　　　　　　　　　　　　　　　
  S. Yagi, Y. Hijikata, Y. Okada, H. Yaguchi
  37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Seattle, USA), Jun. 2011
• InN/p-4H-SiC構造の作製と電気･光学特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
  鈴木 潤一郎,折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
  第58回応用物理学関係連合講演会予稿集, Mar. 2011
• InN/p-4H-SiC構造の作製と電気･光学特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
  矢野 貴大,折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
  第58回応用物理学関係連合講演会予稿集, Mar. 2011
• GaAs(110)基板上に作製した窒素δドｰプGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
  高宮健吾,福島俊之,星野真也,八木修平,土方泰斗,望月敏光,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎,矢口裕之
  第58回応用物理学関係連合講演会予稿集, Mar. 2011
• SiC熱酸化機構の解明への取り組み:特にSi酸化との類似点及び相違点について　　　　　　　　　　　　　　　
  土方 泰斗,矢口 裕之,吉田 貞史
  第58回応用物理学関係連合講演会予稿集, Mar. 2011
• In-situ分光エリプソメｰタによるSiC酸化過程の酸素分圧依存性測定　　　　　　　　　　　　　　　
  甲田 景子,土方 泰斗, 八木 修平,矢口 裕之,吉田 貞史
  第19回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演予稿集, Oct. 2010
• 酸化中のS i C 層へのS i およびC 原子放出についての理論的検討　　　　　　　　　　　　　　　
  土方 泰斗,八木 修平,矢口 裕之,吉田 貞史
  第71回応用物理学会学術講演会予稿集, Sep. 2010
• 窒素δドｰプGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
  高宮 健吾,遠藤 雄太,福島 俊之,星野 真也,八木 修平,土方 泰斗, 望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,サノーピン サクンタム,矢口 裕之
  第71回応用物理学会学術講演会予稿集, Sep. 2010
• 窒素δドｰプGaAs 中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
  星野 真也,遠藤 雄太,福島 俊之,高宮 健吾,八木 修平,土方 泰斗, 望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,矢口 裕之
  第71回応用物理学会学術講演会予稿集, Sep. 2010
• 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響　　　　　　　　　　　　　　　
  新井 佑也,遠藤 雄太,石川 輝,八木 修平,土方 泰斗,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,矢口 裕之
  第71回応用物理学会学術講演会予稿集, Sep. 2010
• 極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル　　　　　　　　　　　　　　　
  大久保 航,石川 輝,八木 修平,土方 泰斗, 吉田 貞史,片山 竜二,尾鍋 研太郎, 矢口 裕之
  第71回応用物理学会学術講演会予稿集, Sep. 2010
• 極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
  石川 輝,八木 修平,土方 泰斗, 吉田 貞史,岡野 真人,望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,矢口 裕之
  第71回応用物理学会学術講演会予稿集, Sep. 2010
• Theoretical studies for Si and C emission into SiC layer during oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
  ECSCRM2010, Oslo, Norway, Aug. 2010, [International conference]
• Observation of SiC Oxidation in Ultra-Thin Oxide Regime by In-Situ Spectroscopic Ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Toshiyuki Takaku, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  European Conference on SiC and Related Materials, Sep. 2009
• Model Calculation of SiC Oxide Growth Rate based on the Silicon and Carbon Emission Model　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  European Conference on SiC and Related Materials, Sep. 2009
• Characterization of 4H-SiC-SiO2 Interfaces by a Deep Ultraviolet Spectroscopic Ellipsometer　　　　　　　　　　　　　　　
  Hideyasu Seki, Takahiro Wakabayashi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  European Conference on SiC and Related Materials, Sep. 2009
• 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光 (II)　　　　　　　　　　　　　　　
  福島俊之,伊藤正俊,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,岡野真人,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
  第56回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2009
• 窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光 (III)　　　　　　　　　　　　　　　
  伊藤正俊,福島俊之,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,岡野真人,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
  第56回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2009
• 厚い酸化膜領域におけるSiCの酸化速度の測定　　　　　　　　　　　　　　　
  若林敬浩、柴崎俊哉,土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  第56回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2009
• 界面Si及びC原子放出現象に基づくSiC酸化モデル　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  第56回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2009
• In-situ 分光エリプソメータによるSiC酸化速度の酸素分圧依存性測定 (II)　　　　　　　　　　　　　　　
  甲田景子,高久英之,土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  第56回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2009
• SiC酸化膜界面の分光エリプソメトリによる評価　　　　　　　　　　　　　　　
  吉田貞史,矢口裕之,土方泰斗
  第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, Dec. 2008
• 分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価　　　　　　　　　　　　　　　
  若林敬浩、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, Dec. 2008
• 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -紫外領域への拡張-　　　　　　　　　　　　　　　
  関秀康,若林敬浩,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, Dec. 2008
• in-situ 分光エリプソメータによるSiCの極薄膜厚領域における酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
  高久英之,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, Dec. 2008
• 界面Si及びC原子放出現象に基づくSiC酸化速度のモデル計算　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, Dec. 2008
• 第一原理計算を用いた立方晶 GaN の電気的特性解析　　　　　　　　　　　　　　　
  中島洋,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, Dec. 2008
• 分光エリプソメータを用いたGaAsN混晶の電子構造に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
  鈴木直也,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,片山竜二,尾鍋研太郎
  第69回応用物理学会講演会, Sep. 2008
• 窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光 (II)　　　　　　　　　　　　　　　
  伊藤正俊,福島俊之,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
  第69回応用物理学会講演会, Sep. 2008
• RF-MBE法を用いた4H-SiC(0001)基板上へのInNの直接成長　　　　　　　　　　　　　　　
  折原操,富田康浩,瀧澤伸,佐藤貴紀,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第69回応用物理学会講演会, Sep. 2008
• 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
  福島俊之,伊藤正俊,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
  第69回応用物理学会講演会, Sep. 2008
• 多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価 II　　　　　　　　　　　　　　　
  若林敬浩,関秀康,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第69回応用物理学会講演会, Sep. 2008
• 極低濃度窒素をドーピングしたGaAs中の等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
  福島俊之,遠藤雄太,伊藤正俊,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
  第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008
• ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
  谷岡健太郎,堀口歩,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,片山竜二,尾鍋研太郎,吉田正裕,秋山英文
  第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008
• 多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価　　　　　　　　　　　　　　　
  若林敬浩,関秀康,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008
• In-situ 分光エリプソメータによるSiCの極薄領域における酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
  高久英之,山本健史,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008
• 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化膜厚依存性-　　　　　　　　　　　　　　　
  関秀康,若林敬浩,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008
• RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上への立方晶InNの結晶成長およびその物性評価　　　　　　　　　　　　　　　
  富田康浩,井上赳,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,平林康男
  第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008
• RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定 （II）　　　　　　　　　　　　　　　
  井上赳,四方剛,塚越裕介,富田康浩,中島洋,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008
• RF-MBE法により成長させたA面InN膜のフォトルミネッセンス特性　　　　　　　　　　　　　　　
  四方剛,井上赳,佐藤貴紀,平山秀樹,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第55回応用物理学関係連合講演会, Mar. 2008
• In-situ 分光エリプソメータによるSiCの極薄膜厚領域における酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
  高久英之,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  Nov. 2007
• 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性- (2)　　　　　　　　　　　　　　　
  橋本英樹,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  Nov. 2007
• In-situ 分光エリプソメータによるSiC酸化速度の酸素分圧依存性測　　　　　　　　　　　　　　　
  山本健史,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  Nov. 2007
• SiC酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗,山本健史,矢口裕之,吉田貞史
  Nov. 2007
• SiC-MOSデバイスの現状と初期酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗
  第37回日本結晶成長学会国内会議, Nov. 2007
• Oxygen-Partial-Pressure Dependence of SiC Oxidation Rate Studied by In-situ Spectroscopic Ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
  Takeshi Yamamoto, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  Oct. 2007
• Model Calculation of SiC Oxidation Rates in the Thin Oxide Regime　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata, Takeshi Yamamoto, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
  Oct. 2007
• Improvement of the surface morphology of a-plane InN using low-temperature InN buffer layers　　　　　　　　　　　　　　　
  G. Shikata, S. Hirano, T. Inoue, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  Sep. 2007
• Photoluminescence Study of Hexagonal InN/InGaN Quantum Well Structures Grown on 3C-SiC (001) Substrates by Molecular Beam Epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
  S. Hirano, T. Inoue, G. Shikata, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida
  Sep. 2007
• Photoluminescence of cubic InN films on MgO (001) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
  T. Inoue, Y.Iwahashi, S. Oishi, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  Sep. 2007
• 窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
  伊藤正俊,遠藤雄太,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,中島史博,片山竜二,尾鍋研太郎
  第68回応用物理学会講演会, Sep. 2007
• 窒素をδドープしたGaAs における単一の等電子トラップからの発光の偏光特性　　　　　　　　　　　　　　　
  遠藤雄太,伊藤正俊,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,中島史博,片山竜二,尾鍋研太郎
  第68回応用物理学会講演会, Sep. 2007
• 光照射によるGaInAsN混晶の発光効率向上に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
  谷岡健太郎,遠藤雄太,伊藤正俊,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,片山竜二,尾鍋研太郎,吉田正裕,秋山英文
  第68回応用物理学会講演会, Sep. 2007
• 分光エリプソメトリによるInGaN混晶の光学的評価　　　　　　　　　　　　　　　
  塚越裕介,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,崔成伯,石谷善博,吉川明彦
  第68回応用物理学会講演会, Sep. 2007
• RF-MBE法を用いた4H-SiC基板(0001)面および(000-1)面上へのInGaN成長　　　　　　　　　　　　　　　
  折原操,四方剛,井上赳,塚越裕介,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第68回応用物理学会講演会, Sep. 2007
• 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-　　　　　　　　　　　　　　　
  橋本英樹,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第68回応用物理学会講演会, Sep. 2007
• SiC酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗,山本健史,矢口裕之,吉田貞史
  第68回応用物理学会講演会, Sep. 2007
• In-situ 分光エリプソメータによるSiC酸化速度の酸素分圧依存性測定　　　　　　　　　　　　　　　
  山本健史,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第68回応用物理学会講演会, Sep. 2007
• Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe
  Jul. 2007
• RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製 (III)　　　　　　　　　　　　　　　
  折原操、平野茂、四方剛、井上赳、塚越裕介、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  Mar. 2007
• RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
  平野茂、四方剛、井上赳、塚越裕介、折原操、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  Mar. 2007
• RF-MBE法によるGaNバッファ層を用いたサファイアR面基板上へのA面InNの成長　　　　　　　　　　　　　　　
  四方剛,平野茂,ファリズ・アブドゥルラーシッド,平山秀樹,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  Mar. 2007
• 窒素をδドープしたGaAs における単一の等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
  遠藤雄太,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,中島史博,片山竜二,尾鍋研太郎
  Mar. 2007
• RF-MBE growth of InN/InGaN quantum well structures on 3C-SiC substrates　　　　　　　　　　　　　　　
  S. Hirano, T. Inoue, G. Shikata, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
  2007
• 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -複数の入射角による測定-　　　　　　　　　　　　　　　
  窪木亮一、橋本英樹、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  Nov. 2006
• 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-　　　　　　　　　　　　　　　
  橋本英樹、窪木亮一、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  Nov. 2006
• 窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,F.Moscatelli,A.Poggi,S.Solmi,R.Nipoti
  Nov. 2006
• テラヘルツ分光法によるSiC エピタキシャル成長膜のキャリヤ濃度、移動度、膜厚の同時評価　　　　　　　　　　　　　　　
  大石慎吾、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  Nov. 2006
• In-situ 分光エリプソメータによるSiC酸化速度の酸素分圧依存性測定　　　　　　　　　　　　　　　
  山本健史、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  Nov. 2006
• Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC Preamorphized by Nitrogen Ion Implantation　　　　　　　　　　　　　　　
  Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida, Francesco Moscatelli, Antonella Poggi, Sandro Solmi, Stefano Cristiani and Roberta Nipoti
  Sep. 2006
• Determination of the Carrier Concentration, Mobility and Thickness of SiC Homo-Epilayers Using Terahertz Reflectance Spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
  Shingo Oishi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
  Sep. 2006
• Characterization of MOS Capacitors Fabricated on n-type 4H-SiC Implanted with Nitrogen at High Dose　　　　　　　　　　　　　　　
  Antonella Poggi, Francesco Moscatelli, Yasuto Hijikata, Sandro Solmi, Michele Sanmartin, Fabrizio Tamarri and Roberta Nipoti
  Sep. 2006
• 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-　　　　　　　　　　　　　　　
  橋本英樹、窪木亮一、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  Aug. 2006
• 窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,F.Moscatelli,A.Poggi,S.Solmi,R.Nipoti
  Aug. 2006
• 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
  大石慎吾、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  Aug. 2006
• 分光エリプソメトリによる高In 組成InGaN の光学的評価　　　　　　　　　　　　　　　
  塚越裕介,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,崔成伯,石谷善博,吉川明彦
  Aug. 2006
• 窒素をδドープしたGaAs における等電子トラップの顕微フォトルミネッセンス測定　　　　　　　　　　　　　　　
  遠藤雄太、谷岡健太郎、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史、吉田正裕、秋山英文、中島史博、片山竜二、尾鍋研太郎
  Aug. 2006
• RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定　　　　　　　　　　　　　　　
  井上赳,平野茂,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  Aug. 2006
• ラマン分光を用いたGaAsN混晶の発光効率向上に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
  谷岡健太郎,遠藤雄太,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,青木大一郎,尾鍋研太郎
  第53回応用物理学関係連合講演会, 2006
• RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長 (IV)　　　　　　　　　　　　　　　
  岩橋洋平,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第53回応用物理学関係連合講演会, 2006
• RF-MBE法を用いた3C-SiC(001)基板上への六方晶InNの結晶成長　　　　　　　　　　　　　　　
  井上赴,岩橋洋平,平野茂,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第53回応用物理学関係連合講演会, 2006
• RF-MBE growth of a-plane InN on r-plane sapphire with a GaN underlayer　　　　　　　　　　　　　　　
  G. Shikata, S. Hirano, T. Inoue, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi and S. Yoshida
  2006
• Real-time Observation of SiC Oxidation using an in situ Ellipsometer　　　　　　　　　　　　　　　
  Yoshida S., Kabubari K., Hijikata Y., Yaguchi H. and Yoshikawa M.
  Optoelectronic Materials and Devices (Berlin), 2006
• Photoluminescence Study of Isoelectronic Traps in Dilute GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
  H. Yaguchi, T. Aoki, T. Morioke, Y. Hijikata, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, D. Aoki, and K. Onabe
  2006
• Micro-photoluminescence study of nitrogen -doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe
  2006
• Micro-photoluminescence study of nitrogen atomic-layer doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe
  2006
• Micro Raman study on the improvement of luminescence efficiency of GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
  K. Tanioka, Y. Endo, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, and K. Onabe
  2006
• In-situ 分光エリプソメータによるSiCの酸化の実時間観察　　　　　　　　　　　　　　　
  覚張光一,窪木亮一,山本健史,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第53回応用物理学関係連合講演会, 2006
• RF-MBE法を用いた中間組成InGaN膜上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
  平野茂,岩橋洋平,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第66回応用物理学会学術講演会, Sep. 2005
• RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製 （II）　　　　　　　　　　　　　　　
  折原操,岩橋洋平,平野茂,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第66回応用物理学会学術講演会, Sep. 2005
• ラマン分光を用いたGaAsN混晶の光照射による構造変化の評価　　　　　　　　　　　　　　　
  矢口裕之,清水博史,森桶利和,青木貴嗣,土方泰斗,吉田貞史,宇佐美徳隆,吉田正裕,秋山英文,青木大一郎,尾鍋研太郎
  第66回応用物理学会学術講演会, Sep. 2005
• 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -紫外領域への拡張-　　　　　　　　　　　　　　　
  窪木亮一,覚張光一,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第66回応用物理学会学術講演会, Sep. 2005
• 低オフ角C面SiC基板上の酸化膜の評価　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,高田恭孝,小林啓介,野平博司,服部健雄
  第66回応用物理学会学術講演会, Sep. 2005
• 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
  大石慎吾,土方泰斗,矢口祐之,吉田貞史
  第66回応用物理学会学術講演会, Sep. 2005
• 様々な傾斜角を有するSiC基板上の酸化膜の評価　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,高田恭孝,小林啓介,野平博司,服部健雄
  第52回応用物理学関係連合講演会, 2005
• 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -紫外領域への拡張-　　　　　　　　　　　　　　　
  窪木亮一、覚張光一、橋本英樹、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第14回講演会, 2005
• 窒素をδドープしたGaAsの顕微フォトルミネッセンス　　　　　　　　　　　　　　　
  花島君俊,森桶利和,青木貴嗣,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,平山琢,片山竜二,尾鍋研太郎
  第52回応用物理学関係連合講演会, 2005
• 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
  大石慎吾、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第14回講演会, 2005
• 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
  大石慎吾,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第52回応用物理学関係連合講演会, 2005
• RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
  折原操,北村芳広,岩橋洋平,平野茂,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第52回応用物理学関係連合講演会, 2005
• RF-MBE growth of cubic InN films on MgO(001) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
  Iwahashi Y., Yaguchi H., Nishimoto A., Orihara M., Hijikata Y., and Yoshida S.
  6th International Conference on Nitride Semiconductors (Bremen), 2005
• Real Time Observation of SiC Oxidation using an In-Situ Ellipsometer　　　　　　　　　　　　　　　
  Kakubari K., Kuboki R., Hijikata Y., Yaguchi H., and Yoshida S.
  International Conference on SiC and Related Materials (Pittsburg), 2005
• Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
  Yaguchi H., Morioke T., Aoki T., Shimizu H., Hijikata Y., Yoshida S., Yoshita M., Akiyama H., Usami N., Aoki D., and Onabe K.
  6th International Conference on Nitride Semiconductors (Bremen), 2005
• Off-Angle Dependence of Characteristics of 4H-SiC-Oxide Interfaces　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata Y., Yaguchi H., Yoshida S., Takata Y., Kobayashi K., Nohira H. and Hattori T.
  International Conference on SiC and Related Materials (Pittsburg), 2005
• In-situ 分光エリプソメータによるSiCの酸化の実時間観察　　　　　　　　　　　　　　　
  覚張光一,窪木亮一,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第52回応用物理学関係連合講演会, 2005
• In-situ エリプソメータによるSiC の酸化の実時間観察　　　　　　　　　　　　　　　
  覚張光一、窪木亮一、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
  応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第14回講演会, 2005
• 分光エリプソメータによるSiC 上酸化膜の初期酸化過程の観察 (IV)　　　　　　　　　　　　　　　
  覚張光一,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第65回応用物理学会講演会, 2004
• 分光エリプソメータによるSiC の初期酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
  覚張光一,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  2004
• 低窒素濃度GaPN混晶のフォトルミネッセンス　　　　　　　　　　　　　　　
  青木貴嗣,森桶利和,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,張保平,三吉靖郎,尾鍋研太郎
  第65回応用物理学会講演会, 2004
• 高エネルギー分解能光電子分光による4H-SiC(000-1)面上酸化膜の評価　　　　　　　　　　　　　　　
  土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,高田恭孝,小林啓介,辛埴,野平博司,服部健雄
  2004
• レーザー照射によるGaAsN混晶の発光効率向上の窒素濃度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
  森桶利和,青木貴嗣,呉智元,吉田正裕,秋山英文,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,青木大一郎,尾鍋研太郎
  第65回応用物理学会講演会, 2004
• ラマン分光法によるInAsN混晶の評価　　　　　　　　　　　　　　　
  本村寛,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,飛田聡,西尾晋,片山竜二,尾鍋研太郎
  第65回応用物理学会講演会, 2004
• RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長 (III)　　　　　　　　　　　　　　　
  岩橋洋平,北村芳広,多田宏之,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第65回応用物理学会講演会, 2004
• RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInGaN 結晶成長　　　　　　　　　　　　　　　
  折原操,北村芳広,岩橋洋平,多田宏之,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第65回応用物理学会講演会, 2004
• RF-MBE法を用いた4H-SiC(0001)基板上へのInN の結晶成長　　　　　　　　　　　　　　　
  北村芳広,岩橋洋平,多田宏之,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第65回応用物理学会講演会, 2004
• RF-MBEによるMgO(001)基板上への立方晶GaN の成長　　　　　　　　　　　　　　　
  多田宏之,北村芳広,岩橋洋平,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
  第65回応用物理学会講演会, 2004
• Growth of high-quality hexagonal InN on 3C-SiC (001) by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
  Yaguchi H., Kitamura Y., Nishida K., Iwahashi Y., Hijikata Y. and Yoshida S.
  2004
• Epitaxial Growth of hexagonal and Cubic InN Films by Gas Source Molecular beam Epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
  Yoshida S., Kitamura Y., Iwahashi Y., Tada H., Orihara M., Hijikata Y. and Yaguchi H.
  2004
• Characterization of Oxide Films on SiC Epitaxial (000-1) Faces by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Measurements using Synchrotron Radiation　　　　　　　　　　　　　　　
  Hijikata Y., Yaguchi H., Yoshida S., Takata Y., Kobayashi K., Shin S., Nohira H., Hattori T.
  2004
• Photoemission spectroscopy and in-situ spectroscopic ellipsometry studies on the Ar post-oxidation-annealing effects of oxide/SiC interfaces　　　　　　　　　　　　　　　
  Y. Hijikata; S. Kawato; S. Sekiguchi; H. Yaguchi; Y. Ishida; M. Yoshiawa; T. Kamiya; S. Yoshida
  Proceedings of 1st Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 2003
  2003 - 2003
• Miniaturization of the Fiber Optic Probe for High Frequency Ultrasonic Field and Simultaneous Measurement of Acoustic Pressure and Temperature　　　　　　　　　　　　　　　
  NIMURA Hiroshi; HIJIKATA Yasuto; NAKAMURA Kentaro
  Dec. 1999
  Dec. 1999 - Dec. 1999, Japanese
• A study on characteristics of micro-probe -A trial construction of a miniaturized optical fiber probe for high-frequency ultrasonic field measurements(III)　　　　　　　　　　　　　　　
  HIJIKATA Yasuto; NIMURA Hiroshi; NAKAMURA Kentaro
  Sep. 1999
  Sep. 1999 - Sep. 1999, Japanese

• Generation of arbitrary polarized single-photons by injection of spin electric current to a silicon carbide MOS device　　　　　　　　　　　　　　　
  Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Scientific Research (B), 01 Apr. 2022 - 31 Mar. 2025
  Saitama University
  Grant amount(Total)：17810000, Direct funding：13700000, Indirect funding：4110000
  Grant number：22H01517
• Elucidation of SiC-MOS interfaces by developing electronic structure calculation methods　　　　　　　　　　　　　　　
  Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Scientific Research (A), 05 Apr. 2021 - 31 Mar. 2024
  Tokyo Institute of Technology
  Grant amount(Total)：42250000, Direct funding：32500000, Indirect funding：9750000
  Grant number：21H04553
• Multi-scale calculations for complex correlation appearing in SiC oxidation and its impact on electronic properties　　　　　　　　　　　　　　　
  Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (A), Grant-in-Aid for Scientific Research (A), 01 Apr. 2018 - 31 Mar. 2021
  Matsushita Yu-ichiro, Tokyo Institute of Technology
  Grant amount(Total)：41860000, Direct funding：32200000, Indirect funding：9660000
  In this project, we propose a method to identify SiC-MOS interface defects and to reduce the defects at the SiC/SiO2 interface based on first-principles calculations. In this study, two candidate defects at the SiC-MOS interface were successfully identified: one is an intrinsic defect in SiC due to the wave function at the lower end of the conduction band of SiC, and the other is a carbon-related defect precipitated at the interface. In particular, we proposed an oxide film formation method without thermal oxidation as a method to propose carbon-related defects precipitated at the interface. The experimental results showed that the density of interfacial defects could be reduced to one-tenth.
  Grant number：18H03770
  受賞ID：30040889
• Quantum state measurements of single photon sources in silicon carbide devices　　　　　　　　　　　　　　　
  Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (A), Grant-in-Aid for Scientific Research (A), 01 Apr. 2017 - 31 Mar. 2020
  Ohshima Takeshi, National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology
  Grant amount(Total)：43940000, Direct funding：33800000, Indirect funding：10140000
  In order to clarify the optical and spin properties of single photon sources (SPSs) in silicon carbide (SiC), and also to develop manipulation methods for those properties, a) we developed the position selective introduction method of SPSs in SiC devices and demonstrated magnetic field sensing using optically detected magnetic resonance (ODMR) in which spin manipulation is performed. b) We established basic technology on the quantum manipulation for SPSs such as spin and optical properties using operation of electronic device such as applying bias and injection of current. c) We obtained the information on the fabrication process of Nitrogen-vacancy center (NcVsi) and surface SPS of which atomic structure have not yet been identified, and also revealed the quantum properties of those SPSs.
  Grant number：17H01056
  受賞ID：30040889
• Development of an extreme environment resistive CCD using silicon carbide　　　　　　　　　　　　　　　
  Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B), Grant-in-Aid for Scientific Research (B), 01 Apr. 2015 - 31 Mar. 2019
  HIJIKATA Yasuto, Saitama University
  Grant amount(Total)：16510000, Direct funding：12700000, Indirect funding：3810000
  In this study, I attempt to fabricate a CCD using SiC semiconductors that have high radiation hardness and durability under high temperature circumstances. First of all, basic principles such as a photo-response in SiC MOS capacitor and charge transfer in a MOS capacitor array have been verified. As a result, photo-responses were confirmed from irradiation at UV-green region in cubic SiC substrates as well as at UV region for hexagonal SiC substrates. MOS capacitor arrays were fabricated using photo-lithography, and I for the first time succeeded in charge transfer in SiC semiconductors. Gamma irradiation tests were carried out for SiC and Si MOS capacitors, and it was found that SiC MOS capacitors had about three orders higher gamma-ray durability compared with that of Si.
  Grant number：15H03967
• Generation and control of quantum correlated photons from atomic-layer doped semiconductors　　　　　　　　　　　　　　　
  Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B), Grant-in-Aid for Scientific Research (B), 01 Apr. 2012 - 31 Mar. 2015
  YAGUCHI Hiroyuki; ONABE Kentaro; KATAYAMA Ryuji; KUBOYA Shigeyuki; HIJIKATA Yasuto; YAGI Shuhei; AKIYAMA Hidefumi, Saitama University
  Grant amount(Total)：19240000, Direct funding：14800000, Indirect funding：4440000
  We have grown nitrogen and erbium atomic-layer doped semiconductors to obtain unpolarized single photons and quantum-entangled photon pairs with highly reproducible wavelengths, which play a key role in the quantum information science. We have successfully observed completely unpolarized biexciton and exciton emission lines, which are suitable for the application to polarization-entangled photon pairs. We have quantitatively studied the temperature dependence of the surface segregation of Er atoms in GaAs during molecular beam epitaxy, and found that overlayer growth at low temperatures is effective in suppressing the surface segregation and obtaining atomic-layer doped structures.
  Grant number：24360004
• Elucidation of formation mechanism of oxidation-induced fault in silicon carbide semiconductors　　　　　　　　　　　　　　　
  Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (C), Grant-in-Aid for Scientific Research (C), 01 Apr. 2012 - 31 Mar. 2015
  HIJIKATA Yasuto; YAGUCHI Hiroyuki, Saitama University
  Grant amount(Total)：5460000, Direct funding：4200000, Indirect funding：1260000
  For a better understanding of oxidation mechanism of silicon carbide (SiC), 1)Profiling of oxides on SiC, 2)Photoluminescence imaging of oxidized substrates, 3)Real-time observations of SiC oxidation processes have been performed. From result 1), we for the first time succeeded in the observation of “Si emission phenomenon” during oxidation of SiC from the oxidation interface to oxide. According to result 2), we found that there were stacking faults that are deformed by oxidation and there was a possibility that faults, which are similar to “oxidation-induced stacking fault” seen in Si oxidation, were also formed in Si oxidation. From result 3), a unified SiC oxidation model was established, and the formations of interface defect were simulated in terms of interface concentration of emitted Si and C atoms.
  Grant number：24560365
• Single Photon Generation from locally doped semiconductors　　　　　　　　　　　　　　　
  Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B), Grant-in-Aid for Scientific Research (B), 2009 - 2011
  YAGUCHI Hiroyuki; HIJIKATA Yasuto; ONABE Kentaro; KATAYAMA Ryuji; YAGI Shuhei; KUBOYA Shigeyuki; AKIYAMA Hidefumi, Saitama University
  Grant amount(Total)：18460000, Direct funding：14200000, Indirect funding：4260000
  We have fabricated locally doped semiconductors using atomic layer doping to realize the generation of unpolarized single photons with highly reproducible wavelengths, which is essential in the field of quantum information technology, such as quantum cryptography. We have obtained unpolarized single photons by selecting a proper face of the substrate to grow nitrogen atomic layer doped semiconductors. In addition, we have successfully observed biexcition emission from nitrogen atomic layer doped semiconductors, which leads to the generation of entangled photon pairs.
  Grant number：21360004
• Study on single photon emission utilizing isoelectronic traps　　　　　　　　　　　　　　　
  Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (C), Grant-in-Aid for Scientific Research (C), 2005 - 2006
  YAGUCHI Hiroyuki; YOSHIDA Sadafumi; HIJIKATA Yasuto, Saitama University
  Grant amount(Total)：3500000, Direct funding：3500000
  Single photon emitting devices are expected to play an important role in the quantum information technology, such as quantum cryptography and quantum computing. In this study, we have studied the properties of photoluminescence due to single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs and GaP to examine the prospect for applications to single photon emitting devices. We have optimized growth conditions to obtain nitrogen pairs with specific configurations. As a result, we have successfully observed sharp photoluminescence lines due to a limited number of isoelectronic traps within a diameter of 1 μm for nitrogen delta-doped GaAs with low nitrogen concentrations. This result shows good prospects for the single photon emitting device utilizing single isoelectronic traps. We have also observed twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps due to nitrogen pairs in nitrogen delta-doped GaAs. The twin photoluminescence peaks showed almost the same intensity and linear polarizations which are completely orthogonal to each other. This unique phenomenon has prospects of applications to novel optoelectronic devices. Furthermore, we have investigated the excitation power density and nitrogen concentration dependence of the changes in the radiative efficiency of GaAsN alloys to examine the mechanism of the novel phenomenon that photoexcitation at low temperatures improves the radiative efficiency. We have found that the radiative efficiency improvement is closely related to local structural changes by using in-situ micro Raman scattering spectroscopy.
  Grant number：17560004
• テラヘルツ反射分光法による炭化珪素半導体の電気的特性の非破壊マッピング測定　　　　　　　　　　　　　　　
  2005 - 2006
  Grant amount(Total)：3600000, Direct funding：3600000
  Grant number：17760247
• Characterization of the Interfaces between IV-IV Semiconductors and Ultra-Thin Oxide films　　　　　　　　　　　　　　　
  Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B), Grant-in-Aid for Scientific Research (B), 2001 - 2002
  YOSHIDA Sadafumi; HIJIKATA Yasuto; YAMAGUCHI Hiroyuki, Saitama University
  Grant amount(Total)：15300000, Direct funding：15300000
  We have used spectroscopic ellipsometry, together with photoelectron spectroscopy, to investigate the interfaces between the oxide film and SiC, structural changes in the interfaces by various kinds of heat treatment after the oxide film formation, and the correlation with their electrical properties, in order to search appropriate oxidation process good for SiC MOSFETs.
  We have developed in-situ spectroscopic ellipsometry system to acquire the knowledge for clarifying the formation process of ultra-thin oxide films on SiC and microstructure of the interfaces. It is found that the composition of the oxide film formed in the initial stage of oxidization is different from that of stoichiometric SiO_2 and that the refractive indices of the interface layers, which are larger than that of SiC and SiO_2, decrease with heat treatment. In order to make clear the relation between the refractive indices of the interfaces and interface state density, we have carried out spectroscopic ellipsometry and C-V measurements for the SiC MOS structures whose interface state density is increased by gamma ray irradiation. We have found that the refractive indices of the interface layers increase with gamma ray irradiation, which suggest that the refractive indices obtained by spectroscopic ellipsometry are closely related to the interface state density, which affects the channel mobility in SiC MOSFET. Angle-resolved x-rays photoemission spectroscopy and ultraviolet photoemission spectroscopy were performed to clarify the change of composition and bonding state at the oxide/SiC interfaces by heat treatment. In addition, we have used micro infrared reflection spectroscopy to characterize the electrical properties of SiC bulk crystals and demonstrated that the distribution of the career concentration and mobility in SiC wafers can be 〓〓〓〓sured nondestructively without electric contacts.
  This research project brings about a better understanding of the structures of oxide/SiC interfaces and reveals that spectroscopic ellipsometry is an excellent characterization technique and is applicable to monitoring tool during device processes.
  Grant number：13450120