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Search Details

YAGI　Shuhei
Mathematics, Electronics and Informatics DivisionAssociate Professor
Department of Electrical Engineering,Electronics, and Applied Physics

Researcher information

■ Degree
  • Master of Engineering, Tokyo Institute of Technology
■ Research Keyword
  • High Efficiency Solar Cells
  • Crystal Growth
  • Semiconductor Engineering
■ Field Of Study
  • Natural sciences, Semiconductors, optical and atomic physics, Semiconductor engineering
  • Nanotechnology/Materials, Crystal engineering, Crystal growth
  • Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering), Electric/electronic material engineering
■ Career
  • Apr. 2015 - Present, Saitama University, Graduate School of Science and Engineering, Associate Professor
  • Apr. 2010 - Mar. 2015, Saitama Univeristy, Graduate School of Science and Engineering, Assistant Professor
  • Apr. 2009 - Mar. 2010, The University of Tokyo, Research Center for Advanced Science and Technology, Project Assistant Professor
  • Apr. 2008 - Mar. 2009, The University of Tokyo, Research Center for Advanced Science and Technology, Project Research Fellow
  • May 2007 - Mar. 2008, Tsukuba University, Institute of Applied Physics, Reserch Fellow
  • Apr. 2007 - Apr. 2007, Tsukuba University, Institute of Applied Physics
  • Apr. 2006 - Mar. 2007, National Institute for Materials Science, NIMS postdoc research fellow
  • Apr. 2004 - Mar. 2006, National Institute for Materials Science, Research Fellow
■ Educational Background
  • Apr. 2001 - Mar. 2004, Tokyo Institute of Technology, Graduate School, Division of Science and Engineering, Department of Physical Electronics
  • Apr. 1999 - Mar. 2001, Tokyo Insititute of Technology, Graduate School, Division of Science and Engineering, Department of Physical Electronics, Japan
  • Apr. 1997 - Mar. 1999, The University of Electro-Communications, Faculty of Electro Communications, Department of Electronics, Japan
  • Apr. 1992 - Mar. 1997, Tokyo National College of Technology, Japan
■ Member History
  • Apr. 2020 - Present
    The Japan Society of Applied Physics, APEX/JJAP Editor, Society
  • Nov. 2024 - Jun. 2025
    Society
  • Jun. 2012 - Sep. 2018
    Society
  • Nov. 2017 - Apr. 2018
    JJAP special issue (PVSEC-27), JJAP special issue guest editor (PVSEC-27), Society
  • Jun. 2017 - Nov. 2017
    Society
  • Nov. 2014 - Apr. 2015
    JJAP special issue (WCPEC-6), JJAP special issue guest editor (WCPEC-6), Society
  • Jun. 2014 - Nov. 2014
    Society
  • Dec. 2010 - Oct. 2011
    Society
■ Award
  • Mar. 2025, 応用物理学会論文誌編集貢献賞

Performance information

■ Paper
■ MISC
  • Conversion Efficiency Analysis of Tandem Solar Cells with Intermediate Band Tunnel Connection　　　　　　　　　　　　　　　
    Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
    First page：1, Last page：1, 11 Jun. 2023
    DOI：https://doi.org/10.1109/pvsc48320.2023.10359986
    DOI ID：10.1109/pvsc48320.2023.10359986
  • Study on the Binding Energy of Biexcitons Localized at Isoelectronic Traps in Nitrogen δ-Doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
    矢野裕子; 高宮健吾; 藤川沙千恵; 八木修平; 矢口裕之; 小林真隆; 秋山英文
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：70th, 2023
    ISSN：2436-7613, J-Global ID：202302286333664872
  • Excitation Power Dependence of Emission Lines from Er Doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
    伊藤駿平; 高宮健吾; 小林真隆; 八木修平; 秋山英文; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：69th, First page：2624, Last page：2624, 2022
    The Japan Society of Applied Physics, Japanese
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2624
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2624, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：202202243673645430
  • Degradation of Photoluminescence Intensity of GaAs under High Power Density Excitation　　　　　　　　　　　　　　　
    Takaoka Shohei; Md. Zamil Sultan; Takamiya Kengo; Yagi Shuhei; Yaguchi Hiroyuki
    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, Volume：2021.2, First page：3057, Last page：3057, 26 Aug. 2021
    The Japan Society of Applied Physics, Japanese
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_3057
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_3057, eISSN：2436-7613
  • Optical Characterization of Carrier Recombination Process in Intermediate Type GaPN Alloy: Comparison of Nitrogen Content Between 1.4% and 3.2%　　　　　　　　　　　　　　　
    Iwai Hiroki; Ferdous Sanjida; Kamata Norihiko; Yagi Shuhei; Yaguchi Hiroyuki
    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, Volume：2021.1, First page：2708, Last page：2708, 26 Feb. 2021
    The Japan Society of Applied Physics, Japanese
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2708
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2708, eISSN：2436-7613
  • Biexciton luminescence from individual isoelectronic traps in N -doped GaAs grown on (111) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
    Takaoka Shouhei; Takamiya Kengo; Yagi Shuhei; Hazama Yuji; Akiyama Hidefumi; Yaguchi Hiroyuki
    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, Volume：2019.2, First page：3419, Last page：3419, 04 Sep. 2019
    The Japan Society of Applied Physics, Japanese
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3419
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3419, eISSN：2436-7613
  • Characterization of Carrier Recombination Levels in Nitrogen δ-Doped GaAs Superlattices by Two- Wavelength Excited Photoluminescence Method　　　　　　　　　　　　　　　
    Nagata Kota; Norihiko Kamata; Syuuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, Volume：2019.2, First page：3688, Last page：3688, 04 Sep. 2019
    The Japan Society of Applied Physics, Japanese
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3688
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3688, eISSN：2436-7613
  • Growth of InN nanocolumns using a cubic GaN interlayer by RF-MBE　　　　　　　　　　　　　　　
    Onuma Rikiya; Yagi Shuhei; Yaguchi Hiroyuki
    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, Volume：2019.2, First page：3485, Last page：3485, 04 Sep. 2019
    The Japan Society of Applied Physics, Japanese
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3485
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3485, eISSN：2436-7613
  • Fabrication of cubic InN nanowires on GaN V-groove structures　　　　　　　　　　　　　　　
    Nishimura Yusuke; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, Volume：2019.2, First page：3486, Last page：3486, 04 Sep. 2019
    The Japan Society of Applied Physics, Japanese
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3486
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3486, eISSN：2436-7613
  • Study of nonradiative recombination centers in GaAs:N δ-doped superlattices structures revealed by below-gap excitation light　　　　　　　　　　　　　　　
    Hiroyuki Yaguchi; Norihiko Kamata; M. Julkarnain; A. Z. M. Touhidul Islam; Yoshitaka Okada; Shuhei Yagi; Md. Dulal Haque
    First page：1, Last page：4, 01 Jul. 2019
    Nonradiative recombination (NRR) centers in GaAs:N $\delta$-doped superlattices (SLs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) has been investigated by two-wavelength excited photoluminescence (TWEPL) method for conduction band scheme. The PL intensity of $E_{-}$ band of the samples with lower nitrogen (N) concentration (0.317% N) initially increases after addition of below-gap excitation (BGE) light over above-gap excitation (AGE) light and then quenches at higher BGE density and energy, while that of GaAs (e-A°) emission of GaAs layers decreases monotonically. For sample with higher N concentration (1.18% N) both the $E _{-}$ band and GaAs (e-A°) emission decreases monotonically with enhancing BGE density and degree of decreasing of PL intensity is higher compared to the low N concentration sample. The quenching of PL intensity indicates the existence of NRR centers in GaAs layers and GaAs:N $\delta$-doped SL region. The recombination models have been proposed for explaining the results from the experiments.
    DOI：https://doi.org/10.1109/ic4me247184.2019.9036541
    DOI ID：10.1109/ic4me247184.2019.9036541
  • 第一原理計算によるGaAsN混晶中のN原子配置のバンド構造への影響の検討
    塚原悠太; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：79th, First page：ROMBUNNO.18p‐234B‐6, 05 Sep. 2018
    Japanese
    J-Global ID：201802221348887183
  • 二波長励起PL測定によるGaPN混晶のアップコンバージョン発光特性評価
    高橋渉; 高宮健吾; 八木修平; 狭間優治; 秋山英文; 矢口裕之; 鎌田憲彦
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：79th, First page：ROMBUNNO.18p‐234B‐4, 05 Sep. 2018
    Japanese
    J-Global ID：201802238518840151
  • 規則配列化InNドットの作製に向けた立方晶GaN表面ステップ構造の成長条件依存性
    大倉一将; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：79th, First page：ROMBUNNO.19p‐PA4‐25, 05 Sep. 2018
    Japanese
    J-Global ID：201802262792771299
  • RF‐MBE成長による4H‐SiC(000-1)基板上へのN極性GaNの作製
    杉浦亮; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：79th, First page：ROMBUNNO.19p‐PA4‐14, Sep. 2018
    Japanese
    J-Global ID：201802290158483556
  • MBE成長したErドープGaAsの発光特性に対するアニーリングの影響
    五十嵐大輔; 高宮健吾; 伊藤隆; 八木修平; 秋山英文; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：65th, First page：ROMBUNNO.18p‐P8‐12, 05 Mar. 2018
    Japanese
    J-Global ID：201802217506237741
  • Growth of InGaAs: N delta-doped superlattices for multi-junction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Umeda, Shumpei; Yagi, Shuhei; Miyashita, Naoya; Okada, Yoshitaka; Yaguchi, Hiroyuki
    2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC), First page：1861, Last page：1864, 2018
    English
    ISSN：2159-2330, eISSN：2159-2349, Web of Science ID：WOS:000469200401194
  • GaPN混晶のアップコンバージョン発光
    高橋渉; 高宮健吾; 八木修平; 伊藤隆; 秋山英文; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：78th, First page：ROMBUNNO.6p‐PA7‐1, 25 Aug. 2017
    Japanese
    J-Global ID：201702255331459722
  • 新規可溶性オリゴチオフェン系電子ドナー材料を用いた有機薄膜太陽電池への溶媒蒸気アニーリング効果
    秋山雄希; 秋山雄希; 橘浩昭; 阿澄玲子; 宮寺哲彦; 近松真之; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：78th, First page：ROMBUNNO.5p‐PA3‐7, 25 Aug. 2017
    Japanese
    J-Global ID：201702271908434102
  • 希釈窒化物半導体中の窒素原子配置によるバンドギャップへの影響
    宮島数喜; 八木修平; 庄司靖; 岡田至崇; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：78th, First page：ROMBUNNO.5p‐C21‐1, 25 Aug. 2017
    Japanese
    J-Global ID：201702278507065273
  • 基板再利用に向けたELO後基板の清浄化工程と再成長の検討
    宮下直也; 八木修平; 渡辺健太郎; 木村大希; SODABANLU Hassanet; 中田達也; 杉山正和; 杉山正和; 岡田至崇
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：78th, First page：ROMBUNNO.6p‐PA5‐23, Aug. 2017
    Japanese
    J-Global ID：201702288830548138
  • ErドープGaAsからの発光のMBE成長温度依存性
    五十嵐大輔; 高宮健吾; 八木修平; 伊藤隆; 秋山英文; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：64th, First page：ROMBUNNO.17p‐P2‐8, 01 Mar. 2017
    Japanese
    J-Global ID：201702218011102092
  • 1eV帯InGaAs:Nδドープ超格子の作製
    梅田峻平; 八木修平; 宮下直也; 岡田至崇; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：64th, First page：ROMBUNNO.14p‐B6‐9, 01 Mar. 2017
    Japanese
    J-Global ID：201702242750399704
  • n型GaAs:Nδドープ超格子の電気的特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
    加藤諒; 八木修平; 岡田至崇; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：64th, First page：ROMBUNNO.15p‐P16‐8, Last page：3418, 01 Mar. 2017
    The Japan Society of Applied Physics, Japanese
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3418
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3418, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201702266277509859
  • DRCN5T/PCBMバルクヘテロ接合膜の溶媒蒸気アニーリング過程のその場観察
    新井康司; 新井康司; 宮寺哲彦; 小金澤智之; 秋山雄希; 秋山雄希; 橘浩昭; 吉田郵司; 近松真之; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：64th, First page：ROMBUNNO.16p‐F201‐3, 01 Mar. 2017
    Japanese
    ISSN：2436-7613, J-Global ID：201702283758456263
  • 4H‐SiC微傾斜基板上に作製した自己組織化InN/GaNドットの配列性制御
    松岡圭佑; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：77th, First page：ROMBUNNO.16a‐P5‐11, 01 Sep. 2016
    Japanese
    J-Global ID：201602236541953232
  • レーザ照射によるGaInNAs混晶半導体の発光効率への影響
    米倉成一; 高宮健吾; 八木修平; 上田修; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：77th, First page：ROMBUNNO.15a‐P11‐11, 01 Sep. 2016
    Japanese
    J-Global ID：201602248642339078
  • 新規可溶性オリゴチオフェン系電子ドナー材料を用いた有機薄膜太陽電池
    秋山雄希; 秋山雄希; 橘浩昭; 阿澄玲子; 宮寺哲彦; 近松真之; 小金澤智之; 矢口裕之; 八木修平
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：77th, First page：ROMBUNNO.13p‐P9‐11, 01 Sep. 2016
    Japanese
    ISSN：2436-7613, J-Global ID：201602279619229573
  • 添加剤導入によるP3HT薄膜の結晶成長過程のその場観察評価
    新井康司; 新井康司; 宮寺哲彦; 小金澤智之; 秋山雄希; 秋山雄希; 杉田武; 近松真之; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：63rd, First page：ROMBUNNO.19P-W242-6, 03 Mar. 2016
    Japanese
    ISSN：2436-7613, J-Global ID：201602206159061072
  • MgO微傾斜基板上に作製した立方晶InNドット配列構造の堆積量依存性
    石井健一; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：63rd, First page：ROMBUNNO.22A-P6-10, 03 Mar. 2016
    Japanese
    J-Global ID：201602218989088990
  • 4H‐SiC基板の二波長励起PL測定―BGE強度依存性―
    近藤圭太郎; 福田武司; 本多善太郎; 鎌田憲彦; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：63rd, First page：ROMBUNNO.20A-H101-9, 03 Mar. 2016
    Japanese
    J-Global ID：201602220555984119
  • Self-Organized Growth of Cubic InN Dot Arrays on MgO (001) Vicinal Substrates　　　　　　　　　　　　　　　
    Kenichi Ishii; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 2016, [Reviewed]
    English
    Web of Science ID：WOS:000392285400156
  • Optical Characterization of Carrier Recombination Processes in GaPN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence　　　　　　　　　　　　　　　
    Makiko Suetsugu; Norihiko Kamata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Takeshi Fukuda; Fredrik Karlsson; Per-Olof Holts
    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 2016, [Reviewed]
    English
    Web of Science ID：WOS:000392285400155
  • Two-Wavelength Excited Photoluminescence in 4H-SiC Substrate -Dependence on BGE Power Density-　　　　　　　　　　　　　　　
    Keitaro Kondo; Norihiko Kamata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Takeshi Fukuda; Zentaro Honda
    2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 2016, [Reviewed]
    English
    Web of Science ID：WOS:000392285400077
  • AlAs/GaAs分布ブラッグ反射鏡を有するEr δドープGaAsの発光特性
    須藤真樹; JIN R.G; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.13P-PB2-5, 31 Aug. 2015
    Japanese
    J-Global ID：201502200169002575
  • フォトルミネッセンス法による4H‐SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察
    浅藤亮祐; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.15A-1A-11, 31 Aug. 2015
    Japanese
    J-Global ID：201502200868414404
  • 第一原理計算によるGaAs:Nδドープ超格子における光学遷移に関する研究
    吉川洋生; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.13P-PB2-2, 31 Aug. 2015
    Japanese
    J-Global ID：201502202887386651
  • 微傾斜基板を用いたシングルドメイン立方晶GaNの成長と立方晶InNドット配列の形成
    石井健一; 折原操; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.14P-PB12-19, 31 Aug. 2015
    Japanese
    J-Global ID：201502207396200760
  • 第一原理計算によるInAsN混晶の伝導帯の解析
    宮崎貴史; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.13P-PB2-1, 31 Aug. 2015
    Japanese
    J-Global ID：201502207598351728
  • GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性
    JIN R; 高宮健吾; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.13P-PB2-3, 31 Aug. 2015
    Japanese
    J-Global ID：201502215233126671
  • ErドープGaAsからの発光に対する低温成長の影響
    飯村啓泰; JIN R.G; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：76th, First page：ROMBUNNO.13P-PB2-4, 31 Aug. 2015
    Japanese
    J-Global ID：201502221370971885
  • GaAs:Nδドープ超格子を有する太陽電池の二段階光吸収
    鈴木智也; 八木修平; 土方泰斗; 岡田至崇; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：62nd, First page：ROMBUNNO.13P-P19-17, 26 Feb. 2015
    Japanese
    J-Global ID：201502212728546006
  • 4H‐SiC(0001)微傾斜基板を用いたInNドット配列の自己形成
    森誠也; 高宮健吾; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：62nd, First page：ROMBUNNO.12P-P16-9, 26 Feb. 2015
    Japanese
    J-Global ID：201502237562705111
  • 第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究
    宮崎貴史; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：62nd, First page：ROMBUNNO.13A-P15-2, 26 Feb. 2015
    Japanese
    J-Global ID：201502238490747422
  • 中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長
    鈴木智也; 長田一輝; 八木修平; 内藤駿弥; 土方泰斗; 岡田至崇; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：75th, First page：ROMBUNNO.19P-PB3-10, 01 Sep. 2014
    Japanese
    J-Global ID：201402204873316264
  • SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化
    今野良太郎; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：75th, First page：ROMBUNNO.19A-PB5-11, 01 Sep. 2014
    Japanese
    J-Global ID：201402218643252926
  • GaAs:Nδドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御
    長田一輝; 鈴木智也; 八木修平; 内藤駿弥; 庄司靖; 岡田至崇; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：75th, First page：ROMBUNNO.19A-S1-6, 01 Sep. 2014
    Japanese
    J-Global ID：201402223396439019
  • RF‐MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長
    五十嵐健; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 片山竜二; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：61st, First page：ROMBUNNO.20A-PG1-15, 03 Mar. 2014
    Japanese
    J-Global ID：201402228659986330
  • 二波長励起PLによるGaPN混晶の光学特性評価
    末次麻希子; TOUHIDUL ISLAM A.Z.M; 花岡司; 福田武司; 鎌田憲彦; 八木修平; 矢口裕之
    照明学会全国大会講演論文集(CD-ROM), Volume：47th, First page：ROMBUNNO.10-3, 2014
    Japanese
    J-Global ID：201402295481095788
  • 六方晶SiC無極性面の酸化過程の実時間観察
    後藤大祐; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：74th, First page：ROMBUNNO.19A-P9-4, 31 Aug. 2013
    Japanese
    J-Global ID：201302203339195393
  • 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定
    高宮健吾; 八木修平; 土方泰斗; 望月敏光; 吉田正裕; 秋山英文; 窪谷茂幸; 片山竜二; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：74th, First page：ROMBUNNO.19A-P8-11, 31 Aug. 2013
    Japanese
    J-Global ID：201302208930844769
  • GaInNAs量子井戸の発光効率へのレーザー照射の影響
    岩崎卓也; 八木修平; 土方泰斗; 上田修; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：74th, First page：ROMBUNNO.19A-P8-13, 31 Aug. 2013
    Japanese
    J-Global ID：201302210710989914
  • GaAsN/GaAs量子井戸構造からの発光の励起強度依存性
    山崎泰由; 八木修平; 土方泰斗; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：74th, First page：ROMBUNNO.19A-P8-14, 31 Aug. 2013
    Japanese
    J-Global ID：201302253457891105
  • GaAs:Nδドープ超格子を用いた中間バンド型太陽電池の特性評価
    八木修平; 野口駿介; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 岡田至崇; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：74th, First page：ROMBUNNO.17P-D6-14, 31 Aug. 2013
    Japanese
    J-Global ID：201302263267421817
  • InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討
    徳田英俊; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：74th, First page：ROMBUNNO.17P-P7-15, 31 Aug. 2013
    Japanese
    J-Global ID：201302285385764625
  • An attempt for clarification of SiC oxidation mechanism : Common/different point to Si oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
    HIJIKATA Yasuto; YAGI Shuhei; YAGUCHI Hiroyuki
    Technical report of IEICE. SDM, Volume：113, Number：87, First page：91, Last page：96, 18 Jun. 2013
    Further understanding of the SiC oxidization mechanism is indispensable for MOSFET using a SiC semiconductor to exceed the conventional Si-based power devices. In this report, we summarize what have been found so far about the oxidization mechanism of SiC, and the research tendency and its subjects in recent years are introduced in terms of common or difference against Si oxidization.
    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, Japanese
    ISSN：0913-5685, CiNii Articles ID：110009779110, CiNii Books ID：AN10013254
  • An attempt for clarification of SiC oxidation mechanism-Common/different point to Si oxidation-
    土方泰斗; 八木修平; 矢口裕之
    電子情報通信学会技術研究報告, Volume：113, Number：87(SDM2013 44-64), First page：91, Last page：96, 11 Jun. 2013
    Japanese
    ISSN：0913-5685, J-Global ID：201302213724044520
  • RF‐MBE法による立方晶InNドット積層構造の作製
    鈴木潤一郎; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：60th, First page：ROMBUNNO.28P-PA1-1, 11 Mar. 2013
    Japanese
    J-Global ID：201302223183186110
  • 4H‐SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について
    宮野祐太郎; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：60th, First page：ROMBUNNO.29P-PB4-9, 11 Mar. 2013
    Japanese
    J-Global ID：201302267568241755
  • 中間バンド型太陽電池へ向けたGaAs中窒素ドープ超格子のE+バンド光吸収の観測
    野口駿介; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 岡田至崇; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：60th, First page：ROMBUNNO.29A-PB7-19, 11 Mar. 2013
    Japanese
    J-Global ID：201302299241158730
  • ホットキャリアを利用した新型太陽電池の開発
    八木修平; 岡田至崇
    ゼネラル石油研究奨励財団研究報告書, Number：15, First page：8, Last page：11, 01 Feb. 2013
    Japanese
    J-Global ID：201402263729291920
  • Optical Absorption by E+ Miniband of GaAs:N delta-Doped Superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
    Yagi, Shuhei; Noguchi, Shunsuke; Hijikata, Yasuto; Kuboya, Shigeyuki; Onabe, Kentaro; Okada, Yoshitaka; Yaguchi, Hiroyuki
    2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), First page：2490, Last page：2493, 2013
    English
    ISSN：0160-8371, Web of Science ID：WOS:000340054100565
  • Thermal Oxidation Mechanism of Silicon Carbide　　　　　　　　　　　　　　　
    Yasuto Hijikata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Sadafumi Yoshi
    Physics and Technology of Silicon Carbide Devices, Oct. 2012
    {InTech}
    DOI：https://doi.org/10.5772/50748
    DOI ID：10.5772/50748, ORCID put code：79780638
  • スパッタ薄膜成長による4H‐SiC基板中の非発光再結合中心生成
    加藤寿悠; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.11P-PB2-12, 27 Aug. 2012
    Japanese
    J-Global ID：201202222514720266
  • 堆積と熱酸化による4H‐SiC MOS構造の作製
    大谷篤志; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.11P-PB2-4, 27 Aug. 2012
    Japanese
    J-Global ID：201202230425306688
  • InN成長におけるInN高温バッファ層の効果に関する検討
    増田篤; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.12A-PB4-11, 27 Aug. 2012
    Japanese
    J-Global ID：201202235572897960
  • 第一原理計算によるGaAsNの電子構造に対する原子配置の影響に関する研究
    坂本圭; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.12A-PB4-22, 27 Aug. 2012
    Japanese
    J-Global ID：201202252900504833
  • 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定
    高宮健吾; 八木修平; 土方泰斗; 望月敏光; 吉田正裕; 秋山英文; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 矢口裕之
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.12P-PB11-20, 27 Aug. 2012
    Japanese
    J-Global ID：201202257209482469
  • MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長
    JIN R; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 矢口裕之
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.12P-PB11-16, 27 Aug. 2012
    Japanese
    J-Global ID：201202271314197829
  • RF‐MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響
    五十嵐健; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.12A-PB4-12, 27 Aug. 2012
    Japanese
    J-Global ID：201202279081759741
  • RF‐MBE法によるTiO2(001)基板上への立方晶GaNの成長
    折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：73rd, First page：ROMBUNNO.13P-H9-17, 27 Aug. 2012
    Japanese
    J-Global ID：201202285680090400
  • Application of Quantum Nanostructures to High-Efficiency Solar Cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Shuhei Yagi; Yoshitaka Okada
    JSAP Annual Meetings Extended Abstracts, Volume：2012.1, First page：162, Last page：162, 29 Feb. 2012
    The Japan Society of Applied Physics, English
    DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_162
    DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_162, eISSN：2436-7613
  • 熱酸化が4H‐SiCエピ膜中積層欠陥に及ぼす影響の顕微フォトルミネッセンスによる観察
    山形光; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：59th, First page：ROMBUNNO.17P-A8-11, 29 Feb. 2012
    Japanese
    J-Global ID：201202246861327481
  • 窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光
    高宮健吾; 福島俊之; 星野真也; 八木修平; 土方泰斗; 望月敏光; 吉田正裕; 秋山英文; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 矢口裕之
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：59th, First page：ROMBUNNO.17A-A8-9, 29 Feb. 2012
    Japanese
    J-Global ID：201202254067781707
  • 分光エリプソメトリによる立方晶InNの光学的特性評価
    吉田倫大; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：59th, First page：ROMBUNNO.16A-DP1-27, 29 Feb. 2012
    Japanese
    J-Global ID：201202270422534312
  • GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価
    野口駿介; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：59th, First page：ROMBUNNO.17P-DP3-12, 29 Feb. 2012
    Japanese
    J-Global ID：201202272956548214
  • 窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
    新井佑也; 星野真也; 高宮健吾; 八木修平; 土方泰斗; 望月敏光; 吉田正裕; 秋山英文; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：59th, First page：ROMBUNNO.17P-DP3-13, 29 Feb. 2012
    Japanese
    J-Global ID：201202279946154581
  • Analysis of the energy structure of nitrogen δ-doped GaAs superlattices for high efficiency intermediate band solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Shunsuke Noguchi; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Kentaro Onabe; Shigeyuki Kuboya; Hiroyuki Yaguchi
    Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, First page：83, Last page：86, 2012
    English
    DOI：https://doi.org/10.1109/PVSC.2012.6317573
    Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84869429937&origin=inward
    Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84869429937&origin=inward
    DOI ID：10.1109/PVSC.2012.6317573, ISSN：0160-8371, SCOPUS ID：84869429937
  • RF‐MBE法によるInN(10‐13)及びInGaN(10‐13)のGaAs(110)基板上への成長
    折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：72nd, First page：ROMBUNNO.30A-ZE-8, 16 Aug. 2011
    Japanese
    J-Global ID：201102239405788481
  • 共鳴トンネル構造を用いたエネルギー選択層における熱励起電流のホットキャリア型太陽電池特性への影響
    八木修平; 土方泰斗; 岡田至崇; 矢口裕之
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：72nd, First page：ROMBUNNO.1A-H-12, 16 Aug. 2011
    Japanese
    J-Global ID：201102252261232919
  • Quantum well double barrier resonant tunneling structures for selective contacts of hot carrier solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
    Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
    Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, First page：003309, Last page：003312, 2011
    DOI：https://doi.org/10.1109/PVSC.2011.6186646
    Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84861083769&origin=inward
    Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84861083769&origin=inward
    DOI ID：10.1109/PVSC.2011.6186646, ISSN：0160-8371, SCOPUS ID：84861083769
  • 極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル
    大久保航; 石川輝; 八木修平; 土方泰斗; 吉田貞史; 片山竜二; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：71st, First page：ROMBUNNO.14P-ZV-1, 30 Aug. 2010
    Japanese
    J-Global ID：201002208945322457
  • 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
    新井佑也; 遠藤雄太; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 矢口裕之
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：71st, First page：ROMBUNNO.14P-ZV-2, 30 Aug. 2010
    Japanese
    J-Global ID：201002211648568235
  • 酸化中のSiC層へのSiおよびC原子放出についての理論的検討
    土方泰斗; 八木修平; 矢口裕之; 吉田貞史
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：71st, First page：ROMBUNNO.15A-ZS-10, 30 Aug. 2010
    Japanese
    J-Global ID：201002219694574542
  • 高密度InAs/GaNAs量子ドット太陽電池構造の光学特性評価
    大島隆治; 高田彩未; 八木修平; 赤羽浩一; 玉置亮; 宮野健次郎; 岡田至崇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), Volume：71st, First page：ROMBUNNO.16A-ZV-3, 30 Aug. 2010
    Japanese
    J-Global ID：201002240598104615
  • FABRICATION OF RESONANT TUNNELING STRUCTURES FOR SELECTIVE ENERGY CONTACT OF HOT CARRIER SOLAR CELL BASED ON III-V SEMICONDUCTORS　　　　　　　　　　　　　　　
    Shuhei Yagi; Yoshitaka Okada
    35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, First page：1213, Last page：1216, 2010
    English
    DOI：https://doi.org/10.1109/PVSC.2010.5614058
    DOI ID：10.1109/PVSC.2010.5614058, ISSN：0160-8371, Web of Science ID：WOS:000287579501092
  • ホットキャリア太陽電池に向けたエネルギー選択層の評価(II)
    八木修平; 大島隆治; 岡田至崇
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：70th, Number：3, First page：1308, 08 Sep. 2009
    Japanese
    J-Global ID：200902295067574313
  • ホットキャリア太陽電池に向けたエネルギー選択層(SEC)の評価
    八木修平; 大島隆治; 岡田至崇
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：56th, Number：3, First page：1453, 30 Mar. 2009
    Japanese
    J-Global ID：200902253305069261
  • EVALUATION OF SELECTIVE ENERGY CONTACT FOR HOT CARRIER SOLAR CELLS BASED ON III-V SEMICONDUCTORS　　　　　　　　　　　　　　　
    Shuhei Yagi; Ryuji Oshima; Yoshitaka Okada
    2009 34TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, VOLS 1-3, First page：1322, Last page：1325, 2009
    English
    ISSN：0160-8371, Web of Science ID：WOS:000280345900288
  • InGaAs/GaAs系超格子構造太陽電池におけるキャリアの脱出過程
    八木修平; 永持創一朗; 大島隆治; 岡田至崇
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：55th, Number：1, First page：369, 27 Mar. 2008
    Japanese
    J-Global ID：200902231653046000
  • シリコン結晶中へのδドーピング III:電気特性
    八木修平; 坂本邦博; 三木一司
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：67th, Number：1, First page：361, 29 Aug. 2006
    Japanese
    J-Global ID：200902263589291134
  • シリコン結晶中へのδドーピング I:ビスマス原子細線を利用した手法
    三木一司; 八木修平; 坂本邦博; 深津晋
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：53rd, Number：1, First page：405, 22 Mar. 2006
    Japanese
    J-Global ID：200902225954321952
  • シリコン結晶中へのδドーピング II:ビスマスとエルビウムの共ドーピング
    八木修平; 安原望; 坂本邦博; 深津晋; 三木一司
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：53rd, Number：1, First page：405, 22 Mar. 2006
    Japanese
    J-Global ID：200902243706251024
  • 光学マルチセルを使った画像処理用2次元分子コンピュータの試作
    日塔光一; 八木修平; 大橋勝文; 三木一司
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：53rd, Number：3, First page：1352, 22 Mar. 2006
    Japanese
    J-Global ID：200902257906680133
  • 埋め込み型ビスマス原子細線 4:電気伝導測定
    日塔光一; 八木修平; 矢代航; 白木一郎; 坂本邦博; 三木一司
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：52nd, Number：2, First page：755, 29 Mar. 2005
    Japanese
    J-Global ID：200902236484514645
  • 埋め込み型Bi原子細線 1:加熱による消滅
    八木修平; 矢代航; 坂本邦博; 三木一司
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：52nd, Number：2, First page：754, 29 Mar. 2005
    Japanese
    J-Global ID：200902297810926141
  • ガスソースMBE法により作製したSi1-yCy混晶薄膜の熱的安定性
    阿部克也; 矢部千晶; 八木修平; 綿引達郎; 山田明; 小長井誠
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：50th, Number：1, First page：463, 27 Mar. 2003
    Japanese
    J-Global ID：200902229600851658
  • Theoretical and Experimental Analyses of C stability in Epitaxial Si_1-y_C_y_ Films　　　　　　　　　　　　　　　
    S. Yagi; K. Abe; A; Yamada; M. Konagai
    Third International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures, First page：62, Last page：64, 2003
  • Novel Carbon Source (1,3-Disilabutane) for the Deposition of Microcrystalline Silicon Carbon　　　　　　　　　　　　　　　
    Shuhei Yagi; Takashi Okabayashi; Katsuya Abe Akira Yamada; Makoto Konagai
    3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Abstracts for the Technical Program, First page：101, 2003
  • 1,3‐ジシラブタンを用いたSi1-yCy薄膜の低温エピタキシャル成長
    八木修平; 阿部克也; 山田明; 小長井誠
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：63rd, Number：1, First page：372, 24 Sep. 2002
    Japanese
    J-Global ID：200902114548381468
  • 1,3‐ジシラブタンをCソースに用いた微結晶Si1-xCx薄膜の作製
    岡林尚志; 八木修平; 阿部克也; 山田明; 小長井誠
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：63rd, Number：2, First page：833, 24 Sep. 2002
    Japanese
    J-Global ID：200902176453380338
  • 1,3‐ジシラブタンをCソースに用いた光CVD法によるa‐SiC薄膜の作製
    岡林尚志; 八木修平; 阿部克也; 山田明; 小長井誠
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：49th, Number：2, First page：920, 27 Mar. 2002
    Japanese
    J-Global ID：200902102616909370
  • IV族混晶半導体Si1-yCyにおけるCの熱的安定性
    八木修平; 阿部克也; 岡林尚志; 米山雄一; 山田明; 小長井誠
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：49th, Number：1, First page：412, 27 Mar. 2002
    Japanese
    J-Global ID：200902126295642225
  • Novel carbon source (1,3-disilabutane) for the deposition of p-type a-SiC　　　　　　　　　　　　　　　
    S Yagi; T Okkabayashi; K Abe; A Yamada; M Konagai
    AMORPHOUS AND HETEROGENEOUS SILICON-BASED FILMS-2002, Volume：715, First page：533, Last page：537, 2002
    English
    ISSN：0272-9172, Web of Science ID：WOS:000179162400076
  • P-Doping into Strain-Induced Si_<1-y>C_y Epitaxial Films Grown by Low Temperature Chemical Vapor Deposition　　　　　　　　　　　　　　　
    YAGI Shuhei; ABE Katsuya; OKABAYASHI Takashi; YAMADA Akira; KONAGAI Makoto
    Volume：2001, First page：484, Last page：485, 25 Sep. 2001
    English
    CiNii Articles ID：10015753496, CiNii Books ID：AA10777858
  • プラズマCVD法によるSi1-yCy薄導へのPドーピング
    八木修平; 阿部克也; 岡林尚志; 山田明; 小長井誠
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：48th, Number：1, First page：460, 28 Mar. 2001
    Japanese
    J-Global ID：201202168097926110
  • SiH2(CH3)2を用いたSi1-yCy薄膜の家温エピタキシャル成長
    八木修平; 阿部克也; 岡林尚志; 山田明; 小長井誠
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：61st, Number：1, First page：336, 03 Sep. 2000
    Japanese
    J-Global ID：201202147608902773
  • 非平衡CVD法により作製したSi1-yCy膜の構造評価
    阿部克也; 八木修平; 岡林尚志; 山田明; 小長井誠
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：61st, Number：1, First page：336, 03 Sep. 2000
    Japanese
    J-Global ID：201202174940855751
  • 低温形成Siエピタキシャル薄膜へのC添加の試み
    八木修平; 阿部克也; 山田明; 小長井誠
    応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Volume：47th, Number：1, First page：409, 28 Mar. 2000
    Japanese
    J-Global ID：201202179484876018
  • MBE成長におけるIn表面偏析効果のモンテカルロシミュレーション
    安田佳克; 八木修平; 山口浩一
    応用物理学会学術講演会講演予稿集, Volume：60th, Number：3, First page：1113, 01 Sep. 1999
    Japanese
    J-Global ID：200902128553405317
■ Books and other publications
  • 超高効率太陽電池・関連材料の最前線（荒川康彦 監修）　　　　　　　　　　　　　　　
    八木 修平, [Contributor]
■ Teaching experience
  • Oct. 2020 - Present
    Electrical Circuit, Saitama University
  • Apr. 2020 - Sep. 2021
    理工学と現代社会
■ Affiliated academic society
  • Oct. 2020 - Present, The Japan Photovoltaic Society
■ Research projects
  • Improvement of the efficiency of photovoltaic cells using two-step optical absorption through band tail states　　　　　　　　　　　　　　　
    Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Scientific Research (C), 01 Apr. 2024 - 31 Mar. 2027
    Saitama University
    Grant amount(Total)：4550000, Direct funding：3500000, Indirect funding：1050000
    Grant number：24K07574
  • A novel stacked structure of intermediate band cells for higher efficiency　　　　　　　　　　　　　　　
    Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (C), Grant-in-Aid for Scientific Research (C), 01 Apr. 2022 - 31 Mar. 2025
    Saitama University
    Grant amount(Total)：4160000, Direct funding：3200000, Indirect funding：960000
    Grant number：22K04211
    論文ID：49117072
  • Research on high-efficiency intermediate band tandem solar cells based on dilute nitride alloys　　　　　　　　　　　　　　　
    Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research), Apr. 2018 - Mar. 2020
    Shuhei Yagi, Saitama University, Principal investigator
    Tandem solar cells consisting of two stacked intermediate band solar cells (IBSCs) were investigated. Based on the detailed balance model, the conversion efficiency for various band gap combinations was calculated. As a result, it was found that the conversion efficiency of 53% under 1 Sun irradiation and 73% under maximum light concentration can be obtained by selecting the appropriate band gap combination. InGaAsN and GaPN alloys were proposed as candidate materials for the bottom IBSC and top IBSC, respectively. IBSCs using those alloys as the absorbing layer were fabricated and quantitatively evaluation of the current generation originating from the two-step photoabsorption through the intermediate band was carried out by measuring current response under multiple wavelength light irradiation.
    Competitive research funding, Grant number：17KK0127
  • 希釈窒化物半導体による高効率マルチバンド太陽電池の研究　　　　　　　　　　　　　　　
    Apr. 2016 - Mar. 2019
    Principal investigator
    Competitive research funding
  • Study on the Behavior of Defects in Dilute Nitride Semiconductors and Improvement of Device Reliability　　　　　　　　　　　　　　　
    Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Scientific Research (C), 01 Apr. 2014 - 31 Mar. 2017
    Ueda Osamu; IKENAGA NORIAKI; YAGI SHUHEI, Kanazawa Institute of Technology
    Grant amount(Total)：5070000, Direct funding：3900000, Indirect funding：1170000
    In order to clarify degradation mechanism of optical devices fabricated from dilute nitride semiconductors such as GaInNAs, grown-in defects were characterized by transmission electron microscopy, and generation and multiplication of defects in the crystals under laser irradiation were investigated.
    It has been shown that defects such as point defect clusters and dislocation loops are not generated in as-grown GaInNAs crystals. Furthermore, in the case of laser irradiation of GaInNAs/GaAs SQW structure, we have found that the emission efficiency increased for lower laser power density and that the emission efficiency drastically increased then decreased for higher power density. In both cases, no structural defects were newly generated by the laser irradiation. Further increase in the laser power density is required for detailed investigation of the degradation mechanism.
    Grant number：26390057
  • 窒化物半導体ナノ構造中のホットキャリアを利用する新型太陽電池に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
    Dec. 2014 - Nov. 2015
    Principal investigator
    Competitive research funding
  • 局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御　　　　　　　　　　　　　　　
    Apr. 2012 - Mar. 2015
    Competitive research funding
  • 窒化物量子ドット太陽電池の開発　　　　　　　　　　　　　　　
    Nov. 2012 - Oct. 2013
    Principal investigator
    Competitive research funding
  • Single Photon Generation from locally doped semiconductors　　　　　　　　　　　　　　　
    Japan Society for the Promotion of Science, Grants-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Scientific Research (B), Apr. 2009 - Mar. 2011
    YAGUCHI Hiroyuki; HIJIKATA Yasuto; ONABE Kentaro; KATAYAMA Ryuji; YAGI Shuhei; KUBOYA Shigeyuki; AKIYAMA Hidefumi, Saitama University
    We have fabricated locally doped semiconductors using atomic layer doping to realize the generation of unpolarized single photons with highly reproducible wavelengths, which is essential in the field of quantum information technology, such as quantum cryptography. We have obtained unpolarized single photons by selecting a proper face of the substrate to grow nitrogen atomic layer doped semiconductors. In addition, we have successfully observed biexcition emission from nitrogen atomic layer doped semiconductors, which leads to the generation of entangled photon pairs.
    Competitive research funding, Grant number：21360004
  • ‐　　　　　　　　　　　　　　　
    Competitive research funding
  • -　　　　　　　　　　　　　　　
    Competitive research funding
■ Industrial Property Rights
  • 光起電力素子及びその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
    Patent right
    Patent/Registration no：特許第5841231号
    J-Global ID：201603019885568991
  • 光起電力素子及びその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
    Patent right
    J-Global ID：201503010382867768
  • 光検出素子及び光検出方法　　　　　　　　　　　　　　　
    Patent right
    J-Global ID：201303058776438657
  • 可逆光応答素子を用いた並列アナログ演算装置　　　　　　　　　　　　　　　
    Patent right
    Patent/Registration no：特許第5236173号
    J-Global ID：201303078366538698
  • 半導体とその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
    Patent right
    Patent/Registration no：特許第5187761号
    J-Global ID：201303069665849951
  • 光透過フィルタを用いた画像出力装置及び並列アナログ演算装置　　　　　　　　　　　　　　　
    Patent right
    Patent/Registration no：特許第5121198号
    J-Global ID：201303003170113079
  • 可逆光応答素子並びにそれを用いた撮像装置及び並列アナログ演算装置　　　　　　　　　　　　　　　
    Patent right
    J-Global ID：200903049895238508
  • 光透過フィルタ並びにそれを用いた画像出力装置及び並列アナログ演算装置　　　　　　　　　　　　　　　
    Patent right
    J-Global ID：200903083194405497
  • 半導体とその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
    Patent right
    J-Global ID：201003020026758820
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