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上野　啓司（ウエノ　ケイジ）
理工学研究科 物質科学部門教授
理学部 基礎化学科

  • プロフィール：・層状物質薄膜のヘテロエピタキシャル成長の研究をしています。

    ・様々なカルコゲナイド系層状物質のバルク単結晶成長も行っています。
  • ホームページ：
    http://surface-www.chem.saitama-u.ac.jp/

研究者情報

■ 学位
  • 博士（理学）, 東京大学
■ 研究キーワード
  • 化学蒸気輸送
  • 原子層堆積
  • 分子線エピタキシー
  • エピタキシャル成長
  • 層状カルコゲナイド
  • 遷移金属ダイカルコゲナイド
  • 層状物質
■ 研究分野
  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器
  • ナノテク・材料, ナノ構造化学
  • ナノテク・材料, ナノ材料科学
  • ナノテク・材料, 薄膜、表面界面物性
■ 経歴
  • 2019年04月 - 現在, 埼玉大学, 大学院理工学研究科, 教授
  • 2007年04月 - 2019年03月, 埼玉大学, 大学院理工学研究科, 准教授
  • 2002年10月 - 2007年03月, 埼玉大学, 理学部基礎化学科, 助教授
  • 1990年04月 - 2002年09月, 東京大学, 理学部化学科, 助手
■ 委員歴
  • 2018年04月 - 現在
    日本表面真空学会, 研究例会企画専門部会, 学協会
  • 2012年04月 - 2022年03月
    マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議, 論文委員, 学協会
  • 2014年04月 - 2018年03月
    日本真空学会, 講演・研究企画委員, 学協会
  • 2010年04月 - 2014年03月
    応用物理学会, 有機分子バイオエレクトロニクス分科会 一般幹事, 学協会

業績情報

■ 論文
  • Frequency-modulation atomic force microscopy observation of 1T-TaS2 in the nearly commensurate charge density wave phase　　　　　　　　　　　　　　　
    Takahiro Ono; Tomohiro Shigeno; Yuuki Yasui; Masahiro Fukuda; Taisuke Ozaki; Keiji Ueno; Yoshiaki Sugimoto
    Applied Physics Letters, 2025年06月, ［査読有り］
    研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/5.0273456
    DOI ID：10.1063/5.0273456, ORCID：186948295
  • Dimensionality-Induced Transition from Degenerate to Nondegenerate States in Nb-Doped WSe2
    Kaito Kanahashi; Itsuki Tanaka; Tomonori Nishimura; Kohei Aso; Anh Khoa Augustin Lu; Satoru Morito; Limi Chen; Takafumi Kakeya; Satoshi Watanabe; Yoshifumi Oshima; Yukiko Yamada-Takamura; Keiji Ueno; Amin Azizi; Kosuke Nagashio
    ACS Nano, 2025年03月, ［査読有り］
    American Chemical Society (ACS), 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsnano.4c17660
    DOI ID：10.1021/acsnano.4c17660, ISSN：1936-0851, eISSN：1936-086X
  • Spatial and reconfigurable control of photoluminescence from single-layer MoS2 using a strained VO2-based Fabry–Pérot cavity
    Koyo Nakayama; Shota Toida; Takahiko Endo; Mitsuru Inada; Shingo Sato; Hiroshi Tani; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Keiji Ueno; Yasumitsu Miyata; Kazunari Matsuda; Mahito Yamamoto
    Applied Physics Letters, 巻：125, 号：22, 2024年11月, ［査読有り］
    We investigated the photoluminescence (PL) from single-layer MoS2 on VO2 platelets grown on SiO2, where the insulating and metallic phases can coexist above a bulk transition temperature of 340 K, due to the inhomogeneous strain. We found that the intensity of PL from MoS2 on metallic VO2 is higher than that on the insulating counterpart, resulting in spatially varying PL even at the sub-micrometer scale. In contrast to the intensity, the PL peak energies were observed to be nearly identical on insulating and metallic VO2, indicating that the influences of charge transfer, strain, and dielectric screening on MoS2 are comparable, regardless of the phase state. Thus, the observed difference in PL intensity is due to the difference in refractive indices of insulating and metallic VO2, leading to the phase-dependent Fabry–Pérot interference effect. We performed numerical simulations for the emission from MoS2 supported on the VO2-based Fabry–Pérot interferometer. The calculated emission intensity ratio on insulating and metallic VO2 well reproduces the experimental observations. These results suggest a strategy for controlling PL from two-dimensional semiconductors in a spatial and reconfigurable manner.
    AIP Publishing, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/5.0236517
    DOI ID：10.1063/5.0236517, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118
  • Contact Properties on a Semiconducting MoTe2 Crystal Using Polymorphic Structures
    Tianshun Xie; Mengnan Ke; Peter Krüger; Keiji Ueno; Nobuyuki Aoki
    ACS Applied Electronic Materials, 巻：6, 号：9, 開始ページ：7026, 終了ページ：7034, 2024年09月, ［査読有り］
    American Chemical Society (ACS), 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c01369
    DOI ID：10.1021/acsaelm.4c01369, ISSN：2637-6113, eISSN：2637-6113
  • Realization of single MoTe2 crystal in-plane TFET by laser-induced doping technique　　　　　　　　　　　　　　　
    Tianshun Xie; Mengnan Ke; Keiji Ueno; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Nobuyuki Aoki
    Applied Physics Letters, 2024年05月, ［査読有り］
    研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/5.0197172
    DOI ID：10.1063/5.0197172, ORCID：160223643
  • Realization of MoTe2 CMOS inverter by contact doping and channel encapsulation　　　　　　　　　　　　　　　
    Tianshun Xie; Mengnan Ke; Keiji Ueno; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Nobuyuki Aoki
    Japanese Journal of Applied Physics, 2024年02月, ［査読有り］
    研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad16bc
    DOI ID：10.35848/1347-4065/ad16bc, ORCID：148977672
  • Single-Gate MoS2 Tunnel FET with a Thickness-Modulated Homojunction
    Tomohiro Fukui; Tomonori Nishimura; Yasumitsu Miyata; Keiji Ueno; Takashi Taniguchi; Kenji Watanabe; Kosuke Nagashio
    ACS Applied Materials & Interfaces, 巻：16, 号：7, 開始ページ：8993, 終了ページ：9001, 2024年02月, ［査読有り］
    American Chemical Society (ACS), 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsami.3c15535
    DOI ID：10.1021/acsami.3c15535, ISSN：1944-8244, eISSN：1944-8252
  • Coherent optical response driven by non-equilibrium electron–phonon dynamics in a layered transition-metal dichalcogenide
    Takumi Fukuda; Kotaro Makino; Yuta Saito; Paul Fons; Atsushi Ando; Takuya Mori; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Jessica Afalla; Muneaki Hase
    APL Materials, 巻：12, 号：2, 2024年02月, ［査読有り］
    Layered transition-metal dichalcogenides (TMDs) are model systems to explore ultrafast many-body interactions and various nonlinear optical phenomena. For the application of TMD-based optoelectronic devices capable of ultrafast response, it is essential to understand how characteristic electron–hole and electron–phonon couplings modify ultrafast electronic and optical properties under photoexcitation. Here, we investigate the sub-picosecond optical responses of layered semiconductor 2H–MoTe2 in the presence of an electron–hole (e–h) plasma and a long-lived coherent phonon. Transient reflectivity measurements depending on photon energy reveal that the optical response for short-time delays (< 1ps) was significantly modified by band-gap renormalization and state filling due to the presence of the e–h plasma. Furthermore, octave, sum, and difference phonon frequencies transiently appeared for the early time delays (< 2ps). The emergent multiple phonon frequencies can be described as higher-order optical modulations due to deformation-potential electron–phonon coupling under resonant photoexcitation conditions. This work provides comprehensive insights into fundamental physics and the application of non-equilibrium quasiparticle generations on TMDs under time-periodic phonon driving forces.
    AIP Publishing, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/5.0188537
    DOI ID：10.1063/5.0188537, eISSN：2166-532X
  • Silicon–van der Waals heterointegration for CMOS-compatible logic-in-memory design
    Mu-Pai Lee; Caifang Gao; Meng-Yu Tsai; Che-Yi Lin; Feng-Shou Yang; Hsin-Ya Sung; Chi Zhang; Wenwu Li; Jun Li; Jianhua Zhang; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Keiji Ueno; Kazuhito Tsukagoshi; Ching-Hwa Ho; Junhao Chu; Po-Wen Chiu; Mengjiao Li; Wen-Wei Wu; Yen-Fu Lin
    Science Advances, 巻：9, 号：49, 2023年12月, ［査読有り］
    Silicon CMOS-based computing-in-memory encounters design and power challenges, especially in logic-in-memory scenarios requiring nonvolatility and reconfigurability. Here, we report a universal design for nonvolatile reconfigurable devices featuring a 2D/3D heterointegrated configuration. By leveraging the photo-controlled charge trapping/detrapping process and the partially top-gated energy band landscape, the van der Waals heterostacking achieves polarity storage and logic reconfigurable characteristics, respectively. Precise polarity tunability, logic nonvolatility, robustness against high temperature (at 85°C), and near-ideal subthreshold swing (80 mV dec −1 ) can be done. A comprehensive investigation of dynamic charge fluctuations provides a holistic understanding of the origins of nonvolatile reconfigurability (a trap level of 10 13 cm −2 eV −1 ). Furthermore, we cascade such nonvolatile reconfigurable units into a monolithic circuit layer to demonstrate logic-in-memory computing possibilities, such as high-gain (65 at Vdd = 0.5 V) logic gates. This work provides an innovative 3D heterointegration prototype for future computing-in-memory hardware.
    American Association for the Advancement of Science (AAAS), 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1126/sciadv.adk1597
    DOI ID：10.1126/sciadv.adk1597, eISSN：2375-2548
  • Soft x-ray photoelectron momentum microscope for multimodal valence band stereography
    Fumihiko Matsui; Kenta Hagiwara; Eiken Nakamura; Takayuki Yano; Hiroyuki Matsuda; Yasuaki Okano; Satoshi Kera; Eri Hashimoto; Shinji Koh; Keiji Ueno; Takahiro Kobayashi; Emi Iwamoto; Kazuyuki Sakamoto; Shin-ichiro Tanaka; Shigemasa SUGA
    Review of Scientific Instruments, 巻：94, 号：8, 2023年08月, ［査読有り］
    The photoelectron momentum microscope (PMM) in operation at BL6U, an undulator-based soft x-ray beamline at the UVSOR Synchrotron Facility, offers a new approach for μm-scale momentum-resolved photoelectron spectroscopy (MRPES). A key feature of the PMM is that it can very effectively reduce radiation-induced damage by directly projecting a single photoelectron constant energy contour in reciprocal space with a radius of a few Å−1 or real space with a radius of a few 100 μm onto a two-dimensional detector. This approach was applied to three-dimensional valence band structure E(k) and E(r) measurements (“stereography”) as functions of photon energy (hν), its polarization (e), detection position (r), and temperature (T). In this study, we described some examples of possible measurement techniques using a soft x-ray PMM. We successfully applied this stereography technique to μm-scale MRPES to selectively visualize the single-domain band structure of twinned face-centered-cubic Ir thin films grown on Al2O3(0001) substrates. The photon energy dependence of the photoelectron intensity on the Au(111) surface state was measured in detail within the bulk Fermi surface. By changing the temperature of 1T-TaS2, we clarified the variations in the valence band dispersion associated with chiral charge-density-wave phase transitions. Finally, PMMs for valence band stereography with various electron analyzers were compared, and the advantages of each were discussed.
    {AIP} Publishing, 英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/5.0154156
    DOI ID：10.1063/5.0154156, ISSN：0034-6748, eISSN：1089-7623, ORCID：140830833
  • Photoinduced Structural Dynamics of 2H-MoTe2 Under Extremely High-Density Excitation Conditions
    Takumi Fukuda; Uta Ozaki; Samuel Jeong; Yusuke Arashida; Kaito En-ya; Shoji Yoshida; Paul J. Fons; Jun-ichi Fujita; Keiji Ueno; Muneaki Hase; Masaki Hada
    The Journal of Physical Chemistry C, 2023年07月, ［査読有り］
    American Chemical Society (ACS), 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.3c02838
    DOI ID：10.1021/acs.jpcc.3c02838, ISSN：1932-7447, eISSN：1932-7455
  • Ultrafast melting of charge-density wave fluctuations at room temperature in 1T-TiSe2 monitored under non-equilibrium conditions
    Yu Mizukoshi; Takumi Fukuda; Yuta Komori; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Muneaki Hase
    Applied Physics Letters, 巻：122, 号：24, 2023年06月, ［査読有り］
    We investigate the ultrafast lattice dynamics in 1T-TiSe2 using femtosecond reflection pump–probe and pump–pump–probe techniques at room temperature. The time-domain signals and Fourier-transformed spectra show the A1g phonon mode at 5.9 THz. Moreover, we observe an additional mode at ≈ 3 THz, corresponding to the charge-density wave (CDW) amplitude mode (AM), which is generally visible below Tc≈200 K. We argue that the emergence of the CDW amplitude mode at room temperature can be a consequence of fluctuations of order parameters based on the additional experiment using the pump–pump–probe technique, which exhibited suppression of the AM signal within the ultrafast timescale of ∼0.5 ps.
    AIP Publishing, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/5.0153161
    DOI ID：10.1063/5.0153161, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118
  • Terahertz emission from transient currents and coherent phonons in layered MoSe2 and WSe2
    Jessica Afalla; Joselito Muldera; Semmi Takamizawa; Takumi Fukuda; Keiji Ueno; Masahiko Tani; Muneaki Hase
    Journal of Applied Physics, 巻：133, 号：16, 2023年04月, ［査読有り］
    Terahertz (THz) time-domain emission spectroscopy was performed on layered 2H-MoSe 2 and 2H-WSe 2. The THz emission shows an initial cycle attributed to surge currents and is followed by oscillations attributed to coherent interlayer phonon modes. To obtain the frequencies of the interlayer vibrations, an analysis of the THz emission waveforms was performed, separating the two contributions to the total waveform. Results of the fitting show several vibrational modes in the range of 5.87–32.75 cm − 1 for the samples, attributed to infrared-active interlayer shear and breathing modes. This study demonstrates that THz emission spectroscopy provides a means of observing these low-frequency vibrational modes in layered materials.
    AIP Publishing, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/5.0146489
    DOI ID：10.1063/5.0146489, ISSN：0021-8979, eISSN：1089-7550
  • Carrier Transport Properties in Few-Layer WS0.3Se1.7/(WOx)WS0.3Se1.7 Lateral p+–n Junctions Using a Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) Structure
    Abdul Kuddus; Kojun Yokoyama; Wenbo Fan; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    ACS Applied Electronic Materials, 巻：23, 号：3, 開始ページ：1546, 終了ページ：1557, 2023年03月, ［査読有り］
    American Chemical Society (ACS), 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsaelm.2c01598
    DOI ID：10.1021/acsaelm.2c01598, ISSN：2637-6113, eISSN：2637-6113
  • Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics　　　　　　　　　　　　　　　
    Hiroto Ogura; Seiya Kawasaki; Zheng Liu; Takahiko Endo; Mina Maruyama; Yanlin Gao; Yusuke Nakanishi; Hong En Lim; Kazuhiro Yanagi; Toshifumi Irisawa; Keiji Ueno; Susumu Okada; Kosuke Nagashio; Yasumitsu Miyata
    ACS Nano, 巻：17, 号：7, 開始ページ：6545, 終了ページ：6554, 2023年02月, ［査読有り］
    研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsnano.2c11927
    Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85149104150&origin=inward
    Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85149104150&origin=inward
    DOI ID：10.1021/acsnano.2c11927, ISSN：1936-0851, eISSN：1936-086X, ORCID：129773033, PubMed ID：36847351, SCOPUS ID：85149104150
  • Enhanced contact properties of MoTe2-FET via laser-induced heavy doping
    Tianshun Xie; Kazuki Fukuda; Mengnan Ke; Peter Krüger; Keiji Ueno; Gil-Ho Kim; Nobuyuki Aoki
    Japanese Journal of Applied Physics, 巻：62, 号：SC, 開始ページ：SC1010, 終了ページ：SC1010, 2022年12月, ［査読有り］
    Abstract

    The doping technique is vital for applying two-dimensional (2D) materials such as transition metal dichalcogenide (TMDC)-based field effect transistors (FETs), which can control the channel polarity and improve the performance. However, as conventional doping techniques for silicon-based FET are not suitable for 2D materials, the realization of heavy doping of TMDC materials is challenging, especially for n-type heavy doping. This study reports a simple, regioselective, controllable, and chemically stable heavy doping method for 2H-MoTe2 crystal via high-density laser irradiation. The polarity of the doping can be controlled by changing the irradiation environment. For the MoTe2-nFET, good performance with enhanced contact properties was obtained using the contact doping method via laser irradiation in a vacuum environment.
    IOP Publishing, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.35848/1347-4065/aca67e
    DOI ID：10.35848/1347-4065/aca67e, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065
  • Is the Bandgap of Bulk PdSe2Located Truly in the Far-Infrared Region? Determination by Fourier-Transform Photocurrent Spectroscopy
    Wataru Nishiyama; Tomonori Nishimura; Masao Nishioka; Keiji Ueno; Satoshi Iwamoto; Kosuke Nagashio
    Advanced Photonics Research, 巻：3, 号：11, 開始ページ：2200231, 終了ページ：2200231, 2022年11月, ［査読有り］
    Wiley, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1002/adpr.202200231
    DOI ID：10.1002/adpr.202200231, ISSN：2699-9293, eISSN：2699-9293
  • Diffused beam energy to dope van der waals electronics and boost their contact barrier lowering　　　　　　　　　　　　　　　
    Che-Yi Lin; Mu-Pai Lee; Yuan-Ming Chang; Yi-Tang Tseng; Feng-Shou Yang; Mengjiao Li; Jiann-Yeu Chen; Ciao-Fen Chen; Meng-Yu Tsai; Yi-Chun Lin; Keiji Ueno; Mahito Yamamoto; Shun-Tsung Lo; Chen-Hsin Lien; Po-Wen Chiu; Kazuhito Tsukagoshi; Wen-Wei Wu; Yen-Fu Lin
    ACS applied materials & interfaces, 2022年08月, ［査読有り］
    American chemical society ({ACS}), 英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsami.2c07679
    DOI ID：10.1021/acsami.2c07679, ISSN：1944-8244, ORCID：118159145
  • Photo‐Induced Tellurium Segregation in MoTe 2
    Takumi Fukuda; Ryota Kaburauchi; Yuta Saito; Kotaro Makino; Paul Fons; Keiji Ueno; Muneaki Hase
    physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 巻：16, 号：9, 開始ページ：2100633, 終了ページ：2100633, 2022年06月, ［査読有り］
    Wiley, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1002/pssr.202100633
    DOI ID：10.1002/pssr.202100633, ISSN：1862-6254, eISSN：1862-6270, ORCID：114313321
  • Mist chemical vapor deposition of Al1−xTixOy thin films and their application to a high dielectric material　　　　　　　　　　　　　　　
    Arifuzzaman Rajib; Abdul Kuddus; Kojun Yokoyama; Tomohiro Shida; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    Journal of Applied Physics, 巻：131, 号：10, 開始ページ：105301, 終了ページ：105301, 2022年03月, ［査読有り］
    {AIP} Publishing, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/5.0073719
    DOI ID：10.1063/5.0073719, ORCID：109527683
  • Mist chemical vapor deposition of crystalline MoS2 atomic layer films using sequential mist supply mode and its application in field-effect transistors　　　　　　　　　　　　　　　
    Abdul Kuddus; Arifuzzaman Rajib; Kojun Yokoyama; Tomohiro Shida; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    Nanotechnology, 巻：33, 号：4, 2022年01月, ［査読有り］
    {IOP} Publishing, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac30f4
    Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85119168347&origin=inward
    DOI ID：10.1088/1361-6528/ac30f4, ISSN：0957-4484, eISSN：1361-6528, ORCID：101720561, PubMed ID：34666322, SCOPUS ID：85119168347
  • Intrinsic Electronic Transport Properties and Carrier Densities in PtS2 and SnSe2: Exploration of n(+)-Source for 2D Tunnel FETs　　　　　　　　　　　　　　　
    Yuichiro Sato; Tomonori Nishimura; Dong Duanfei; Keiji Ueno; Keisuke Shinokita; Kazunari Matsuda; Kosuke Nagashio
    ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 巻：7, 号：12, 2021年12月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1002/aelm.202100292
    DOI ID：10.1002/aelm.202100292, ISSN：2199-160X, Web of Science ID：WOS:000681339800001
  • フルオロフェニルリン酸添加によるペロブスカイト太陽電池の高性能化　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2021.2, 開始ページ：2312, 終了ページ：2312, 2021年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_2312
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_2312, eISSN：2436-7613
  • State-of-the-Art of Solution-Processed Crystalline Silicon/Organic Heterojunction Solar Cells: Challenges and Future
    Jaker Hossain; A. T. M. Saiful Islam; Koji Kasahara; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    Challenges and Advances in Computational Chemistry and Physics, 開始ページ：33, 終了ページ：56, 2021年05月, ［査読有り］
    Springer International Publishing, 論文集(書籍)内論文
    DOI：https://doi.org/10.1007/978-3-030-69445-6_2
    DOI ID：10.1007/978-3-030-69445-6_2, ISSN：2542-4491, eISSN：2542-4483
  • Material and Device Structure Designs for 2D Memory Devices Based on the Floating Gate Voltage Trajectory　　　　　　　　　　　　　　　
    Taro Sasaki; Keiji Ueno; Takashi Taniguchi; Kenji Watanabe; Tomonori Nishimura; Kosuke Nagashio
    ACS NANO, 巻：15, 号：4, 開始ページ：6658, 終了ページ：6668, 2021年04月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsnano.0c10005
    DOI ID：10.1021/acsnano.0c10005, ISSN：1936-0851, eISSN：1936-086X, Web of Science ID：WOS:000645436800061
  • タンデム型太陽電池の作製を志向したFA0.9Cs0.1Pb(I0.65Br0.35)3薄膜の改善　　　　　　　　　　　　　　　
    下村 和司; 石川 良; 上野 啓治; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2021.1, 開始ページ：2118, 終了ページ：2118, 2021年02月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2118
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2118, eISSN：2436-7613
  • AlOxThin Films Synthesized by Mist Chemical Vapor Deposition, Monitored by a Fast-Scanning Mobility Particle Analyzer, and Applied as a Gate Insulating Layer in the Field-Effect Transistors　　　　　　　　　　　　　　　
    Arifuzzaman Rajib; Abdul Kuddus; Tomohiro Shida; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    ACS Applied Electronic Materials, 巻：3, 号：2, 開始ページ：658, 終了ページ：667, 2021年02月
    研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsaelm.0c00758
    Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85099954273&origin=inward
    Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85099954273&origin=inward
    DOI ID：10.1021/acsaelm.0c00758, eISSN：2637-6113, SCOPUS ID：85099954273
  • Enhanced Exciton-Exciton Collisions in an Ultraflat Monolayer MoSe2 Prepared through Deterministic Flattening.　　　　　　　　　　　　　　　
    Takato Hotta; Akihiko Ueda; Shohei Higuchi; Mitsuhiro Okada; Tetsuo Shimizu; Toshitaka Kubo; Keiji Ueno; Takashi Taniguchi; Kenji Watanabe; Ryo Kitaura
    ACS nano, 2020年12月, ［国際誌］
    Squeezing bubbles and impurities out of interlayer spaces by applying force through a few-layer graphene capping layer leads to van der Waals heterostructures with the ultraflat structure free from random electrostatic potential arising from charged impurities. Without the graphene capping layer, a squeezing process with an AFM tip induces applied-force-dependent charges of Δn ∼ 2 × 1012 cm-2 μN-1, resulting in the significant intensity of trions in photoluminescence spectra of MoSe2 at low temperature. We found that a hBN/MoSe2/hBN prepared with the "graphene-capping-assisted AFM nano-squeezing method" shows a strong excitonic emission with negligible trion peak, and the residual line width of the exciton peak is only 2.2 meV, which is comparable to the homogeneous limit. Furthermore, in this high-quality sample, we found that the formation of biexciton occurs even at extremely low excitation power (Φph ∼ 2.3 × 1019 cm-2 s-1) due to the enhanced collisions between excitons.
    英語
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsnano.0c08642
    DOI ID：10.1021/acsnano.0c08642, arXiv ID：arXiv:2006.02640, PubMed ID：33356145
  • All 2D Heterostructure Tunnel Field-Effect Transistors: Impact of Band Alignment and Heterointerface Quality
    Keigo Nakamura; Naoka Nagamura; Keiji Ueno; Takashi Taniguchi; Kenji Watanabe; Kosuke Nagashio
    ACS Applied Materials & Interfaces, 巻：12, 号：46, 開始ページ：51598, 終了ページ：51606, 2020年11月
    American Chemical Society (ACS), 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsami.0c13233
    DOI ID：10.1021/acsami.0c13233, ISSN：1944-8244, eISSN：1944-8252
  • Flat bands in twisted bilayer transition metal dichalcogenides　　　　　　　　　　　　　　　
    Zhiming Zhang; Yimeng Wang; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Keiji Ueno; Emanuel Tutuc; Brian J. LeRoy
    Nature Physics, 巻：16, 号：11, 開始ページ：1093, 終了ページ：1096, 2020年11月
    Nature Research, 英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1038/s41567-020-0958-x
    DOI ID：10.1038/s41567-020-0958-x, ISSN：1745-2481, SCOPUS ID：85087652297
  • Understanding the Memory Window Overestimation of 2D Materials Based Floating Gate Type Memory Devices by Measuring Floating Gate Voltage　　　　　　　　　　　　　　　
    Taro Sasaki; Keiji Ueno; Takashi Taniguchi; Kenji Watanabe; Tomonori Nishimura; Kosuke Nagashio
    SMALL, 巻：16, 号：47, 2020年11月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1002/smll.202004907
    DOI ID：10.1002/smll.202004907, ISSN：1613-6810, eISSN：1613-6829, Web of Science ID：WOS:000583797900001
  • Exciton diffusion in hBN-encapsulated monolayer MoSe2　　　　　　　　　　　　　　　
    Takato Hotta; Shohei Higuchi; Akihiro Ueda; Keisuke Shinokita; Yuhei Miyauchi; Kazunari Matsuda; Keiji Ueno; Takashi Taniguchi; Kenji Watanabe; Ryo Kitaura
    PHYSICAL REVIEW B, 巻：102, 号：11, 2020年09月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1103/PhysRevB.102.115424
    DOI ID：10.1103/PhysRevB.102.115424, ISSN：2469-9950, eISSN：2469-9969, Web of Science ID：WOS:000571391100006
  • Facile and reversible carrier-type manipulation of layered MoTe2 toward long-term stable electronics
    Mengjiao Li; Che-Yi Lin; Yuan-Ming Chang; Shih-Hsien Yang; Mu-Pai Lee; Ciao-Fen Chen; Ko-Chun Lee; Feng-Shou Yang; Yi Chou; Yi-Chun Lin; Keiji Ueno; Yumeng Shi; Yi-Chia Chou; Kazuhito Tsukagoshi; Yen-Fu Lin
    ACS Applied Materials & Interfaces, 2020年08月
    American Chemical Society (ACS), 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsami.0c09922
    DOI ID：10.1021/acsami.0c09922, ISSN：1944-8244, eISSN：1944-8252
  • Effect of thermally annealed atomic-layer-deposited AlOx/chemical tunnel oxide stack layer at the PEDOT:PSS/n-type Si interface to improve its junction quality　　　　　　　　　　　　　　　
    Md Enamul Karim; Yuki Nasuno; Abdul Kuddus; Tomofumi Ukai; Shunji Kurosu; Masahide Tokuda; Yasuhiko Fujii; Tatsuro Hanajiri; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：128, 号：4, 2020年07月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/5.0007918
    DOI ID：10.1063/5.0007918, ISSN：0021-8979, eISSN：1089-7550, Web of Science ID：WOS:000556325800003
  • Investigation of laser-induced-metal phase of MoTe2 and its contact property via scanning gate microscopy　　　　　　　　　　　　　　　
    Kohei Sakanashi; Hidemitsu Ouchi; Kota Kamiya; Peter Krüger; Katsuhiko Miyamoto; Takashige Omatsu; Keiji Ueno; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Jonathan P. Bird; Nobuyuki Aoki
    Nanotechnology, 巻：31, 号：20, 開始ページ：205205, 2020年05月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab71b8
    Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85082307375&origin=inward
    Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85082307375&origin=inward
    DOI ID：10.1088/1361-6528/ab71b8, ISSN：0957-4484, eISSN：1361-6528, SCOPUS ID：85082307375
  • Synthesis of AlOx thin films by atmospheric-pressure mist chemical vapor deposition for surface passivation and electrical insulator layers
    Arifuzzaman Rajib; Karim Md Enamul; Shunji Kurosu; Tomofumi Ukai; Masahide Tokuda; Yasuhiko Fujii; Tatsuro Hanajiri; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    Journal of Vacuum Science & Technology A, 巻：38, 号：3, 開始ページ：033413, 終了ページ：033413, 2020年05月
    American Vacuum Society, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1116/1.5143273
    DOI ID：10.1116/1.5143273, ISSN：0734-2101, eISSN：1520-8559
  • Ultrafast dynamics of the low frequency shear phonon in 1T′- MoTe 2
    Takumi Fukuda; Kotaro Makino; Yuta Saito; Paul Fons; Alexander V. Kolobov; Keiji Ueno; Muneaki Hase
    Applied Physics Letters, 巻：116, 号：9, 開始ページ：093103, 終了ページ：093103, 2020年03月
    AIP Publishing, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.5143485
    DOI ID：10.1063/1.5143485, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118
  • Improved efficiency of methylammonium-free perovskite thin film solar cells by fluorinated ammonium iodide treatment　　　　　　　　　　　　　　　
    Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    Organic Electronics, 巻：78, 開始ページ：105596, 終了ページ：105596, 2020年03月
    Elsevier BV, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/j.orgel.2019.105596
    DOI ID：10.1016/j.orgel.2019.105596, ISSN：1566-1199
  • FA0.8Cs0.2PbI3 薄膜及び太陽電池におけるフッ素系ポリマーによる表面パシベーション効果の検討　　　　　　　　　　　　　　　
    守屋 佑馬; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2020.1, 開始ページ：2414, 終了ページ：2414, 2020年02月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_2414
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_2414, eISSN：2436-7613
  • Low-temperature growth of crystalline tungsten disulfide thin films by using organic liquid precursors　　　　　　　　　　　　　　　
    Yukihiro Ikeda; Keiji Ueno
    Japanese Journal of Applied Physics, 巻：59, 2020年02月
    Institute of Physics Publishing, 英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab489a
    DOI ID：10.7567/1347-4065/ab489a, ISSN：1347-4065, SCOPUS ID：85081950694
  • Self-assembled Fluorinated Polymer Passivation Layer for Efficient Perovskite Thin-film Solar Cells
    Yuma Moriya; Ryo Ishikawa; Shuhei Akiyama; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    Chemistry Letters, 巻：49, 号：1, 開始ページ：87, 終了ページ：90, 2020年01月
    The Chemical Society of Japan, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1246/cl.190692
    DOI ID：10.1246/cl.190692, ISSN：0366-7022, eISSN：1348-0715
  • Oxygen-Sensitive Layered MoTe2 Channels for Environmental Detection　　　　　　　　　　　　　　　
    Shih-Hsien Yang; Che-Yi Lin; Yuan-Ming Chang; Mengjiao Li; Ko-Chun Lee; Ciao-Fen Chen; Feng-Shou Yang; Chen-Hsin Lien; Keiji Ueno; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Kazuhito Tsukagoshi; Yen-Fu Lin
    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 巻：11, 号：50, 開始ページ：47047, 終了ページ：47053, 2019年12月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsami.9b15036
    DOI ID：10.1021/acsami.9b15036, ISSN：1944-8244, eISSN：1944-8252, Web of Science ID：WOS:000503918300069
  • Selective oxidation of the surface layer of bilayer WSe2 by laser heating
    Hiroki Shioya; Kazuhito Tsukagoshi; Keiji Ueno; Akira Oiwa
    Japanese Journal of Applied Physics, 巻：58, 号：12, 開始ページ：120903, 終了ページ：120903, 2019年12月, ［査読有り］
    IOP Publishing, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab50da
    DOI ID：10.7567/1347-4065/ab50da, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065
  • Selective oxidation of the surface layer of bilayer WSe2 by laser heating
    Shioya, Hiroki; TSUKAGOSHI, Kazuhito; Ueno, Keiji; Oiwa, Akira
    Japanese Journal of Applied Physics, 2019年12月, ［査読有り］
    研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab50da
    DOI ID：10.7567/1347-4065/ab50da, ISSN：1347-4065, ORCID：64386641
  • Role of the solvent in large crystal grain growth of inorganic-organic halide FA0.8Cs0.2PbIxBr3 − x perovskite thin films monitored by ellipsometry
    Koki Kawamura; Ryo Ishikawa; Yoko Wasai; Nataliya Nabatova-Gabain; Shun-ji Kurosu; Tomofumi Ukai; Masahide Tokuda; Yasuhiko Fujii; Tatsuro Hanajiri; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    Journal of Vacuum Science & Technology B, 巻：37, 号：6, 開始ページ：062401, 終了ページ：062401, 2019年11月
    American Vacuum Society, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1116/1.5123399
    DOI ID：10.1116/1.5123399, ISSN：2166-2746, eISSN：2166-2754
  • Barrier Formation at the Contacts of Vanadium Dioxide and Transition-Metal Dichalcogenides
    Mahito Yamamoto; Ryo Nouchi; Teruo Kanki; Shu Nakaharai; Azusa N. Hattori; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Yutaka Wakayama; Keiji Ueno; Hidekazu Tanaka
    ACS Applied Materials & Interfaces, 巻：11, 号：40, 開始ページ：36871, 終了ページ：36879, 2019年10月
    American Chemical Society (ACS), 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsami.9b13763
    DOI ID：10.1021/acsami.9b13763, ISSN：1944-8244, eISSN：1944-8252
  • FACsPbIBrペロブスカイト結晶粒径拡大に対するTSC添加の役割　　　　　　　　　　　　　　　
    川村 晃希; 和才 容子; ナタリヤ ナバトバ-ガバイン; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2019.2, 開始ページ：2733, 終了ページ：2733, 2019年09月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2733
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2733, eISSN：2436-7613
  • 低温成膜カーボン電極ペロブスカイト太陽電池の作製と評価　　　　　　　　　　　　　　　
    守屋 佑馬; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2019.2, 開始ページ：2703, 終了ページ：2703, 2019年09月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2703
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2703, eISSN：2436-7613
  • 二次元(4F-PEA)2PbI4混合による高配向性・耐久性ペロブスカイト薄膜の作製と評価　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2019.2, 開始ページ：2704, 終了ページ：2704, 2019年09月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2704
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2704, eISSN：2436-7613
  • Highly crystalline large-grained perovskite films using two additives without an antisolvent for high-efficiency solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    Thin Solid Films, 巻：679, 開始ページ：27, 終了ページ：34, 2019年06月
    Elsevier BV, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.03.030
    DOI ID：10.1016/j.tsf.2019.03.030, ISSN：0040-6090
  • フッ素系ポリマー混成ペロブスカイト太陽電池の作成と評価　　　　　　　　　　　　　　　
    守屋 佑馬; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2019.1, 開始ページ：2414, 終了ページ：2414, 2019年02月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2414
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2414, eISSN：2436-7613
  • フッ化アミン処理によるペロブスカイト太陽電池の高性能化　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2019.1, 開始ページ：2413, 終了ページ：2413, 2019年02月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2413
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2413, eISSN：2436-7613
  • Exciton Diffusion in hBN-encapsulated Monolayer MoSe2　　　　　　　　　　　　　　　
    Takato Hotta; Syohei Higuchi; Yosuke Uchiyama; Keiji Ueno; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Hisanori Shinohara; Ryo Kitaura
    2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW), 2019年
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    Web of Science ID：WOS:000539485600130
  • Site-dependence of relationships between photoluminescence and applied electric field in monolayer and bilayer molybdenum disulfide　　　　　　　　　　　　　　　
    Junji Nozaki; Hiroyuki Nishidome; Mina Maruyama; Susumu Okada; Satoshi Kusaba; Koichiro Tanaka; Keiji Ueno; Yohei Yomogida; Kazuhiro Yanagi
    Japanese Journal of Applied Physics, 巻：58, 号：1, 2019年01月
    Institute of Physics Publishing, 英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7567/1347-4065/aaead2
    DOI ID：10.7567/1347-4065/aaead2, ISSN：1347-4065, SCOPUS ID：85059871335
  • Gate-Tunable Thermal Metal-Insulator Transition in VO2 Monolithically Integrated into a WSe2 Field-Effect Transistor　　　　　　　　　　　　　　　
    Mahito Yamamoto; Ryo Nouchi; Teruo Kanki; Azusa N Hattori; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Keiji Ueno; Hidekazu Tanaka
    ACS applied materials & interfaces, 巻：11, 号：3, 開始ページ：3224, 終了ページ：3230, 2019年01月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsami.8b18745
    DOI ID：10.1021/acsami.8b18745, ISSN：1944-8244, eISSN：1944-8252, Web of Science ID：WOS:000457067300076
  • Self-passivated ultra-thin SnS layers via mechanical exfoliation and post-oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
    Higashitarumizu Naoki; Kawamoto Hayami; Nakamura Masaru; Shimamura Kiyoshi; Ohashi Naoki; Ueno Keiji; Nagashio Kosuke
    NANOSCALE, 巻：10, 号：47, 開始ページ：22474, 終了ページ：22483, 2018年12月, ［査読有り］
    DOI：https://doi.org/10.1039/c8nr06390g
    DOI ID：10.1039/c8nr06390g, ISSN：2040-3364, PubMed ID：30480284, Web of Science ID：WOS:000452490800036
  • 添加剤を用いた一段階法によるKx(FA0.8Cs0.2)1-xPbI3薄膜の作製及び評価　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2018.2, 開始ページ：2552, 終了ページ：2552, 2018年09月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2552
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2552, eISSN：2436-7613
  • 遷移金属ダイカルコゲナイド強磁性体の物性とヘテロ構造作製　　　　　　　　　　　　　　　
    守谷 頼; 山崎 雄司; 荒井 美穂; 増渕 覚; 卞 舜生; 為ヶ井 強; 上野 啓司; 町田 友樹
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2018.2, 開始ページ：137, 終了ページ：137, 2018年09月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_137
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_137, eISSN：2436-7613
  • Fabrication of [CH(NH2)2]0.8Cs0.2PbI3 Perovskite Thin Films for n-i-p Planar-structure Solar Cells by a One-step Method Using 1-Cyclohexyl-2-pyrrolidone as an Additive
    Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    Chemistry Letters, 巻：47, 号：7, 開始ページ：905, 終了ページ：908, 2018年07月
    The Chemical Society of Japan, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1246/cl.180216
    DOI ID：10.1246/cl.180216, ISSN：0366-7022, eISSN：1348-0715
  • 2D Tunnel Field Effect Transistors (FETs) with a Stable Charge-Transfer-Type p(+)-WSe2 Source　　　　　　　　　　　　　　　
    He Junyang; Fang Nan; Nakamura Keigo; Ueno Keiji; Taniguchi Takashi; Watanabe Kenji; Nagashio Kosuke
    ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 巻：4, 号：7, 2018年07月, ［査読有り］
    DOI：https://doi.org/10.1002/aelm.201800207
    DOI ID：10.1002/aelm.201800207, ISSN：2199-160X, Web of Science ID：WOS:000437828700021
  • Ultrathin Bismuth Film on 1T-TaS2: Structural Transition and Charge-Density-Wave Proximity Effect　　　　　　　　　　　　　　　
    Keiko Yamada; Seigo Souma; Kunihiko Yamauchi; Natsumi Shimamura; Katsuaki Sugawara; Chi Xuan Trang; Tamio Oguchi; Keiji Ueno; Takashi Takahashi; Takafumi Sato
    Nano Letters, 巻：18, 号：5, 開始ページ：3235, 終了ページ：3240, 2018年05月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.8b01003
    DOI ID：10.1021/acs.nanolett.8b01003, ISSN：1530-6992, SCOPUS ID：85046664908, Web of Science ID：WOS:000432093200070
  • Anisotropic band splitting in monolayer NbSe2: implications for superconductivity and charge density wave　　　　　　　　　　　　　　　
    Nakata Yuki; Sugawara Katsuaki; Ichinokura Satoru; Okada Yoshinori; Hitosugi Taro; Koretsune Takashi; Ueno Keiji; Hasegawa Shuji; Takahashi Takashi; Sato Takafumi
    NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS, 巻：2, 2018年05月, ［査読有り］
    DOI：https://doi.org/10.1038/s41699-018-0057-3
    DOI ID：10.1038/s41699-018-0057-3, ISSN：2397-7132, Web of Science ID：WOS:000441131600001
  • Pronounced photogating effect in atomically thin WSe2 with a self-limiting surface oxide layer
    Mahito Yamamoto; Keiji Ueno; Kazuhito Tsukagoshi
    Applied Physics Letters, 巻：112, 号：18, 2018年04月, ［査読有り］
    American Institute of Physics Inc., 英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.5030525
    DOI ID：10.1063/1.5030525, ISSN：0003-6951, ORCID：44180688, SCOPUS ID：85046538865
  • Reversible and Precisely Controllable p/n-Type Doping of MoTe2 Transistors through Electrothermal Doping　　　　　　　　　　　　　　　
    Yuan-Ming Chang; Shih-Hsien Yang; Che-Yi Lin; Chang-Hung Chen; Chen-Hsin Lien; Wen-Bin Jian; Keiji Ueno; Yuen-Wuu Suen; Kazuhito Tsukagoshi; Yen-Fu Lin
    Advanced Materials, 巻：30, 号：13, 2018年03月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1002/adma.201706995
    DOI ID：10.1002/adma.201706995, ISSN：1521-4095, SCOPUS ID：85041844399, Web of Science ID：WOS:000428793600028
  • フッ素系ポリマー混成FA0.8Cs0.2PbI3薄膜の作製及び評価　　　　　　　　　　　　　　　
    秋山 修平; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2018.1, 開始ページ：2786, 終了ページ：2786, 2018年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_2786
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_2786, eISSN：2436-7613
  • 酸化チタン/酸化スズ二層構造を電子輸送層とするペロブスカイト太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2018.1, 開始ページ：2752, 終了ページ：2752, 2018年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_2752
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_2752, eISSN：2436-7613
  • Optical anisotropy and compositional ratio of conductive polymer PEDOT: PSS and their effect on photovoltaic performance of crystalline silicon/organic heterojunction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Hajime Shirai; Qiming Liu; Tatsuya Ohki; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno
    Advances in Silicon Solar Cells, 開始ページ：137, 終了ページ：159, 2018年01月, ［査読有り］
    Springer International Publishing, 英語, 論文集(書籍)内論文
    DOI：https://doi.org/10.1007/978-3-319-69703-1_5
    DOI ID：10.1007/978-3-319-69703-1_5, SCOPUS ID：85045552655
  • Exciton Diffusion in a hBN-encapsulated Monolayer Transition Metal Dichalcogenide　　　　　　　　　　　　　　　
    Takato Hotta; Shohei Higuchi; Yosuke Uchiyama; Keiji Ueno; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Hisanori Shinohara; Ryo Kitaura
    Optics InfoBase Conference Papers, 巻：Part F125-JSAP 2018, 2018年
    研究論文（国際会議プロシーディングス）
    Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85065880514&origin=inward
    Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85065880514&origin=inward
    SCOPUS ID：85065880514
  • Fabrication and Surface Engineering of Two-Dimensional SnS Toward Piezoelectric Nanogenerator Application　　　　　　　　　　　　　　　
    Higashitarumizu Naoki; Kawamoto Hayami; Ueno Keiji; Nagashio Kosuke
    MRS ADVANCES, 巻：3, 号：45-46, 開始ページ：2809, 終了ページ：2814, 2018年, ［査読有り］
    DOI：https://doi.org/10.1557/adv.2018.404
    DOI ID：10.1557/adv.2018.404, ISSN：2059-8521, Web of Science ID：WOS:000445086800009
  • Exfoliation and van der Waals heterostructure assembly of intercalated ferromagnet Cr1/3TaS2　　　　　　　　　　　　　　　
    Yuji Yamasaki; Rai Moriya; Miho Arai; Satoru Masubuchi; Sunseng Pyon; Tsuyoshi Tamegai; Keiji Ueno; Tomoki Machida
    2D MATERIALS, 巻：4, 号：4, 2017年12月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1088/2053-1583/aa8a2b
    DOI ID：10.1088/2053-1583/aa8a2b, ISSN：2053-1583, Web of Science ID：WOS:000411520500001
  • 2段階Cs0.2FA0.8PbIxBr3-xペロブスカイト作製における前駆体CsPbI2微細構造の影響　　　　　　　　　　　　　　　
    三浦 拓也; 高橋 浩太郎; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2017.2, 開始ページ：2576, 終了ページ：2576, 2017年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2576
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2576, eISSN：2436-7613
  • 添加剤を用いた一段階法によるFA1-xCsxPbI3薄膜の作製及び評価 (2)　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2017.2, 開始ページ：2665, 終了ページ：2665, 2017年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2665
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_2665, eISSN：2436-7613
  • Barium hydroxide hole blocking layer for front- and back-organic/crystalline Si heterojunction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Jaker Hossain; Koji Kasahara; Daisuke Harada; A. T. M. Saiful Islam; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Tatsuro Hanajiri; Yoshikata Nakajima; Yasuhiko Fujii; Masahide Tokuda; Hajime Shirai
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：122, 号：5, 開始ページ：055101, 2017年08月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4985812
    DOI ID：10.1063/1.4985812, ISSN：0021-8979, eISSN：1089-7550, ORCID：44072979, Web of Science ID：WOS:000407740600029
  • Sensitive Phonon-Based Probe for Structure Identification of 1T ' MoTe2　　　　　　　　　　　　　　　
    Lin Zhou; Shengxi Huang; Yuki Tatsumi; Lijun Wu; Huaihong Guo; Ya-Qing Bie; Keiji Ueno; Teng Yang; Yimei Zhu; Jing Kong; Riichiro f Saito; Mildred Dresselhaus
    JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 巻：139, 号：25, 開始ページ：8396, 終了ページ：8399, 2017年06月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/jacs.7b03445
    DOI ID：10.1021/jacs.7b03445, ISSN：0002-7863, Web of Science ID：WOS:000404809600004
  • Fabrication of {CH(NH2)(2)}(1-x)CsxPbI3 Perovskite Thin Films by Two-step Method and Its Application to Thin Film Solar Cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    CHEMISTRY LETTERS, 巻：46, 号：4, 開始ページ：612, 終了ページ：615, 2017年04月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1246/cl.161194
    DOI ID：10.1246/cl.161194, ISSN：0366-7022, eISSN：1348-0715, SCOPUS ID：85016144027, Web of Science ID：WOS:000400134700012
  • 層状薄片添加による有機無機ヘテロ接合太陽電池の高性能化　　　　　　　　　　　　　　　
    木村 貴大; 石川 良; 白井 肇; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2017.1, 開始ページ：2664, 終了ページ：2664, 2017年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_2664
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_2664, eISSN：2436-7613
  • 添加剤を用いた一段階法によるFA1-xCsxPbI3薄膜の作製及び評価　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2017.1, 開始ページ：2700, 終了ページ：2700, 2017年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_2700
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_2700, eISSN：2436-7613
  • ダイカルコゲナイドMoTe2における長寿命コヒーレントフォノン　　　　　　　　　　　　　　　
    牧野, 孝太郎; 齊藤, 雄太; 堀井, 嵩斗; Fons, P; Kolobov, A. V; 安藤, 淳; 上野, 啓司; 長谷, 宗明
    日本物理学会講演概要集, 巻：72, 号：0, 開始ページ：1300, 終了ページ：1300, 2017年
    一般社団法人 日本物理学会, 日本語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.72.2.0_1300
    DOI ID：10.11316/jpsgaiyo.72.2.0_1300, ISSN：2189-0803
  • Role of Isopropyl Alcohol Solvent in the Synthesis of Organic-Inorganic Halide CH(NH2)(2)PbIxBr3-x Perovskite Thin Films by a Two-Step Method　　　　　　　　　　　　　　　
    Takanori Yamanaka; Kenta Masumori; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 巻：120, 号：44, 開始ページ：25371, 終了ページ：25377, 2016年11月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.6b07527
    DOI ID：10.1021/acs.jpcc.6b07527, ISSN：1932-7447, SCOPUS ID：84994884896, Web of Science ID：WOS:000387737900022
  • Nafion-Modified PEDOT:PSS as a Transparent Hole-Transporting Layer for High-Performance Crystalline-Si/Organic Heterojunction Solar Cells with Improved Light Soaking Stability　　　　　　　　　　　　　　　
    Jaker Hossain; Qiming Liu; Takuya Miura; Koji Kasahara; Daisuke Harada; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    ACS Applied Materials & Interfaces, 巻：8, 号：46, 開始ページ：31926, 終了ページ：31934, 2016年11月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsami.6b10272
    DOI ID：10.1021/acsami.6b10272, ISSN：1944-8244, SCOPUS ID：84999115078, Web of Science ID：WOS:000388913900053
  • Monolayer 1 T-NbSe2 as a Mott insulator　　　　　　　　　　　　　　　
    Yuki Nakata; Katsuaki Sugawara; Ryota Shimizu; Yoshinori Okada; Patrick Han; Taro Hitosugi; Keiji Ueno; Takafumi Sato; Takashi Takahashi
    NPG ASIA MATERIALS, 巻：8, 2016年11月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1038/am.2016.157
    DOI ID：10.1038/am.2016.157, ISSN：1884-4049, eISSN：1884-4057, SCOPUS ID：84994571030, Web of Science ID：WOS:000387402500001
  • Synthesis of High-Quality Large-Area Homogenous 1T′ MoTe2 from Chemical Vapor Deposition　　　　　　　　　　　　　　　
    Lin Zhou; Ahmad Zubair; Ziqiang Wang; Xu Zhang; Fangping Ouyang; Fangping Ouyang; Kai Xu; Wenjing Fang; Keiji Ueno; Ju Li; Ju Li; Tomás Palacios; Jing Kong; Mildred S. Dresselhaus; Mildred S. Dresselhaus
    Advanced Materials, 巻：28, 号：43, 開始ページ：9526, 終了ページ：+, 2016年11月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1002/adma.201602687
    DOI ID：10.1002/adma.201602687, ISSN：0935-9648, eISSN：1521-4095, SCOPUS ID：84987638165, Web of Science ID：WOS:000391175000010
  • Nafion改質PEDOT:PSSの結晶Si系太陽電池性能に及ぼす影響　　　　　　　　　　　　　　　
    劉 奇明; Hossain Jaker; 三浦 拓也; 原田 大輔; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2016.2, 開始ページ：3397, 終了ページ：3397, 2016年09月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3397
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3397, eISSN：2436-7613
  • 結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    白井 肇; 劉 希明; 林 勉; 石川 良; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2016.2, 開始ページ：258, 終了ページ：258, 2016年09月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_258
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_258, eISSN：2436-7613
  • 二段階法によるFA1-xCsxPbI3薄膜の作製及び評価　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2016.2, 開始ページ：2491, 終了ページ：2491, 2016年09月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2491
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_2491, eISSN：2436-7613
  • Effect of substrate bias on mist deposition of conjugated polymer on textured crystalline-Si for efficient c-Si/organic heterojunction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Tatsuya Ohki; Koki Ichikawa; Jaker Hossein; Yasuhiko Fujii; Tatsuro Hanajiri; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 巻：213, 号：7, 開始ページ：1922, 終了ページ：1925, 2016年07月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.201532951
    DOI ID：10.1002/pssa.201532951, ISSN：1862-6300, eISSN：1862-6319, SCOPUS ID：84963730570, Web of Science ID：WOS:000385222900040
  • Correlation between the fine structure of spin-coated PEDOT:PSS and the photovoltaic performance of organic/crystalline-silicon heterojunction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Shuji Funda; Tatsuya Ohki; Qiming Liu; Jaker Hossain; Yoshihiro Ishimaru; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：120, 号：3, 2016年07月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4958845
    DOI ID：10.1063/1.4958845, ISSN：0021-8979, eISSN：1089-7550, SCOPUS ID：84979299024, Web of Science ID：WOS:000381382500003
  • Carrier Polarity Control in α-MoTe2 Schottky Junctions Based on Weak Fermi-Level Pinning　　　　　　　　　　　　　　　
    Shu Nakaharai; Mahito Yamamoto; Keiji Ueno; Kazuhito Tsukagoshi
    ACS Applied Materials and Interfaces, 巻：8, 号：23, 開始ページ：14732, 終了ページ：14739, 2016年06月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsami.6b02036
    DOI ID：10.1021/acsami.6b02036, ISSN：1944-8244, eISSN：1944-8252, SCOPUS ID：84975299230, Web of Science ID：WOS:000378195000054
  • Self-Limiting Oxides on WSe2 as Controlled Surface Acceptors and Low-Resistance Hole Contacts　　　　　　　　　　　　　　　
    Mahito Yamamoto; Shu Nakaharai; Keiji Ueno; Kazuhito Tsukagoshi
    NANO LETTERS, 巻：16, 号：4, 開始ページ：2720, 終了ページ：2727, 2016年04月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b00390
    DOI ID：10.1021/acs.nanolett.6b00390, ISSN：1530-6984, eISSN：1530-6992, SCOPUS ID：84964914034, Web of Science ID：WOS:000374274600088
  • 霧化塗布法によるc-Si上のPEDOT:PSS製膜過程の評価　　　　　　　　　　　　　　　
    市川 浩気; 大木 達也; ホサイン ジャケル; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2016.1, 開始ページ：3710, 終了ページ：3710, 2016年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3710
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3710, eISSN：2436-7613
  • プラズマCVDによるc-Si/PEDOT:PSS太陽電池反射防止膜用a-SiOH膜の作製　　　　　　　　　　　　　　　
    笠原 浩司; ホサイン ジャケル; 劉 奇明; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2016.1, 開始ページ：3711, 終了ページ：3711, 2016年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3711
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3711, eISSN：2436-7613
  • バックコンタクト構造c-Si/PEDOT:PSS接合太陽電池の作製　　　　　　　　　　　　　　　
    Hossain Jaker; 笠原 浩司; 劉 奇明; 石川 良; 上野 啓司; 金子 哲也; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2016.1, 開始ページ：3709, 終了ページ：3709, 2016年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3709
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3709, eISSN：2436-7613
  • 多孔性PbI2薄膜を前駆体とする (FAPbI3)1-x(MAPbBr3)x薄膜の作製及び評価　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2016.1, 開始ページ：2618, 終了ページ：2618, 2016年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_2618
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_2618, eISSN：2436-7613
  • Investigating the chemical mist deposition technique for poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) on textured crystalline-silicon for organic/crystalline-silicon heterojunction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Jaker Hossain; Tatsuya Ohki; Koki Ichikawa; Kazuhiko Fujiyama; Keiji Ueno; Yasuhiko Fujii; Tatsuro Hanajiri; Hajime Shirai
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：55, 号：3, 2016年03月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.55.031601
    DOI ID：10.7567/JJAP.55.031601, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：84961990487, Web of Science ID：WOS:000370491100017
  • Solution-processed crystalline silicon double-heterojunction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Ramesh Devkota; Qiming Liu; Tatsuya Ohki; Jaker Hossain; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：9, 号：2, 2016年02月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7567/APEX.9.022301
    DOI ID：10.7567/APEX.9.022301, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, SCOPUS ID：84956984570, Web of Science ID：WOS:000371297800013
  • 19aAJ-4 高分解能ARPESによる遷移金属ダイカルコゲナイド1T-TaS_2上のBi薄膜の電子構造　　　　　　　　　　　　　　　
    山田 敬子; Trang; 相馬 清吾; 菅原 克明; 佐藤 宇史; 上野 啓司; 高橋 隆
    日本物理学会講演概要集, 巻：71, 開始ページ：2470, 終了ページ：2470, 2016年
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2470
    DOI ID：10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_2470, ISSN：2189-079X, CiNii Articles ID：110010058409, CiNii Books ID：AA12721570
  • 20pBE-2 NbSe_2薄膜における電子状態の膜厚依存性 : 高分解能ARPES　　　　　　　　　　　　　　　
    中田 優樹; 山田 敬子; 君塚 平太; 田中 祐輔; 菅原 克明; 相馬 清吾; 佐藤 宇史; 清水 亮太; 一杉 太郎; 上野 啓司; 高橋 隆
    日本物理学会講演概要集, 巻：71, 開始ページ：1868, 終了ページ：1868, 2016年
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_1868
    DOI ID：10.11316/jpsgaiyo.71.1.0_1868, ISSN：2189-079X, CiNii Articles ID：110010057838, CiNii Books ID：AA12721570
  • NbSe2原子層薄膜における微細電子構造：高分解能ARPES　　　　　　　　　　　　　　　
    中田 優樹; 菅原 克明; 相馬 清吾; 佐藤 宇史; 清水 亮太; 一杉 太郎; 上野 啓司; 高橋 隆
    日本物理学会講演概要集, 巻：71, 開始ページ：1171, 終了ページ：1171, 2016年

    遷移金属ダイカルコゲナイドNbSe_2_の原子層化に伴う電子状態の変化を明らかにするために、分子線エピタキシー法を用いて2層グラフェン上に単層NbSe_2_薄膜を作製し、その電子状態を高分解能ARPESにより測定した。その結果、単層NbSe_2_において、バルクとは大きく異なる特異な電子状態を観測した。講演では、バルクの実験結果およびバンド計算との比較から、特異な電子状態の起源について議論する。


    一般社団法人 日本物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1171
    DOI ID：10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1171, CiNii Articles ID：130006243828
  • グラフェン上に作製したNbSe2薄膜の高分解能ARPES　　　　　　　　　　　　　　　
    中田 優樹; 菅原 克明; 相馬 清吾; 佐藤 宇史; 清水 亮太; 一杉 太郎; 上野 啓司; 高橋 隆
    日本物理学会講演概要集, 巻：71, 開始ページ：1393, 終了ページ：1393, 2016年

    バルクの2H-NbSe_2_は約33K以下でCDW相へ転移することが知られているが、膜厚の減少に伴うCDWの変化については未解明である。今回我々は、2層グラフェン上にMBE法により単層及び多層のNbSe_2_薄膜を作製し、それらの電子状態を高分解能ARPESによって測定した。講演では、詳細な電子構造の実験結果を報告するとともに、膜厚に依存したCDWの変化について議論する。


    一般社団法人 日本物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1393
    DOI ID：10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1393, CiNii Articles ID：130006244003
  • Bi超薄膜1T-TaS2におけるバンド構造の異常な振る舞い：高分解能ARPES　　　　　　　　　　　　　　　
    山田 敬子; Trang C.; 相馬 清吾; 菅原 克明; 佐藤 宇史; 上野 啓司; 高橋 隆
    日本物理学会講演概要集, 巻：71, 開始ページ：2310, 終了ページ：2310, 2016年

    V族のBi薄膜は、黒リン同様に興味深い相変態を示すことが知られており、(111)方位だけではなく、(110)方位の超薄膜においても2次元のトポロジカル絶縁体(TI)相の発現が期待され、注目を集めている。今回我々は、1T-TaS_2_やSi基板上にBi(110)超薄膜を作製し、電子構造を高分解能ARPESで測定した。その結果、TI相を予測するバンド計算と類似した電子構造を見出した。講演では、Bi(110)超薄膜のバンド構造における基板・温度依存性を詳しく議論する。


    一般社団法人 日本物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2310
    DOI ID：10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2310, CiNii Articles ID：130006244991
  • Introduction to the Growth of Bulk Single Crystals of Two-Dimensional Transition-Metal Dichalcogenides　　　　　　　　　　　　　　　
    Keiji Ueno
    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 巻：84, 号：12, 2015年12月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7566/JPSJ.84.121015
    DOI ID：10.7566/JPSJ.84.121015, ISSN：0031-9015, SCOPUS ID：84957074331, Web of Science ID：WOS:000365804100015
  • Origin of Noise in Layered MoTe2 Transistors and its Possible Use for Environmental Sensors　　　　　　　　　　　　　　　
    Yen-Fu Lin; Yong Xu; Che-Yi Lin; Yuen-Wuu Suen; Mahito Yamamoto; Shu Nakaharai; Keiji Ueno; Kazuhito Tsukagoshi
    ADVANCED MATERIALS, 巻：27, 号：42, 開始ページ：6612, 終了ページ：+, 2015年11月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1002/adma.201502677
    DOI ID：10.1002/adma.201502677, ISSN：0935-9648, eISSN：1521-4095, SCOPUS ID：84946781252, Web of Science ID：WOS:000364700200007
  • Changes in structure and chemical composition of α-MoTe<inf>2</inf> and β-MoTe<inf>2</inf> during heating in vacuum conditions　　　　　　　　　　　　　　　
    Keiji Ueno; Koji Fukushima
    Applied Physics Express, 巻：8, 号：9, 2015年09月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7567/APEX.8.095201
    DOI ID：10.7567/APEX.8.095201, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, SCOPUS ID：84940992838, Web of Science ID：WOS:000362184700026
  • Highly Efficient Solution-Processed Poly(3,4-ethylenedio-xythiophene):Poly(styrenesulfonate)/Crystalline-Silicon Heterojunction Solar Cells with Improved Light-Induced Stability　　　　　　　　　　　　　　　
    Qiming Liu; Ryo Ishikawa; Shuji Funada; Tatsuya Ohki; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    ADVANCED ENERGY MATERIALS, 巻：5, 号：17, 2015年09月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1002/aenm.201500744
    DOI ID：10.1002/aenm.201500744, ISSN：1614-6832, eISSN：1614-6840, SCOPUS ID：84941186958, Web of Science ID：WOS:000361226700013
  • Construction of van der Waals magnetic tunnel junction using ferromagnetic layered dichalcogenide　　　　　　　　　　　　　　　
    Miho Arai; Rai Moriya; Naoto Yabuki; Satoru Masubuchi; Keiji Ueno; Tomoki Machida
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：107, 号：10, 2015年09月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4930311
    DOI ID：10.1063/1.4930311, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118, SCOPUS ID：84941356974, Web of Science ID：WOS:000361640200042
  • Large-Area Synthesis of High-Quality Uniform Few-Layer MoTe2　　　　　　　　　　　　　　　
    Lin Zhou; Kai Xu; Ahmad Zubair; Albert D. Liao; Wenjing Fang; Fangping Ouyang; Yi-Hsien Lee; Keiji Ueno; Riichiro Saito; Tomas Palacios; Jing Kong; Mildred S. Dresselhaus
    JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 巻：137, 号：37, 開始ページ：11892, 終了ページ：11895, 2015年09月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/jacs.5b07452
    DOI ID：10.1021/jacs.5b07452, ISSN：0002-7863, SCOPUS ID：84942239142, Web of Science ID：WOS:000361930000010
  • 霧化塗布法によるMoO3ARコート結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    市川 浩気; 大木 達也; ホサイン ジャケル; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.2, 開始ページ：2392, 終了ページ：2392, 2015年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2392
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2392, eISSN：2436-7613
  • 金属酸化物/PEDOT:PSS/Si積層によるタンデム型ヘテロ接合太陽電池の作製　　　　　　　　　　　　　　　
    八木 大地; 木村 貴大; 石川 良; 白井 肇; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.2, 開始ページ：2432, 終了ページ：2432, 2015年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2432
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2432, eISSN：2436-7613
  • 層状カルコゲナイド原子膜によるヘテロ接合太陽電池の高性能化　　　　　　　　　　　　　　　
    木村 貴大; 八木 大地; 石川 良; 白井 肇; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.2, 開始ページ：2431, 終了ページ：2431, 2015年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2431
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2431, eISSN：2436-7613
  • 導電性高分子PEDOT:PSSの微細構造改質と結晶Si太陽電池特性への影響　　　　　　　　　　　　　　　
    船田 修司; 劉 奇明; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.2, 開始ページ：2394, 終了ページ：2394, 2015年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2394
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2394, eISSN：2436-7613
  • 二段階法による(FAPbI3)1-x(MAPbBr3)x薄膜の作製及び評価　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 山中 孝紀; 本多 善太郎; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.2, 開始ページ：148, 終了ページ：148, 2015年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_148
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_148, eISSN：2436-7613
  • 金属単結晶基板上における単層カーボンナイトライド成長　　　　　　　　　　　　　　　
    加藤 時穂; 小幡 誠司; 上野 啓司; 斉木 幸一朗
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.2, 開始ページ：3367, 終了ページ：3367, 2015年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3367
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3367, eISSN：2436-7613
  • Electrostatically Reversible Polarity of Ambipolar α-MoTe<inf>2</inf> Transistors　　　　　　　　　　　　　　　
    Shu Nakaharai; Mahito Yamamoto; Keiji Ueno; Yen Fu Lin; Yen Fu Lin; Song Lin Li; Kazuhito Tsukagoshi
    ACS Nano, 巻：9, 号：6, 開始ページ：5976, 終了ページ：5983, 2015年06月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acsnano.5b00736
    DOI ID：10.1021/acsnano.5b00736, ISSN：1936-0851, eISSN：1936-086X, SCOPUS ID：84935017328, Web of Science ID：WOS:000356988500038
  • Double resonance Raman modes in monolayer and few-layer MoTe2　　　　　　　　　　　　　　　
    Huaihong Guo; Teng Yang; Mahito Yamamoto; Lin Zhou; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Kazuhito Tsukagoshi; Zhidong Zhang; Mildred S. Dresselhaus; Riichiro Saito
    PHYSICAL REVIEW B, 巻：91, 号：20, 2015年05月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1103/PhysRevB.91.205415
    DOI ID：10.1103/PhysRevB.91.205415, ISSN：1098-0121, eISSN：1550-235X, SCOPUS ID：84929598374, Web of Science ID：WOS:000354365100005
  • Self-Limiting Layer-by-Layer Oxidation of Atomically Thin WSe2　　　　　　　　　　　　　　　
    Mahito Yamamoto; Sudipta Dutta; Shinya Aikawa; Shu Nakaharai; Katsunori Wakabayashi; Michael S. Fuhrer; Keiji Ueno; Kazuhito Tsukagoshi
    NANO LETTERS, 巻：15, 号：3, 開始ページ：2067, 終了ページ：2073, 2015年03月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/nl5049753
    DOI ID：10.1021/nl5049753, ISSN：1530-6984, eISSN：1530-6992, SCOPUS ID：84924630786, Web of Science ID：WOS:000351188000095
  • FTIR-ATR によるc-Si/PEDOT:PSS 界面化学結合評価と太陽電池性能　　　　　　　　　　　　　　　
    船田 修司; 大木 達也; 市川 浩気; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.1, 開始ページ：2513, 終了ページ：2513, 2015年02月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2513
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2513, eISSN：2436-7613
  • CH(NH2)2Pb(I1-xBrx)3薄膜の作製および評価　　　　　　　　　　　　　　　
    山中 孝紀; 石川 良; 本多 善太郎; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.1, 開始ページ：2226, 終了ページ：2226, 2015年02月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2226
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2226, eISSN：2436-7613
  • 霧化塗布法によるテクスチャーSi /PEDOT:PSS接合太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    大木 達也; 市川 浩気; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.1, 開始ページ：2512, 終了ページ：2512, 2015年02月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2512
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2512, eISSN：2436-7613
  • Si/PEDOT:PSSヘテロ接合太陽電池の劣化機構　　　　　　　　　　　　　　　
    武居 雄輝; 八木 大地; 石川 良; 白井 肇; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.1, 開始ページ：2510, 終了ページ：2510, 2015年02月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2510
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2510, eISSN：2436-7613
  • P(VDF-TeFE)強誘電体高分子を挿入したc-Si/PEDOT:PSS 太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    舛森 建太; 劉 奇明; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.1, 開始ページ：2514, 終了ページ：2514, 2015年02月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2514
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2514, eISSN：2436-7613
  • Si(111)基板上におけるジアセチレン薄膜成長過程の光学顕微鏡観察　　　　　　　　　　　　　　　
    鎌田 勇人; 小幡 誠司; 上野 啓司; 斉木 幸一朗
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.1, 開始ページ：2166, 終了ページ：2166, 2015年02月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2166
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2166, eISSN：2436-7613
  • Fabrication of organic/inorganic hybrid CMOS devices using solution-processed graphene electrodes
    Koichi Suganuma; Hajime Shirai; Keiji Ueno
    IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems, 巻：135, 号：2, 開始ページ：156, 終了ページ：159, 2015年02月
    Institute of Electrical Engineers of Japan, 日本語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1541/ieejeiss.135.156
    DOI ID：10.1541/ieejeiss.135.156, ISSN：1348-8155, SCOPUS ID：84922239834
  • 17pAH-4 NbSe_2薄膜の高分解能ARPES　　　　　　　　　　　　　　　
    中田 優樹; 山田 敬子; 君塚 平太; 田中 祐輔; 菅原 克明; 相馬 清吾; 佐藤 宇史; 上野 啓司; 高橋 隆
    日本物理学会講演概要集, 巻：70, 開始ページ：1592, 終了ページ：1592, 2015年
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_1592
    DOI ID：10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_1592, ISSN：2189-079X, CiNii Articles ID：110010029283, CiNii Books ID：AA12721570
  • 18aCE-3 1T-TaS_2上のBi薄膜の高分解能ARPES　　　　　　　　　　　　　　　
    山田 敬子; C. Trang; 相馬 清吾; 菅原 克明; 佐藤 宇史; 上野 啓司; 高橋 隆
    日本物理学会講演概要集, 巻：70, 開始ページ：1230, 終了ページ：1230, 2015年
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_1230
    DOI ID：10.11316/jpsgaiyo.70.2.0_1230, ISSN：2189-079X, CiNii Articles ID：110010029080, CiNii Books ID：AA12721570
  • Retraction to Poly(3-hexylthiophene) films by electrospray deposition for crystalline silicon/organic hybrid junction solar cells [Phys. Status Solidi C, 2071, (2012) 10-11], DOI: 10.1002/pssc.201200129
    Taiga Hiate; Naoto Miyauchi; Zeguo Tang; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 巻：12, 開始ページ：1191, 終了ページ：1191, 2015年01月
    DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201570094
    DOI ID：10.1002/pssc.201570094, ISSN：1862-6351, SCOPUS ID：84939653832
  • Efficient organic/polycrystalline silicon hybrid solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Qiming Liu; Tatsuya Ohki; Dequan Liu; Hiromitsu Sugawara; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    NANO ENERGY, 巻：11, 開始ページ：260, 終了ページ：266, 2015年01月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2014.10.032
    DOI ID：10.1016/j.nanoen.2014.10.032, ISSN：2211-2855, eISSN：2211-3282, SCOPUS ID：84911930097, Web of Science ID：WOS:000351194300030
  • van der Waals Junctions of Layered 2D Materials for Functional Devices　　　　　　　　　　　　　　　
    Tomoki Machida; Rai Moriya; Miho Arai; Yohta Sata; Takehiro Yamaguchi; Naoto Yabuki; Sei Morikawa; Satoru Masubuchi; Keiji Ueno
    2015 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 巻：2016-February, 2015年
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI：https://doi.org/10.1109/IEDM.2015.7409783
    DOI ID：10.1109/IEDM.2015.7409783, ISSN：0163-1918, SCOPUS ID：84964038603, Web of Science ID：WOS:000380472500177
  • Erratum: Optical and carrier transport properties of graphene oxide based crystalline-Si/organic Schottky junction solar cells (Journal of Applied Physics (2013) 114 (234506))
    I. Khatri; Z. Tang; T. Hiate; Q. Liu; R. Ishikawa; K. Ueno; H. Shirai
    Journal of Applied Physics, 巻：116, 号：23, 2014年12月
    American Institute of Physics Inc., 英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4900524
    DOI ID：10.1063/1.4900524, ISSN：1089-7550, SCOPUS ID：84919683738
  • Improved performance of poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(stylene sulfonate)/n-Si hybrid solar cell by incorporating silver nanoparticles　　　　　　　　　　　　　　　
    Ishwor Khatri; Qiming Liu; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：53, 号：11, 2014年11月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.53.110305
    DOI ID：10.7567/JJAP.53.110305, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：84909957557, Web of Science ID：WOS:000346462200005
  • 霧化塗布法PEDOT:PSSのテクスチャーSi上へのミスト輸送,基板付着過程の診断 Ⅱ　　　　　　　　　　　　　　　
    大木 達也; 菅原 広充; 市川 浩気; 古 佩儒; 藤山 和彦; 花尻 達郎; 石川 良; 上野 啓司; 孫 建文; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.2, 開始ページ：3474, 終了ページ：3474, 2014年09月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3474
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3474, eISSN：2436-7613
  • 酸化亜鉛ナノ粒子を電子輸送層とするペロブスカイト太陽電池(2)　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 山中 孝紀; 本多 善太郎; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.2, 開始ページ：2494, 終了ページ：2494, 2014年09月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_2494
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_2494, eISSN：2436-7613
  • 酸化物層挿入によるSi/PEDOT:PSSヘテロ接合太陽電池の高性能化　　　　　　　　　　　　　　　
    八木 大地; 武居 雄輝; 石川 良; 白井 肇; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.2, 開始ページ：2434, 終了ページ：2434, 2014年09月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_2434
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_2434, eISSN：2436-7613
  • Si/PEDOT:PSS ヘテロ接合太陽電池の光照射下での劣化　　　　　　　　　　　　　　　
    武居 雄輝; 八木 大地; 石川 良; 白井 肇; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.2, 開始ページ：2419, 終了ページ：2419, 2014年09月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_2419
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_2419, eISSN：2436-7613
  • PEDOT:PSS/多結晶Si接合太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    劉 奇明; 大木 達也; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.2, 開始ページ：3460, 終了ページ：3460, 2014年09月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3460
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3460, eISSN：2436-7613
  • Improved photovoltaic response by incorporating green tea modified multiwalled carbon nanotubes in organic-inorganic hybrid solar cell　　　　　　　　　　　　　　　
    Ishwor Khatri; Qiming Liu; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS, 巻：92, 号：7-8, 開始ページ：849, 終了ページ：852, 2014年07月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1139/cjp-2013-0506
    DOI ID：10.1139/cjp-2013-0506, ISSN：0008-4204, eISSN：1208-6045, SCOPUS ID：84904297439, Web of Science ID：WOS:000339379500064
  • Self assembled silver nanowire mesh as top electrode for organic-inorganic hybrid solar cell　　　　　　　　　　　　　　　
    Ishwor Khatri; Qiming Liu; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS, 巻：92, 号：7-8, 開始ページ：867, 終了ページ：870, 2014年07月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1139/cjp-2013-0564
    DOI ID：10.1139/cjp-2013-0564, ISSN：0008-4204, eISSN：1208-6045, SCOPUS ID：84904317577, Web of Science ID：WOS:000339379500068
  • Self-assembled silver nanowires as top electrode for poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly(stylenesulfonate)/n-silicon solar cell　　　　　　　　　　　　　　　
    Ishwor Khatri; Ayo Hoshino; Fumiya Watanabe; Qiming Liu; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    THIN SOLID FILMS, 巻：558, 開始ページ：306, 終了ページ：310, 2014年05月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/j.tsf.2014.02.073
    DOI ID：10.1016/j.tsf.2014.02.073, ISSN：0040-6090, SCOPUS ID：84898785080, Web of Science ID：WOS:000334314100047
  • Ambipolar MoTe2 Transistors and Their Applications in Logic Circuits　　　　　　　　　　　　　　　
    Yen-Fu Lin; Yong Xu; Sheng-Tsung Wang; Song-Lin Li; Mahito Yamamoto; Alex Aparecido-Ferreira; Wenwu Li; Huabin Sun; Shu Nakaharai; Wen-Bin Jian; Keiji Ueno; Kazuhito Tsukagoshi
    ADVANCED MATERIALS, 巻：26, 号：20, 開始ページ：3263, 終了ページ：+, 2014年05月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1002/adma.201305845
    DOI ID：10.1002/adma.201305845, ISSN：0935-9648, eISSN：1521-4095, SCOPUS ID：84901493242, Web of Science ID：WOS:000336999800012
  • Strong Enhancement of Raman Scattering from a Bulk-Inactive Vibrational Mode in Few-Layer MoTe2　　　　　　　　　　　　　　　
    Mahito Yamamoto; Sheng Tsung Wang; Meiyan Ni; Yen-Fu Lin; Song-Lin Li; Shinya Aikawa; Wen-Bin Jian; Keiji Ueno; Katsunori Wakabayashi; Kazuhito Tsukagoshi
    ACS NANO, 巻：8, 号：4, 開始ページ：3895, 終了ページ：3903, 2014年04月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/nn5007607
    DOI ID：10.1021/nn5007607, ISSN：1936-0851, eISSN：1936-086X, SCOPUS ID：84899451693, Web of Science ID：WOS:000334990600087
  • 結晶Si/PEDOT:PSS系へテロ接合太陽電池性能因子の面内分布評価　　　　　　　　　　　　　　　
    劉 奇明; 大木 達也; 柿沼 貴之; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.1, 開始ページ：3530, 終了ページ：3530, 2014年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3530
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3530, eISSN：2436-7613
  • (CH3NH3)PbI3薄膜の合成と光電物性　　　　　　　　　　　　　　　
    山中 孝紀; 渡辺 恭平; 劉 奇明; 石川 良; 本田 善太郎; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.1, 開始ページ：2239, 終了ページ：2239, 2014年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2239
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2239, eISSN：2436-7613
  • 霧化塗布法による結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池性能因子の面内分布評価　　　　　　　　　　　　　　　
    大木 達也; 宮内 直人; 菅原 広充; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.1, 開始ページ：3529, 終了ページ：3529, 2014年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3529
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3529, eISSN：2436-7613
  • 酸化亜鉛ナノ粒子を電子輸送層とするペロブスカイト太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 山中 考紀; 本多 善太郎; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.1, 開始ページ：2446, 終了ページ：2446, 2014年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2446
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2446, eISSN：2436-7613
  • 霧化塗布PEDOT:PSSミスト輸送時の気相診断と塗布形態　　　　　　　　　　　　　　　
    菅原 広充; 宮内 直人; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.1, 開始ページ：3528, 終了ページ：3528, 2014年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3528
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3528, eISSN：2436-7613
  • 分光エリプソメトリーによる酸化グラフェン霧化塗布過程のその場計測　　　　　　　　　　　　　　　
    船田 修司; 日當 大我; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.1, 開始ページ：3631, 終了ページ：3631, 2014年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3631
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3631, eISSN：2436-7613
  • 結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池へのa-Si:H層挿入効果　　　　　　　　　　　　　　　
    渡辺 恭平; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.1, 開始ページ：3565, 終了ページ：3565, 2014年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3565
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3565, eISSN：2436-7613
  • Cu基板上に塗布製膜した固体前駆体からの通電加熱グラフェン製膜　　　　　　　　　　　　　　　
    馬場 智矢; 斉木 幸一朗; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.1, 開始ページ：3606, 終了ページ：3606, 2014年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3606
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3606, eISSN：2436-7613
  • Real-time measurement of optical anisotropy during film growth using a chemical mist deposition of poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)　　　　　　　　　　　　　　　
    T. Hiate; N. Miyauchi; Q. Liu; R. Ishikawa; K. Ueno; H. Shirai
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：115, 号：12, 2014年03月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4869956
    DOI ID：10.1063/1.4869956, ISSN：0021-8979, eISSN：1089-7550, SCOPUS ID：84898045854, Web of Science ID：WOS:000333901100023
  • 原子層エレクトロニクスに向けたカルコゲナイド系層状物質の基礎物性と薄膜形成手法　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司; 塚越一仁
    応用物理, 巻：83, 号：4, 開始ページ：274, 終了ページ：278, 2014年, ［査読有り］
    応用物理学会, 日本語
    ISSN：0369-8009, CiNii Articles ID：40020062119, CiNii Books ID：AN00026679, ORCID：35732259
  • Solution-processed graphene oxide as a possible material for photovoltaic device　　　　　　　　　　　　　　　
    Shirai, H.; Ueno, K.
    Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, 巻：97, 号：3, 開始ページ：215, 終了ページ：221, 2014年01月
    研究論文（学術雑誌）
    ISSN：0913-5693, ORCID：33901965, SCOPUS ID：84901430610
  • Optical and carrier transport properties of graphene oxide based crystalline-Si/organic Schottky junction solar cells
    I. Khatri; Z. Tang; T. Hiate; Q. Liu; R. Ishikawa; K. Ueno; H. Shirai
    Journal of Applied Physics, 巻：114, 号：23, 2013年12月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4847515
    DOI ID：10.1063/1.4847515, ISSN：0021-8979, SCOPUS ID：84891389994
  • Improved photovoltaic performance of crystalline-Si/organic Schottky junction solar cells using ferroelectric polymers　　　　　　　　　　　　　　　
    Q. Liu; I. Khatri; R. Ishikawa; A. Fujimori; K. Ueno; K. Manabe; H. Nishino; H. Shirai
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：103, 号：16, 2013年10月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4826323
    DOI ID：10.1063/1.4826323, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118, SCOPUS ID：84886421198, Web of Science ID：WOS:000326148700086
  • 結晶Si/PEDOT:PSSへテロ接合太陽電池の水素パッシベーション効果　　　　　　　　　　　　　　　
    渡辺 恭平; 山中 孝紀; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.2, 開始ページ：4218, 終了ページ：4218, 2013年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_4218
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_4218, eISSN：2436-7613
  • パリレン積層膜による結晶Si/PEDOT:PSSヘテロ接合太陽電池の耐久性向上　　　　　　　　　　　　　　　
    武居 雄輝; 石川 良; 白井 肇; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.2, 開始ページ：3338, 終了ページ：3338, 2013年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3338
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3338, eISSN：2436-7613
  • 基板面方位による結晶Si/PEDOT:PSSヘテロ接合太陽電池の特性変化　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 柴山 拓; 白井 肇; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.2, 開始ページ：3332, 終了ページ：3332, 2013年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3332
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3332, eISSN：2436-7613
  • 分光エリプソメトリーにおける酸化グラフェンの評価　　　　　　　　　　　　　　　
    船田 修司; 日當 大我; 上野 啓司; 石川 良; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.2, 開始ページ：4266, 終了ページ：4266, 2013年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_4266
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_4266, eISSN：2436-7613
  • 酸化チタンナノ粒子を電子輸送層とする逆型有機薄膜太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 白井 肇; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.2, 開始ページ：3377, 終了ページ：3377, 2013年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3377
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3377, eISSN：2436-7613
  • Optical anisotropy in solvent-modified poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly(styrenesulfonic acid) and its effect on the photovoltaic performance of crystalline silicon/organic heterojunction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Qiming Liu; Takashi Imamura; Taiga Hiate; Ishwor Khatri; Zeguo Tang; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：102, 号：24, 2013年06月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4811355
    DOI ID：10.1063/1.4811355, ISSN：0003-6951, SCOPUS ID：84879820777, Web of Science ID：WOS:000320962400113
  • Effects of molybdenum oxide molecular doping on the chemical structure of poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(stylenesulfonate) and on carrier collection efficiency of silicon/poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly(stylenesulfonate) heterojunction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Q. Liu; I. Khatri; R. Ishikawa; K. Ueno; H. Shirai
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：102, 号：18, 2013年05月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4804298
    DOI ID：10.1063/1.4804298, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118, SCOPUS ID：84877775124, Web of Science ID：WOS:000320439900081
  • 可溶性グラフェンを基盤材料に用いたZnO系TFT　　　　　　　　　　　　　　　
    柿沼 貴之; 菊池 智大; 菅沼 洸一; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.1, 開始ページ：3517, 終了ページ：3517, 2013年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3517
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3517, eISSN：2436-7613
  • Agナノワイヤーand MWCNTsを用いたc-Si/PEDOT:PSS接合太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    渡邊 郁弥; 星野 彩; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.1, 開始ページ：2484, 終了ページ：2484, 2013年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2484
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2484, eISSN：2436-7613
  • 酸化グラフェンをテンプレートに利用した薄膜SiおよびAZO剥離転写　　　　　　　　　　　　　　　
    渡辺 恭平; 越野 秀人; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.1, 開始ページ：3450, 終了ページ：3450, 2013年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3450
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3450, eISSN：2436-7613
  • Si ナノワイヤ配列の形成と PEDOT:PSS の埋め込みプロセス　　　　　　　　　　　　　　　
    今村 教嗣; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.1, 開始ページ：2544, 終了ページ：2544, 2013年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2544
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2544, eISSN：2436-7613
  • 可溶性酸化グラフェンを基盤材料とした結晶Si系太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    星野 彩; 渡邊 郁弥; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.1, 開始ページ：3484, 終了ページ：3484, 2013年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3484
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3484, eISSN：2436-7613
  • MoO3添加PEDOT:PSSの微細構造と結晶Si系太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    劉 奇明; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.1, 開始ページ：2485, 終了ページ：2485, 2013年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2485
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2485, eISSN：2436-7613
  • PEDOT:PSSの光学異方性と結晶Si接合系太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 恭兵; 日當 大我; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.1, 開始ページ：2543, 終了ページ：2543, 2013年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2543
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2543, eISSN：2436-7613
  • 酸化亜鉛ナノ粒子を電子輸送層とする逆型有機薄膜太陽電池(2)　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 白井 肇; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.1, 開始ページ：2541, 終了ページ：2541, 2013年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2541
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2541, eISSN：2436-7613
  • Efficient Organic Photovoltaic Cells Using MoO3 Hole-Transporting Layers Prepared by Simple Spin-Cast of Its Dispersion Solution in Methanol　　　　　　　　　　　　　　　
    Mayuko Kishi; Yosuke Kubo; Ryo Ishikawa; Hajime Shirai; Keiji Ueno
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：52, 号：2, 2013年02月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.52.020202
    DOI ID：10.7567/JJAP.52.020202, ISSN：0021-4922, SCOPUS ID：84874145843, Web of Science ID：WOS:000314466800002
  • Green-tea modified multiwalled carbon nanotubes for efficient poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(stylenesulfonate)/n-silicon hybrid solar cell　　　　　　　　　　　　　　　
    Ishwor Khatri; Zeguo Tang; Qiming Liu; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：102, 号：6, 2013年02月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4792691
    DOI ID：10.1063/1.4792691, ISSN：0003-6951, SCOPUS ID：84874255755, Web of Science ID：WOS:000315053300101
  • High-performance top-gated monolayer SnS2 field-effect transistors and their integrated logic circuits　　　　　　　　　　　　　　　
    H. S. Song; S. L. Li; L. Gao; Y. Xu; K. Ueno; J. Tang; Y. B. Cheng; K. Tsukagoshi
    NANOSCALE, 巻：5, 号：20, 開始ページ：9666, 終了ページ：9670, 2013年
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1039/c3nr01899g
    DOI ID：10.1039/c3nr01899g, ISSN：2040-3364, eISSN：2040-3372, SCOPUS ID：84884862198, Web of Science ID：WOS:000325005500032
  • Top-Contacted Organic Field-Effect Transistors with Graphene Electrodes Prepared by Laminate Transfer Method　　　　　　　　　　　　　　　
    Koichi Suganuma; Takuya Gotou; Keiji Ueno
    APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：5, 号：12, 2012年12月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/APEX.5.125104
    DOI ID：10.1143/APEX.5.125104, ISSN：1882-0778, SCOPUS ID：84871267851, Web of Science ID：WOS:000312000800021
  • Increased Organic Photovoltaic Cell Efficiency by Incorporating a Nonionic Fluorinated Surfactant Cathode Interlayer　　　　　　　　　　　　　　　
    Ryo Ishikawa; Hajime Shirai; Keiji Ueno
    APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：5, 号：12, 2012年12月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/APEX.5.121601
    DOI ID：10.1143/APEX.5.121601, ISSN：1882-0778, SCOPUS ID：84871261851, Web of Science ID：WOS:000312000800003
  • Crystalline Silicon/Graphene Oxide Hybrid Junction Solar Cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Qiming Liu; Fumiya Wanatabe; Aya Hoshino; Ryo Ishikawa; Takuya Gotou; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：51, 号：10, 2012年10月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.51.10NE22
    DOI ID：10.1143/JJAP.51.10NE22, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：84869120444, Web of Science ID：WOS:000310707800114
  • Electrospray-Deposited Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):Poly(styrene sulfonate) for Poly(3-hexylthiophene):Phenyl-C-61-Butyric Acid Methyl Ester Photovoltaic Cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Taiga Hiate; Tomohisa Ino; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：51, 号：10, 2012年10月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.51.10NE30
    DOI ID：10.1143/JJAP.51.10NE30, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：84869115119, Web of Science ID：WOS:000310707800122
  • Real-time ellipsometric characterization of the initial growth stage of poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) films by electrospray deposition using N,N-dimethylformamide solvent solution　　　　　　　　　　　　　　　
    Tomohisa Ino; Taiga Hiate; Takeshi Fukuda; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 巻：358, 号：17, 開始ページ：2520, 終了ページ：2524, 2012年09月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2012.01.055
    DOI ID：10.1016/j.jnoncrysol.2012.01.055, ISSN：0022-3093, eISSN：1873-4812, SCOPUS ID：84865702464, Web of Science ID：WOS:000310394700142
  • 酸化グラフェン(GO)薄片のC2H2/Arプラズマ処理による低抵抗化　　　　　　　　　　　　　　　
    渡邊 郁弥; 星野 彩; 菅沼 洸一; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2012.2, 開始ページ：3603, 終了ページ：3603, 2012年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_3603
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_3603, eISSN：2436-7613
  • Siテクスチャー上の結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    宮内 直人; 今村 教嗣; 劉 奇明; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2012.2, 開始ページ：2602, 終了ページ：2602, 2012年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_2602
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_2602, eISSN：2436-7613
  • 結晶Ｓｉ上の霧化塗布(CMD)法によるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ製膜　　　　　　　　　　　　　　　
    今村 教嗣; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2012.2, 開始ページ：2600, 終了ページ：2600, 2012年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_2600
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_2600, eISSN：2436-7613
  • フッ素系界面活性剤層の挿入による有機薄膜太陽電池の性能向上　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 白井 肇; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2012.2, 開始ページ：2568, 終了ページ：2568, 2012年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_2568
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_2568, eISSN：2436-7613
  • Electrospray Deposition of Poly(3-hexylthiophene) Films for Crystalline Silicon/Organic Hybrid Junction Solar Cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Tomohisa Ino; Masahiro Ono; Naoto Miyauchi; Qiming Liu; Zeguo Tang; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：51, 号：6, 2012年06月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.51.061602
    DOI ID：10.1143/JJAP.51.061602, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：84863329516, Web of Science ID：WOS:000305135200010
  • Highly efficient crystalline silicon/Zonyl fluorosurfactant-treated organic heterojunction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Qiming Liu; Masahiro Ono; Zeguo Tang; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：100, 号：18, 2012年04月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4709615
    DOI ID：10.1063/1.4709615, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118, SCOPUS ID：84862542199, Web of Science ID：WOS:000303598600067
  • Efficient Crystalline Si/Poly(ethylene dioxythiophene): Poly(styrene sulfonate): Graphene Oxide Composite Heterojunction Solar Cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Masahiro Ono; Zeguo Tang; Ryo Ishikawa; Takuya Gotou; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：5, 号：3, 2012年03月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/APEX.5.032301
    DOI ID：10.1143/APEX.5.032301, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, SCOPUS ID：84858675339, Web of Science ID：WOS:000301344400014
  • 酸化グラフェンを正孔輸送層とする有機薄膜太陽電池素子のUV-O3処理による性能向上　　　　　　　　　　　　　　　
    久保 洋輔; 石川 良; 白井 肇; 後藤 拓也; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2012.1, 開始ページ：2772, 終了ページ：2772, 2012年02月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_2772
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_2772, eISSN：2436-7613
  • 結晶Si/PEDOT:PSS:GOへテロ接合素子のキャリア輸送特性　　　　　　　　　　　　　　　
    唐 澤国; 小野 正浩; 猪野 智久; 石川 良; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2012.1, 開始ページ：427, 終了ページ：427, 2012年02月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_427
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_427, eISSN：2436-7613
  • Ionic liquid-mediated epitaxy of high-quality C-60 crystallites in a vacuum　　　　　　　　　　　　　　　
    Yoko Takeyama; Shingo Maruyama; Hiroki Taniguchi; Mitsuru Itoh; Keiji Ueno; Yuji Matsumoto
    CRYSTENGCOMM, 巻：14, 号：15, 開始ページ：4939, 終了ページ：4945, 2012年
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1039/c2ce25163a
    DOI ID：10.1039/c2ce25163a, ISSN：1466-8033, SCOPUS ID：84863705273, Web of Science ID：WOS:000305999500009
  • Chemical mist deposition of graphene oxide and PEDOT:PSS films for crystalline Si/organic heterojunction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Ishwor Khatri; Takashi Imamura; Akira Uehara; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 10-11, 巻：9, 号：10-11, 開始ページ：2134, 終了ページ：2137, 2012年
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201200132
    DOI ID：10.1002/pssc.201200132, ISSN：1862-6351, SCOPUS ID：84867947008, Web of Science ID：WOS:000314688000059
  • Efficient crystalline Si/organic hybrid heterojunction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Qiming Liu; Ishwor Khatri; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 10-11, 巻：9, 号：10-11, 開始ページ：2101, 終了ページ：2106, 2012年
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201200131
    DOI ID：10.1002/pssc.201200131, ISSN：1862-6351, SCOPUS ID：84867952936, Web of Science ID：WOS:000314688000051
  • Poly(3-hexylthiophene) films by electrospray deposition for crystalline silicon/organic hybrid junction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Taiga Hiate; Naoto Miyauchi; Zeguo Tang; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 10-11, 巻：9, 号：10-11, 開始ページ：2071, 終了ページ：2074, 2012年
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201200129
    DOI ID：10.1002/pssc.201200129, ISSN：1862-6351, SCOPUS ID：84867942138, Web of Science ID：WOS:000314688000044
  • Optical properties and carrier transport in c-Si/conductive PEDOT:PSS(GO) composite heterojunctions　　　　　　　　　　　　　　　
    Zeguo Tang; Qiming Liu; Ishwor Khatri; Ryo Ishikawa; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 10-11, 巻：9, 号：10-11, 開始ページ：2075, 終了ページ：2078, 2012年
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201200130
    DOI ID：10.1002/pssc.201200130, ISSN：1862-6351, SCOPUS ID：84867935974, Web of Science ID：WOS:000314688000045
  • Solution Processed Graphene Transparent Conductive Film
    Keiji Ueno
    2012 19TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD): TFT TECHNOLOGIES AND FPD MATERIALS, 開始ページ：49, 終了ページ：52, 2012年
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    SCOPUS ID：84867908879, Web of Science ID：WOS:000326894500013
  • Surface Modification of Poly(3,4-ethylene dioxthiophene):Poly(styrene sulfonic acid) (PEDOT:PSS) Films by Atmospheric-Pressure Argon Plasma for Organic Thin-Film Solar Cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Tomohisa Mo; Tatsuya Hayashi; Takeshi Fukuda; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 巻：11, 号：9, 開始ページ：8035, 終了ページ：8039, 2011年09月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1166/jnn.2011.5065
    DOI ID：10.1166/jnn.2011.5065, ISSN：1533-4880, eISSN：1533-4899, SCOPUS ID：84856850669, Web of Science ID：WOS:000296209900070
  • Real-Time Ellipsometric Characterization of the Initial Growth Stage of Poly(3,4-ethylene dioxythiophene): Poly(styrene sulfonic acid) Films by Electrospray Deposition　　　　　　　　　　　　　　　
    Tomohisa Ino; Takashi Asano; Takeshi Fukuda; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 巻：11, 号：9, 開始ページ：8030, 終了ページ：8034, 2011年09月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1166/jnn.2011.5064
    DOI ID：10.1166/jnn.2011.5064, ISSN：1533-4880, eISSN：1533-4899, SCOPUS ID：84856894365, Web of Science ID：WOS:000296209900069
  • 有機薄膜太陽電池の光電変換層へのグラフェンドーピング効果（2）　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 後藤 拓也; 白井 肇; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2011.2, 開始ページ：2161, 終了ページ：2161, 2011年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_2161
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_2161, eISSN：2436-7613
  • Depth Profile Characterization of Spin-Coated Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):Poly(styrene sulfonic acid) Films for Thin-Film Solar Cells during Argon Plasma Etching by Spectroscopic Ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
    Tomohisa Ino; Tatsuya Hayashi; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：50, 号：8, 2011年08月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.50.08JG02
    DOI ID：10.1143/JJAP.50.08JG02, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：80051969829, Web of Science ID：WOS:000294339500045
  • Real-Time Ellipsometric Characterization of Initial Growth Stage of Poly(3,4-ethylene dioxythiophene):Poly(styrene sulfonic acid) Films by Electrospray Deposition　　　　　　　　　　　　　　　
    Tomohisa Ino; Takashi Asano; Takeshi Fukuda; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：50, 号：8, 2011年08月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.50.081603
    DOI ID：10.1143/JJAP.50.081603, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：80051974504, Web of Science ID：WOS:000294336600032
  • Atmospheric-pressure argon plasma etching of spin-coated 3,4-polyethylenedioxythiophene:polystyrenesulfonic acid (PEDOT:PSS) films for cupper phtalocyanine (CuPc)/C-60 heterojunction thin-film solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Tomohisa Ino; Tatsuya Hayashi; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    THIN SOLID FILMS, 巻：519, 号：20, 開始ページ：6834, 終了ページ：6839, 2011年08月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.04.042
    DOI ID：10.1016/j.tsf.2011.04.042, ISSN：0040-6090, SCOPUS ID：80051547199, Web of Science ID：WOS:000294790900043
  • Bulk heterojunction organic photovoltaic cell fabricated by the electrospray deposition method using mixed organic solvent　　　　　　　　　　　　　　　
    Takeshi Fukuda; Kenji Takagi; Takashi Asano; Zentaro Honda; Norihiko Kamata; Keiji Ueno; Hajime Shirai; Jungmyoung Ju; Yutaka Yamagata; Yusuke Tajima
    PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 巻：5, 号：7, 開始ページ：229, 終了ページ：231, 2011年07月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1002/pssr.201105232
    DOI ID：10.1002/pssr.201105232, ISSN：1862-6254, SCOPUS ID：79959962240, Web of Science ID：WOS:000293595100005
  • Efficient Organic Photovoltaic Cells Using Hole-Transporting MoO3 Buffer Layers Converted from Solution-Processed MoS2 Films　　　　　　　　　　　　　　　
    Shogo Kato; Ryo Ishikawa; Yosuke Kubo; Hajime Shirai; Keiji Ueno
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：50, 号：7, 2011年07月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.50.071604
    DOI ID：10.1143/JJAP.50.071604, ISSN：0021-4922, SCOPUS ID：79960694667, Web of Science ID：WOS:000292878200045
  • DMSOドープPEDOT:PSSをTCOに用いたCuPc/C60へテロ接合型太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    村松 義之; 林 達也; 猪野 智久; 石川 良; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2011.1, 開始ページ：2802, 終了ページ：2802, 2011年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_2802
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_2802, eISSN：2436-7613
  • 有機薄膜太陽電池の光電変換層へのグラフェンドーピング効果　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 後藤 拓也; 白井 肇; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2011.1, 開始ページ：2781, 終了ページ：2781, 2011年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_2781
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_2781, eISSN：2436-7613
  • Fabrication of Transparent and Flexible Organic Field-Effect Transistors with Solution-Processed Graphene Source-Drain and Gate Electrodes　　　　　　　　　　　　　　　
    Koichi Suganuma; Shunichiro Watanabe; Takuya Gotou; Keiji Ueno
    APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：4, 号：2, 2011年02月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/APEX.4.021603
    DOI ID：10.1143/APEX.4.021603, ISSN：1882-0778, SCOPUS ID：79951588162, Web of Science ID：WOS:000287378800011
  • Depth profile characterization of spin-coated poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonic acid) (PEDOT:PSS) films by spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
    Tomohisa Ino; Tatsuya Hayashi; Takeshi Fukuda; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 10, 巻：8, 号：10, 開始ページ：3025, 終了ページ：3028, 2011年
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201001218
    DOI ID：10.1002/pssc.201001218, ISSN：1862-6351, SCOPUS ID：80053599990, Web of Science ID：WOS:000301591500013
  • 酸化グラフェンを正孔輸送層に用いたCuPc/C60太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    林 達也; 猪野 智久; 村松 義之; 久保 洋輔; 石川 良; 後藤 拓也; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2010.2, 開始ページ：2115, 終了ページ：2115, 2010年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_2115
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_2115, eISSN：2436-7613
  • CuPc/C60太陽電池素子性能におけるPEDOT:PSSの低温プラズマ処理効果　　　　　　　　　　　　　　　
    猪野 智久; 林 達也; 石川 良; 菅沼 洸一; 上野 啓司; 白井 肇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2010.2, 開始ページ：2130, 終了ページ：2130, 2010年08月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_2130
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_2130, eISSN：2436-7613
  • 化学的薄片剥離により形成したグラフェン薄膜の電子エネルギー損失分光測定(2):還元状態の深さ方向解析　　　　　　　　　　　　　　　
    石川 良; 吉田 雅史; 斉木 幸一朗; 後藤 拓也; 上野 啓司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2010.1, 開始ページ：3784, 終了ページ：3784, 2010年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3784
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3784, eISSN：2436-7613
  • プラズマ処理PEDOT:PSS基板上 CuPc/C60太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
    林 達也; 猪野 智久; 白井 肇; 上野 啓司; 石川 良
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2010.1, 開始ページ：2383, 終了ページ：2383, 2010年03月
    公益社団法人 応用物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2383
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_2383, eISSN：2436-7613
  • Origin of the ambipolar operation of a pentacene field-effect transistor fabricated on a poly(vinyl alcohol)-coated Ta2O5 gate dielectric with Au source/drain electrodes　　　　　　　　　　　　　　　
    Satoko Takebayashi; Shigeomi Abe; Koichiro Saiki; Keiji Ueno
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：94, 号：8, 2009年02月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.3089692
    DOI ID：10.1063/1.3089692, ISSN：0003-6951, SCOPUS ID：61349094005, Web of Science ID：WOS:000263804400079
  • 27aYH-8 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))　　　　　　　　　　　　　　　
    小幡 誠司; 佐藤 裕樹; 白石 淳子; 服部 功三; 吉田 雅史; 上野 啓司; 斉木 幸一朗
    日本物理学会講演概要集, 巻：64.1.4, 開始ページ：812, 2009年
    一般社団法人 日本物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.64.1.4.0_812_3
    DOI ID：10.11316/jpsgaiyo.64.1.4.0_812_3, eISSN：2189-0803, CiNii Articles ID：110007372761
  • Step-bunched Bi-terminated Si(111) surfaces as a nanoscale orientation template for quasisingle crystalline epitaxial growth of thin film phase pentacene　　　　　　　　　　　　　　　
    Toshihiro Shimada; Manabu Ohtomo; Tadamasa Suzuki; Tetsuya Hasegawa; Keiji Ueno; Susumu Ikeda; Koichiro Saiki; Miho Sasaki; Katsuhiko Inaba
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：93, 号：22, 開始ページ：223303, 2008年12月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.3040309
    DOI ID：10.1063/1.3040309, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118, CiNii Articles ID：80020068364, SCOPUS ID：57349166529, Web of Science ID：WOS:000261430600074
  • Nucleation on the substrate surfaces during liquid flux-mediated vacuum deposition of rubrene　　　　　　　　　　　　　　　
    Toshihiro Shimada; Yui Ishii; Keiji Ueno; Tetsuya Hasegawa
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：311, 号：1, 開始ページ：163, 終了ページ：166, 2008年12月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.10.096
    DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2008.10.096, ISSN：0022-0248, SCOPUS ID：57649215856, Web of Science ID：WOS:000262796500032
  • Nanotransfer of the Polythiophene Molecular Alignment onto the Step-Bunched Vicinal Si(111) Substrate　　　　　　　　　　　　　　　
    Ryo Onoki; Genki Yoshikawa; Yuki Tsuruma; Susumu Ikeda; Koichiro Saiki; Keiji Ueno
    LANGMUIR, 巻：24, 号：20, 開始ページ：11605, 終了ページ：11610, 2008年10月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/la8016722
    DOI ID：10.1021/la8016722, ISSN：0743-7463, CiNii Articles ID：80019928706, PubMed ID：18778089, SCOPUS ID：55549094431, Web of Science ID：WOS:000260049300039
  • Molecular layer-by-layer growth of C-60 thin films by continuous-wave infrared laser deposition　　　　　　　　　　　　　　　
    Seiichiro Yaginuma; Kenji Itaka; Masamitsu Haemori; Masao Katayama; Keiji Ueno; Tsuyoshi Ohnishi; Mikk Lippmaa; Yuji Matsumoto; Hideomi Koinuma
    APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：1, 号：1, 開始ページ：015005-1-015005-3, 2008年01月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/APEX.1.015005
    DOI ID：10.1143/APEX.1.015005, ISSN：1882-0778, SCOPUS ID：57049104631, Web of Science ID：WOS:000255452500034
  • Effect of organic buffer layer on performance of pentacene field-effect transistor fabricated on natural mica gate dielectric　　　　　　　　　　　　　　　
    Akira Matsumoto; Ryo Onoki; Susumu Ikeda; Koichiro Saiki; Keiji Ueno
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 巻：46, 号：36-40, 開始ページ：L913, 終了ページ：L916, 2007年10月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.46.L913
    DOI ID：10.1143/JJAP.46.L913, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：120001370972, SCOPUS ID：36048995921, Web of Science ID：WOS:000250535600017
  • Orientation control of standing epitaxial pentacene monolayers using surface steps and inplane band dispersion analysis by angle resolved photoelectron spectroscopy
    Tadamasa Suzuki; Toshihiro Shimada; Keiji Ueno; Susumu Ikeda; Koichiro Saiki; Tetsuya Hasegawa
    Materials Research Society Symposium Proceedings, 巻：965, 開始ページ：380, 終了ページ：385, 2006年12月
    Springer Science and Business Media LLC, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1557/proc-0965-s06-19
    DOI ID：10.1557/proc-0965-s06-19, ISSN：0272-9172, eISSN：1946-4274, SCOPUS ID：40949147723
  • Structure of organic thin films grown on surface-modified tantalum oxide　　　　　　　　　　　　　　　
    Ryo Onoki; Shigeomi Abe; Keiji Ueno; Hiroo Nakahara; Koichiro Saiki
    CHEMISTRY LETTERS, 巻：35, 号：7, 開始ページ：746, 終了ページ：747, 2006年07月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1246/cl.2006.746
    DOI ID：10.1246/cl.2006.746, ISSN：0366-7022, eISSN：1348-0715, SCOPUS ID：33749340028, Web of Science ID：WOS:000240439900026
  • In-situ measurement of molecular orientation of the pentacene ultrathin films grown on SiO2 substrates　　　　　　　　　　　　　　　
    Genki Yoshikawa; Tetsuhiko Miyadera; Ryo Onoki; Keiji Ueno; Ikuyo Nakai; Shiro Entani; Susumu Ikeda; Dong Guo; Manabu Kiguchi; Hiroshi Kondoh; Toshiaki Ohta; Koichiro Saiki
    SURFACE SCIENCE, 巻：600, 号：12, 開始ページ：2518, 終了ページ：2522, 2006年06月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/j.susc.2006.04.012
    DOI ID：10.1016/j.susc.2006.04.012, ISSN：0039-6028, CiNii Articles ID：120001370595, SCOPUS ID：33744992043, Web of Science ID：WOS:000238893800016
  • Anisotropic polymerization of a long-chain diacetylene derivative Langmuir-Blodgett film on a step-bunched SiO2/Si surface　　　　　　　　　　　　　　　
    R Onoki; K Ueno; H Nakahara; G Yoshikawa; S Ikeda; S Entani; T Miyadera; Nakai, I; H Kondoh; T Ohta; M Kiguchi; K Saiki
    LANGMUIR, 巻：22, 号：13, 開始ページ：5742, 終了ページ：5747, 2006年06月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/la060482d
    DOI ID：10.1021/la060482d, ISSN：0743-7463, SCOPUS ID：33745746059, Web of Science ID：WOS:000238217000039
  • Fabrication of an organic field-effect transistor on a mica gate dielectric　　　　　　　　　　　　　　　
    Akira Matsumoto; Ryo Onoki; Keiji Ueno; Susumu Ikeda; Koichiro Saiki
    CHEMISTRY LETTERS, 巻：35, 号：4, 開始ページ：354, 終了ページ：355, 2006年04月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1246/cl.2006.354
    DOI ID：10.1246/cl.2006.354, ISSN：0366-7022, eISSN：1348-0715, SCOPUS ID：33745840149, Web of Science ID：WOS:000237721500005
  • Anodization of electrolytically polished Ta surfaces for enhancement of carrier injection into organic field-effect transistors　　　　　　　　　　　　　　　
    K Ueno; S Abe; R Onoki; K Saiki
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：98, 号：11, 開始ページ：114503-1-114503-5, 2005年12月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.2138807
    DOI ID：10.1063/1.2138807, ISSN：0021-8979, eISSN：1089-7550, SCOPUS ID：29144535658, Web of Science ID：WOS:000234119600088
  • Bulk-like pentacene epitaxial films on hydrogen-terminated Si(111)　　　　　　　　　　　　　　　
    T Shimada; H Nogawa; T Hasegawa; R Okada; H Ichikawa; K Ueno; K Saiki
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：87, 号：6, 開始ページ：061917, 2005年08月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.2008371
    DOI ID：10.1063/1.2008371, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118, SCOPUS ID：23944444818, Web of Science ID：WOS:000231016900031
  • 26pXC-7 重合方向を制御した長鎖ジアセチレン誘導体LB膜のNEXAFS解析(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))　　　　　　　　　　　　　　　
    小野木 亮; 上野 啓司; 中原 弘雄; 吉川 元起; 池田 進; 木口 学; 中井 郁代; 近藤 寛; 太田 俊明; 斉木 幸一朗
    日本物理学会講演概要集, 巻：60.1.4, 開始ページ：870, 2005年
    一般社団法人 日本物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.60.1.4.0_870_3
    DOI ID：10.11316/jpsgaiyo.60.1.4.0_870_3, eISSN：2189-0803, CiNii Articles ID：110004537383
  • Morphological change of C60 monolayer epitaxial films under photoexcitation　　　　　　　　　　　　　　　
    Y. Yamamoto; H. Ichikawa; K. Ueno; A. Koma; K. Saiki; T. Shimada
    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 巻：70, 号：15, 開始ページ：1, 終了ページ：155415, 2004年10月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.155415
    DOI ID：10.1103/PhysRevB.70.155415, ISSN：0163-1829, SCOPUS ID：37649031320
  • Methyl-terminated Si(111) surface as the ultra thin protection layer to fabricate position-controlled alkyl SAMs by using atomic force microscope anodic oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
    R Okada; T Miyadera; T Shimada; A Koma; K Ueno; K Saiki
    SURFACE SCIENCE, 巻：552, 号：1-3, 開始ページ：46, 終了ページ：52, 2004年03月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.01.026
    DOI ID：10.1016/j.susc.2004.01.026, ISSN：0039-6028, eISSN：1879-2758, CiNii Articles ID：80016549565, SCOPUS ID：1342264254, Web of Science ID：WOS:000220123000009
  • Scanning tunneling microscopy and spectroscopy study of LiBr/Si(001) heterostructure　　　　　　　　　　　　　　　
    M Katayama; K Ueno; A Koma; M Kiguchi; K Saiki
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 巻：43, 号：2A, 開始ページ：L203, 終了ページ：L205, 2004年02月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.43L203
    DOI ID：10.1143/JJAP.43L203, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：150000012948, SCOPUS ID：1942475767, Web of Science ID：WOS:000220092900027
  • Accumulation and depletion layer thicknesses in organic field effect transistors　　　　　　　　　　　　　　　
    M Kiguchi; M Nakayama; K Fujiwara; K Ueno; T Shimada; K Saiki
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 巻：42, 号：12A, 開始ページ：L1408, 終了ページ：L1410, 2003年12月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.42.L1408
    DOI ID：10.1143/JJAP.42.L1408, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：150000012372, SCOPUS ID：0742286297, Web of Science ID：WOS:000187509800002
  • Visible light photoemission and negative electron affinity of single-crystalline CsCl thin films　　　　　　　　　　　　　　　
    G Yoshikawa; M Kiguchi; K Ueno; A Koma; K Saiki
    SURFACE SCIENCE, 巻：544, 号：2-3, 開始ページ：220, 終了ページ：226, 2003年10月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/j.susc.2003.08.016
    DOI ID：10.1016/j.susc.2003.08.016, ISSN：0039-6028, CiNii Articles ID：80016315513, SCOPUS ID：0141959022, Web of Science ID：WOS:000186017900015
  • Nano-scale anodic oxidation on a Si(111) surface terminated by bilayer-GaSe　　　　　　　　　　　　　　　
    K Ueno; R Okada; K Saiki; A Koma
    SURFACE SCIENCE, 巻：514, 号：1-3, 開始ページ：27, 終了ページ：32, 2002年08月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/S0039-6028(02)01603-5
    DOI ID：10.1016/S0039-6028(02)01603-5, ISSN：0039-6028, eISSN：1879-2758, SCOPUS ID：0037055541, Web of Science ID：WOS:000177832500005
  • Fabrication of GaAs Quantum Dots on a Bilayer-GaSe Terminated Si(111) Substrate　　　　　　　　　　　　　　　
    Keiji Ueno; Keiji Ueno; Koichiro Saiki; Atsushi Koma
    Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters, 巻：40, 号：3B, 開始ページ：1888, 終了ページ：1891, 2001年12月
    社団法人応用物理学会, 英語
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.40.1888
    DOI ID：10.1143/JJAP.40.1888, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：150000038119, CiNii Books ID：AA10457675, SCOPUS ID：0035267624
  • Electron-energy-loss spectroscopy of C-60 monolayer films on active and inactive surfaces　　　　　　　　　　　　　　　
    K Iizumi; K Ueno; K Saiki; A Koma
    APPLIED SURFACE SCIENCE, 巻：169, 開始ページ：142, 終了ページ：146, 2001年01月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00740-6
    DOI ID：10.1016/S0169-4332(00)00740-6, ISSN：0169-4332, Web of Science ID：WOS:000167087700028
  • Fabrication of compound-semiconductor quantum dots on a Si(111) substrate terminated by bilayer-GaSe　　　　　　　　　　　　　　　
    K Ueno; K Saiki; A Koma
    PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II, 巻：87, 開始ページ：385, 終了ページ：386, 2001年, ［査読有り］
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    ISSN：0930-8989, Web of Science ID：WOS:000171592800177
  • Low-energy electron energy loss spectroscopy of monolayer and thick La@C-82 films grown on MOS2 substrates　　　　　　　　　　　　　　　
    K Ueno; Y Uchino; K Iizumi; A Koma; K Saiki; Y Inada; K Nagai; Y Iwasa; T Mitani
    NANONETWORK MATERIALS: FULLERENES, NANOTUBES AND RELATED SYSTEMS, 巻：590, 開始ページ：485, 終了ページ：488, 2001年, ［査読有り］
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    ISSN：0094-243X, Web of Science ID：WOS:000176150700115
  • Electron-energy-loss spectroscopy of KxC60 and K-halides: comparison in the K-3p excitation region　　　　　　　　　　　　　　　
    K Ueno; Y Uchino; K Iizumi; K Saiki; A Koma
    APPLIED SURFACE SCIENCE, 巻：169, 開始ページ：184, 終了ページ：187, 2001年01月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/S0169-4332(00)00729-7
    DOI ID：10.1016/S0169-4332(00)00729-7, ISSN：0169-4332, CiNii Articles ID：120001370985, SCOPUS ID：18844471293, Web of Science ID：WOS:000167087700037
  • Investigation of the growth mechanism of an InSe epitaxial layer on a MoS2 substrate　　　　　　　　　　　　　　　
    T Hayashi; K Ueno; K Saiki; A Koma
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：219, 号：1-2, 開始ページ：115, 終了ページ：122, 2000年10月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(00)00627-8
    DOI ID：10.1016/S0022-0248(00)00627-8, ISSN：0022-0248, SCOPUS ID：0037743369, Web of Science ID：WOS:000089675700015
  • Highly sensitive reflection high-energy electron diffraction measurement by use of micro-channel imaging plate　　　　　　　　　　　　　　　
    K Saiki; T Kono; K Ueno; A Koma
    REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 巻：71, 号：9, 開始ページ：3478, 終了ページ：3479, 2000年09月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.1287625
    DOI ID：10.1063/1.1287625, ISSN：0034-6748, CiNii Articles ID：120001370930, SCOPUS ID：0141916970, Web of Science ID：WOS:000089036700036
  • 25aS-4 La@C_<82>薄膜の電子エネルギー損失スペクトル　　　　　　　　　　　　　　　
    内野 康訓; 上野 啓司; 飯泉 謙一; 斉木 幸一朗; 小間 篤; 稲田 康平; 永井 清恵; 岩佐 義宏; 三谷 忠興
    日本物理学会講演概要集, 巻：55.1.4, 開始ページ：740, 2000年
    一般社団法人 日本物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.55.1.4.0_740_2
    DOI ID：10.11316/jpsgaiyo.55.1.4.0_740_2, eISSN：2189-0803, CiNii Articles ID：110001916237
  • 24pPSA-28 Bilaye-GaSe上に形成したGa量子ドットの電子分光　　　　　　　　　　　　　　　
    中原 伴徳; 上野 啓司; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：55.2.4, 開始ページ：778, 2000年
    一般社団法人 日本物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.55.2.4.0_778_2
    DOI ID：10.11316/jpsgaiyo.55.2.4.0_778_2, eISSN：2189-0803, CiNii Articles ID：110002150713
  • Growth and characterization of Ga2Se3/GaAs(100) epitaxial thin films　　　　　　　　　　　　　　　
    K Ueno; M Kawayama; ZR Dai; A Koma; FS Ohuchi
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：207, 号：1-2, 開始ページ：69, 終了ページ：76, 1999年11月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, Web of Science ID：WOS:000083594900011
  • A Novel Method to Fabricate a Molecular Quantum Structure: Selective Growth of C60 on Layered Material Heterostructures　　　　　　　　　　　　　　　
    Keiji Ueno; Kentaro Sasaki; Koichiro Saiki; Atsushi Koma
    Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers, 巻：38, 号：1 B, 開始ページ：511, 終了ページ：514, 1999年
    Japan Society of Applied Physics, 英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.38.511
    DOI ID：10.1143/JJAP.38.511, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：110003955735, SCOPUS ID：0032621059
  • Van der Weals type buffer layers: epitaxial growth of the large lattice mismatch system CdS/InSe/H-Si(111)　　　　　　　　　　　　　　　
    T Loher; K Ueno; A Koma
    APPLIED SURFACE SCIENCE, 巻：130, 開始ページ：334, 終了ページ：339, 1998年06月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    ISSN：0169-4332, Web of Science ID：WOS:000074407600059
  • Fabrication of C(60) nanostructures by selective growth on GaSe/MoS(2) and InSe/MoS(2) heterostructure substrates　　　　　　　　　　　　　　　
    K Ueno; K Sasaki; T Nakahara; A Koma
    APPLIED SURFACE SCIENCE, 巻：130, 開始ページ：670, 終了ページ：675, 1998年06月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/S0169-4332(98)00136-6
    DOI ID：10.1016/S0169-4332(98)00136-6, ISSN：0169-4332, CiNii Articles ID：120001370933, SCOPUS ID：17444440854, Web of Science ID：WOS:000074407600116
  • Nanostructure fabrication using selective growth on nanosize patterns drawn by a scanning probe microscope　　　　　　　　　　　　　　　
    K Sasaki; K Ueno; A Koma
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 巻：36, 号：6B, 開始ページ：4061, 終了ページ：4064, 1997年06月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.36.4061
    DOI ID：10.1143/JJAP.36.4061, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：110003947120, SCOPUS ID：0004786354, Web of Science ID：WOS:000073628300065
  • Investigation of the growth mechanism of layered semiconductor GaSe　　　　　　　　　　　　　　　
    K Ueno; N Takeda; K Sasaki; A Koma
    APPLIED SURFACE SCIENCE, 巻：113, 開始ページ：38, 終了ページ：42, 1997年04月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00837-9
    DOI ID：10.1016/S0169-4332(96)00837-9, ISSN：0169-4332, SCOPUS ID：0031547190, Web of Science ID：WOS:A1997WW85000008
  • Nanostructure fabrication by selective growth of molecular crystals on layered material substrates　　　　　　　　　　　　　　　
    K Ueno; K Sasaki; N Takeda; K Saiki; A Koma
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：70, 号：9, 開始ページ：1104, 終了ページ：1106, 1997年03月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.118498
    DOI ID：10.1063/1.118498, ISSN：0003-6951, CiNii Articles ID：120001370929, SCOPUS ID：0343095886, Web of Science ID：WOS:A1997WL14700015
  • Preparation of GaS thin films by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
    H Yamada; K Ueno; A Koma
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 巻：35, 号：5A, 開始ページ：L568, 終了ページ：L570, 1996年05月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.35.L568
    DOI ID：10.1143/JJAP.35.L568, ISSN：0021-4922, SCOPUS ID：0030142630, Web of Science ID：WOS:A1996UM42300012
  • SCANNING TUNNELING MICROSCOPE OBSERVATION OF THE METAL-ADSORBED LAYERED SEMICONDUCTOR SURFACES　　　　　　　　　　　　　　　
    H ABE; K KATAOKA; K UENO; A KOMA
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 巻：34, 号：6B, 開始ページ：3342, 終了ページ：3345, 1995年06月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.34.3342
    DOI ID：10.1143/JJAP.34.3342, ISSN：0021-4922, SCOPUS ID：0029327415, Web of Science ID：WOS:A1995RH68400007
  • VAN-DER-WAALS EPITAXY ON HYDROGEN-TERMINATED SI(111) SURFACES AND INVESTIGATION OF ITS GROWTH-MECHANISM BY ATOMIC-FORCE MICROSCOPE　　　　　　　　　　　　　　　
    K UENO; M SAKURAI; A KOMA
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：150, 号：1-4, 開始ページ：1180, 終了ページ：1185, 1995年05月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    ISSN：0022-0248, Web of Science ID：WOS:A1995RD43300095
  • Substrate effects on the nucleation and growth of GaSe layers by van der Waals epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
    LE Rumaner; JL Gray; FS Ohuchi; K Ueno; A Koma
    STRUCTURE AND PROPERTIES OF MULTILAYERED THIN FILMS, 巻：382, 開始ページ：101, 終了ページ：106, 1995年, ［査読有り］
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    ISSN：0272-9172, Web of Science ID：WOS:A1995BE43P00016
  • HETEROEPITAXIAL GROWTH OF LAYERED GASE FILMS ON GAAS(001) SURFACES　　　　　　　　　　　　　　　
    H ABE; K UENO; K SAIKI; A KOMA
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 巻：32, 号：10A, 開始ページ：L1444, 終了ページ：L1447, 1993年10月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    ISSN：0021-4922, Web of Science ID：WOS:A1993MC04400023
  • Heteroepitaxial growth of layered semiconductor gase on a hydrogen-terminated si(111) surface
    Kuang-Yu Liu; Keiji Ueno; Yasunori Fujikawa; Koichiro Saiki; Atsushi Koma
    Japanese Journal of Applied Physics, 巻：32, 号：3 B, 開始ページ：L434, 終了ページ：L437, 1993年
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.32.L434
    DOI ID：10.1143/JJAP.32.L434, ISSN：1347-4065, SCOPUS ID：0345497522
  • Hétéroépitaxial growth of layered gase films on gaas(Ool) surfaces
    Hideki Abe; Keiji Ueno; Koichiro Saiki; Atsushi Koma
    Japanese Journal of Applied Physics, 巻：32, 号：10 A, 開始ページ：1444, 終了ページ：1447, 1993年
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.32.L1444
    DOI ID：10.1143/JJAP.32.L1444, ISSN：1347-4065, SCOPUS ID：0027677089
  • Heteroepitaxy of layered III-VI semiconductor GaSe on hydrogen-terminated Si(111) surfaces　　　　　　　　　　　　　　　
    Keiji Ueno; Liu Kuang-Yu; Yasunori Fujikawa; Koichiro Saiki; Atsushi Koma
    Conference on Solid State Devices and Materials, 開始ページ：680, 終了ページ：682, 1992年12月
    SCOPUS ID：0026957774
  • HETEROEPITAXY OF LAYERED COMPOUND SEMICONDUCTOR GASE ONTO GAAS-SURFACES FOR VERY EFFECTIVE PASSIVATION OF NANOMETER STRUCTURES　　　　　　　　　　　　　　　
    K UENO; H ABE; K SAIKI; A KOMA; H OIGAWA; Y NANNICHI
    SURFACE SCIENCE, 巻：267, 号：1-3, 開始ページ：43, 終了ページ：46, 1992年04月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/0039-6028(92)91084-O
    DOI ID：10.1016/0039-6028(92)91084-O, ISSN：0039-6028, SCOPUS ID：0026850793, Web of Science ID：WOS:A1992HM90100013
  • GROWTH OF MOSE2 THIN-FILMS WITH VANDERWAALS EPITAXY　　　　　　　　　　　　　　　
    FS OHUCHI; T SHIMADA; BA PARKINSON; K UENO; A KOMA
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：111, 号：1-4, 開始ページ：1033, 終了ページ：1037, 1991年05月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)91127-V
    DOI ID：10.1016/0022-0248(91)91127-V, ISSN：0022-0248, Web of Science ID：WOS:A1991FT19000191
  • HETEROEPITAXIAL GROWTH BY VANDERWAALS INTERACTION IN ONE-DIMENSIONAL, 2-DIMENSIONAL AND 3-DIMENSIONAL MATERIALS　　　　　　　　　　　　　　　
    A KOMA; K UENO; K SAIKI
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：111, 号：1-4, 開始ページ：1029, 終了ページ：1032, 1991年05月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)91126-U
    DOI ID：10.1016/0022-0248(91)91126-U, ISSN：0022-0248, SCOPUS ID：0026413337, Web of Science ID：WOS:A1991FT19000190
  • Heteroepitaxy of layered semiconductor gase on a gaas(III)b surface
    Keiji Ueno; Hideki Abe; Koichiro Saiki; Atsushi Koma
    Japanese Journal of Applied Physics, 巻：30, 号：8, 開始ページ：L1352, 終了ページ：L1354, 1991年
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.30.L1352
    DOI ID：10.1143/JJAP.30.L1352, ISSN：1347-4065, SCOPUS ID：0026203505
  • EPITAXIAL-GROWTH OF TRANSITION-METAL DICHALCOGENIDES ON CLEAVED FACES OF MICA　　　　　　　　　　　　　　　
    K UENO; K SAIKI; T SHIMADA; A KOMA
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 巻：8, 号：1, 開始ページ：68, 終了ページ：72, 1990年01月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1116/1.576983
    DOI ID：10.1116/1.576983, ISSN：0734-2101, CiNii Articles ID：120001370926, SCOPUS ID：84967850146, Web of Science ID：WOS:A1990CL59400010
  • Heteroepitaxial growth of layered transition metal dichalcogenides on sulfur-terminated GaAs{111} surfaces　　　　　　　　　　　　　　　
    Keiji Ueno; Toshihiro Shimada; Koichiro Saiki; Atsushi Koma
    Applied Physics Letters, 巻：56, 号：4, 開始ページ：327, 終了ページ：329, 1990年
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.102817
    DOI ID：10.1063/1.102817, ISSN：0003-6951, CiNii Articles ID：120001370925, SCOPUS ID：0000367334
  • APPLICATION OF VANDERWAALS EPITAXY TO HIGHLY HETEROGENEOUS SYSTEMS　　　　　　　　　　　　　　　
    K SAIKI; K UENO; T SHIMADA; A KOMA
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：95, 号：1-4, 開始ページ：603, 終了ページ：606, 1989年02月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/0022-0248(89)90475-2
    DOI ID：10.1016/0022-0248(89)90475-2, ISSN：0022-0248, SCOPUS ID：0024605783, Web of Science ID：WOS:A1989T639300138
  • Characteristic secondary electron emission from graphite and glassy carbon surfaces
    Keiji Ueno; Takao Kumihashi; Atsushi Saiki; Atsushi Koma
    Japanese Journal of Applied Physics, 巻：27, 号：5A, 開始ページ：L759, 終了ページ：L761, 1988年
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.27.L759
    DOI ID：10.1143/JJAP.27.L759, ISSN：1347-4065, SCOPUS ID：0024011602
  • Low-energy electron energy loss spectroscopy on YBa2Cu3O7-y
    Atsushi Ando; Koichiro Saiki; Keiji Ueno; Atsushi Koma
    Japanese Journal of Applied Physics, 巻：27, 号：3A, 開始ページ：L304, 終了ページ：L307, 1988年
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.27.L304
    DOI ID：10.1143/JJAP.27.L304, ISSN：1347-4065, SCOPUS ID：0023983227
■ MISC
  • カルコゲナイド系強磁性層状物質Cr1/3TaS2の伝導特性　　　　　　　　　　　　　　　
    山崎 雄司; 荒井 美穂; 守谷 頼; 増渕 覚; 卞 舜生; 為ヶ井 強; 上野 啓司; 町田 友樹
    日本物理学会講演概要集, 巻：72.1, 開始ページ：1803, 終了ページ：1803, 2017年
    遷移金属ダイカルコゲナイドは、層間に異なる元素をインターカレートすることにより強磁性や超伝導などの様々な物性を発現する。我々は劈開可能な層状物質強磁性体の候補として、2H-TaS_2_にCrをインターカレートしたCr_1/3_TaS_2_に着目し、その電気伝導及び磁化特性を調べた。さらにこの物質を劈開した試料における伝導特性についても報告する。
    一般社団法人 日本物理学会, 日本語
    DOI：https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_1803
    DOI ID：10.11316/jpsgaiyo.72.1.0_1803, eISSN：2189-0803, CiNii Articles ID：130006709619
  • Depth Profile Characterization of Spin-Coated Poly(3,4-ethylenedioxythiophene): Poly(styrene sulfonic acid) Films for Thin-Film Solar Cells during Argon Plasma Etching by Spectroscopic Ellipsometry (Retraction of Vol 50, art no 08JG02, 2011)　　　　　　　　　　　　　　　
    Tomohisa Ino; Tatsuya Hayashi; Keiji Ueno; Hajime Shirai
    巻：55, 号：8, 2016年08月
    英語, その他
    DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.55.089201
    DOI ID：10.7567/JJAP.55.089201, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, Web of Science ID：WOS:000403923600001
  • Graphene oxide/Crystalline Si solar cells (有機エレクトロニクス)　　　　　　　　　　　　　　　
    小野 正浩; 猪野 智久; 石川 良; 後藤 拓也; 上野 啓司; 白井 肇
    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報, 巻：111, 号：369, 開始ページ：29, 終了ページ：33, 2011年12月21日
    可溶性グラフェン(GO)は、有機系太陽電池の正孔輸送層、光電変換材料、透明電極材料のキーマテリアルとして期待される。本研究では、GOと導電性PEDOT:PSSのヘテロ接合または混合層を利用したAg/(PEDOT:PSS:GO)/c-Si(100)構造太陽電池を試作した。特にc-Si/PEDOT:PSS:GO混合層からなる素子では、混合比を最適化することで変換効率:6.5%を得た。以上の結果は、PEDOT:PSS:GOが結晶Si系太陽電池の基盤材料として有望であることを示唆する。
    一般社団法人電子情報通信学会, 英語
    ISSN：0913-5685, CiNii Articles ID：110009466889, CiNii Books ID：AN10013334
  • グラフェン塗布電極を用いた有機FETの作製と評価 (有機エレクトロニクス)　　　　　　　　　　　　　　　
    菅沼 洸一; 斉木 幸一朗; 後藤 拓也; 上野 啓司
    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報, 巻：111, 号：369, 開始ページ：35, 終了ページ：39, 2011年12月21日
    酸化剥離法により合成された酸化グラフェン溶液を用い,溶液塗布プロセスによる有機FET素子の電極形成を行った。作製したグラフェン電極は有機FETのボトムコンタクト型電極としてだけでなく,トップコンタクト型電極としても利用可能であり,グラフェン電極FETはAu蒸着電極FETと同等以上の移動度を示した。
    一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
    ISSN：0913-5685, CiNii Articles ID：110009466890, CiNii Books ID：AN10013334
  • 21aTA-6 化学的薄片剥離を用いたグラフェン薄膜形成手法の比較検討(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))　　　　　　　　　　　　　　　
    吉田 雅史; 斉木 幸一朗; 上野 啓司
    日本物理学会講演概要集, 巻：63, 号：2, 開始ページ：807, 終了ページ：807, 2008年08月25日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110006985487, CiNii Books ID：AA11439205
  • 低次元構造半導体を用いた新奇薄膜電界効果トランジスタ形成に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司; 小野木亮; 阿部重臣; 松本晃; 川端ちひろ; 平岡和; 保戸塚梢; 白石淳子; 高橋新; 武林聡子; 坪倉陽
    科学研究費補助金(基盤研究(C)) 研究成果報告書, 巻：平成17-18年度, 開始ページ：1, 終了ページ：45, 2007年
  • 直鎖π共役電子系の電気伝導度測定に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司
    総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書, 巻：第5号(18年度), 開始ページ：553, 終了ページ：554, 2007年
  • 低次元構造半導体を用いた新奇薄膜電界効果トランジスタ形成に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司; 小野木亮; 阿部重臣; 松本晃; 川端ちひろ; 平岡和; 保戸塚梢; 白石淳子; 高橋新; 武林聡子; 坪倉陽
    巻：平成17-18年度, 開始ページ：1, 終了ページ：45, 2007年
  • 直鎖π共役電子系の電気伝導度測定に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司
    巻：第5号(18年度), 開始ページ：553, 終了ページ：554, 2007年
  • 層状化合物を用いた高移動度フレキシブル電界効果トランジスタの開発に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司
    総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書, 巻：第4号(17年度), 2006年
  • 溶液系の有機デバイス作製技術検討　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司; 小野木亮; 高橋新; 森朋彦
    埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：7, 号：7, 開始ページ：49, 終了ページ：52, 2006年
    A thin film of 2, 5, 11, 14-tetradodecylhexabenzocoronene (HBC4D) was fabricated by the horizontal lifting transfer of its Langmuir film onto a hydrophobic substrate surface, and characterized by UV-vis optical absorption spectroscopy, X-ray diffraction and atomic force microscopy. A field effect transistor (FET) of HBC4D was also fabricated by the wet process, and its performances were compared with HBC4D-FET fabricated by the vacuum deposition. Highly-ordered growth of the HBC4D thin film was achieved by the wet process, but its FET performances were worse than those of the vacuum-deposited FET.
    埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門, 日本語
    ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371309, CiNii Books ID：AA11808968
  • 層状化合物を用いた高移動度フレキシブル電界効果トランジスタの開発に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司
    巻：第4号(17年度), 2006年
  • 溶液系の有機デバイス作製技術検討　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 小野木 亮; 高橋 新; 森 朋彦
    埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：7, 号：7, 開始ページ：49, 終了ページ：52, 2006年
    A thin film of 2, 5, 11, 14-tetradodecylhexabenzocoronene (HBC4D) was fabricated by the horizontal lifting transfer of its Langmuir film onto a hydrophobic substrate surface, and characterized by UV-vis optical absorption spectroscopy, X-ray diffraction and atomic force microscopy. A field effect transistor (FET) of HBC4D was also fabricated by the wet process, and its performances were compared with HBC4D-FET fabricated by the vacuum deposition. Highly-ordered growth of the HBC4D thin film was achieved by the wet process, but its FET performances were worse than those of the vacuum-deposited FET.
    埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門, 日本語
    ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371309, CiNii Books ID：AA11808968
  • 27aWB-5 SiO_2上に成長したペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))　　　　　　　　　　　　　　　
    吉川 元起; 宮寺 智彦; 上野 啓司; 小野 木亮; 中井 郁代; 圓谷 志郎; 池田 進; 木口 学; 近藤 寛; 太田 俊明; 斉木 幸一朗
    日本物理学会講演概要集, 巻：60, 号：1, 開始ページ：875, 終了ページ：875, 2005年03月04日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110004537400, CiNii Books ID：AA11439205
  • 26pYK-6 有機FETのtime of flight移動度測定(FET,領域7(分子性固体・有機導体))　　　　　　　　　　　　　　　
    山本 義朗; 島田 敏宏; 上野 啓司; 斉木 幸一朗
    日本物理学会講演概要集, 巻：60, 号：1, 開始ページ：803, 終了ページ：803, 2005年03月04日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110004537122, CiNii Books ID：AA11439205
  • 高誘電率ゲート酸化膜を用いた電界効果トランジスタによる有機薄膜の物性変調　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司
    総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書, 巻：16年度, 2005年
  • 高誘電率ゲート酸化膜を用いた電界効果トランジスタによる有機薄膜の物性変調　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司
    巻：16年度, 2005年
  • Morphological change of C-60 monolayer epitaxial films under photoexcitation　　　　　　　　　　　　　　　
    Y Yamamoto; H Ichikawa; K Ueno; A Koma; K Saiki; T Shimada
    巻：70, 号：15, 開始ページ：155415-1-155415-6, 2004年10月
    英語
    DOI：https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.155415
    DOI ID：10.1103/PhysRevB.70.155415, ISSN：2469-9950, eISSN：2469-9969, Web of Science ID：WOS:000224855900091
  • 13pWH-8 高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機 FET の動作特性(FET, 領域 7)　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 小野木 亮; 阿部 重臣; 斉木 幸一朗
    日本物理学会講演概要集, 巻：59, 号：2, 開始ページ：761, 終了ページ：761, 2004年08月25日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002049847, CiNii Books ID：AA11439205
  • 13pWH-8 高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機 FET の動作特性(FET, 領域 8)　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 小野木 亮; 阿部 重臣; 斉木 幸一朗
    日本物理学会講演概要集, 巻：59, 号：2, 開始ページ：506, 終了ページ：506, 2004年08月25日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002054167, CiNii Books ID：AA11439205
  • 20pYC-14 アルカリハライド/金属ヘテロ構造の STM 観察　　　　　　　　　　　　　　　
    片山 正士; 井上 宏昭; 木口 学; 上野 啓司; 斉木 幸一朗
    日本物理学会講演概要集, 巻：58, 号：2, 開始ページ：789, 終了ページ：789, 2003年08月15日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002064118, CiNii Books ID：AA11439205
  • 22pXG-1 異方的成長条件下で成長したペンタセン薄膜を用いた有機 FET　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 斉木 幸一朗
    日本物理学会講演概要集, 巻：58, 号：2, 開始ページ：752, 終了ページ：752, 2003年08月15日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002063824, CiNii Books ID：AA11439205
  • 22pXG-2 ペンタセン薄膜における電界効果移動度の膜厚依存性　　　　　　　　　　　　　　　
    木口 学; 中山 学; 藤原 宏平; 上野 啓司; 島田 敏宏; 斉木 幸一朗
    日本物理学会講演概要集, 巻：58, 号：2, 開始ページ：752, 終了ページ：752, 2003年08月15日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002063826, CiNii Books ID：AA11439205
  • 31aWD-13 LiBr 超薄膜の STM 観察　　　　　　　　　　　　　　　
    片山 正士; 上野 啓司; 木口 学; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：58, 号：1, 開始ページ：880, 終了ページ：880, 2003年03月06日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002223859, CiNii Books ID：AA11439205
  • 表面不活性化シリコン基板上における異方的有機薄膜成長　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司; 斉木幸一朗小間篤
    応用物理, 巻：72, 号：3, 開始ページ：322, 終了ページ：326, 2003年
  • 表面不活性化シリコン基板上における異方的有機薄膜成長　　　　　　　　　　　　　　　
    応用物理, 巻：28, 号：3, 開始ページ：46, 終了ページ：55, 2003年
  • 表面不活性化シリコン基板上における異方的有機薄膜成長　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司; 斉木幸一朗小間篤
    巻：72, 号：3, 開始ページ：322, 終了ページ：326, 2003年
  • 表面不活性化シリコン基板上における異方的有機薄膜成長　　　　　　　　　　　　　　　
    巻：28, 号：3, 開始ページ：46, 終了ページ：55, 2003年
  • 9aSM-7 STMによるLiBr/Si(001)ヘテロ構造の観察(表面界面構造・電子物性,領域9)　　　　　　　　　　　　　　　
    片山 正士; 上野 啓司; 木口 学; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：57, 号：2, 開始ページ：779, 終了ページ：779, 2002年08月13日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110009719873, CiNii Books ID：AA11439205
  • 9aSM-6 紫外光照射によるアルカリハライド薄膜可視光応答の発現機構(表面界面構造・電子物性,領域9)　　　　　　　　　　　　　　　
    吉川 元起; 木口 学; 上野 啓司; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：57, 号：2, 開始ページ：779, 終了ページ：779, 2002年08月13日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110009719872, CiNii Books ID：AA11439205
  • Highly stable passivation of a Si(111) surface using bilayer-GaSe　　　　　　　　　　　　　　　
    K Ueno; H Shirota; T Kawamura; T Shimada; K Saiki; A Koma
    巻：190, 号：1-4, 開始ページ：485, 終了ページ：490, 2002年05月
    英語
    DOI：https://doi.org/10.1016/S0169-4332(01)00923-0
    DOI ID：10.1016/S0169-4332(01)00923-0, ISSN：0169-4332, CiNii Articles ID：120001370987, Web of Science ID：WOS:000176520700090
  • Epitaxial growth of a vacancy-ordered Ga2Se3 thin film on a vicinal Si(001) substrate　　　　　　　　　　　　　　　
    K Ueno; S Tokuchi; K Saiki; A Koma
    巻：237, 号：2, 開始ページ：1610, 終了ページ：1614, 2002年04月
    英語
    DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)02353-3
    DOI ID：10.1016/S0022-0248(01)02353-3, ISSN：0022-0248, Web of Science ID：WOS:000176512900139
  • Epitaxial growth and electronic structure of a C-60 derivative prepared by using a solution spray technique　　　　　　　　　　　　　　　
    T Shimada; H Nakatani; K Ueno; A Koma; Y Kuninobu; M Sawamura; E Nakamura
    巻：90, 号：1, 開始ページ：209, 終了ページ：212, 2001年07月
    英語
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.1379052
    DOI ID：10.1063/1.1379052, ISSN：0021-8979, CiNii Articles ID：120001370931, Web of Science ID：WOS:000169361100030
  • 29pPSA-31 Bilayer-GaSe終端Si(111)表面のSTM観察　　　　　　　　　　　　　　　
    城田 はまな; 上野 啓司; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：56, 号：1, 開始ページ：820, 終了ページ：820, 2001年03月09日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002164817, CiNii Books ID：AA11439205
  • 表面不活性基板を利用した有機・無機ナノ構造の形成(<小特集>ナノ結晶)　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司; 小間篤
    日本結晶成長学会誌, 巻：28, 号：3, 開始ページ：164, 終了ページ：173, 2001年
    DOI：https://doi.org/10.19009/jjacg.28.3_164
    DOI ID：10.19009/jjacg.28.3_164
  • 表面不活性基板を利用した有機・無機ナノ構造の形成　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 小間 篤
    日本結晶成長学会誌, 巻：28, 号：3, 開始ページ：164, 終了ページ：173, 2001年
    rights: 日本結晶成長学会rights: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものであるrelation: IsVersionOf: http://ci.nii.ac.jp/naid/110002715468/New-type nanostructures of organic molecules and inorganic semiconductors have been successfully fabricated on 'inactive' substrate surfaces such as layered material surfaces and dangling-bond terminated semiconductor surfaces. In this article we introduce two examples of our methods. One is the fabrication of C_<60> molecular nanostructures on a GaSe/MoS2 heterostructure substrate by the selective growth method. The other is the fabrication of self-organized compound semiconductor quantum dots on a bilayer-GaSe terminated Si(111) substrate. The use of the inactive substrate surfaces opens a new way to fabricate position-controlled nanostructures, which have been difficult to form by conventional self-organization methods.
    日本結晶成長学会, 日本語
    DOI ID：10.19009/jjacg.28.3_164, ISSN：0385-6275, CiNii Articles ID：110002715468, CiNii Books ID：AN00188386
  • 層状物質基板　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 小間 篤
    表面科学, 巻：21, 号：11, 開始ページ：716, 終了ページ：723, 2000年11月10日
    日本表面科学会, 日本語
    ISSN：0388-5321, CiNii Articles ID：10005348918, CiNii Books ID：AN00334149
  • Investigation of the growth mechanism of an InSe epitaxial layer on a MoS2 substrate　　　　　　　　　　　　　　　
    T Hayashi; K Ueno; K Saiki; A Koma
    巻：219, 号：1-2, 開始ページ：115, 終了ページ：122, 2000年10月
    英語
    DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(00)00627-8
    DOI ID：10.1016/S0022-0248(00)00627-8, ISSN：0022-0248, CiNii Articles ID：120001370934, Web of Science ID：WOS:000089675700015
  • 22aWA-7 C_<60>/Si(111)系におけるC(1s)内殻励起スペクトル　　　　　　　　　　　　　　　
    飯泉 謙一; 上野 啓司; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：55, 号：2, 開始ページ：749, 終了ページ：749, 2000年09月10日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002150110, CiNii Books ID：AA11439205
  • 24pPSA-24 Bilayer-GaSe終端Si(111)基板の表面構造解析と薄膜成長への応用　　　　　　　　　　　　　　　
    城田 はまな; 飯泉 謙一; 上野 啓司; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：55, 号：2, 開始ページ：777, 終了ページ：777, 2000年09月10日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002150687, CiNii Books ID：AA11439205
  • Investigation of epitaxial arrangement and electronic structure of a La@ C-82 film grown on an MoS2 surface　　　　　　　　　　　　　　　
    K Iizumi; Y Uchino; K Ueno; A Koma; K Saiki; Y Inada; K Nagai; Y Iwasa; T Mitani
    巻：62, 号：12, 開始ページ：8281, 終了ページ：8285, 2000年09月
    英語
    DOI：https://doi.org/10.1103/PhysRevB.62.8281
    DOI ID：10.1103/PhysRevB.62.8281, ISSN：1098-0121, eISSN：1550-235X, Web of Science ID：WOS:000089593400085
  • Investigation of epitaxial arrangement and electronic structure of a La@ C-82 film grown on an MoS2 surface
    上野 啓司; 小間 篤
    PHYSICAL REVIEW B, 巻：62, 号：12, 開始ページ：8281, 終了ページ：8285, 2000年09月
    Copyright notice(c)2000 American Physical Society. All rights reserved. Publisher's version: http://link.aps.org/abstract/PRB/v62/p8281Molecular arrangement and electronic structure of a La@C-82 film epitaxially grown on an MoS2 surface have been studied using reflection high-energy electron diffraction and electron energy-loss spectroscopy (EELS). It was revealed that La@C-82 molecules form a close-packed hexagonal lattice on a cleaved face of MoS2 with the intermolecular distance of 1.13+/-0.03 nm. EELS of the La@C-82 film in the valence excitation region indicated seven peaks coming from pi-->pi* transitions together with the pi-plasmon excitation. The absence of a distinct band gap means that the La@C-82 epitaxial him is not semiconducting, but metallic or semimetallic. From the EELS result, we propose an electronic structure diagram of the La@C-82 epitaxial film.
    American Physical Society, 英語
    ISSN：0163-1829, CiNii Articles ID：120001370971
  • 異種原子終端Si基板上でのフラーレン分子のエピタキシー　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス, 巻：100, 号：245, 開始ページ：51, 終了ページ：56, 2000年07月21日
    Si(111)清浄表面には活性なダングリングボンドが存在するが, 適当な原子を用いて終端することでそれらを不活性化することができる。この異種原子により規則的に終端された表面は, MoS_2やGaSeといった層状物質の劈開面と同様に不活性で表面エネルギーが低く, フラーレンや金属フタロシアニンといった有機分子性結晶の薄膜をファンデルワールス力を介してエピタキシャル成長するための基板として利用可能である。本稿では水素, 砒素及びbilayer-GaSeによるSi(111)表面の終端方法について解説し, これらのダングリングボンド終端基板上へのC_<60>薄膜の成長について述べる。さらに, 成長した薄膜の電子状態測定結果についても報告する。
    一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
    ISSN：0913-5685, CiNii Articles ID：110003301168, CiNii Books ID：AN10013334
  • 24aPS-22 異種原子終端Si(111)基板に吸着したC_<60>:分子の電子状態　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 城田 はまな; 飯泉 謙一; 斉木 幸一朗; 小間 篇
    日本物理学会講演概要集, 巻：55, 号：1, 開始ページ：782, 終了ページ：782, 2000年03月10日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110001916742, CiNii Books ID：AA11439205
  • 22aW-5 (C_<60>,K)/Si(111)系の電子エネルギー損失スペクトル　　　　　　　　　　　　　　　
    飯泉 謙一; 上野 啓司; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：55, 号：1, 開始ページ：749, 終了ページ：749, 2000年03月10日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110001916354, CiNii Books ID：AA11439205
  • 23aT-6 MoS_2基板上III-VI層状化合物半導体超薄膜の成長機構　　　　　　　　　　　　　　　
    林 利行; 上野 啓司; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：55, 号：1, 開始ページ：759, 終了ページ：759, 2000年03月10日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110001916471, CiNii Books ID：AA11439205
  • 24aZ-6 Si(111)-7×7および(100)-2×1表面上に作製したC_<60>単層膜の電子エネルギー損失スペクトル　　　　　　　　　　　　　　　
    飯泉 謙一; 上野 啓司; 斉木 幸一郎; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：54, 号：2, 開始ページ：785, 終了ページ：785, 1999年09月03日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110001994330, CiNii Books ID：AA11439205
  • 24aZ-1 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定(II)　　　　　　　　　　　　　　　
    河野 孝臣; 斉木 幸一郎; 上野 啓司; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：54, 号：2, 開始ページ：783, 終了ページ：783, 1999年09月03日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110001994325, CiNii Books ID：AA11439205
  • 26aPS-34 Si基板上へのGa_2Se_3薄膜のエピタキシャル成長と電子分光測定　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 中原 伴徳; 飯泉 謙一; 斉木 幸一朗; 小間 篤; Dai Z.R.; 大内 二三夫
    日本物理学会講演概要集, 巻：54, 号：2, 開始ページ：820, 終了ページ：820, 1999年09月03日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110001994464, CiNii Books ID：AA11439205
  • 26aPS-13 Si(111)-√<3>x√<3>Ag表面上に作製したC_<60>単層膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル　　　　　　　　　　　　　　　
    飯泉 謙一; 上野 啓司; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：54, 号：2, 開始ページ：815, 終了ページ：815, 1999年09月03日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110001994444, CiNii Books ID：AA11439205
  • 31a-S-12 不活性基板表面上に成長したC-<60>単層膜の電子エネルギー損失スペクトル　　　　　　　　　　　　　　　
    飯泉 謙一; 上野 啓司; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：54, 号：1, 開始ページ：338, 終了ページ：338, 1999年03月15日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002220666, CiNii Books ID：AA11439205
  • 28p-S-9 アルカリハライド/半導体ヘテロ接合の光電子イールド測定　　　　　　　　　　　　　　　
    河野 孝臣; 斉木 幸一朗; 上野 啓司; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：54, 号：1, 開始ページ：306, 終了ページ：306, 1999年03月15日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002220202, CiNii Books ID：AA11439205
  • 27a-PS-64 層状物質基板上エピタキシャルC_<60>薄膜の構造解析　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 飯泉 謙一; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：53, 号：2, 開始ページ：396, 終了ページ：396, 1998年09月05日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002056924, CiNii Books ID：AA11439205
  • 26p-YR-6 MoS_2基板上InSeヘテロエピタキシャル超薄膜の成長機構　　　　　　　　　　　　　　　
    林 利行; 上野 啓司; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：53, 号：2, 開始ページ：378, 終了ページ：378, 1998年09月05日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002056781, CiNii Books ID：AA11439205
  • 選択成長法による分子性結晶ナノ構造の形成　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 島田 敏宏; 小間 篤
    表面科学, 巻：19, 号：1, 開始ページ：14, 終了ページ：20, 1998年01月10日
    日本表面科学会, 日本語
    ISSN：0388-5321, CiNii Articles ID：10009861740, CiNii Books ID：AN00334149
  • 表面を選ぶサッカーボール　　　　　　　　　　　　　　　
    上野啓司
    物理科学雑誌パリティ, 巻：13, 号：11, 開始ページ：47, 終了ページ：50, 1998年
  • 表面を選ぶサッカ-ボ-ル　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司
    パリティ, 巻：13, 号：11, 開始ページ：47, 終了ページ：50, 1998年
    丸善株式会社, 日本語
    ISSN：0911-4815, CiNii Articles ID：120001370937, CiNii Books ID：AN10017131
  • 7a-PS-58 層状物質基板上での有機分子性結晶選択成長　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 佐々木 健太郎; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：52, 号：2, 開始ページ：369, 終了ページ：369, 1997年09月16日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002061306, CiNii Books ID：AA11439205
  • 31a-T-12 2D layered material buffer layers in large lattice mismatch heterostructures:The system CdS/InSe/Si　　　　　　　　　　　　　　　
    レア トーマス; 上野 啓司; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：52, 号：1, 開始ページ：364, 終了ページ：364, 1997年03月17日
    一般社団法人日本物理学会, 英語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002237728, CiNii Books ID：AA11439205
  • 29a-PS-31 ヘテロ成長したIII-VI層状化合物半導体薄膜表面のSPM観察　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 佐々木 健太郎; 小間 篤
    日本物理学会講演概要集, 巻：52, 号：1, 開始ページ：338, 終了ページ：338, 1997年03月17日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    ISSN：1342-8349, CiNii Articles ID：110002237630, CiNii Books ID：AA11439205
  • C_<60>エピタキシャル薄膜の初期成長過程　　　　　　　　　　　　　　　
    須貝 真子; 斉木 幸一朗; 小間 篤; 上野 啓司
    日本物理学会講演概要集. 秋の分科会, 巻：1996, 号：2, 開始ページ：572, 終了ページ：572, 1996年09月13日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    CiNii Articles ID：110001985810, CiNii Books ID：AN10453836
  • 27p-PSA-7 ヘテロ成長した層状物質のHREELSによる評価　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 藤川 安仁; 高 衛; 斉木 幸一郎; 小間 篤
    秋の分科会講演予稿集, 巻：1992, 号：2, 開始ページ：491, 終了ページ：491, 1992年09月14日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    CiNii Articles ID：110001999247, CiNii Books ID：AA11823236
  • 29p-PS-18 水素終端処理したSi基板上へのファンデアワールス・エピタキシー　　　　　　　　　　　　　　　
    劉 光佑; 上野 啓司; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    年会講演予稿集, 巻：47, 号：2, 開始ページ：467, 終了ページ：467, 1992年03月12日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    CiNii Articles ID：110002173617, CiNii Books ID：AN10453938
  • 30p-BPS-2 ヘテロエピタキシャル成長した層状物質のSTMによる評価　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 山本 秀樹; 森 朋彦; 吉井 賢資; 斉木 幸一朗; 小間 篤
    年会講演予稿集, 巻：46, 号：2, 開始ページ：462, 終了ページ：462, 1991年09月12日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    CiNii Articles ID：110002154207, CiNii Books ID：AN10453938
  • 27p-R-6 GaAs基板上へのGaSe/MoSe_2超格子構造の作製とその界面特性　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 阿部 英樹; 齊木 幸一朗; 小間 篤
    春の分科会講演予稿集, 巻：1991, 号：2, 開始ページ：514, 終了ページ：514, 1991年03月11日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    CiNii Articles ID：110001905439, CiNii Books ID：AA11403638
  • PERIODIC LATTICE-DISTORTIONS AS A RESULT OF LATTICE MISMATCH IN EPITAXIAL-FILMS OF 2-DIMENSIONAL MATERIALS　　　　　　　　　　　　　　　
    BA PARKINSON; FS OHUCHI; K UENO; A KOMA
    巻：58, 号：5, 開始ページ：472, 終了ページ：474, 1991年02月
    英語
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.104611
    DOI ID：10.1063/1.104611, ISSN：0003-6951, CiNii Articles ID：120001370928, Web of Science ID：WOS:A1991EW47700014
  • 2a-E-12 ファンデアワールス・エピタキシー法によりヘテロ成長した超薄膜のSTM観察　　　　　　　　　　　　　　　
    上野 啓司; 齋木 幸一朗; 小間 篤; Parkinson B.A.; 大内 二三夫
    秋の分科会講演予稿集, 巻：1990, 号：2, 開始ページ：418, 終了ページ：418, 1990年09月12日
    一般社団法人日本物理学会, 日本語
    CiNii Articles ID：110002023554, CiNii Books ID：AA11823236
  • VANDERWAALS EPITAXIAL-GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MOSE2 THIN-FILMS ON SNS2　　　　　　　　　　　　　　　
    FS OHUCHI; BA PARKINSON; K UENO; A KOMA
    巻：68, 号：5, 開始ページ：2168, 終了ページ：2175, 1990年09月
    英語
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.346574
    DOI ID：10.1063/1.346574, ISSN：0021-8979, CiNii Articles ID：120001370927, Web of Science ID：WOS:A1990DW26700034
■ 論文指導
  • 2024, 博士前期(専門職学位)課程, 指導学生数計：6, 指導学生数(内留学生)：0
  • 2024, 学士課程, 指導学生数計：5, 指導学生数(内留学生)：0
■ 所属学協会
  • 現在, フラーレン・ナノチューブ・グラフェン学会
  • 現在, 日本表面真空学会
  • 現在, 日本物理学会
  • 現在, 日本化学会
■ 共同研究・競争的資金等の研究課題
  • 超低消費電力システム構築のための2次元トンネルFETの集積化　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(S), 2022年04月27日 - 2027年03月31日
    長汐 晃輔; 上野 啓司; 宮田 耕充, 東京大学
    配分額（総額）：200070000, 配分額（直接経費）：153900000, 配分額（間接経費）：46170000
    課題番号：22H04957
  • 遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(B), 2022年04月01日 - 2026年03月31日
    山本 真人; 上野 啓司; 麻生 亮太郎, 関西大学
    配分額（総額）：17290000, 配分額（直接経費）：13300000, 配分額（間接経費）：3990000
    課題番号：23K23182
  • 遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(B), 2022年04月01日 - 2026年03月31日
    山本 真人; 上野 啓司; 麻生 亮太郎, 関西大学
    配分額（総額）：17290000, 配分額（直接経費）：13300000, 配分額（間接経費）：3990000
    課題番号：22H01914
  • 触媒効果による層状化合物原子膜の低温単結晶成長実現　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(C), 2021年04月01日 - 2024年03月31日
    上野 啓司, 埼玉大学
    配分額（総額）：4160000, 配分額（直接経費）：3200000, 配分額（間接経費）：960000
    (1) 微小金属膜(Al, Ti, Cr, Ni, Cu, Ag, Pt, Au)を堆積したSiO2/Si基板と、何も堆積させていない基板上で二硫化タングステン(WS2)薄膜の原子層堆積法成長を行い、それぞれの条件で得られた薄膜を光学顕微鏡、原子間力顕微鏡、X線光電子分光、ラマン分光により比較し、金属薄膜の種類が成長に与える影響を検証した。成長温度は300℃とした。金属薄膜を堆積しない場合、WS2の他に多くの不純物が確認された。反応性の低いAu・Ptや、反応性が非常に高いAl・Tiの薄膜を堆積した試料では、WS2に相当する成分がほぼ見られず、不純物が多く含まれた。一方、AuやPtより反応性が高く、AlやTiよりは低いAg・Cuでは，WS2に相当する成分が見られた。特にCuでは不純物がほぼ存在しないことが分かった。Ag・Cuの金属薄膜は、WS2薄膜の成長を促進し、より良質で不純物の少ないWS2薄膜の低温での成膜を可能にすることが示唆された。
    (2) (1)と同様な実験をMoS2薄膜について行ったところ、Cuでは350℃以下、Agでは300℃以下、Ptでは250℃以下の成長温度条件下の試料において、各金属薄膜上にのみ選択的にMoS2成分が成長し、金属膜外には含硫黄成分が存在しないことが確認された。この結果から、金属薄膜上へのMoS2薄膜の領域選択成長が可能であることが実証された。その際、Cuは比較的高い成長温度まで、領域選択性を保つことが示された。
    (3) 原子層堆積法により低温成長したWS2薄膜を硫黄雰囲気下でアニールした後、電極を蒸着して電界効果トランジスタを形成したところ、p型の動作特性を示すことが確認された。
    (4) 剥離転写法で作製したしたMoS2電界効果トランジスタ素子を硫化アンモニウム溶液に浸したところ、浸漬時間により特性改善効果が異なることが確認された。
    課題番号：21K04826
  • 高蒸気圧原料による低温ファンデルワールス・エピタキシー　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(B), 2018年04月01日 - 2021年03月31日
    上野 啓司, 埼玉大学
    配分額（総額）：16510000, 配分額（直接経費）：12700000, 配分額（間接経費）：3810000
    層状遷移金属ダイカルコゲナイドの単結晶超薄膜を低い基板温度でエピタキシャル成長することを目的として、反応性の高い高蒸気圧前駆体化合物を原料とする分子線エピタキシー装置を立ち上げ、成膜実験を進めた。その結果、二硫化タングステン、二硫化ニオブおよび二セレン化ニオブ薄膜を、合成雲母基板上などにエピタキシャル成長することに成功した。
    また、原子層堆積装置を用いた成膜実験では、熱酸化シリコン基板上に予め微小な金属薄膜を蒸着することにより、結晶性の二硫化タングステン薄膜が、金属薄膜上だけでなくその外部の基板表面上においても、金属薄膜が無い場合と比べて低い温度で成長可能であることが見出された。
    課題番号：18H01822
  • 原子層物質の国際的提供と共同研究の推進　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 新学術領域研究(研究領域提案型), 2015年11月06日 - 2019年03月31日
    齋藤 理一郎; 楠 美智子; 依光 英樹; 長汐 晃輔; 長田 俊人; 塚越 一仁; 上野 啓司; 越野 幹人; 若林 克法; 町田 友樹; 坂本 良太; 仁科 勇太; 柳 和宏; 河野 行雄, 東北大学
    配分額（総額）：45890000, 配分額（直接経費）：35300000, 配分額（間接経費）：10590000
    究極に薄い物質は、１原子層からなる物質である。近年１原子層だけからなる、２次元物質（または原子層物質）が、従来の３次元の物質に比べて顕著で有用な特性を示すことから活発に研究が行われている。その中で、六方窒化ホウ素（hBN) の原子層試料は日本でしか合成することができないので、世界的に提供する必要がある。本国際共同研究加速基金では、このhBNやそのほかの原子層物質を国際的に提供することをサポートした。これによって国際共同研究を促進し、内外の原子層科学の分野の推進に大きく貢献した。また、多くの若手を派遣、招聘することにより、若手研究者の育成にも大きな成果を得た。
    課題番号：15K21722
  • 複合原子層の界面特性理解と原子層デバイスへの応用　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 新学術領域研究(研究領域提案型), 2013年06月28日 - 2018年03月31日
    長汐 晃輔; 長谷川 雅考; 上野 啓司; 塚越 一仁; 渡邊 賢司; 山田 貴壽, 東京大学
    配分額（総額）：204230000, 配分額（直接経費）：157100000, 配分額（間接経費）：47130000
    新学術領域研究「原子層科学」において，2次元層状半導体の輸送特性，及び複層化技術の確立，複層化したデバイスの特性評価を行い，最終的にOLEDへの応用展開を進めた．既存のヘテロエピと異なり，格子定数差とは無関係に複層化が可能であり，その界面は電気的に不活性であることがわかった．今後のさらなる展開が期待できる．
    課題番号：25107004
  • 原子層科学の推進　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 新学術領域研究(研究領域提案型), 2013年06月28日 - 2018年03月31日
    齋藤 理一郎; 長田 俊人; 依光 英樹; 町田 友樹; 楠 美智子; 長汐 晃輔; 上野 啓司; 塚越 一仁; 若林 克法; 越野 幹人, 東北大学
    配分額（総額）：181740000, 配分額（直接経費）：139800000, 配分額（間接経費）：41940000
    本新学術領域研究は、「人類史上最も薄い物質」である、一原子層の厚さしかない物質（以下原子層物質）を合成してきました。また合成した非常に薄い物質を使って、消費電力が非常に小さい電子デバイスや、光デバイスの作成と検証を行い、その社会における有用性を実証しました。さらに、異なる原子層物質を積み重ねることによって、今までにない物質（複合原子層物質）を人工的に合成し、超伝導や量子的な性質を持つ、新しい機能材料を開発することに成功いたしました。これらは、国際共同研究基金を用いて国際共同研究を推進することによって、新しい物質の開発を加速いたしました。
    課題番号：25107001
  • グラフェン/有機半導体接合を活用した高機能有機薄膜素子開発　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(C), 2010年 - 2012年
    上野 啓司, 埼玉大学
    配分額（総額）：4290000, 配分額（直接経費）：3300000, 配分額（間接経費）：990000
    化学的薄片剥離法により形成した可溶化グラフェンを,太陽電池や電界効果トランジスタの構成材料として用いることで,素子性能の向上を試みた。その結果,可溶化グラフェンを添加した塗布形成薄膜太陽電池において,12%超の光電変換効率を達成した。また,有機薄膜電界効果トランジスタの移動度を可溶化グラフェン添加により3倍向上することや,グラフェン透明電極を有する透明トランジスタを作製することにも成功した。
    課題番号：22560002
  • 層状物質の薄片剥離およびヘテロ積層による新奇物性発現　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 萌芽研究, 2007年 - 2008年
    上野 啓司, 埼玉大学
    配分額（総額）：3300000, 配分額（直接経費）：3300000
    この研究課題では,「柔軟で安定度が高く,電気的特性のよい半導体薄膜素子」の実現手法として,「層状構造を持つ物質の利用」を提案し,研究を進めた。具体的には「単層化グラファイト(グラフェン)」および「単層化層状カルコゲナイド」の利用を試みている。平成20年度は,単層剥離した層状物質,特にグラファイトの溶液中単層剥離によって得られた可溶化グラフェンを,高機能な素子材料として応用することを目指して実験を進めた。研究成果は以下の通りである。
    (1)酸化グラフェン溶液を用いて薄膜を塗布し,さらに化学/加熱還元する手法の改良に努めた結果,導電性が高く(2000S/cm台)可視光～近赤外領域で透明なグラフェン薄膜の形成に成功した。この透明グラフェン薄膜を電極に用いた有機薄膜太陽電池を試作したところ,これまでに最高で1.2%の光電変換効率が得られている。
    (2)塗布グラフェン薄膜をソース/ドレイン電極とするボトムコンタクト型有機電界効果トランジスタ(FET)を試作したところ,p型(P3HT活性層),n型(PCBM活性層)の両方でFETの塗布形成に成功した。またこれらのFETでは,金蒸着膜を電極とする素子よりも高い移動度が得られた。グラフェン電極と有機半導体の接触抵抗を測定したところ,金電極よりも低い値が得られている。
    課題番号：19656011
  • 低次元構造半導体を用いた新奇薄膜電界効果トランジスタ形成に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(C), 2005年 - 2006年
    上野 啓司, 埼玉大学
    配分額（総額）：3600000, 配分額（直接経費）：3600000
    本研究では,「柔軟性」と「高機能性」を併せ持つ薄膜トランジスタを,有機高分子ポリマーや無機層状構造半導体といった,構造に「異方性」をもつ低次元物質を用いて開発することを目標として実験を行い,以下の成果が得られた。
    (1)異方的テンプレート構造を持っゲートSiO_x層形成手法の最適化
    Si(111)微傾斜基板表面に,周期的な1次元凹凸テンプレート構造を形成することに成功した。
    (2)ジアセチレン誘導体化合物配向膜形成手法の確立
    Si(111)表面に,mmスケールで連続した単一配向ジアセチレン誘導体薄膜を成長することに成功した。
    (3)ジアセチレン誘導体配向膜の異方的重合による長距離無欠陥π電子共役系の単一配向形成
    単一配向ジアセチレン誘導体薄膜の光重合により,方向の揃ったπ電子共役系の形成に成功した。
    (4)ゲート絶縁体としてとして利用可能な層状物質の検討
    劈開したマイカ基板をゲート誘電体として用いる有機電界効果トランジスタ(FET)の作製に成功した。
    (5)アモルファス基板表面上へのテンプレート構造転写
    (1)の基板表面構造を,インプリンティング法によりPMMA薄膜表面へ転写することに成功した。
    (6)異方構造を持つ熱酸化SiO_x基板上への面内高配向ポリチオフェン誘導体ポリマー薄膜形成テンプレート基板表面への水平付着法により,高度に面内配向したポリチオフェン誘導体薄膜が得られた。
    (7)異方構造を持つ熱酸化SiO_x基板上へのC_<60>ドメイン位置選択形成
    テンプレート基板上の表面エネルギー周期的変調により,C_<60>ドメインの位置選択形成に成功した。
    (8)白雲母単結晶ゲート基板上での有機FET動作特性改善
    マイカゲート表面のPMMAあるいはOTMS処理により,FET動作特性が大幅に改善された。
    (9)層状化合物MoS_2の単層剥離手法の追求
    MoS_2単結晶層間にLiを挿入後水と反応させることで,単層剥離が可能であることを確認した。
    課題番号：17550165
  • 高度界面制御有機・無機複合構造による量子物性の発現と応用　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 学術創成研究費, 2002年 - 2006年
    斉木 幸一朗; 青木 秀夫; 島田 敏宏; 上野 啓司; 佐々木 岳彦; 池田 進; 有田 亮太郎; 木口 学, 東京大学
    配分額（総額）：526370000, 配分額（直接経費）：431780000, 配分額（間接経費）：94590000
    高度に制御された有機無機ヘテロ界面を実現し,電界による電荷注入や界面相互作用における多体効果による新奇量子現象の発現を最終目標として今年度は以下の研究を行なった.また,最終年度としての総括もおこなった.
    金属-有機物界面の電荷注入過程と電荷極性の相関;同一試料に対して薄膜成長中のFET測定,電子分光による薄膜評価が行なえるシステムを改良し,FETにおけるキャリアの極性と電子状態の変化を詳細に追跡した.その結果,電荷極性は金属のフェルミ準位と有機半導体のHOMO-LUMOギャップの相対位置関係により決まり,有効チャネル伝導度は界面のエネルギー障壁に対して指数関数的に変化することを初めて実験的に実証した.
    有機薄膜表面形態と電気伝導現象の相関;先年度に開発した,同一試料に対してFET測定とAFMによる薄膜形態測定が可能な装置を用いて,ペンタセン薄膜の形態安定性と伝導度の相関を詳細に追究した.その結果,形態変化を齎す分子移動は界面第1-2層目の境界から生起することが明らかになった.薄膜の安定化を図るためには第2層の結晶系の制御が重要であることは当該分野での大きな指針となる.
    ベンゼンの重合によるナノグラフェンの合成とエッジ状態,磁気秩序;ベンゼンの重合によるナノグラフェンについて,STM観察によりエッジの構造について詳細に探究した結果,本手法により作製されたナノグラフェンの端は70%以上の確率でジグザグ端であることが判明した.STM像のバイアス依存性から,ジグザグ端にはフェルミ面近傍に状態を持つことが明らかとなり,従前の分光学的な結果と整合した.また,高分解能電子エネルギー損失分光から,ジグザグ端には水素原子が1あるいは2個吸着した状態があることがわかった.これらの結果および磁気光学カー効果の結果について理論的な検討をおこなった.
    課題番号：14GS0207
  • 有機超伝導薄膜からのコヒーレント光超放射に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 若手研究(B), 2002年 - 2003年
    上野 啓司, 埼玉大学
    配分額（総額）：3400000, 配分額（直接経費）：3400000
    本研究は,レーザーのような「コヒーレント光放出素子」を,無機化合物半導体ではなく,有機半導体を材料として用いて実現することを目標とする。具体的には,超伝導状態の有機単結晶薄膜内におけるコヒーレントな電子/正孔各クーパー対の再結合による自然放射,「超放射」を利用してコヒーレント光放出を行う,というものである。
    本研究では有機薄膜への電子・ホールの両電荷を注入し,超伝導状態で再結合させることによって超放射を実現することを目指しているが,そのための電荷注入方法として有機電界効果トランジスタ(FET)を形成する必要がある。本年度はこの有機FETの低電圧動作,及び高効率な電荷注入を実現することを目指し,前年度から試みている陽極酸化法による五酸化タンタルゲート絶縁膜作製法の改良を行った。
    実験の結果,Ta板を濃硫酸・フッ酸混液中で電解研磨することにより表面を数nm以下のレベルで平坦化することに成功した。そしてその表面を陽極酸化することにより,昨年度よりもはるかに高い耐電圧性を有する酸化膜の形成を実現した。その結果,五酸化タンタルゲート酸化膜上に形成したペンタセンFETは,導電性Si/SiO_2基板上に形成したものと同程度までゲート電圧を加えることが可能であった。これにより,五酸化タンタルが二酸化珪素より誘電率が高い分(SiO_2:ε=4,Ta_2O_5:ε=27),これまでより数倍の星の電荷を有機薄膜に注入することに成功している。このように多量の電荷を有機薄膜中に注入することにより,化学ドープでは得られなかった物性変化を,FET電荷注入によって発現できることが期待される。
    課題番号：14750006
  • 「空孔エピタキシー」の研究　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(C), 2000年 - 2001年
    上野 啓司, 東京大学
    配分額（総額）：3600000, 配分額（直接経費）：3600000
    2年間の研究成果を以下にまとめる。
    (1)III_2-VI_3化合物半導体薄膜の成長は,これまではGaAsやGaPなどのIII-V化合物半導体基板上で専ら行われてきたが,デバイス応用を考える上ではSi基板上への成長が重要である。特にGa_2Se_3は格子定数がSiとほぼ一致し,格子不整合欠陥のない良質な薄膜の成長が期待される。そこで,single-domain2×1構造を持つ微傾斜Si(001)清浄表面上にGa_2Se_3薄膜の成長を試みたところ,基板温度480℃,VI/III比1000の条件下で,Ga空孔が規則配列した単結晶Ga_2Se_3薄膜を成長することに成功した。また,基板温度が500℃を超えると空孔は規則配列せず,一方420℃より下では一部が多結晶成長し膜質が低下することも判明している。さらに成長した薄膜のフォトルミネッセンスを6.5Kで測定したところ,650nm〜1000nmの波長範囲にわたるブロードな発光ピークが観察された。次に光物性に異方性が現れるかどうか検証するため,薄膜からのフォトルミネッセンスの偏光依存性を調べた。その結果,入射光の偏光に対する発光強度の変化は観察されず,またルミネッセンス光自体の偏光も観察されなかった。これまでに斜方型の空孔規則配列Ga_2Se_3では光学異方性が観察されていることから,本研究で作製された薄膜は単斜型の空孔規則配列構造を持つのではないかと考えている。
    (2)C_<60>分子を選択成長した後酸化物薄膜で被覆し,その後C_<60>分子を酸化除去することで1nm径の空孔を規則配列することを目指しているが,bilayer-GaSeで終端したSi(111)表面が平坦かつ不活性であり,C_<60>分子の選択成長基板として有望であることを見出している。
    さらに,直線状の空孔列を結晶内に形成することを目的として,C_<60>分子の直鎖状ドメインを固体基板上に形成することを試みた。4°傾斜Si(111)基板表面を加熱清浄化した後Se, Gaのbilayerを用いて終端したところ,bunchingしたステップ列が約200nm間隔で平行に走る不活性表面が得られた。この基板上に基板温度190℃でC_<60>分子を照射したところ,ステップ列に沿って最長20μmのC_<60>直鎖状ドメインが形成された。現在,このドメイン上に酸化物層を形成し,さらにアニールによってC_<60>ドメインを酸化分解し,空孔列を形成する,という実験を進めている。
    課題番号：12650006
  • フラーレンおよびその化合物のヘテロ構造化による新物性の探求　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 特定領域研究(A), 1999年 - 2000年
    小間 篤; 上野 啓司; 島田 敏宏; 斉木 幸一朗, 東京大学
    配分額（総額）：3700000, 配分額（直接経費）：3700000
    本研究では,我々が豊富な経験を持つ分子線エピタキシーの手法を用いてフラーレン及びアルカリ金属/有機分子ドープフラーレンの単結晶薄膜・超格子・微細構造を作製し,固有の物性を追求することを目的としている。特に,ヘテロ薄膜に対する基板の影響に注目し,(1)基板がフラーレン薄膜の格子定数・物性に与える影響,(2)基板-薄膜間の電荷移動裏決定,(3)π電子系-半導体表面相互作用の定量的解明,(4)選択成長法によるフラーレン微細構造の作製,といった研究を行う。本年度は以下のような成果を得た。
    まず,パルスバルブを利用した溶液噴射法を開発し,加熱に対し不安定なフラーレン誘導体C_<60>Me_5Hのエピタキシャル薄膜をMoS_2基板上に形成することに成功するとともに,超高真空下で電子状態の測定を行った。この手法により,不安定で蒸着不可能な有機分子のエピタキシャル薄膜を真空下で形成する道が開かれた。次に,金属内包フラーレンLa@C_<82>の単結晶エピタキシャル薄膜を分子線エピタキシー法によりMoS_2基板上に作製し,電子エネルギー損失分光法によりその電子状態を調べた。その結果,観察されたフェルミ準位近傍の電子状態間の遷移エネルギーが理論計算とほぼ一致することが確認された。また,界面第1層目と2層目以降ではLa@C_<82>薄膜の成長様式及び電子状態が異なることも判明した。
    また,活性なSi(111)基板表面に存在するダングリングボンドを異種原子で終端し不活性化することで,単結晶フラーレン薄膜をエピタキシャル成長することが知られているが,本研究においてbilayer-GaSe終端Si(111)表面が均一に平坦,かつ大気中でも安定であることが発見され,有機分子性結晶のエピタキシャル成長基板として有望なことが判明した。
    課題番号：11165212
  • 分子性結晶を用いた室温動作単電子トンネル素子の研究　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 奨励研究(A), 1998年 - 1999年
    上野 啓司, 東京大学
    配分額（総額）：2100000, 配分額（直接経費）：2100000
    本研究では,電子一つ一つの移動を制御することが可能な「単電子トンネル素子」を分子性結晶を用いて形成し,その室温動作を実現することを目指している。この素子の動作可能温度は,電荷が注入される量子ドットの大きさで決まり,容量の小さな量子ドットほど高温での単電子トンネル制御が可能である。C_<60>のような分子性結晶を材料として用いれば,一つ一つの分子が量子ドットとして働き,その容量が非常に小さいため室温での単電子トンネル動作が期待される。本研究では分子性結晶による量子ドットを「選択成長法」によって形成し,室温動作する単電子トンネル素子を作製する実験を進めている。選択成長法では,基板表面に分子が成長する個所を前もって加工描画することによって,10nmスケールの自由な形状の有機分子微細構造を形成することができる。
    本年度は,これまで用いていた層状物質基板に代わり,絶縁体であるCaF_2(111)基板上での選択成長実験を試みた。CaF_2(111)表面は加熱清浄化するとフッ素で終端され不活性であるが,電子線照射により表面フッ素原子を脱離させるとその箇所だけ活性化する。この性質を利用すると,分子性結晶の選択成長に応用可能であると考えられる。またさらに電子線照射を続けることにより電子線照射箇所に金属カルシウムを凝集させることができ,微細な電極形成への応用も期待できる。実際にRHEED電子銃を用い,加熱したCaF_2(111)表面に電子線を照射したところ,幅400nm,深さ50nm,長さ1mm以上の溝状構造が形成されることが発見された。また,基板温度を制御してC_<60>をこの表面に蒸着することにより,溝内に幅200nm程度のC_<60>分子細線が形成可能であることを実証した。現在この細線に電極を取り付け,電気伝導度測定を試みている。
    課題番号：10750006
  • 多様物質系ヘテロ構造の作製手法の確立と物性探索　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(A), 1998年 - 1999年
    小間 篤; 島田 敏宏; 上野 啓司; 斉木 幸一朗, 東京大学
    配分額（総額）：38900000, 配分額（直接経費）：38900000
    本研究は無機から有機まで、あるいは絶縁体から超伝導体までといった、従来ほとんど実現されていない多種多様な物質を組み合わせたへテロ構造の作成を可能とする手法を開発し、それが示す新しい物性の発現を探索することを目指してきた。主な結果は以下の通りである。
    1.複合ヘテロ構造によるGaAs上の岩塩型酸化物のエピタキシャル成長
    GaAs(001)上に2つのアルカリハライドバッファ層をはさんだ複合ヘテロ構造を作成することにより、MgOの単結晶薄膜が得られた。直接MgOをGaAs上に形成するのに比べて基板温度を150℃まで下げることができた。この構造は600℃まで安定である。複合へテロ構造の概念を応用すればGaAs上に酸化物と半導体の集積素子を構築することが可能になると期待される。
    2.液晶単分子膜のエピタキシャル成長と相転移
    2次元の相転移に関連した新現象を追究するため無機単結晶基板上に液晶単分子膜した。液晶12CBがアルカリハライド(001)面の上にエピタキシャル成長することが明らかになり、成長温度を変えて結晶構造とモルフォロジを反射高速電子線回折と原子間力顕微鏡で調べた結果、バルクの相転移温度付近で単分子膜の輪郭の秩序性が大きく変化することを見出した。
    3.分子性量子構造の実現のための選択成長
    分子性物質めナノ構造を大規模に作成する手法としてパタン化したへテロ基板を用いる選択成長を追究した。高い選択性を実現する条件として(1)分子性物質と基板表面の格子整合(2)ファンデアワールス相互作用の違いという2つの要素を確立した。量子構造の物性を測定中である。
    4.超薄膜・ヘテロ構造の物性測定
    作成したへテロ構造の物性を電子分光・帯磁率測走・電気伝導度測定等、多様な手法により調べた。一例として、MnPcの超薄膜において磁気的性質がバルクのものと異なっていることが明らかになり、ヘテロ構造に起因する結晶構造の違いで説明された。
    課題番号：10305002
  • イオン結晶-半導体ヘテロ構造による新機能表面の作製と物性　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(B), 1997年 - 1998年
    斉木 幸一朗; 上野 啓司, 東京大学
    配分額（総額）：13900000, 配分額（直接経費）：13900000
    (1) 電子分光による金属Mg,Ba薄膜の初期酸化過程
    MgO,BaOの薄膜成長の基礎として金属Mg,Baの初期酸化過程を,オージェ電子分光,エネルギー損失分光,紫外光電子分光を駆使して探求し,初期酸素吸着状態から酸化膜形成への境界となる酸素暴露量,基板温度などを明らかにした.
    (2) 高感度RHEEDによるアルカリハライドヘテロ界面の評価
    回折スクリーンの前にマイクロチャネルプレート(MCP)を設置して電子線を増倍することにより,従来の電子線量を8000分の1まで減らすことに成功した結果,多くのへテロ構造について臨界膜厚が明らかとなり,ヘテロ構造の詳細な解明が可能となった.
    (3) 複合へテロ構造による岩塩型酸化物のへテロ成長
    MgO/LiF/NaCl/GaAsという複合へテロ構造の作製を試みた結果,極めて平坦性の高いMgO表面を得ることができた.これにより,複合へテロ構造という概念が,イオン結晶/半導体といった極めて異質な物質間の界面形成に有用であることが初めて示された.
    (4) イオン結晶/半導体へテロ構造の光電子収率
    光電子収率の測定装置を本年度の研究費により作製しNaCl/GaAs(001),(111)構造の種々のNaCl膜厚の試料を作製して光電子収率の絶対測定をおこなった.これによりNaCl/GaAs構造の光閾値が求まり,ヘテロ構造のband alignmentの詳細が明らかになりつつある.
    課題番号：09450006
  • STM/AFMによる層状物質基板上への超微細構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 奨励研究(A), 1996年 - 1996年
    上野 啓司, 東京大学
    配分額（総額）：1000000, 配分額（直接経費）：1000000
    本研究は、ファンデアワールス・エピタキシ-法によって作製された層状美質超薄膜表面に,走査型トンネル顕微鏡(STM)や原子間力顕微鏡(AFM)を用いて超微細加工を施し,更に加工位置への選択的成長による有機分子や金属原子等の微細構造形成を目指している。
    本年はまず,加工・選択成長の基板として必要なMoS_2基板上のGaSe薄膜の最適成長条件を求めた。の結果MoS_2基板表面をほぼ完全に覆うGeSe単層膜の形成に成功し,理想的な基板上での加工・選択成長実験が可能となった。次にMoS_2基表面を部分的にGaSe単層膜で覆った基板上そのC_<60>分子の成長実験を行い,基板温度180℃〜250℃程度の範囲内ではC_<60>分子がMoS_2基板上にのみ成長し,最小で20nm幅程度の超微細C_<60>領域が形成可能であることを見いだした。
    以上の結果を元に,MoS_2基板上GaSe単層膜を先ずAFMのカンチレバ-を用いて加工し,nmスケールのMoS_2露出領域を形成した後にC_<60>分子の成長を行い,加工した形状通りのC_<60>ナノ構造を形成することを試みた。AFM加工では,最小で幅7.5nm程度の溝を切削し,MoS_2表面を露出することに成功した。そこでC_<60>分子を基板温度180℃でAFM加工表面へ照射したところ,C_<60>分子はGaSe未被履のMoS_2露出領域のみならず,AFM加工により露出したMoS_2表面にも選択成長できることが確認された。現在他の分子,原子の選択成長の実験を進めている。
    課題番号：08750009
  • 原子モアレ変調構造の走査トンネル分光　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 重点領域研究, 1995年 - 1995年
    上野 啓司; 小間 篤, 東京大学
    配分額（総額）：2000000, 配分額（直接経費）：2000000
    本研究は、ファンデアワールス・エピタキシ-法によって作製された層状物質による超薄膜ヘテロ構造表面の、走査型トンネル顕微鏡(STM)像に現れる、長周期モアレ変調構造や、金属吸着層状物質表面に特異に現れる電子変調構造の微視的解明を目標としている。
    モアレ変調構造については、試料温度によるSTM像の変化を調べるために、100Kから1200Kまで試料温度を変えることの出来る超高真空STM装置を導入し、立ち上げ中である。完成し次第すぐに各ヘテロ成長試料の観察を始める予定である。
    アルカリ金属吸着表面では、LiからCsに至るアルカリ金属をMoS_2,MoSe_2,MoTe_2各基板に微量吸着しSTM観察を行った。その結果全ての組み合わせに於いて同様なサンプルバイアス電圧依存性を示す変調構造が観察された。即ち空状態像では直径2〜3nmの暗点、占有状態像では同じ場所に馬蹄型の輝点構造が観察された。アルカリ金属間でのイオン化エネルギー、イオン半径の差、及び基板半導体の格子定数、バンドギャップの差にもかかわらず同様な変調構造が全ての試料で観察されたことから、吸着アルカリ金属は基板とは反応やインターカレーションはせずに、表面に留まって単にイオン化しているだけと考えられる。バイアス依存変調構造は吸着イオン周辺に局在する負電荷によって局所状態密度及びバンドの曲がりが変化することで発生していると考えている。現在その詳細について理論的研究を行っている。
    課題番号：07225204
  • ファンデアワールス・エピタキシ-法によるフラーレン超薄膜の作製とその物性の解明　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 重点領域研究, 1995年 - 1995年
    斉木 幸一朗; 上野 啓司, 東京大学
    配分額（総額）：2000000, 配分額（直接経費）：2000000
    フラレン薄膜の成長初期過程としての単分子膜の状態について、従来は原子間力顕微鏡(AFM)による観察によって研究を進めてきたが、本年度はそれに加えて高分解能エネルギー損失分光法(HREELS)法による解明を試みた。
    1.MoS_2劈開面上のC_<60>単分子膜のHREELS測定
    C_<60>のIR活性モードは、単分子膜試料と厚膜試料でほとんど同じであり、C_<60>分子とMoS_2基板の間に結合あるいは電荷移動などの強い相互作用はないことを示している。これはMoS_2表面にダングリングボンドが存在しないことに由来すると考えられる。しかし、鏡面反射条件下で観測される158meVのピークは本来のC_<60>の対称性からは禁制なピークであり、単分子膜でのみこのピークが観測されることは、MoS_2表面上の局所電場がC_<60>分子を分極させるなどの相互作用の存在を示唆している。
    2.Si(111)7x7上のC_<60>エピタキシャル成長初期過程のHREELS測定
    Si(111)7x7再構成表面上に成長したC_<60>薄膜のHREELSスペクトルから、被覆率の違いによる吸着構造の違いが明らかになった。0.2分子層の低被覆度の場合には分子はSi表面のダングリングボンドに結合しているが、被覆率が0.6に増加するとC_<60>分子が大きいために吸着サイトの奪い合が起きてSiとの結合は弱化する。さらに被覆率が1になると、17x17構造が安定化することを見い出した。
    3.C_<60>分子とSi基板の反応性
    Si(100)および(111)基板上に成長した単分子膜について基板温度を上げて基板との反応性を調べた結果、(100)面上では350Kで化学吸着した後、850Kまでは分解せずに残るが、(111)面上では850Kではじめて基板と反応することがわかった。
    課題番号：07213207
  • 表面をSTM/AFMで修飾した基板上への結晶成長に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 奨励研究(A), 1994年 - 1994年
    上野 啓司, 東京大学
    配分額（総額）：900000, 配分額（直接経費）：900000
    本研究は、Mos_2やGaSeなどの層状物質基板の表面、または表面を水素終端によって不活性化したSi(111)基板表面を、走査型トンネル電子顕微鏡(STM)や原子間力顕微鏡(AFM)を用いて原子スケールで修飾・加工を行い、その上に他の有機物質や化合物半導体を成長することで、原子スケールで成長様式や構造を制御し、任意のパターン描画を実現できる手法の開発を目的とする。本年度はまず最初に、これらの物質の様に表面が不活性な基板を、何らかの手法で加工した際に形成されるステップ等の活性部位に対し、結晶成長がどのように進行するか、を検証するために、(1)水素終端Si(111)基板、(2)螺旋成長した層状物質GaSe薄膜、の各基板上へ、分子性結晶であるC_<60>の成長を行った。
    (1)の水素終端基板上では、基板表面に残った終端の不完全な部分で核形成が起こり、C_<60>分子がデンドライト形状の島状成長をすることが、基板温度を変えて行った一連の測定から確認された。完全な水素終端を行った上で、STMの探針で表面の水素原子を選択的に脱離させることが出来れば、任意の位置にC_<60>分子を吸着・成長させることが可能であるといえる。
    (2)の螺旋状GaSe薄膜上には螺旋の各ステップ端に活性部位が存在すると考えられるが、C_<60>分子はまずそのステップ端に吸着し、次に螺旋のテラスを埋めて成長していく様子がAFMによって観察された。すなわち、平坦な層状物質基板上に溝状のステップを形成すれば、C_<60>分子などはその中で選択的に成長すると期待される。現在そのような溝状構造の作製の実験を進めており、分子性結晶による微細構造の物性測定を目指している。
    課題番号：06750004
  • ファンデアワールス・エピタキシ-法によるフラーレン超薄膜の作製とのその物性の解明　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 重点領域研究, 1994年 - 1994年
    小間 篤; 島田 敏宏; 上野 啓司, 東京大学
    配分額（総額）：1700000, 配分額（直接経費）：1700000
    フラーレンの発見と、その精製、分離技術の確立は、物質科学に大きなインパクトを与えつつある。2種以上のフラーレン超薄膜を交互に積層成長させたり、フラーレン超薄膜とドーパント層を設計通りに積層させることが可能なヘテロエピタキシャル膜作製手法の確立は、新しいフラーレン物性を系統的に探索する上で特に期待されるものである。本研究では、格子不整合系のエピタキシャル成長に特に有効な手法として我々が開発してきたファンデルワールス・エピタキシ-法を駆使して、良質のフラーレン超薄膜のエピタキシャル成長手法の確立を図るため、その成長機構の解明を目指した。
    MoS_2に代表される遷移金属ダイカルコゲナイド上へのフラレン成長機構について、成長中における電子線回折(RHEED)による観察、および成長後の薄膜形態の原子間力顕微鏡(AFM)観察によって詳細な検討をおこなった。その結果、C_<60>は通常の条件下(基板温度、室温〜150℃、成長速度〜1Å/分)において、二次元核形成により成長し、各層は層状成長することが明らかになった。成長形態は一層目と二層目以降で大きく異なり、一層目は六回対称のデンドライト構造でそのドメインサイズは最大40μに達する。これに対し、二層目以降は三角形状でそのサイズは数μ程度である。
    一層目の核形成に関する知見を得るために、さらに基板温度および成長速度をパラメータとして核密度数の詳細な検討をおこなった。完全凝集モデルによれば、安定核密度は成長速度、基板温度および臨界核の大きさの関数で表される。このモデルから計算される臨界核の大きさ(原子数)は100℃において約4、210℃において20〜30以上であった。また基板上の拡散距離は40μ以上となる。これらの値の評価はフラレン系だけでなく広く有機物質系でも初めてであり、今後のエピタキシャル成長膜の設計に有用な指針を与えるものである。
    課題番号：06224206
  • 原子モアレ変調構造の走査トンネル分光　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 重点領域研究, 1994年 - 1994年
    小間 篤; 島田 敏宏; 上野 啓司; 斉木 幸一朗, 東京大学
    配分額（総額）：2300000, 配分額（直接経費）：2300000
    本研究は、ファンデアワールス・エピタキシ-法によって作製された層状物質による超薄膜ヘテロ構造表面の、走査型トンネル顕微鏡(STM)像に現れる、長周期モアレ変調構造の微視的解明を目標としている。平成6年度は、これまでにモアレ変調構造を測定した物質以外の層状物質間でのヘテロ構造を作製し、変調構造が現れるかどうか実験を行った。また昨年に引き続き、アルカリ金属吸着により層状物質表面に現れる局所的電子変調構造のSTM像及びトンネルスペクトルの測定を行い、金属や層状物質の種類の違いによる差異が現れるかどうかの検証を行った。
    金属性の層状遷移金属ダイカルコゲナイドTaSe_2基板上にMoSe_2薄膜を成長した試料では、これまでの所モアレ変調構造は観察されていない。自由電子による遮蔽効果がその原因としては考えられるが、詳細は検討中である。またMoS_2基板上にIII-VI層状化合物半導体GaSeの薄膜を成長した試料でも、やはりモアレ変調は観察されていない。成長する薄膜物質のフェルミ準位近傍に存在するd軌道の電子に対する変調作用がモアレ構造を発現させていると考えている。
    アルカリ金属吸着表面では、これまでのNa吸着の他、Cs吸着表面でも同様の変調構造が現れることが確認された。また価電子帯領域のSTM像に現れる輝点は、リング状の構造ではなく、非対称なU字型の構造を持つことが見いだされた。さらにこの価電子帯領域での電子変調は、真空中に鋭く突き出ており、STM探針先端を逆に操作する形となり、先端構造を反映したゴ-スト像が現れることも見い出された。
    課題番号：06236204
  • 有機・無機超格子の作製とその物性の解明　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 一般研究(B), 1993年 - 1994年
    小間 篤; 島田 敏宏; 上野 啓司; 多田 博一, 東京大学
    配分額（総額）：7300000, 配分額（直接経費）：7300000
    本課題では、ファンデルワールス界面に分子線エピタキシ-を応用した手法であるファンデルワールス・エピタキシ-を有機分子に適用して、従来全く例のない有機・無機エピタキシャル超格子の作製とその物性解明を目指して研究を行った。得られた成果は以下の通りである。(1)KBr-VOPc系でエピタキシャル関係を保った有機・無機超格子をはじめて実現した。(2)原子間力顕微鏡(AFM)による観察により、有機分子のエピタキシャル成長において、基板温度や分子線フラックスを変化させることにより成長膜のモルフォロジーを制御できることを明らかにした。これは、分子レベルで平坦な有機・無機超格子を作製する上で重要である。(3)単結晶傾斜基板上に規則的に存在するステップを用いて分子配向を制御できる可能性を実証した。これは、有機・無機エピタキシャル超格子の作製上不可欠な有機層のシングルドメイン化を行う有力な手法となることが期待される。また、有機分子の配列がステップに影響されて一次元的な秩序をとることも明らかになった。これは、超格子に対するいわば「量子細線」を有機分子に対して人工的に作製する方法をはじめて与えるものである。(4)無機物による有機分子超薄膜・微細構造のキャッピングは、保護膜として有効であることを明らかにした。(5)新たに、Se終端化したGaAs(111)基板がエピタキシャル成長の基板として有効であることを見いだし、VOPc、AlClPcのエピタキシャル成長を行い、成長膜の分子配列を決定した。また、アルカリハライド上にシングルドメイン成長できる新たな有機分子として、四角酸を見いだした。四角酸は反強誘電体として知られており、エピタキシャル膜やアルカリハライドとの有機・無機超格子に発現する新物性が期待される。
    課題番号：05452093
  • 異種構造物質間でのヘテロエピタキシ-に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 奨励研究(A), 1993年 - 1993年
    上野 啓司, 東京大学
    配分額（総額）：900000, 配分額（直接経費）：900000
    本研究では、ヘテロ成長により作製した単結晶層状物質薄膜上へ、3次元的な構造を持つ化合物半導体を単結晶ヘテロ成長することを目的としている。本年度はまずSi基板上に層状化合物半導体GaSeの良質な単結晶薄膜を成長することを試みた。その結果、Si基板表面の処理として、混酸による酸化膜形成と希弗酸溶液による除去を行うことで表面を水素終端し、さらに弗化アンモニウム溶液で処理することにより表面を-SiH基のみで終端する、という手法を用いることで、その上にGaSe薄膜を基板温度400〜500℃で単結晶成長できることを確認した。これまでの水素終端基板上への成長では、基板温度を低温から高温へ成長途中で変えないと単結晶成長は実現しなかったが、今回の水素終端処理基板上では、最初から基板温度を高くしても単結晶成長が実現している。これは表面を-SiH基のみで終端することにより、水素原子の脱離温度を高くすることができたためと考えられる。
    次に、この単結晶GaSe薄膜の表面形状を調べるために、原子間力顕微鏡(AFM)による観察を行った。その結果GaSe表面は径が数百nm程度の螺旋状構造で覆われており、薄膜が螺旋成長していることが判明した。また螺旋段差間の平坦部ではバルク単結晶と同じ原子像が観察されており、GaSeの単結晶成長を裏付けている。また、超高真空中でSeアニールしたGaSe薄膜のAFM像では、螺旋のエッジの部分が過剰なSeと反応している様子が観察されており、エッジの部分が活性であることを示している。
    このGaSe薄膜上の化合物半導体を成長する場合には、不活性な平坦部と活性なエッジ部分の割合を制御することで、エピタキシャル成長に必要な界面結合部と、ひずみ緩和に必要な非結合部とを制御することができると考えられる。現在、化合物半導体のヘテロ成長の実験を行っており、単結晶成長の実現を目指している。
    課題番号：05750005
  • ファンデアワールス・エピタキシー法によるフラーレン超薄膜の作製とその物性の解明　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 重点領域研究, 1993年 - 1993年
    小間 篤; 上野 啓司; 多田 博一, 東京大学
    配分額（総額）：3000000, 配分額（直接経費）：3000000
    本研究はファンデアワールス基板表面におけるフラーレンエピタキシャル薄膜の成長機構と物性の解明を目的としている。MoS_2基板上にエピタキシャル成長した膜厚1分子層程度のC_<60>及びC_<70>薄膜の表面形態を原子間力顕微鏡を用いて観察した結果、薄膜の成長機構が1分子層ごとの層状成長であることを確認した。ある特定の成長条件下では成膜1層目の成長形態が基板結晶軸方向に配向を揃えた6回対称性を持つ樹枝状であることを発見した。1つのドメインの直径はおよそ30μ程度であり、現在までに報告されている他の基板上でのフラーレン薄膜のドメインサイズよりも10倍ほど大きなものである。この1層目のテラス上に成長する2層目以降のドメイン形態は1層目とは異なり、直径1〜2μ程度の三角形の晶癖を持つ。この成長形態はフラーレンバルク結晶のものに近いと考えられる。このように成長形態が1層目と2層目以降で異なるのは、各層を形成する際のフラーレン分子の拡散の大きさが異なるからであり、本研究の結果からMoS_2基板表面上の分子の拡散がバルク結晶上の値よりも大きいことが示された。実際、MoS_2をはじめとする各種ファンデアワールス基板表面上には他の基板を用いた場合よりも結晶性の高いフラーレンエピタキシャル膜の成長が確認されており、その原因としてファンデアワールス基板表面における分子の大きな拡散が原因となっていることが予想される。また、こうして得られたエピタキシャル薄膜の表面を高分解能電子エネルギー損失分光法を用いて観察した結果、C_<60>薄膜のスペクトルでは、C_<60>分子の赤外活性モードに由来するピークが強い双極子散乱ピークとして観測された。この結果はエピタキシャル薄膜表面の平坦性の高さを実証している。C_<70>エピタキシャル膜に関しても、鏡面反射条件において赤外スペクトルと対応するスペクトルが得られ、来年度の研究においては薄膜中の分子の振動状態についてさらに詳細な情報が得られることが期待される。
    課題番号：05233208
  • ファンデアワールス相互作用によるヘテロエピタキシャル成長と界面構造の解明　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 重点領域研究, 1993年 - 1993年
    小間 篤; 上野 啓司; 多田 博一, 東京大学
    配分額（総額）：3100000, 配分額（直接経費）：3100000
    本研究は,ファンデアワールスで結合界面を利用した単結晶ヘテロエピタキシャル成長における初期過程を,走査トンネル顕微鏡(STM)を用いて解明することを目的としている。我々は層状物質の劈開面の様に,活性なダングリングボンドが現れないファンデアワールス表面上に,別の層状物質をヘテロ成長させるときには,50%以上の格子不整合があっても良好なエピタキシャルが可能であることを明らかにしてきた。このような系では極めて急峻なファンデアワールス界面を介して,格子間隔の異なる2種の物質が接した構造が実現できるため,走査トンネル顕微鏡像には,モアレタイプの変調構造が明瞭に現れる。モアレ変調構造には,エピタキシャル超薄膜の格子間隔の微小なずれや,基板結晶に対する結晶軸の微小な回転が著しく強調されて現れるので,これを利用することにより,エピタキシャル超薄膜中の局所歪みに関する知見を得ることができる。本研究では,2H-MoS_2基板上に,成長温度を種々に変えてMoSe_2超薄膜をエピタキシャル成長させ,STMの変調構造の観測を行った。その結果,温度520℃で成長したエピタキシャルでは,0.71%の格子間隔の局所的変動が15.8%に,また,0.24°の結晶軸の局所的回転が6°にそれぞれ強調されてモアレ変調に見えることが判明した。モデル計算との比較により,上述のモアレ変調構造を利用した評価法を用いれば,エピタキシャル膜中の格子間隔並びに結晶軸の,約10nmごとの超局所的変動を,それぞれ0.1%,0.01°の精度で調べられることが明らかになった。
    課題番号：05211206
  • 原子モアレ変調構造の走査トンネル分光　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 重点領域研究, 1993年 - 1993年
    小間 篤; 上野 啓司; 多田 博一; 斉木 幸一朗, 東京大学
    配分額（総額）：3700000, 配分額（直接経費）：3700000
    本研究は、ファンデアワールス・エピタキシー法によって作製された層状物質による超薄膜ヘテロ構造表面の、走査型トンネル顕微鏡(STM)像に現れる、長周期モアレ変調構造の微視的解明を目標としている。平成5年度は、モアレ変調構造の各所において、STMを用いたトンネルスペクトルの測定を進めた。その一方で、モアレ変調構造の起因を追求するための基礎データとして、層状物質表面そのもの、及び極微量の金属原子を吸着させた層状物質表面の電子帯構造のSTM、トンネルスペクトル測定を行った。
    MoS_2基板上にMoSe_2超薄膜を単結晶ヘテロ成長した試料のモアレ変調構造のトンネルスペクトル測定では、変調構造の明部と暗部の電子帯構造に、明らかな差異があることが確認された。この結果は、モアレ変調構造が、単純な表面の凹凸ではなく、成長した超薄膜の表面電子構造が基板から周期的な変調作用を受けた結果現れている、というモデルを支持している。
    層状物質表面にSnやNa等の金属を微量吸着させた試料の測定では、STM像に、吸着によると思われる大きさ数nmの暗い班点状の模様が観察されたが、高分解能観察を行うと、その暗部の中でも、外側の明部と連続した原子像が観察された。このことは吸着した金属は表面にはとどまらずに内部に浸透し、その周辺に局在する電子構造の変調を引き起こしていると考えられる。トンネルスペクトルの測定では、フェルミ準位から+1.2Vの空準位において清浄表面のスペクトルには存在しないピークが観察されており、吸着金属原子による局所的電子構造の変化を裏付けている。
    課題番号：05245203
  • ファンデルワールス種属人工物質における新物性の探索とその応用に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
    日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 特別推進研究, 1990年 - 1992年
    小間 篤; 上野 啓司; 多田 博一; 斉木 幸一郎; 青木 秀夫, 東京大学
    配分額（総額）：220000000, 配分額（直接経費）：220000000
    本研究では、研究代表者らが創案したファンデルワールス・エピタキシ-法を発展させて、多岐にわたる物質の超薄膜を積層成長することにより、天然界にはまったく存在しないような人工新物質を作成し、それが示す新しい物性を探索することを目指して研究を進めた。その結果、ヘテロ成長できる物質系を飛躍的に増大させることに成功した。三次元物質基板上の表面ダングリングボンドの終端という概念の導入により、最も広く使われている三次元的物質と層状物質とを結合させる道を拓き、またフラーレンや各種有機分子結晶のエピタキシャル超薄膜の成長並びに有機超格子成長という従来手をつけかねていた物質のヘテロエピタキシャル成長手法の確立にも成功した。静電的相互作用を利用した、格子不整合イオン結合物質間のエピタキシャル成長、電荷の偏りを有する有機分子性結晶のアルカリハライド基板上への成長は、組み合わせることが可能な物質群をさらに増大させた。本研究で作製されたヘテロ構造に固有な物性として、モアレ変調を受けたSTM像、超薄膜におけるポリタイプの形成、電荷密度波の形成、超薄膜ヘテロ構造によるフタロシアニンの光学的特性制御、アルカリハライド超薄膜中の表面ポラリトンの異常分散などが見い出され、その機構の解明がなされた。一方理論グループでは、モンテカルロ法、バンド計算、量子モンテカルロ法、解析的方法などを用いて、本研究で実現可能な物質系における、結晶成長/結晶構造、電子物性、超伝導、誘電的性質などの理論的予測と解明を行った。とくに、異なる層またはバンドの間の電荷結合により、相互作用がすべて斥力の系から有効引力が生じるだけでなく、超伝導相が最も支配的になるという、新しい超伝導機構の提案を行った。これは、超伝導機構を与える随伴系が、多体効果による絶縁体でも、電荷移動による絶縁体でも、金属であってもはたらく一般性の高い機構である。
    課題番号：02102002
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    競争的資金
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