金属格子中における水素原子配位ゆらぎと電気伝導機構
酒井政道
総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書, 巻：第6号(平成19年度), 開始ページ：1, 終了ページ：4, 2008年
金属格子中における水素原子配位ゆらぎと電気伝導機構
酒井政道
巻：第6号(平成19年度), 開始ページ：1, 終了ページ：4, 2008年
金属格子中の水素配位モフォロジーの多様性にもとづく電子機能
酒井政道
総合研究機構研究プロジェクト成果発表会 : ポスター展示, 開始ページ：1, 終了ページ：20, 2007年
遠赤外線領域の光学材料評価技術の開発 ： SmHＸ薄膜（2.2
酒井政道; 遠藤元気; 中村修
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：8, 開始ページ：32, 終了ページ：35, 2007年
金属格子中の水素配位モフォロジーの多様性にもとづく電子機能
酒井政道
総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書, 巻：第5号(18年度), 開始ページ：99, 終了ページ：102, 2007年
金属格子中の水素配位モフォロジーの多様性にもとづく電子機能
酒井政道
開始ページ：1, 終了ページ：20, 2007年
遠赤外線領域の光学材料評価技術の開発--SmH[x]薄膜(2.2<[x]<2.6)における誘電関数評価への応用
酒井 政道; 遠藤 元気; 中村 修
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：8, 号：8, 開始ページ：32, 終了ページ：35, 2007年
We have carried out the dielectric function analysis of SmHｘ(x=2.28, 2.42, 2.56, 2.57) films based on the room-temperature reflectance spectra for photon energies ranging form 0.05 to 6.5 eV. The analysis has been performed by using i) the model dielectric functions and ii) Kramers-Kronig analysis to obtain the real and imaginary parts of the dielectric constants in SmHｘ. The both approaches demonstrate that the interband transition energy shows a red shift of about 1 eV when H/Sm ratio is increased from 2.28 to 2.57, though the lattice constant remains almost unchanged.
埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371269, CiNii Books ID：AA11808968
遠赤外線領域の光学材料評価技術の開発 ： SmHＸ薄膜（2.2
酒井政道; 遠藤元気; 中村修
巻：8, 開始ページ：32, 終了ページ：35, 2007年
金属格子中の水素配位モフォロジーの多様性にもとづく電子機能
酒井政道
巻：第5号(18年度), 開始ページ：99, 終了ページ：102, 2007年
イットリウム二水素化物における電子 : 正孔補償状態と磁気抵抗<論文>
酒井政道; 南保岳; 中村修
埼玉大学紀要, 工学部, 第1部論文集, 巻：1, 号：38, 開始ページ：45, 終了ページ：48, 2005年
水素と希土類金属を用いた循環型材料開発と電子物性評価
酒井政道
総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書, 巻：16年度, 開始ページ：179, 終了ページ：182, 2005年
イットリウム二水素化物における電子 : 正孔補償状態と磁気抵抗<論文>
酒井政道; 南保岳; 中村修
巻：1, 号：38, 開始ページ：45, 終了ページ：48, 2005年
水素と希土類金属を用いた循環型材料開発と電子物性評価
酒井政道
巻：16年度, 開始ページ：179, 終了ページ：182, 2005年
Nonlocal electro-optic effect in semiconductor thin films
M Sakai
巻：15, 号：28-30, 開始ページ：3936, 終了ページ：3939, 2001年12月
Electroreflectance(ER) spectra of GaAs thin film/Al0.3Ga0.7As-substrate systems are investigated theoretically by taking into account the nonlocal effect caused by the presence of a crystal surf-ace. Calculations are carried out by following the previous work by DelSole but considering influence of film thickness and nonflat-band modulation of a static electric field. It is shown from thickness variation of ER spectra that the refractive indexes of the thin films are reduced by a factor of about 0.1 when the nonlocal effect is considered.
英語
ISSN：0217-9792, Web of Science ID：WOS:000173898900090
Influence of a Surface on the Franz-Keldysh Effect in N-and P-type GaAs Epitaxial Layers M.Sakai; H.Shibata; M.Shinohara
J. Phys. Soc. Jpn.,
巻：70,
号：4,
開始ページ：1064,
終了ページ：1074, 2001年
DOI：https://doi.org/10.1143/JPSJ.70.1064DOI ID：10.1143/JPSJ.70.1064,
ISSN：0031-9015,
CiNii Articles ID：110001979002 Nonlocal Electro-optic Effect in Semiconductor Thin Films
開始ページ：3936, 終了ページ：3939, 2001年
Influence of a Surface on the Franz-Keldysh Effect in N-and P-type GaAs Epitaxial Layers M.Sakai; H.Shibata; M.Shinohara
巻：70,
号：4,
開始ページ：1064,
終了ページ：1074, 2001年
DOI：https://doi.org/10.1143/JPSJ.70.1064DOI ID：10.1143/JPSJ.70.1064,
ISSN：0031-9015,
CiNii Articles ID：110001979002 Influence of Carrier Scattering on Franz-Keldysh Effect in Near-surface Region of N-type GaAs M.Sakai; M.Shinohara
J. Phys. Soc. Jpn.,
巻：66,
号：3,
開始ページ：738,
終了ページ：748, 1997年
DOI：https://doi.org/10.1143/JPSJ.66.738DOI ID：10.1143/JPSJ.66.738,
ISSN：0031-9015,
CiNii Articles ID：110001970305 Influence of Carrier Scattering on Franz-Keldysh Effect in Near-surface Region of N-type GaAs M.Sakai; M.Shinohara
巻：66,
号：3,
開始ページ：738,
終了ページ：748, 1997年
DOI：https://doi.org/10.1143/JPSJ.66.738DOI ID：10.1143/JPSJ.66.738,
ISSN：0031-9015,
CiNii Articles ID：110001970305
