矢口裕之(理工学研究科数理電子情報部門)

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研究分野

矢口　裕之（ヤグチ　ヒロユキ）
理工学研究科数理電子情報部門教授
工学部電気電子物理工学科

ホームページ：
http://opt.eeap.saitama-u.ac.jp/

研究者情報

■ 学位

博士（工学）, 東京大学

工学修士, 東京大学

学士, 東京大学

■ 研究キーワード

光エレクトロニクスデバイス

エピタキシャル成長

分子線エピタキシー

光エレクトロニクス

光物性

■ 研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学

ナノテク・材料, 結晶工学

ナノテク・材料, 応用物性

自然科学一般, 半導体、光物性、原子物理

■ 学歴

1988年04月 - 1991年03月, 東京大学, 工学系研究科, 物理工学専攻

1986年04月 - 1988年03月, 東京大学, 工学系研究科, 物理工学専攻, 日本国

1986年, 東京大学, 工学部, 物理工学科, 日本国

■ 委員歴

応用物理学会, 応用物理学会論文賞委員, 学協会

国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料拠点構想アドバイザリー委員会委員

独立行政法人日本学術振興会, 国際事業委員会書面審査員・書面評価員

独立行政法人日本学術振興会, 特別研究員等審査会専門委員

独立行政法人日本学術振興会, 特別研究員等審査会専門委員及び国際事業委員会書面審査員・書面評価員

応用物理学会, 論文誌企画・編集委員会委員, 学協会

応用物理学会, 代議員, 応用物理学会, 学協会

■ 受賞

2021年03月, 第68回応用物理学会春季講演会 Poster Award, 第一原理計算を用いたGaPN 混晶のバンドテイルによる光吸収についての検討, 応用物理学会
矢口裕之
24508454

2019年03月, APEX/JJAP編集貢献賞, 応用物理学会
矢口裕之

2013年04月, APEX/JJAP編集貢献賞, 応用物理学会
矢口裕之

1997年, 第2回応用物理学会講演奨励賞, 応用物理学会
矢口裕之

1995年, 井上研究奨励賞

業績情報

■ 論文

Effects of Carrier Supply to the Intermediate Band by Impurity Doping on Two-Step Photocurrent Generation in GaAs:N-Based Intermediate Band Solar Cell　　　　　　　　　　　　　　　
Md Faruk Hossain; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
North American Academic Research, 巻：8, 号：2, 開始ページ：112, 終了ページ：128, 2025年02月, ［査読有り］, ［最終著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.5281/zenodo.14910609
DOI ID：10.5281/zenodo.14910609

Analysis of two-step photocurrent generation in GaAs:N-based intermediate band solar cells with utilization of device simulation
Md Faruk Hossain; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
AIP Advances, 巻：15, 号：2, 2025年02月, ［査読有り］, ［最終著者］
We developed a novel approach to analyze the two-step photocurrent generation process in intermediate band solar cells (IBSCs) by means of numerical device simulation combined with rate equation analysis. An IBSC having a GaAs:N intermediate band (IB) absorber with the same layered structure as experimentally investigated in our previous work is modeled, and its characteristic behavior of external quantum efficiency (EQE) is successfully simulated with the utilization of Silvaco-Atlas software. The simulated results gave new insights into the material parameters of the device, such as trap states and interface recombination velocity, and revealed that an electron-blocking layer adjacent to the IB absorber plays a significant role in confining the electrons in the IB state, which is the main prerequisite for efficient two-step photocurrent generation. Change in EQE (ΔEQE) induced by additional light illumination of which energy is below the valence band–IB gap is analyzed as an evaluation metric of two-step photocurrent generation based on a rate equation analysis. The integrated electron concentration in the GaAs:N absorber layer is calculated from the simulation results and is used as an input parameter for the rate equation analysis. As a result, the bias voltage-dependent ΔEQE of experimentally investigated IBSC is well reproduced, indicating that the proposed method can be a useful approach for a better understanding of IBSC operation physics and designing more efficient devices.
AIP Publishing, 英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/5.0247676
DOI ID：10.1063/5.0247676, eISSN：2158-3226

Differentiation between bulk and interfacial properties: analysis of time-dependent carrier injection in perovskite solar cells
Naoyuki Nishimura; Ranjan Kumar Behera; Daisuke Kubota; Hiroyuki Kanda; Kohei Yamamoto; Hiroyuki Yaguchi; Takurou N Murakami; Hiroyuki Matsuzaki
Journal of Materials Chemistry C, 2025年, ［査読有り］
Perovskite solar cells (PSCs) have developed rapidly in the last decade, primarily because of improvements in their photovoltaic (PV) performance. However, methods of characterization and analysis for PSCs remain immature,...
Royal Society of Chemistry (RSC), 英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1039/d5tc00534e
DOI ID：10.1039/d5tc00534e, ISSN：2050-7526, eISSN：2050-7534

Spontaneous Heterointerface Modulation by a Methylammonium Tetrafluoroborate Additive for a Narrow-Bandgap FAPbI₃ Photoabsorber in Perovskite Solar Cells
Daisuke Kubota; Ryuzi Katoh; Hiroyuki Kanda; Hiroyuki Yaguchi; Takurou N. Murakami; Naoyuki Nishimura
ACS Applied Materials & Interfaces, 巻：16, 号：40, 開始ページ：53918, 終了ページ：53929, 2024年09月, ［査読有り］
American Chemical Society (ACS), 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1021/acsami.4c11784
DOI ID：10.1021/acsami.4c11784, ISSN：1944-8244, eISSN：1944-8252

Estimation of Junction Temperature in Single 228 nm‐Band AlGaN Far‐Ultraviolet‐C Light‐Emitting Diode on c‐Sapphire Having 1.8 mW Power and 0.32% External Quantum Efficiency
Muhammad Ajmal Khan; Mitsuhiro Muta; Kohei Fujimoto; Javier Gonzalez Rojas; Pablo Fredes; Ernesto Gramsch; Yasushi Iwaisako; Hiroyuki Yaguchi; Hideki Hirayama
physica status solidi (a), 巻：221, 号：21, 2024年05月, ［査読有り］
The increasing resistance of methicillin‐resistant Staphylococcusaureus to antibiotics is a major challenge faced by mankind in thehistory of medical science and according to United Nations, 700‐000 patients worldwide die every year from an infection with multidrug‐resistant organisms (MROs). Aluminum gallium nitride‐based 228 nm Far‐ultraviolet‐C (Far‐UVC) lightsources can be safely used as a germicidal application in both manned as wellas in unmanned environments against these MROs. Previously, the 228 nm Far‐UVC light‐emitting diode (LED) with emission power of 1 mW was reported by ourgroup, however, the value of external quantum efficiency (EQE) was not reportedusing conventional thick Ni (20 nm)/Au (100 nm) p‐electrode. Herein, animproved Far‐UVC LED on c‐Sapphire is attempted using a special technique in SR4000 type of metal‐organic chemical vapor deposition reactor to control the Al composition in n‐AlGaN buffer and across the 2 inch‐wafer. As a result, the light emission power of 1.8 mW and EQE of 0.32% in 228 nm Far‐UVC LED aresuccessfully achieved using very thin p‐electrode (Ni/Au). However, arelatively high junction temperature of ≈100°C around thejunction of Far‐UVC LED is observed. Finally, some simple heat‐sink modules forheat dissipation of Far‐UVC LED panel with light power of 30 mW are implemented.
Wiley, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.202400064
DOI ID：10.1002/pssa.202400064, ISSN：1862-6300, eISSN：1862-6319

Nitrogen Concentration Dependence of Two‐Step Photocurrent Generation by Below‐Gap Excitation in GaPN Alloys
Abdul Qayoom; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
physica status solidi (b), 巻：261, 号：4, 2024年02月, ［査読有り］, ［最終著者］
Two‐step photocurrent generation and its dependence on nitrogen concentration in GaPN alloys using two‐wavelength excited photocurrent (TWEPC) measurements are investigated. External quantum efficiency (EQE) measurements show an increase in the two‐step absorption of below‐gap excitation light through tail states at longer wavelengths and that the quasi‐direct gap redshifts as the nitrogen concentration increases. The improvement in the EQE at longer wavelengths is explained by the increased density of the tail states in GaPN with higher nitrogen concentrations. In contrast, the EQE decreases at shorter wavelengths with increasing nitrogen content. TWEPC results show that differential photocurrent density , which shows the synergy effect of multiple‐wavelength light, reduces with the addition of nitrogen. It is found from rate–equation analysis that the decrease in the EQE at shorter wavelengths and in is mainly due to the increased nonradiative recombination in GaPN with higher nitrogen concentration. The use of lattice‐matched alloys and a p‐type GaP capping layer as well as the optimization of the growth conditions can improve the EQE at shorter wavelengths and .
Wiley, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.202300369
DOI ID：10.1002/pssb.202300369, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, 共同研究・競争的資金等ID：24508454

Two-Step Photocurrent Generation through Band Tail States in GaPN-Based Intermediate Band Solar Cells　　　　　　　　　　　　　　　
Abdul Qayoom; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
North American Academic Research, 巻：6, 号：8, 開始ページ：20, 終了ページ：31, 2023年08月, ［査読有り］, ［最終著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.5281/znodo.8300177
DOI ID：10.5281/znodo.8300177, 共同研究・競争的資金等ID：24508454

Photocurrent enhancement by below bandgap excitation in GaPN
Abdul Qayoom; Sanjida Ferdous; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
Japanese Journal of Applied Physics, 巻：62, 号：SK, 開始ページ：SK1038, 終了ページ：SK1038, 2023年05月, ［査読有り］, ［最終著者］
Abstract

This study presents two-wavelength excited photocurrent (TWEPC) measurements in GaP_1−xN_x grown by metalorganic vapor phase epitaxy. TWEPC measurements reveal that photocurrent generation is significantly enhanced when above gap excitation and below gap excitation (BGE) sources are applied simultaneously. With increasing BGE photon energy, a large increase in photocurrent is observed. The external quantum efficiency measurements show that the effect of BGE light is higher with a higher density of tail states present. The extended numerical study by rate equations reproduced the results in a good manner. Furthermore, the simulation results showed that the addition of the BGE light affects the electron occupancy as well as the electron lifetime, which is found to be 0.1 ns in this study.
IOP Publishing, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.35848/1347-4065/acd00c
DOI ID：10.35848/1347-4065/acd00c, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, 共同研究・競争的資金等ID：24508454

Significant improvement of injection efficiency in deep-UV LD structures by light Mg doping in p-core layer　　　　　　　　　　　　　　　
Yuri Itokazu; Noritoshi Maeda; Hiroyuki Yaguchi; Hideki Hirayama
Japanese Journal of Applied Physics, 2023年04月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.35848/1347-4065/acbda4
DOI ID：10.35848/1347-4065/acbda4, ORCID：129359119

Effects of carrier-blocking barrier height on two-step photocurrent generation in dilute nitride intermediate band solar cells
Shuhei Yagi; Shun Numata; Yasushi Shoji; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
Japanese Journal of Applied Physics, 巻：62, 号：SK, 開始ページ：SK1008, 終了ページ：SK1008, 2023年03月, ［査読有り］, ［最終著者］
Abstract

GaAs:N dilute nitride intermediate band solar cells (IBSCs) with different barrier heights for blocking electron transport from the intermediate band (IB) were prepared and the role of such an electron blocking layer (EBL) was investigated. It is found that the EBL effectively confines electrons in the IB states, and the two-step photocurrent generation process is strongly affected by its barrier height. A rate equation analysis well reproduced experimental observations of the applied voltage dependence of the two-step photocurrent generation process. It revealed that the electron extraction both from the conduction band and the IB through the EBL is governed by the thermionic emission process. To meet the requirements of an ideal IBSC, optimized device structures including the barrier height of the EBL have to be designed properly taking into account the material parameters and carrier dynamics under the actual operating condition.
IOP Publishing, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.35848/1347-4065/acbf5e
DOI ID：10.35848/1347-4065/acbf5e, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065

Detection of Nonradiative Recombination Centers in GaPN by Combining Two‐Wavelength Excited Photoluminescence and Time‐Resolved Photoluminescence　　　　　　　　　　　　　　　
Sanjida Ferdous; Hiroki Iwai; Norihiko Kamata; Hiroyuki Yaguchi; Shuhei Yagi
physica status solidi (b), 巻：258, 号：11, 開始ページ：2100119, 終了ページ：2100119, 2021年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.202100119
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85114326814&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85114326814&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssb.202100119, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, SCOPUS ID：85114326814, Web of Science ID：WOS:000692804600001, 共同研究・競争的資金等ID：24508454

Insights into Microscopic Crystal Growth Dynamics of CH3NH3PbI3 under a Laser Deposition Process Revealed by In Situ X-ray Diffraction　　　　　　　　　　　　　　　
Tetsuhiko Miyadera; Yuto Auchi; Kohei Yamamoto; Noboru Ohashi; Tomoyuki Koganezawa; Hiroyuki Yaguchi; Yuji Yoshida; Masayuki Chikamatsu
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 巻：13, 号：19, 開始ページ：22559, 終了ページ：22566, 2021年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1021/acsami.1c04488
DOI ID：10.1021/acsami.1c04488, ISSN：1944-8244, eISSN：1944-8252, Web of Science ID：WOS:000655027500046

Influence of Laser Irradiation on the Photoluminescence Intensity of InGaAsN Quantum Wells　　　　　　　　　　　　　　　
Md. Zamil Sultan; Shuhei Yagi; Kengo Takamiya; Hiroyuki Yaguchi; Osamu Ueda
North American Academic Research, 巻：4, 号：2, 開始ページ：240, 終了ページ：251, 2021年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.5281/zenodo.4564429
DOI ID：10.5281/zenodo.4564429

Photoluminescence intensity change of GaP1-xNx alloys by laser irradiation　　　　　　　　　　　　　　　
Md. Zamil Sultan; Akinori Shiroma; Shuhei Yagi; Kengo Takamiya; Hiroyuki Yaguchi
AIP ADVANCES, 巻：10, 号：9, 2020年09月, ［査読有り］, ［最終著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/5.0020793
DOI ID：10.1063/5.0020793, eISSN：2158-3226, ORCID：79669843, Web of Science ID：WOS:000567593300001, 共同研究・競争的資金等ID：24508454

Epitaxial growth of CH3NH3PbI3 on rubrene single crystal　　　　　　　　　　　　　　　
Tetsuhiko Miyadera; Yuto Auchi; Tomoyuki Koganezawa; Hiroyuki Yaguchi; Masayuki Chikamatsu
APL MATERIALS, 巻：8, 号：4, 開始ページ：041104, 終了ページ：041104, 2020年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.5142307
DOI ID：10.1063/1.5142307, ISSN：2166-532X, ORCID：71441934, Web of Science ID：WOS:000523751500003

Enhanced Strain Relaxation in AlGaN Layers Grown on Sputter-Based AlN Templates　　　　　　　　　　　　　　　
Yosuke Mogami; Atsushi Osawa; Kazuto Ozaki; Yukitake Tanioka; Atsushi Maeoka; Yuri Itokazu; Shunsuke Kuwaba; Masafumi Jo; Noritoshi Maeda; Hiroyuki Yaguchi; Hideki Hirayama
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 巻：257, 号：4, 2020年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.201900590
DOI ID：10.1002/pssb.201900590, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, Web of Science ID：WOS:000508664000001

Detection of Nonradiative Recombination Centers in GaPN (N:0.105%) by Below-Gap Excitation Light　　　　　　　　　　　　　　　
Sanjida Ferdous; Norihiko Kamata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 巻：257, 号：2, 2020年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.201900377
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85074068004&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssb.201900377, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, ORCID：64953816, SCOPUS ID：85074068004, Web of Science ID：WOS:000489972400001, 共同研究・競争的資金等ID：24508454

Spectral Change of E- Band Emission in a GaAs:N delta-Doped Superlattice Due to Below-Gap Excitation and Its Discrimination from Thermal Activation　　　　　　　　　　　　　　　
Md Dulal Haque; Norihiko Kamata; A. Z. M. Touhidul Islam; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 巻：49, 号：2, 開始ページ：1550, 終了ページ：1556, 2020年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1007/s11664-019-07856-6
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85075954109&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85075954109&origin=inward
DOI ID：10.1007/s11664-019-07856-6, ISSN：0361-5235, eISSN：1543-186X, ORCID：79739993, SCOPUS ID：85075954109, Web of Science ID：WOS:000500279100002

Study of nonradiative recombination centers in GaAs:N δ-doped superlattices structures revealed by below-gap excitation light　　　　　　　　　　　　　　　
Md. Dulal Haque; Norihiko Kamata; A. Z.M. Touhidul Islam; Md. Julkarnain; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Yoshitaka Okada
5th International Conference on Computer, Communication, Chemical, Materials and Electronic Engineering, IC4ME2 2019, 2019年07月
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1109/IC4ME247184.2019.9036541
DOI ID：10.1109/IC4ME247184.2019.9036541, SCOPUS ID：85082984670

Evolution of morphology and crystalline quality of DC-sputtered AlN films with high-temperature annealing　　　　　　　　　　　　　　　
Yosuke Mogami; Shogo Motegi; Atsushi Osawa; Kazuto Osaki; Yukitake Tanioka; Atsushi Maeoka; Masafumi Jo; Noritoshi Maeda; Hiroyuki Yaguchi; Hideki Hirayama
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：58, 号：SC, 2019年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab1066
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85070748484&origin=inward
DOI ID：10.7567/1347-4065/ab1066, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：64953799, SCOPUS ID：85070748484, Web of Science ID：WOS:000474911400036

Growth temperature dependence of cubic GaN step structures and cubic InN dot arrays grown on MgO (001) vicinal substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Kazumasa Okura; Kengo Takamiya; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：58, 号：SC, 2019年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab106a
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85070734869&origin=inward
DOI ID：10.7567/1347-4065/ab106a, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：64953806, SCOPUS ID：85070734869, Web of Science ID：WOS:000474911400059

Photoluminescence characterization of nonradiative recombination centers in MOVPE grown GaAs:N delta-doped superlattice structure　　　　　　　　　　　　　　　
Md Dulal Haque; Norihiko Kamata; A. Z. M. Touhidul Islam; Zentaro Honda; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
OPTICAL MATERIALS, 巻：89, 開始ページ：521, 終了ページ：527, 2019年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.optmat.2019.01.047
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85061552945&origin=inward
DOI ID：10.1016/j.optmat.2019.01.047, ISSN：0925-3467, eISSN：1873-1252, ORCID：64953761, SCOPUS ID：85061552945, Web of Science ID：WOS:000465509800074

Epitaxial growth of organolead-halide perovskite on rubrene single crystals　　　　　　　　　　　　　　　
Y. Auchi; T. Miyadera; T. Koganezawa; H. Yaguchi; M. Chikamatsu; Y. Yoshida
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2018年09月, ［査読有り］
The Japan Society of Applied Physics, 英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.f-4-04
DOI ID：10.7567/ssdm.2018.f-4-04

Effects of solvent vapor annealing on organic photovoltaics with a new type of solution-processable oligothiophene-based electronic donor material　　　　　　　　　　　　　　　
Yuki Akiyama; Hiroaki Tachibana; Reiko Azumi; Tetsuhiko Miyadera; Masayuki Chikamatsu; Tomoyuki Koganezawa; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：57, 号：8, 2018年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.57.08RE09
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85050968954&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85050968954&origin=inward
DOI ID：10.7567/JJAP.57.08RE09, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：56291723, SCOPUS ID：85050968954, Web of Science ID：WOS:000443891800067

Biexciton Emission From Single Quantum-Confined Structures in N-Polar (000-1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells　　　　　　　　　　　　　　　
Kengo Takamiya; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Hidefumi Akiyama; Kanako Shojiki; Tomoyuki Tanikawa; Ryuji Katayama
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 巻：255, 号：5, 2018年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.201700454
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85038872540&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85038872540&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssb.201700454, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, ORCID：50444252, SCOPUS ID：85038872540, Web of Science ID：WOS:000432028400019

Nonradiative recombination centers in GaAs:N delta-doped superlattice revealed by two-wavelength-excited photoluminescence　　　　　　　　　　　　　　　
Md. Dulal Haque; Norihiko Kamata; Takeshi Fukuda; Zentaro Honda; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Yoshitaka Okada
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：123, 号：16, 2018年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.5011311
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85045973191&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.5011311, ISSN：0021-8979, eISSN：1089-7550, ORCID：48141847, SCOPUS ID：85045973191, Web of Science ID：WOS:000431147200029

Growth of InGaAs: N delta-doped superlattices for multi-junction solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
Shumpei Umeda; Shuhei Yagi; Naoya Miyashita; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC), 開始ページ：1861, 終了ページ：1864, 2018年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1109/PVSC.2018.8547315
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85059879947&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85059879947&origin=inward
DOI ID：10.1109/PVSC.2018.8547315, ISSN：2159-2330, eISSN：2159-2349, SCOPUS ID：85059879947, Web of Science ID：WOS:000469200401194

Photoluminescence Characterization of Carrier Recombination Centers in 4H-SiC Substrates by Utilizing below Gap Excitation
Keitaro Kondo; Norihiko Kamata; Hiroyuki Yaguchi; Shuhei Yagi; Takeshi Fukuda; Zentaro Honda
Materials Science Forum, 巻：897, 開始ページ：315, 終了ページ：318, 2017年05月, ［査読有り］
Trans Tech Publications, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.315
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85020048562&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85020048562&origin=inward
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/msf.897.315, ISSN：1662-9752, eISSN：1662-9752, ORCID：48141472, SCOPUS ID：85020048562

Self-organized growth of cubic InN dot arrays on cubic GaN using MgO (001) vicinal substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Kenichi Ishii; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 巻：254, 号：2, 2017年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.201600542
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85000938311&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssb.201600542, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, ORCID：48141861, SCOPUS ID：85000938311, Web of Science ID：WOS:000394614300028

Spectral change of intermediate band luminescence in GaP:N due to below-gap excitation: Discrimination from thermal activation　　　　　　　　　　　　　　　
Kamata, N.; Suetsugu, M.; Haque, D.; Yagi, S.; Yaguchi, H.; Karlsson, F.; Holtz, P.O.
Physica Status Solidi (B) Basic Research, 巻：254, 号：2, 2017年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.201600566
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85003749566&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssb.201600566, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, ORCID：48141829, SCOPUS ID：85003749566, Web of Science ID：WOS:000394614300035

Growth of InN/GaN dots on 4H-SiC(0001) 4° off vicinal substrates by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Keisuke Matsuoka
Journal of Crystal Growth, 巻：477, 開始ページ：201, 終了ページ：206, 2017年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/J.JCRYSGRO.2017.05.021
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85020105871&origin=inward
DOI ID：10.1016/J.JCRYSGRO.2017.05.021, ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, ORCID：56291782, SCOPUS ID：85020105871, Web of Science ID：WOS:000413646100043

Self-Organized Growth of Cubic InN Dot Arrays on MgO (001) Vicinal Substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Kenichi Ishii; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 2016年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1109/ICIPRM.2016.7528673
DOI ID：10.1109/ICIPRM.2016.7528673, ORCID：56291759, Web of Science ID：WOS:000392285400156

Optical Characterization of Carrier Recombination Processes in GaPN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence　　　　　　　　　　　　　　　
Makiko Suetsugu; Norihiko Kamata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Takeshi Fukuda; Fredrik Karlsson; Per-Olof Holts
2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 2016年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1109/ICIPRM.2016.7528672
DOI ID：10.1109/ICIPRM.2016.7528672, ORCID：56291722, Web of Science ID：WOS:000392285400155

Two-Wavelength Excited Photoluminescence in 4H-SiC Substrate -Dependence on BGE Power Density-　　　　　　　　　　　　　　　
Keitaro Kondo; Norihiko Kamata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Takeshi Fukuda; Zentaro Honda
2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS), 2016年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1109/ICIPRM.2016.7528594
DOI ID：10.1109/ICIPRM.2016.7528594, ORCID：56291772, Web of Science ID：WOS:000392285400077

Molecular beam epitaxial growth of intermediate-band materials based on GaAs: N delta-doped superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
Tomoya Suzuki; Kazuki Osada; Shuhei Yagi; Shunya Naitoh; Yasushi Shoji; Yasuto Hijikata; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：54, 号：8, 開始ページ：08KA07, 2015年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.54.08KA07
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84938504709&origin=inward
DOI ID：10.7567/JJAP.54.08KA07, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：64953767, SCOPUS ID：84938504709, Web of Science ID：WOS:000358662900008

Control of intermediate-band configuration in GaAs: N delta-doped superlattice　　　　　　　　　　　　　　　
Kazuki Osada; Tomoya Suzuki; Shuhei Yagi; Shunya Naitoh; Yasushi Shoji; Yasuto Hijikata; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：54, 号：8, 開始ページ：08KA04, 2015年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.54.08KA04
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84938516127&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84938516127&origin=inward
DOI ID：10.7567/JJAP.54.08KA04, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：56291671, SCOPUS ID：84938516127, Web of Science ID：WOS:000358662900005

Growth temperature dependence of the surface segregation of Er atoms in GaAs during molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Ri Guo Jin; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：54, 号：5, 開始ページ：051201, 2015年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.54.051201
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84983072013&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84983072013&origin=inward
DOI ID：10.7567/JJAP.54.051201, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：56291658, SCOPUS ID：84983072013, Web of Science ID：WOS:000354980300009, 共同研究・競争的資金等ID：11611368

Differences in SiC thermal oxidation process between crystalline surface orientations observed by in-situ spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
Daisuke Goto; Yasuto Hijikata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：117, 号：9, 開始ページ：095306, 2015年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.4914050
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84924310120&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84924310120&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.4914050, ISSN：0021-8979, eISSN：1089-7550, ORCID：56291706, SCOPUS ID：84924310120, Web of Science ID：WOS:000351134400041

Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
Miyano, Y; Yagi, S; Hijikata, Y; Yaguchi, H
Materials Science Forum, 巻：821-823, 開始ページ：327, 終了ページ：330, 2015年, ［査読有り］
Trans Tech Publications, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.327
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.327, ISSN：1662-9752, ORCID：50444258

Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
Goto, D.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
Materials Science Forum, 巻：821-823, 開始ページ：371, 終了ページ：374, 2015年, ［査読有り］
Materials Science Forum, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.371
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84950341587&origin=inward
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.371, ISSN：0255-5476, eISSN：1662-9752, ORCID：64953813, SCOPUS ID：84950341587

Microstructures of InN film on 4H-SiC (0001) substrate grown by RF-MBE　　　　　　　　　　　　　　　
P. Limsuwan; H. Yaguchi; M. Orihara; S. Sanorpim; P. Jantawongrit
Journal of Semiconductors, 巻：36, 号：8, 2015年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1088/1674-4926/36/8/083002
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84940094786&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84940094786&origin=inward
DOI ID：10.1088/1674-4926/36/8/083002, ISSN：1674-4926, ORCID：56291719, SCOPUS ID：84940094786, Web of Science ID：WOS:000218443900007

Photoluminescence study of oxidation-induced faults in 4H-SiC epilayers　　　　　　　　　　　　　　　
Miyano, Y.; Asafuji, R.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
AIP Advances, 巻：5, 号：12, 開始ページ：127116, 2015年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.4938126
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84952672264&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.4938126, ISSN：2158-3226, eISSN：2158-3226, ORCID：64953793, SCOPUS ID：84952672264, Web of Science ID：WOS:000367596300016

Enhanced optical absorption due to E+-related band transition in GaAs:N delta-doped superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
Shuhei Yagi; Shunsuke Noguchi; Yasuto Hijikata; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：7, 号：10, 2014年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/APEX.7.102301
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84988891884&origin=inward
DOI ID：10.7567/APEX.7.102301, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, ORCID：48141835, SCOPUS ID：84988891884, Web of Science ID：WOS:000344439300007

Photoreflectance study of the temperature dependence of excitonic transitions in dilute GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
Wataru Okubo; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Kentaro Onabe; Hiroyuki Yaguchi
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 巻：211, 号：4, 開始ページ：752, 終了ページ：755, 2014年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.201300462
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84897986009&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssa.201300462, ISSN：1862-6300, eISSN：1862-6319, ORCID：56291616, SCOPUS ID：84897986009, Web of Science ID：WOS:000333911800006, 共同研究・競争的資金等ID：11611368

Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide　　　　　　　　　　　　　　　
Yurie Akasaka; Yasuto Hijikata; Shuhei Yagi; HIROYUKI YAGUCHI
Materials Science Forum, 巻：778-780, 開始ページ：553, 終了ページ：556, 2014年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/WWW.SCIENTIFIC.NET/MSF.778-780.553
DOI ID：10.4028/WWW.SCIENTIFIC.NET/MSF.778-780.553, ISSN：1662-9752, ORCID：56291610, Web of Science ID：WOS:000336634100130

First-principles study on the conduction band electron states of GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
Kei Sakamoto; Hiroyuki Yaguchi
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 11, NO 3-4, 巻：11, 号：3-4, 開始ページ：911, 終了ページ：913, 2014年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201300531
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84898548200&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssc.201300531, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, ORCID：64953783, SCOPUS ID：84898548200, Web of Science ID：WOS:000346071300134, 共同研究・競争的資金等ID：11611368

Conversion Efficiency of Intermediate Band Solar Cells with GaAs:N delta-Doped Superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
Shuhei Yagi; Shunsuke Noguchi; Yasuto Hijikata; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Hiroyuki Yaguchi
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：52, 号：10, 2013年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.52.102302
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84887232116&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84887232116&origin=inward
DOI ID：10.7567/JJAP.52.102302, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：30384763, SCOPUS ID：84887232116, Web of Science ID：WOS:000325209000024

Analysis of Electronic Structures of Nitrogen delta-Doped GaAs Superlattices for High Efficiency Intermediate Band Solar Cells　　　　　　　　　　　　　　　
Shunsuke Noguchi; Shuhei Yagi; Daisuke Sato; Yasuto Hijikata; Kentaro Onabe; Shigeyuki Kuboya; Hiroyuki Yaguchi
IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 巻：3, 号：4, 開始ページ：1287, 終了ページ：1291, 2013年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2013.2271978
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84884672481&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84884672481&origin=inward
DOI ID：10.1109/JPHOTOV.2013.2271978, ISSN：2156-3381, eISSN：2156-3403, ORCID：30384761, SCOPUS ID：84884672481, Web of Science ID：WOS:000324881400023

Direct Evidence of Carrier Excitation from Intermediate Band States in GaPN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence　　　　　　　　　　　　　　　
Abu Zafor Muhammad Touhidul Islam; Tsukasa Hanaoka; Kentaro Onabe; Shuhei Yagi; Norihiko Kamata; Hiroyuki Yaguchi
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：6, 号：9, 2013年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/APEX.6.092401
DOI ID：10.7567/APEX.6.092401, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, Web of Science ID：WOS:000324494100020

RF-MBE growth of cubic InN nano-scale dots on cubic GaN　　　　　　　　　　　　　　　
Junichiro Suzuki; Misao Orihara; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：378, 開始ページ：454, 終了ページ：458, 2013年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.050
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84885434999&origin=inward
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DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2012.12.050, ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, ORCID：30384771, SCOPUS ID：84885434999, Web of Science ID：WOS:000323355900113

Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Ri Guo Jin; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Ryuji Katayama; Hiroyuki Yaguchi
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：378, 開始ページ：85, 終了ページ：87, 2013年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.043
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84885427998&origin=inward
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DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2012.12.043, ISSN：0022-0248, ORCID：30384766, SCOPUS ID：84885427998, Web of Science ID：WOS:000323355900023

Direct Evidence of Carrier Excitation from Intermediate Band States in GaPN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence　　　　　　　　　　　　　　　
Islam A. M. T; Hanaoka T; Onabe K; Yagi S; Kamata N; Yaguchi H
Applied Physics Express, 巻：6, 号：9, 開始ページ：3, 2013年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/APEX.6.092401
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84883664354&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84883664354&origin=inward
DOI ID：10.7567/APEX.6.092401, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, ORCID：30384764, SCOPUS ID：84883664354, Web of Science ID：WOS:000324494100020

Observation of optical spin injection into Ge-based structures at room temperature　　　　　　　　　　　　　　　
Yuhsuke Yasutake; Shuhei Hayashi; Hiroyuki Yaguchi; Susumu Fukatsu
APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：102, 号：24, 2013年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.4811495
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84879811389&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84879811389&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.4811495, ISSN：0003-6951, ORCID：30384767, SCOPUS ID：84879811389, Web of Science ID：WOS:000320962400045

Optical Properties and Carrier Dynamics in Asymmetric Coupled InGaN Multiple Quantum Wells　　　　　　　　　　　　　　　
Weng G. E; Zhang B. P; Liang M. M; Lv X. Q; Zhang J. Y; Ying L. Y; Qiu Z. R; Yaguchi H; Kuboya S; Onabe K; Chen S. Q; Akiyama H
Functional Materials Letters, 巻：6, 号：2, 開始ページ：5, 2013年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1142/S1793604713500215
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84876756647&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84876756647&origin=inward
DOI ID：10.1142/S1793604713500215, ISSN：1793-6047, eISSN：1793-7213, ORCID：30384769, SCOPUS ID：84876756647, Web of Science ID：WOS:000319747700012

Stacked structure of self-organized cubic InN nano-dots grown by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Shuhei Yagi; Junichiro Suzuki; Misao Orihara; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 10, NO 11, 巻：10, 号：11, 開始ページ：1545, 終了ページ：1548, 2013年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201300275
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84887619549&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84887619549&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssc.201300275, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, ORCID：30384772, SCOPUS ID：84887619549, Web of Science ID：WOS:000334583400049

RF-MBE growth of cubic AlN on MgO (001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer　　　　　　　　　　　　　　　
Kakuda M; Morikawa S; Kuboya S; Katayama R; Yaguchi H; Onabe K
Journal of Crystal Growth, 巻：378, 開始ページ：307, 終了ページ：309, 2013年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.120
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84885422048&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84885422048&origin=inward
DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2012.12.120, ISSN：0022-0248, ORCID：30384770, SCOPUS ID：84885422048, Web of Science ID：WOS:000323355900078

Optical Absorption by E+ Miniband of GaAs:N delta-Doped Superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
Shuhei Yagi; Shunsuke Noguchi; Yasuto Hijikata; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), 開始ページ：2490, 終了ページ：2493, 2013年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1109/PVSC.2013.6744981
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84896474240&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84896474240&origin=inward
DOI ID：10.1109/PVSC.2013.6744981, ISSN：0160-8371, ORCID：30384768, SCOPUS ID：84896474240, Web of Science ID：WOS:000340054100565

Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model　　　　　　　　　　　　　　　
Yasuto Hijikata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Sadafumi Yoshida
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012, 巻：740-742, 開始ページ：833, 終了ページ：+, 2013年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.833
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84874076989&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84874076989&origin=inward
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.833, ISSN：0255-5476, ORCID：30384765, SCOPUS ID：84874076989, Web of Science ID：WOS:000319785500198

Biexciton emission from single isoelectronic traps formed by nitrogen-nitrogen pairs in GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
Kengo Takamiya; Toshiyuki Fukushima; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Toshimitsu Mochizuki; Masahiro Yoshita; Hidefumi Akiyama; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Ryuji Katayama; Hiroyuki Yaguchi
AIP Conference Proceedings, 巻：1566, 開始ページ：538, 終了ページ：+, 2013年
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.4848523
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84907305933&origin=inward
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DOI ID：10.1063/1.4848523, ISSN：0094-243X, eISSN：1551-7616, ORCID：30384762, SCOPUS ID：84907305933, Web of Science ID：WOS:000331793000268, 共同研究・競争的資金等ID：11611368

Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in Nitrogen delta-Doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
Kengo Takamiya; Toshiyuki Fukushima; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Toshimitsu Mochizuki; Masahiro Yoshita; Hidefumi Akiyama; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Ryuji Katayama; Hiroyuki Yaguchi
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：5, 号：11, 開始ページ：3, 2012年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/APEX.5.111201
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84869186070&origin=inward
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DOI ID：10.1143/APEX.5.111201, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, ORCID：30384774, SCOPUS ID：84869186070, Web of Science ID：WOS:000310867800003, 共同研究・競争的資金等ID：11611368

Oxygen partial pressure dependence of the SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
Keiko Kouda; Yasuto Hijikata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Sadafumi Yoshida
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：112, 号：2, 開始ページ：6, 2012年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.4736801
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84865484968&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84865484968&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.4736801, ISSN：0021-8979, eISSN：1089-7550, ORCID：30384777, SCOPUS ID：84865484968, Web of Science ID：WOS:000308424500114

Micro-Photoluminescence Study on the Influence of Oxidation on Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers　　　　　　　　　　　　　　　
Hikaru Yamagata; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：5, 号：5, 開始ページ：3, 終了ページ：051302, 2012年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/APEX.5.051302
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84861398046&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84861398046&origin=inward
DOI ID：10.1143/APEX.5.051302, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, ORCID：30384776, SCOPUS ID：84861398046, Web of Science ID：WOS:000303932500005

TEM Analysis of Structural Phase Transition in MBE Grown Cubic InN on MgO (001) by MBE: Effect of Hexagonal Phase Inclusion in an C-Gan Nucleation Layer　　　　　　　　　　　　　　　
Parinyataramas Jamreonta; Sanorpim Sakuntam; Thanachayanont Chanchana; Yaguchi Hiroyuki; Orihara Misao
Applied Mechanics and Materials, 巻：229-231, 開始ページ：219, 終了ページ：222, 2012年, ［査読有り］
研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMM.229-231.219
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84871375602&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84871375602&origin=inward
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/AMM.229-231.219, ISSN：1660-9336, eISSN：1662-7482, ORCID：30384780, SCOPUS ID：84871375602

Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide　　　　　　　　　　　　　　　
Kengo Takamiya; Yuta Endo; Toshiyuki Fukushima; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Toshimitsu Mochizuki; Masahiro Yoshita; Hidefumi Akiyama; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Ryuji Katayama; Hiroyuki Yaguchi
THERMEC 2011, PTS 1-4, 巻：706-709, 開始ページ：2916, 終了ページ：+, 2012年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.706-709.2916
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84856180201&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84856180201&origin=inward
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.706-709.2916, ISSN：0255-5476, ORCID：30384779, SCOPUS ID：84856180201, Web of Science ID：WOS:000308517301220, 共同研究・競争的資金等ID：11611368

RF-MBE growth of semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)　　　　　　　　　　　　　　　
Misao Orihara; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 9, NO 3-4, 巻：9, 号：3-4, 開始ページ：658, 終了ページ：661, 2012年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201100365
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84858842029&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84858842029&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssc.201100365, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, ORCID：30384778, SCOPUS ID：84858842029, Web of Science ID：WOS:000306521600059

Influence of off-cut angle of (0001) 4H-SiC on the crystal quality of InN grown by RF-MBE　　　　　　　　　　　　　　　
Jantawongrit P; Sanorpim S; Yaguchi H; Orihara M; Limsuwan P
Procedia Engineering, 巻：32, 開始ページ：882, 終了ページ：887, 2012年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.proeng.2012.02.027
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84892615166&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84892615166&origin=inward
DOI ID：10.1016/j.proeng.2012.02.027, ISSN：1877-7058, ORCID：30384775, SCOPUS ID：84892615166, Web of Science ID：WOS:000393153200127

Analysis of the Energy Structure of Nitrogen delta-Doped GaAs Superlattices for High Efficiency Intermediate Band Solar Cells　　　　　　　　　　　　　　　
Shunsuke Noguchi; Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Kentaro Onabe; Shigeyuki Kuboya; Hiroyuki Yaguchi
2012 38TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), 開始ページ：83, 終了ページ：86, 2012年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1109/PVSC.2012.6317573
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84869429937&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84869429937&origin=inward
DOI ID：10.1109/PVSC.2012.6317573, ISSN：0160-8371, ORCID：30384773, SCOPUS ID：84869429937, Web of Science ID：WOS:000309917800019

Quantum well double barrier resonant tunneling structures for selective contacts of hot carrier solar cells　　　　　　　　　　　　　　　
Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 開始ページ：003309, 終了ページ：003312, 2011年, ［査読有り］
研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1109/PVSC.2011.6186646
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84861083769&origin=inward
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DOI ID：10.1109/PVSC.2011.6186646, ISSN：0160-8371, ORCID：56291629, SCOPUS ID：84861083769

Theoretical studies for Si and C emission into SiC layer during oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi; Sadafumi Yoshida
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2010, 巻：679-680, 開始ページ：429, 終了ページ：+, 2011年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.429
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=79955121573&origin=inward
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DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.679-680.429, ISSN：0255-5476, ORCID：30384784, SCOPUS ID：79955121573, Web of Science ID：WOS:000291673500102

Single photon emission from nitrogen delta-doped semiconductors　　　　　　　　　　　　　　　
Hiroyuki Yaguchi
QUANTUM SENSING AND NANOPHOTONIC DEVICES VIII, 巻：7945, 開始ページ：79452F, 終了ページ：79452F, 2011年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1117/12.865770
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=79955781808&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=79955781808&origin=inward
DOI ID：10.1117/12.865770, ISSN：0277-786X, ORCID：30384783, SCOPUS ID：79955781808, Web of Science ID：WOS:000293695800066

High Cubic-Phase Purity InN on MgO (001) Using Cubic-Phase GaN as a Buffer Layer　　　　　　　　　　　　　　　
Sanorpim S; Kuntharin S; Parinyataramas J; Yaguchi H; Iwahashi Y; Orihara M; Hijikata Y; Yoshida S
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors. AIP Conference Proceedings, 巻：1399, 開始ページ：131, 終了ページ：132, 2011年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.3666291
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84855479154&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84855479154&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.3666291, ISSN：0094-243X, eISSN：1551-7616, ORCID：30384782, SCOPUS ID：84855479154, Web of Science ID：WOS:000301053000053

Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(1 1 1)A　　　　　　　　　　　　　　　
Fukushima T; Hijikata Y; Yaguchi H; Yoshida S; Okano M; Yoshita M; Akiyama H; Kuboya S; Katayama R; Onabe K
Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 巻：42, 号：10, 開始ページ：2529, 終了ページ：2531, 2010年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.physe.2009.12.011
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=77958003985&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=77958003985&origin=inward
DOI ID：10.1016/j.physe.2009.12.011, ISSN：1386-9477, eISSN：1873-1759, ORCID：30384787, SCOPUS ID：77958003985, Web of Science ID：WOS:000284723200013

RF-MBE growth of InN on 4H-SiC (0001) with off-angles　　　　　　　　　　　　　　　
Misao Orihara; Shin Takizawa; Takanori Sato; Yuuki Ishida; Sadafumi Yoshida; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7, NO 7-8, 巻：7, 号：7-8, 開始ページ：2016, 終了ページ：2018, 2010年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200983441
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=77955823769&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=77955823769&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssc.200983441, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, ORCID：30384788, SCOPUS ID：77955823769, Web of Science ID：WOS:000301587600083

Model calculations of SiC oxide growth rate at various oxidation temperatures based on the silicon and carbon emission model　　　　　　　　　　　　　　　
Hijikata Yasuto; Yaguchi Hiroyuki; Yoshida Sadafumi
Materials Science Forum, 巻：645-648, 開始ページ：809, 終了ページ：812, 2010年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.809
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.809, ISSN：0255-5476, ORCID：30384786, Web of Science ID：WOS:000279657600192

In-situ Spectroscopic Ellipsometry Study of SiC Oxidation at Low Oxygen-Partial-Pressures　　　　　　　　　　　　　　　
K. Kouda; Y. Hijikata; H. Yaguchi; S. Yoshida
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2009, PTS 1 AND 2, 巻：645-648, 開始ページ：813, 終了ページ：+, 2010年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.813
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.813, ISSN：0255-5476, ORCID：30384785, Web of Science ID：WOS:000279657600193

Optical and electrical characterizations of 4H-SiC-oxide interfaces by spectroscopic ellipsometry and capacitance-voltage measurements　　　　　　　　　　　　　　　
Hashimoto Hideki; Hijikata Yasuto; Yaguchi Hiroyuki; Yoshida Sadafumi
Applied Surface Science, 巻：255, 号：20, 開始ページ：8648, 終了ページ：8653, 2009年07月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2009.06.058
DOI ID：10.1016/j.apsusc.2009.06.058, ISSN：0169-4332, ORCID：30384794, Web of Science ID：WOS:000268123800057

A Kinetic Model of Silicon Carbide Oxidation Based on the Interfacial Silicon and Carbon Emission Phenomenon　　　　　　　　　　　　　　　
Hijikata Yasuto; Yaguchi Hiroyuki; Yoshida Sadafumi
Applied Physics Express, 巻：2, 号：2, 開始ページ：021203, 終了ページ：021203, 2009年02月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/APEX.2.021203
DOI ID：10.1143/APEX.2.021203, ISSN：1882-0778, ORCID：30384789, Web of Science ID：WOS:000264942800007

Model Calculation of SiC Oxidation Rates in the Thin Oxide Regime　　　　　　　　　　　　　　　
Yasuto Hijikata; Takeshi Yamamoto; Hiroyuki Yaguchi; Sadafumi Yoshida
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, PTS 1 AND 2, 巻：600-603, 開始ページ：663, 終了ページ：666, 2009年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.663
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.663, ISSN：0255-5476, ORCID：48141545, Web of Science ID：WOS:000263555300158

Oxygen-Partial-Pressure Dependence of SiC Oxidation Rate Studied by In-situ Spectroscopic Ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
Takeshi Yamamoto; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi; Sadafumi Yoshida
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, PTS 1 AND 2, 巻：600-603, 開始ページ：667, 終了ページ：670, 2009年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.667
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=60349127717&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=60349127717&origin=inward
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.600-603.667, ISSN：0255-5476, ORCID：48141546, SCOPUS ID：60349127717, Web of Science ID：WOS:000263555300159

Observation of SiC Oxidation in Ultra-thin Oxide Regime by In-situ Spectroscopic Ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
Toshiyuki Takaku; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi; Sadafumi Yoshida
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008, 巻：615-617, 開始ページ：509, 終了ページ：512, 2009年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.509
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=77955444151&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=77955444151&origin=inward
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.509, ISSN：0255-5476, ORCID：48141803, SCOPUS ID：77955444151, Web of Science ID：WOS:000265961100122

Characterization of 4H-SiC-SiO2 Interfaces by a Deep Ultraviolet Spectroscopic Ellipsometer　　　　　　　　　　　　　　　
H. Seki; T. Wakabayashi; Y. Hijikata; H. Yaguchi; S. Yoshida
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008, 巻：615-617, 開始ページ：505, 終了ページ：508, 2009年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.505
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.505, ISSN：0255-5476, ORCID：48141548, Web of Science ID：WOS:000265961100121

Model Calculation of SiC Oxide Growth Rate Based on the Silicon and Carbon Emission Model　　　　　　　　　　　　　　　
Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi; Sadafumi Yoshida
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2008, 巻：615-617, 開始ページ：489, 終了ページ：492, 2009年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.489
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.615-617.489, ISSN：0255-5476, Web of Science ID：WOS:000265961100117

Oxide Growth Rate Enhancement of Silicon Carbide (0001) Si-Faces in Thin Oxide Regime　　　　　　　　　　　　　　　
Yamamoto Takeshi; Hijikata Yasuto; Yaguchi Hiroyuki; Yoshida Sadafumi
Japanese Journal of Applied Physics, 巻：47, 号：10, 開始ページ：7803, 終了ページ：7806, 2008年10月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.47.7803
DOI ID：10.1143/JJAP.47.7803, ISSN：0021-4922, ORCID：30384797, Web of Science ID：WOS:000260443900009

Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
Y. Endo; Y. Hijikata; H. Yaguchi; S. Yoshida; M. Yoshita; H. Akiyama; F. Nakajima; R. Katayama; K. Onabe
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 巻：40, 号：6, 開始ページ：2110, 終了ページ：2112, 2008年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.10.047
DOI ID：10.1016/j.physe.2007.10.047, ISSN：1386-9477, ORCID：30384800, Web of Science ID：WOS:000255717400104

High resolution X- ray diffraction and raman scattering studies of cubic-phase InN films grown by MBE　　　　　　　　　　　　　　　
S. Kuntharin; S. Sanorpim; H. Yaguchi; Y. Iwahashi; M. Orihara; Y. Hijakata; S. Yoshida
Advanced Materials Research, 巻：55-57, 開始ページ：773, 終了ページ：776, 2008年, ［査読有り］
研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.55-57.773
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=63049097802&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=63049097802&origin=inward
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/amr.55-57.773, ISSN：1022-6680, SCOPUS ID：63049097802

Photoluminescence study of hexagonal InN/InGaN quantum well structures grown on 3C-SiC (001) substrates by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
S. Hirano; T. Inoue; G. Shikata; M. Orihara; Y. Hijikata; H. Yaguchi; S. Yoshida; Y. Hirabayashi
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6, 巻：5, 号：6, 開始ページ：1730, 終了ページ：+, 2008年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200778606
DOI ID：10.1002/pssc.200778606, ISSN：1862-6351, ORCID：30384799, Web of Science ID：WOS:000256695700075

Photoluminescence of cubic InN films on MgO (001) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
T. Inoue; Y. Iwahashi; S. Oishi; M. Orihara; Y. Hijikata; H. Yaguchi; S. Yoshida
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6, 巻：5, 号：6, 開始ページ：1579, 終了ページ：1581, 2008年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200778505
DOI ID：10.1002/pssc.200778505, ISSN：1862-6351, ORCID：30384798, Web of Science ID：WOS:000256695700031

Improvement of the surface morphology of a-plane InN using low-temperature InN buffer layers　　　　　　　　　　　　　　　
G. Shikata; S. Hirano; T. Inoue; M. Orihara; Y. Hijikata; H. Yaguchi; S. Yoshida
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6, 巻：5, 号：6, 開始ページ：1808, 終了ページ：1810, 2008年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200778662
DOI ID：10.1002/pssc.200778662, ISSN：1862-6351, ORCID：30384796, Web of Science ID：WOS:000256695700100

Growth rate enhancement of (0001)-face silicon-carbide oxidation in thin oxide regime　　　　　　　　　　　　　　　
Yamamoto Takeshi; Hijikata Yasuto; Yaguchi Hiroyuki; Yoshida Sadafumi
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters, 巻：46, 号：29-32, 開始ページ：L770, 終了ページ：L772, 2007年08月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.46.L770
DOI ID：10.1143/JJAP.46.L770, ISSN：0021-4922, ORCID：30384801, Web of Science ID：WOS:000249166000018

RF-MBE growth of a-plane InN on r-plane sapphire with a GaN underlayer　　　　　　　　　　　　　　　
G. Shikata; S. Hirano; T. Inoue; M. Orihara; Y. Hijikata; H. Yaguchi; S. Yoshida
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：301, 開始ページ：517, 終了ページ：520, 2007年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.11.072
DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2006.11.072, ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, ORCID：30384808, Web of Science ID：WOS:000246015800119

RF-MBE growth of InN/InGaN quantum well structures on 3C-SiC substrates　　　　　　　　　　　　　　　
S. Hirano; T. Inoue; G. Shikata; M. Orihara; Y. Hijikata; H. Yaguchi; S. Yoshida
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：301, 開始ページ：513, 終了ページ：516, 2007年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.11.117
DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2006.11.117, ISSN：0022-0248, ORCID：30384809, Web of Science ID：WOS:000246015800118

Simultaneous determination of the carrier concentration, mobility and thickness of SiC homo-epilayers using terahertz reflectance spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
Shingo Oishi; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi; Sadafumi Yoshida
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2006, 巻：556-557, 開始ページ：423, 終了ページ：+, 2007年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.423
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.423, ISSN：0255-5476, ORCID：48141549, Web of Science ID：WOS:000249653900101

Structural and optical characterization of high In content cubic InGaN on GaAs(001) substrates by RF-MBE　　　　　　　　　　　　　　　
Nakamura Teruyuki; Endo Yuta; Katayama Ryuji; Yaguchi Hiroyuki; Onabe Kentaro
physica status solidi (c), 巻：4, 号：7, 開始ページ：2437, 終了ページ：2440, 2007年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200674803
DOI ID：10.1002/pssc.200674803, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, ORCID：30384811, Web of Science ID：WOS:000248047600056

Photoluminescence study of isoelectronic traps in dilute GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
Yaguchi H; Aoki T; Morioke T; Hijikata Y; Yoshida S; Yoshita M; Akiyama H; Aoki D; Onabe K
physica status solidi (c), 巻：4, 号：7, 開始ページ：2760, 終了ページ：2763, 2007年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200674721
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=49749134309&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=49749134309&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssc.200674721, ISSN：1862-6351, ORCID：30384807, SCOPUS ID：49749134309, Web of Science ID：WOS:000248047600135

Modulation spectroscopic investigation on lattice polarity of gallium nitride　　　　　　　　　　　　　　　
Katayama Ryuji; Onabe Kentaro; Yaguchi Hiroyuki; Matsushita Tomonori; Kondo Takashi
Applied Physics Letters, 巻：91, 号：6, 2007年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.2764115
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=34547842633&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=34547842633&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.2764115, ISSN：0003-6951, ORCID：30384806, SCOPUS ID：34547842633, Web of Science ID：WOS:000248661400044

Micro-photoluminescence study of nitrogen delta-doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Y. Endo; K. Tanioka; Y. Hijikata; H. Yaguchi; S. Yoshida; M. Yoshita; H. Akiyama; W. Ono; F. Nakajima; R. Katayama; K. Onabe
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：298, 開始ページ：73, 終了ページ：75, 2007年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.019
DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2006.10.019, ISSN：0022-0248, ORCID：30384804, Web of Science ID：WOS:000244622600017

Micro-Raman study on the improvement of luminescence efficiency of GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
K. Tanioka; Y. Endo; Y. Hijikata; H. Yaguchi; S. Yoshida; M. Yoshita; H. Akiyama; K. Onabe
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：298, 開始ページ：131, 終了ページ：134, 2007年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.006
DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2006.10.006, ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, ORCID：30384805, Web of Science ID：WOS:000244622600030

Simultaneous determination of carrier concentration, mobility, and thickness of SiC homoepilayers by infrared reflectance spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
Oishi Shingo; Hijikata Yasuto; Yaguchi Hiroyuki; Yoshida Sadafumi
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters & Express Letters, 巻：45, 号：46-50, 開始ページ：L1226, 終了ページ：L1229, 2006年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.45.L1226
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=34547874643&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=34547874643&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.45.L1226, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：30384817, SCOPUS ID：34547874643, Web of Science ID：WOS:000243208300002

Real time observation of SiC oxidation using an in-situ ellipsometer　　　　　　　　　　　　　　　
Kakubari K; Kuboki R; Hijikata Y; Yaguchi H; Yoshida S; Devaty RP
Materials Science Forum, 巻：527-529, 開始ページ：1031, 終了ページ：1034, 2006年10月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1031
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1031, eISSN：1662-9752, ORCID：30384815, Web of Science ID：WOS:000244227200242

Characterization of oxide films on 4H-SiC epitaxial (000(1)over-bar) faces by high-energy-resolution photoemission spectroscopy: Comparison between wet and dry oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
Hijikata Yasuto; Yaguchi Hiroyuki; Yoshida Sadafumi; Takata Yasutaka; Kobayashi Keisuke; Nohira Hiroshi; Hattori Takeo
Journal of Applied Physics, 巻：100, 号：5, 2006年09月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.2345471
DOI ID：10.1063/1.2345471, ISSN：0021-8979, ORCID：30384812, Web of Science ID：WOS:000240602500065

Off-angle dependence of characteristics of 4H-SiC-oxide interfaces　　　　　　　　　　　　　　　
Y. Hijikata; H. Yaguchi; S. Yoshida; Y. Takata; K. Kobayashi; H. Nohira; T. Hattori
Silicon Carbide and Related Materials 2005, Pts 1 and 2, 巻：527-529, 開始ページ：1003, 終了ページ：1006, 2006年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.1003
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.1003, ISSN：0255-5476, ORCID：48141550, Web of Science ID：WOS:000244227200235

RF-MBE growth of cubic InN films on MgO (001) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Y. Iwahashi; H. Yaguchi; A. Nishimoto; M. Orihara; Y. Hijikata; S. Yoshida
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6, 巻：3, 号：6, 開始ページ：1515, 終了ページ：1518, 2006年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200565312
DOI ID：10.1002/pssc.200565312, ISSN：1862-6351, ORCID：30384816, Web of Science ID：WOS:000239543600033

Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
H. Yaguchi; T. Morioke; T. Aoki; H. Shimizu; Y. Hijikata; S. Yoshida; M. Yoshita; H. Akiyama; N. Usami; D. Aoki; K. Onabe
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6, 巻：3, 号：6, 開始ページ：1907, 終了ページ：1910, 2006年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200565372
DOI ID：10.1002/pssc.200565372, ISSN：1862-6351, ORCID：30384814, Web of Science ID：WOS:000239543600124

Effect of Ar post-oxidation annealing on oxide-4H-SiC interfaces studied by capacitance to voltage measurements and photoemission spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
Y Hijikata; H Yaguchi; S Yoshida; Y Ishida; M Yoshikawa
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 巻：23, 号：2, 開始ページ：298, 終了ページ：303, 2005年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1116/1.1865153
DOI ID：10.1116/1.1865153, ISSN：0734-2101, eISSN：1520-8559, ORCID：30384819, Web of Science ID：WOS:000227739200013

Characterization of oxide films on SIC epitaxial (000-1) faces by angle-resolved photoemission spectroscopy measurements using synchrotron radiation　　　　　　　　　　　　　　　
A Hijikata; H Yaguchi; S Yoshida; Y Takata; K Kobayashi; S Shin; H Nohira; T Hattori
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004, 巻：483, 開始ページ：585, 終了ページ：588, 2005年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.585
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.585, ISSN：0255-5476, ORCID：56291594, Web of Science ID：WOS:000228549600137

Growth of high-quality hexagonal InN on 3C-SiC (001) by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
H Yaguchi; Y Kitamura; K Nishida; Y Iwahashi; Y Hijikata; S Yoshida
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS, VOL 2, NO 7, 巻：2, 号：7, 開始ページ：2267, 終了ページ：2270, 2005年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200461386
DOI ID：10.1002/pssc.200461386, ISSN：1862-6351, ORCID：30384820, Web of Science ID：WOS:000230421400058

Epitaxial growth of hexagonal and cubic InN films　　　　　　　　　　　　　　　
Nishida K; Kitamura Y; Hijikata Y; Yaguchi H; Yoshida S
Physica Status Solidi B-Basic Research, 巻：241, 号：12, 開始ページ：2839, 終了ページ：2842, 2004年10月, ［査読有り］
研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.200405049
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=7444245442&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=7444245442&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssb.200405049, ISSN：0370-1972, ORCID：30384823, SCOPUS ID：7444245442

Characterization of carrier concentration and mobility in n-type SiC wafers using infrared reflectance spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
Narita K; Huikata Y; Yaguchi H; Yoshida S; Nakashima S
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 巻：43, 号：8 A, 開始ページ：5151, 終了ページ：5156, 2004年08月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.43.5151
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=6444243848&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=6444243848&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.43.5151, ISSN：0021-4922, ORCID：30384821, SCOPUS ID：6444243848, Web of Science ID：WOS:000224841400013

Characterization of electrical properties in high-dose implanted and post-implantation-annealed 4H-SiC wafers using infrared reflectance spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
K Narita; Y Hijikata; H Yaguchi; S Yoshida; J Senzaki; S Nakashima
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PRTS 1 AND 2, 巻：457-460, 開始ページ：905, 終了ページ：908, 2004年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.905
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.905, ISSN：0255-5476, ORCID：56291630, Web of Science ID：WOS:000222802200215

Photoemission spectroscopic studies on oxide/SiC interfaces formed by dry and pyrogenic oxidation　　　　　　　　　　　　　　　
Y Hijikata; H Yaguchi; Y Ishida; M Yoshikawa; T Kamiya; S Yoshida
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PRTS 1 AND 2, 巻：457-460, 開始ページ：1341, 終了ページ：1344, 2004年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.1341
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.1341, ISSN：0255-5476, ORCID：48141565, Web of Science ID：WOS:000222802200319

Spectroscopic ellipsometry study on the dielectric functions of GaPN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
Kanaya H; Yaguchi H; Hijikata Y; Yoshida S; Miyoshi S; Onabe K; Stutzmann M
Physica Status Solidi C: Conferences, 巻：0, 号：7, 開始ページ：2753, 終了ページ：2756, 2003年, ［査読有り］
研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200303430
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=33749433192&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=33749433192&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssc.200303430, ISSN：1610-1634, ORCID：30384826, SCOPUS ID：33749433192

Improvement in the luminescence efficiency of GaAsN alloys by photoexcitation　　　　　　　　　　　　　　　
H Yaguchi; T Morioke; T Aoki; Y Hijikata; S Yoshida; H Akiyama; N Usami; D Aoki; K Onabe
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, 巻：0, 号：7, 開始ページ：2782, 終了ページ：2784, 2003年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200303514
DOI ID：10.1002/pssc.200303514, ISSN：1862-6351, ORCID：30384825, Web of Science ID：WOS:000189401700190

Measurements of the depth profile of the refractive indices in oxide films on SiC by spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
Iida T; Tomioka Y; Yoshimoto K; Midorikawa M; Tukada H; Orihara M; Hijikata Y; Yaguchi H; Yoshikawa M; Itoh H; Ishida Y; Yoshida S
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 巻：41, 号：2 A, 開始ページ：800, 終了ページ：804, 2002年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.41.800
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0036478462&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0036478462&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.41.800, ISSN：0021-4922, ORCID：30384829, SCOPUS ID：0036478462, Web of Science ID：WOS:000176451200070

Control of macroscopic absorption coefficient of multicrystalline SiGe by microscopic compositional distribution　　　　　　　　　　　　　　　
Usami N; Fujiwara K; Ujihara T; Sazaki G; Yaguchi H; Murakami Y; Nakajima K
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters, 巻：41, 号：1 A/B, 開始ページ：L37, 終了ページ：L39, 2002年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.41.L37
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0037082098&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0037082098&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.41.L37, ISSN：0021-4922, ORCID：30384828, SCOPUS ID：0037082098, Web of Science ID：WOS:000173882600012

Spatial mapping of the carrier concentration and mobility in SiC wafers by micro fourier-transform infrared spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
H. Yaguchi; K. Narita; Y. Hijikata; S. Yoshida; S. Nakashima; N. Oyanagi
Materials Science Forum, 巻：389-393, 号：1, 開始ページ：621, 終了ページ：624, 2002年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.389-393.621
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=34247249828&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=34247249828&origin=inward
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/msf.389-393.621, ISSN：0255-5476, eISSN：1662-9752, SCOPUS ID：34247249828

X-ray photoelectron spectroscopy studies of post-oxidation process effects on oxide/SiC interfaces　　　　　　　　　　　　　　　
Y Hijikata; H Yaguchi; M Yoshikawa; S Yoshida
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 巻：389-3, 開始ページ：1033, 終了ページ：1036, 2002年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1033
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1033, ISSN：0255-5476, ORCID：48141540, Web of Science ID：WOS:000177321100249

Characterization of the interfaces between SiC and oxide films by spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
Y Tomioka; T Iida; M Midorikawa; H Tukada; K Yoshimoto; Y Hijikata; H Yaguchi; M Yoshikawa; Y Ishida; R Kosugi; S Yoshida
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 巻：389-3, 開始ページ：1029, 終了ページ：1032, 2002年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1029
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1029, ISSN：0255-5476, ORCID：56291595, Web of Science ID：WOS:000177321100248

Composition analysis of SiO2/SiC interfaces by electron spectroscopic measurements using slope-shaped oxide films　　　　　　　　　　　　　　　
Y Hijikata; H Yaguchi; M Yoshikawa; S Yoshida
APPLIED SURFACE SCIENCE, 巻：184, 号：1-4, 開始ページ：161, 終了ページ：166, 2001年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0169-4332(01)00491-3
DOI ID：10.1016/S0169-4332(01)00491-3, ISSN：0169-4332, eISSN：1873-5584, CiNii Articles ID：80012788973, ORCID：56291762, Web of Science ID：WOS:000173000100027

Spectroscopic ellipsometry study on the electronic structure near the absorption edge of GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
Yaguchi H; Matsumoto S; Hijikata Y; Yoshida S; Maeda T; Ogura M; Aoki D; Onabe K
Physica Status Solidi B-Basic Research, 巻：228, 号：1, 開始ページ：269, 終了ページ：272, 2001年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/1521-3951(200111)228:1<269::AID-PSSB269>3.0.CO;2-3
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0035541085&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0035541085&origin=inward
DOI ID：10.1002/1521-3951(200111)228:1<269::AID-PSSB269>3.0.CO;2-3, ISSN：0370-1972, ORCID：30384834, SCOPUS ID：0035541085, Web of Science ID：WOS:000172513100060

Photoluminescence study on temperature dependence of band gap energy of GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
Yaguchi H; Kikuchi S; Hijikata Y; Yoshida S; Aoki D; Onabe K
Physica Status Solidi B-Basic Research, 巻：228, 号：1, 開始ページ：273, 終了ページ：277, 2001年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/1521-3951(200111)228:1<273::AID-PSSB273>3.0.CO;2-N
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0035541092&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0035541092&origin=inward
DOI ID：10.1002/1521-3951(200111)228:1<273::AID-PSSB273>3.0.CO;2-N, ISSN：0370-1972, ORCID：30384833, SCOPUS ID：0035541092, Web of Science ID：WOS:000172513100061

Temperature dependence of excitonic Gamma(c)-Gamma(v) transition energies GaxIn1-xP crystals　　　　　　　　　　　　　　　
Y Ishitani; H Yaguchi; Y Shiraki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 巻：40, 号：3A, 開始ページ：1183, 終了ページ：1187, 2001年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.40.1183
DOI ID：10.1143/JJAP.40.1183, ISSN：0021-4922, ORCID：30384835, Web of Science ID：WOS:000170771500006

Optical characterization of metalorganic vapor-phase epitaxy-grown GaAs1-xNx alloys using spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
S Matsumoto; H Yaguchi; S Kashiwase; T Hashimoto; S Yoshida; D Aoki; K Onabe
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：221, 開始ページ：481, 終了ページ：484, 2000年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(00)00748-X
DOI ID：10.1016/S0022-0248(00)00748-X, ISSN：0022-0248, CiNii Articles ID：80012169205, ORCID：30384838, Web of Science ID：WOS:000166501400085

Characterization of oxide films on SiC by spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
T Iida; Y Tomioka; Y Hijikata; H Yaguchi; M Yoshikawa; Y Ishida; H Okumura; S Yoshida
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 巻：39, 号：10B, 開始ページ：L1054, 終了ページ：L1056, 2000年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.39.L1054
DOI ID：10.1143/JJAP.39.L1054, ISSN：0021-4922, ORCID：30384836, Web of Science ID：WOS:000090138800014

Optical properties of cubic GaN grown on 3C-SiC (100) substrates by metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Wu J; Yaguchi H; Zhang BP; Segawa Y; Onabe K; Shiraki Y
Physica Status Solidi a-Applied Research, 巻：180, 号：1, 開始ページ：403, 終了ページ：407, 2000年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/1521-396X(200007)180:1<403::AID-PSSA403>3.0.CO;2-A
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0034224763&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0034224763&origin=inward
DOI ID：10.1002/1521-396X(200007)180:1<403::AID-PSSA403>3.0.CO;2-A, ISSN：0031-8965, ORCID：30384840, SCOPUS ID：0034224763, Web of Science ID：WOS:000088605900067

Fabrication and optical properties of GaAs/AlGaAs quantum dot grown in tetrahedral-shaped recesses on GaAs (111)B substrates by MOVPE　　　　　　　　　　　　　　　
T Tsujikawa; S Mori; H Watanabe; M Yoshita; H Akiyama; R van Dalen; K Onabe; H Yaguchi; Y Shiraki; R Ito
PHYSICA E, 巻：7, 号：3-4, 開始ページ：308, 終了ページ：316, 2000年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S1386-9477(99)00331-8
DOI ID：10.1016/S1386-9477(99)00331-8, ISSN：1386-9477, ORCID：56291692, Web of Science ID：WOS:000087358100003

Second-harmonic generation from GaP/AlP multilayers on GaP (111) substrates based on quasi-phase matching for the fundamental standing wave　　　　　　　　　　　　　　　
M Sato; H Yaguchi; Shoji, I; K Onabe; R Ito; Y Shiraki; S Nakagawa; N Yamada
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 巻：39, 号：4B, 開始ページ：L334, 終了ページ：L336, 2000年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.39.L334
DOI ID：10.1143/JJAP.39.L334, ISSN：0021-4922, ORCID：30384841, Web of Science ID：WOS:000088910900003

Optical constants of cubic GaN, AlN, and AlGaN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
Suzuki T; Yaguchi H; Okumura H; Ishida Y; Yoshida S
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters, 巻：39, 号：6 A, 開始ページ：L497, 終了ページ：L499, 2000年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.39.L497
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0033702328&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0033702328&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.39.L497, ISSN：0021-4922, ORCID：30384839, SCOPUS ID：0033702328, Web of Science ID：WOS:000088911300005

Time-resolved photoluminescence of cubic GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Yaguchi H; Wu J; Akiyama H; Baba M; Onabe K; Shiraki Y
Physica Status Solidi B-Basic Research, 巻：216, 号：1, 開始ページ：237, 終了ページ：240, 1999年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<237::AID-PSSB237>3.0.CO;2-O
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0033242881&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0033242881&origin=inward
DOI ID：10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<237::AID-PSSB237>3.0.CO;2-O, ISSN：0370-1972, ORCID：30384850, SCOPUS ID：0033242881, Web of Science ID：WOS:000084193900046

Substrate misorientation dependence of the hexagonal phase inclusion in cubic GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Nagayama A; Katayama R; Nakadan N; Miwa K; Yaguchi H; Wu J; Onabe K; Shiraki Y
Physica Status Solidi a-Applied Research, 巻：176, 号：1, 開始ページ：513, 終了ページ：517, 1999年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<513::AID-PSSA513>3.0.CO;2-Y
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0033221287&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0033221287&origin=inward
DOI ID：10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<513::AID-PSSA513>3.0.CO;2-Y, ISSN：0031-8965, ORCID：30384849, SCOPUS ID：0033221287, Web of Science ID：WOS:000084032200098

Selective growth of cubic GaN an patterned GaAs(100) substrates by metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
J Wu; M Kudo; A Nagayama; H Yaguchi; K Onabe; Y Shiraki
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 巻：176, 号：1, 開始ページ：557, 終了ページ：560, 1999年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<557::AID-PSSA557>3.0.CO;2-2
DOI ID：10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<557::AID-PSSA557>3.0.CO;2-2, ISSN：0031-8965, ORCID：30384847, Web of Science ID：WOS:000084032200105

Optical characterization of cubic AlGaN epilayers by cathodoluminescence and spectroscopic ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
H Okumura; T Koizumi; Y Ishida; H Yaguchi; S Yoshida
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 巻：216, 号：1, 開始ページ：211, 終了ページ：214, 1999年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<211::AID-PSSB211>3.3.CO;2-A
DOI ID：10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<211::AID-PSSB211>3.3.CO;2-A, ISSN：0370-1972, ORCID：30384844, Web of Science ID：WOS:000084193900041

MOVPE growth and luminescence properties of GaAsN alloys with higher nitrogen concentrations　　　　　　　　　　　　　　　
K Onabe; D Aoki; J Wu; H Yaguchi; Y Shiraki
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 巻：176, 号：1, 開始ページ：231, 終了ページ：235, 1999年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<231::AID-PSSA231>3.0.CO;2-9
DOI ID：10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<231::AID-PSSA231>3.0.CO;2-9, ISSN：1862-6300, eISSN：1862-6319, ORCID：30384843, Web of Science ID：WOS:000084032200044

Stimulated emission from optically pumped cubic GaN/AlGaN double heterostructures　　　　　　　　　　　　　　　
J. Wu; H. Yaguchi; K. Onabe; Y. Shiraki
Journal of Crystal Growth, 巻：197, 号：1-2, 開始ページ：73, 終了ページ：77, 1999年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00945-2
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DOI ID：10.1016/S0022-0248(98)00945-2, ISSN：0022-0248, CiNii Articles ID：80010901748, ORCID：48141822, SCOPUS ID：0033079425

Photoluminescence study of InP/GaP highly strained quantum wells
T. Kimura; H. Yaguchi; N. Usami; K. Onabe; Y. Shiraki
Institute of Physics Conference Series, 巻：162, 開始ページ：511, 終了ページ：516, 1999年
研究論文（学術雑誌）
ORCID：56291592, Web of Science ID：WOS:000177562700083

Quantum size effect of lead iodide nanoparticles formed by a Langmuir-Blodgett technique　　　　　　　　　　　　　　　
Tetsuya Yamaki; Keisuke Asai; Kenkichi Ishigure; Kazuhiro Ema; Hiroyuki Yaguchi
Molecular Crystals and Liquid Crystals Science and Technology Section A: Molecular Crystals and Liquid Crystals, 巻：337, 開始ページ：225, 終了ページ：228, 1999年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1080/10587259908023418
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DOI ID：10.1080/10587259908023418, ISSN：1058-725X, ORCID：56291741, SCOPUS ID：33745440831, Web of Science ID：WOS:000084232500054

High-temperature metalorganic vapor phase epitaxial growth of GaAs/AlGaAs quantum structures in tetrahedral-shaped recesses on GaAs (111)B substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Tsujikawa T; Irisawa T; Yaguchi H; Onabe K; Shiraki Y; Ito R
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 巻：38, 号：1 B, 開始ページ：459, 終了ページ：464, 1999年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.38.459
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032621849&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032621849&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.38.459, ISSN：0021-4922, ORCID：30384842, SCOPUS ID：0032621849, Web of Science ID：WOS:000078971100039

Photoluminescence and photoluminescence-excitation spectroscopy of GaPAsN/GaP lattice-matched multiple quantum well structures　　　　　　　　　　　　　　　
Goshi Biwa; Hiroyuki Yaguchi; Kentaro Onabe; Yasuhiro Shiraki
Journal of Crystal Growth, 巻：195, 号：1-4, 開始ページ：574, 終了ページ：578, 1998年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00734-9
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032477147&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032477147&origin=inward
DOI ID：10.1016/S0022-0248(98)00734-9, ISSN：0022-0248, ORCID：56291728, SCOPUS ID：0032477147, Web of Science ID：WOS:000077839200092

Micro Raman and micro photoluminescence study of cubic GaN grown on 3C-SiC(0 0 1) substrates by metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Hiroyuki Yaguchi; Jun Wu; Baoping Zhang; Yusaburo Segawa; Hiroyuki Nagasawa; Kentaro Onabe; Yasuhiro Shiraki
Journal of Crystal Growth, 巻：195, 号：1-4, 開始ページ：323, 終了ページ：327, 1998年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00672-1
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032477174&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032477174&origin=inward
DOI ID：10.1016/S0022-0248(98)00672-1, ISSN：0022-0248, ORCID：56291747, SCOPUS ID：0032477174, Web of Science ID：WOS:000077839200055

Sublattice reversal in GaAs/Si/GaAs (100) heterostructures by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Koh SJ; Kondo T; Ishiwada T; Iwamoto C; Ichinose H; Yaguchi H; Usami T; Shiraki Y; Ito R
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters, 巻：37, 号：12 SUPPL. B, 開始ページ：L1493, 終了ページ：L1496, 1998年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.37.L1493
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032295743&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032295743&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.37.L1493, ISSN：0021-4922, ORCID：30384870, SCOPUS ID：0032295743, Web of Science ID：WOS:000078189800001

Polarization characteristics of crescent-shaped tensile-strained GaAsP/AlGaAs quantum wire-like lasers (vol 37, pg 1556, 1998)　　　　　　　　　　　　　　　
M Ishikawa; W Pan; Y Kaneko; H Yaguchi; K Onabe; R Ito; Y Shiraki
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 巻：37, 号：7, 開始ページ：4230, 終了ページ：4230, 1998年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.37.4230
DOI ID：10.1143/JJAP.37.4230, ISSN：0021-4922, ORCID：30384868, Web of Science ID：WOS:000075363300072

Theoretical study of conduction band edge formation in GaP1 - XNx alloys using a tight-binding approximation　　　　　　　　　　　　　　　
H. Yaguchi
Journal of Crystal Growth, 巻：189-190, 開始ページ：500, 終了ページ：504, 1998年06月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00339-X
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032090874&origin=inward
DOI ID：10.1016/S0022-0248(98)00339-X, ISSN：0022-0248, ORCID：48141882, SCOPUS ID：0032090874, Web of Science ID：WOS:000074730400102

Temperature dependence of photoluminescence of GaP1-xNx alloys　　　　　　　　　　　　　　　
Hiroyuki Yaguchi; Goshi Biwa; Seiro Miyoshi; Daiichiro Aoki; Keisuke Arimoto; Kentaro Onabe; Ryoichi Ito; Yasuhiro Shiraki
Journal of Crystal Growth, 巻：189-190, 開始ページ：496, 終了ページ：499, 1998年06月, ［査読有り］, ［筆頭著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00338-8
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032092389&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032092389&origin=inward
DOI ID：10.1016/S0022-0248(98)00338-8, ISSN：0022-0248, ORCID：30384871, SCOPUS ID：0032092389, Web of Science ID：WOS:000074730400101

Metalorganic vapor-phase epitaxy of GaP1-x-yAsyNx quaternary alloys on GaP　　　　　　　　　　　　　　　
Goshi Biwa; Hiroyuki Yaguchi; Kentaro Onabe; Yasuhiro Shiraki
Journal of Crystal Growth, 巻：189-190, 開始ページ：485, 終了ページ：489, 1998年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00336-4
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032089854&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032089854&origin=inward
DOI ID：10.1016/S0022-0248(98)00336-4, ISSN：0022-0248, ORCID：48141583, SCOPUS ID：0032089854, Web of Science ID：WOS:000074730400099

Investigation of luminescence properties of GaN single crystals grown on 3C-SiC substrates　　　　　　　　　　　　　　　
J. Wu; H. Yaguchi; H. Nagasawa; Y. Yamaguchi; K. Onabe; Y. Shiraki; R. Ito
Journal of Crystal Growth, 巻：189-190, 開始ページ：420, 終了ページ：424, 1998年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00312-1
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032092034&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032092034&origin=inward
DOI ID：10.1016/S0022-0248(98)00312-1, ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, ORCID：30384857, SCOPUS ID：0032092034, Web of Science ID：WOS:000074730400085

Optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(1 0 0) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Jun Wu; Hiroyuki Yaguchi; Kentaro Onabe; Ryoichi Ito; Yasuhiro Shiraki
Journal of Crystal Growth, 巻：189-190, 開始ページ：415, 終了ページ：419, 1998年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00311-X
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032093256&origin=inward
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DOI ID：10.1016/S0022-0248(98)00311-X, ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, ORCID：56291665, SCOPUS ID：0032093256, Web of Science ID：WOS:000074730400084

Fabrication of Pb(Zr,Ti)O3/MgO/GaN/GaAs structure for optoelectronic device applications　　　　　　　　　　　　　　　
Atsushi Masuda; Shinya Morita; Hideki Shigeno; Akiharu Morimoto; Tatsuo Shimizu; Jun Wu; Hiroyuki Yaguchi; Kentaro Onabe
Journal of Crystal Growth, 巻：189-190, 開始ページ：227, 終了ページ：230, 1998年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)00241-3
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032092953&origin=inward
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DOI ID：10.1016/S0022-0248(98)00241-3, ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, ORCID：56291701, SCOPUS ID：0032092953, Web of Science ID：WOS:000074730400048

Characterization of SiGe strained heterostructures grown by molecular beam epitaxy using a Si effusion cell　　　　　　　　　　　　　　　
H. Yaguchi; T. Yamamoto; Y. Shiraki
Thin Solid Films, 巻：321, 号：1-2, 開始ページ：241, 終了ページ：244, 1998年05月, ［査読有り］, ［筆頭著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)00480-5
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0347537655&origin=inward
DOI ID：10.1016/S0040-6090(98)00480-5, ISSN：0040-6090, CiNii Articles ID：80010404794, ORCID：48141850, SCOPUS ID：0347537655, Web of Science ID：WOS:000074745700044

Polarization characteristics of crescent-shaped tensile-strained GaAsP/AlGaAs quantum wire-like lasers　　　　　　　　　　　　　　　
Ishikawa M; Pan WG; Kaneko Y; Yaguchi H; Onabe K; Ito R; Shiraki Y
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 巻：37, 号：3 SUPPL. B, 開始ページ：1556, 終了ページ：1558, 1998年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.37.1556
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0344002874&origin=inward
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DOI ID：10.1143/JJAP.37.1556, ISSN：0021-4922, ORCID：30384867, SCOPUS ID：0344002874, Web of Science ID：WOS:000073664900113

Metalorganic vapor phase epitaxy growth of high quality cubic GaN on GaAs (100) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Wu J; Yaguchi H; Onabe K; Shiraki Y; Ito R
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 巻：37, 号：3 SUPPL. B, 開始ページ：1440, 終了ページ：1442, 1998年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.37.1440
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0009207272&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0009207272&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.37.1440, ISSN：0021-4922, ORCID：30384859, SCOPUS ID：0009207272, Web of Science ID：WOS:000073664900089

GaAs/AlGaAs quantum structures grown in tetrahedral-shaped recesses on GaAs (111)B substrates by metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Tsujikawa T; Momma K; Yaguchi H; Onabe K; Shiraki Y; Ito R
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 巻：37, 号：3 SUPPL. B, 開始ページ：1493, 終了ページ：1496, 1998年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.37.1493
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0043230458&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0043230458&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.37.1493, ISSN：0021-4922, ORCID：30384856, SCOPUS ID：0043230458, Web of Science ID：WOS:000073664900101

Self-assembled, very long II-VI semiconductor quantum wires　　　　　　　　　　　　　　　
B. P. Zhang; W. X. Wang; T. Yasuda; Y. Segawa; H. Yaguchi; K. Onabe; K. Edamatsu; T. Itoh
Materials Science and Engineering B, 巻：51, 号：1-3, 開始ページ：224, 終了ページ：228, 1998年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0921-5107(97)00265-1
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0342391357&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0342391357&origin=inward
DOI ID：10.1016/S0921-5107(97)00265-1, ISSN：0921-5107, ORCID：30384869, SCOPUS ID：0342391357, Web of Science ID：WOS:000072728800048

Molecular beam epitaxy of SiGe heterostructures using a newly designed Si effusion cell　　　　　　　　　　　　　　　
H. Yaguchi; T. Yamamoto; Y. Shiraki
Materials Science and Engineering B, 巻：51, 号：1-3, 開始ページ：170, 終了ページ：172, 1998年02月, ［査読有り］, ［筆頭著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0921-5107(97)00254-7
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0347486931&origin=inward
DOI ID：10.1016/S0921-5107(97)00254-7, ISSN：0921-5107, ORCID：48141848, SCOPUS ID：0347486931, Web of Science ID：WOS:000072728800037

A new approach to ZnCdSe quantum dots　　　　　　　　　　　　　　　
B. P. Zhang; T. Yasuda; W. X. Wang; Y. Segawa; K. Edamatsu; T. Itoh; H. Yaguchi; K. Onabe
Materials Science and Engineering B, 巻：51, 号：1-3, 開始ページ：127, 終了ページ：131, 1998年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0921-5107(97)00245-6
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0031997271&origin=inward
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DOI ID：10.1016/S0921-5107(97)00245-6, ISSN：0921-5107, ORCID：56291699, SCOPUS ID：0031997271, Web of Science ID：WOS:000072728800028

Exciton diffusion dynamics in quantum nanostructures on V-groove patterned substrates　　　　　　　　　　　　　　　
N. Usami; Y. Shiraki; W. Pan; H. Yaguchi; K. Onabe
Superlattices and Microstructures, 巻：23, 号：2, 開始ページ：395, 終了ページ：400, 1998年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0285
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DOI ID：10.1006/spmi.1996.0285, ISSN：0749-6036, CiNii Articles ID：80010189221, ORCID：56291662, SCOPUS ID：11544283825, Web of Science ID：WOS:000072396800032

Cleaved cavity stimulated emission from an optically pumped cubic GaN/AlGaN heterostructure grown on GaAs (100) substrate　　　　　　　　　　　　　　　
J. Wu; H. Yaguchi; K. Onabe; Y. Shiraki
Applied Physics Letters, 巻：73, 号：14, 開始ページ：1931, 終了ページ：1933, 1998年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.122326
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0032487237&origin=inward
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DOI ID：10.1063/1.122326, ISSN：0003-6951, CiNii Articles ID：80010580213, ORCID：56291775, SCOPUS ID：0032487237, Web of Science ID：WOS:000076183300003

カソ-ドルミネツセンスによる半導体低次元構造の評価 (日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム論文集--21世紀へ向けての新技術の展開--平成10年10月28日(水)〜30日(金),千葉大学けやき会館〔含著者名索引〕) -- (ワ-クショップカソ-ドルミネッセンスを使った機能評価法の発展)　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之; 辻川智子; 尾鍋研太郎
電子顕微鏡, 巻：33, 号：2, 開始ページ：217, 終了ページ：220, 1998年
日本顕微鏡学会, 日本語
ISSN：0417-0326, CiNii Articles ID：40002545376, CiNii Books ID：AN00145000

Metalorganic vapor phase epitaxy growth and photoluminescence properties of cubic AlxGa1-xN　　　　　　　　　　　　　　　
Wu J; Yaguchi H; Onabe K; Shiraki Y
Applied Physics Letters, 巻：73, 号：2, 開始ページ：193, 終了ページ：195, 1998年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.121752
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0000148788&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0000148788&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.121752, ISSN：0003-6951, ORCID：30384858, SCOPUS ID：0000148788, Web of Science ID：WOS:000075275400021

The optical process in AlInP/GaInP/AlInP quantum wells (vol 80, pg 4592, 1996)　　　　　　　　　　　　　　　
Y Ishitani; S Minagawa; T Kita; T Nishino; H Yaguchi; Y Shiraki
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：82, 号：11, 開始ページ：5876, 終了ページ：5876, 1997年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.366457
DOI ID：10.1063/1.366457, ISSN：0021-8979, ORCID：30384885, Web of Science ID：WOS:A1997YH59000089

Growth mechanism in the metalorganic vapor phase epitaxy of metastable GaP1-xNx alloys: A growth interruption study　　　　　　　　　　　　　　　
Miyoshi S; Yaguchi H; Onabe K; Shiraki Y; Ito R
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 巻：36, 号：12 A, 開始ページ：7110, 終了ページ：7118, 1997年12月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.36.7110
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0031376350&origin=inward
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DOI ID：10.1143/JJAP.36.7110, ISSN：0021-4922, ORCID：30384876, SCOPUS ID：0031376350, Web of Science ID：WOS:000071543500005

Self formation and optical properties of II-VI semiconductor wire structures　　　　　　　　　　　　　　　
Zhang BP; Wang WX; Yasuda T; Li YQ; Segawa Y; Yaguchi H; Onabe K; Edamatsu K; Itoh T
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters, 巻：36, 号：11 SUPPL. B, 開始ページ：L1490, 終了ページ：L1493, 1997年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.36.L1490
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0031276855&origin=inward
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DOI ID：10.1143/JJAP.36.L1490, ISSN：0021-4922, ORCID：30384883, SCOPUS ID：0031276855, Web of Science ID：WOS:A1997YJ04500005

The Gamma(c)-Gamma(v) transition energies of AlxIn1-xP alloys　　　　　　　　　　　　　　　
Ishitani Y; Hamada H; Minagawa S; Yaguchi H; Shiraki Y
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 巻：36, 号：11, 開始ページ：6607, 終了ページ：6613, 1997年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.36.6607
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0031277384&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0031277384&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.36.6607, ISSN：0021-4922, ORCID：30384884, SCOPUS ID：0031277384, Web of Science ID：WOS:000071172300005

Electronic structure of (111)-GaAsP/AlGaAs strained-layer quantum wells　　　　　　　　　　　　　　　
Xiong Zhang; Mitsuteru Ishikawa; Hiroyuki Yaguchi; Kentaro Onabe
Surface Science, 巻：387, 号：1-3, 開始ページ：371, 終了ページ：382, 1997年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0039-6028(97)00401-9
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0031560008&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0031560008&origin=inward
DOI ID：10.1016/S0039-6028(97)00401-9, ISSN：0039-6028, CiNii Articles ID：80009902754, ORCID：48141594, SCOPUS ID：0031560008, Web of Science ID：WOS:A1997YC84800043

Photoluminescence properties of cubic GaN grown on GaAs(100) substrates by metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
J Wu; H Yaguchi; K Onabe; R Ito; Y Shiraki
APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：71, 号：15, 開始ページ：2067, 終了ページ：2069, 1997年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.119344
DOI ID：10.1063/1.119344, ISSN：0003-6951, ORCID：30384882, Web of Science ID：WOS:A1997YA20900003

Crystal structure of GaN grown on 3C-SiC substrates by metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Wu J; Yaguchi H; Nagasawa H; Yamaguchi Y; Onabe K; Shiraki Y; Ito R
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 巻：36, 号：7 A, 開始ページ：4241, 終了ページ：4245, 1997年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.36.4241
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0031189839&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0031189839&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.36.4241, ISSN：0021-4922, ORCID：30384874, SCOPUS ID：0031189839, Web of Science ID：WOS:A1997XR22300004

Metalorganic vapor phase epitaxy growth features of AlGaAs in tetrahedral-shaped recesses on GaAs (111)B substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Tsujikawa T; Pan WG; Momma K; Kudo M; Tanaka K; Yaguchi H; Onabe K; Shiraki Y; Ito R
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 巻：36, 号：6 SUPPL. B, 開始ページ：4102, 終了ページ：4106, 1997年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.36.4102
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0043230459&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0043230459&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.36.4102, ISSN：0021-4922, ORCID：30384878, SCOPUS ID：0043230459, Web of Science ID：WOS:000073628300074

Naturally formed ZnCdSe quantum dots on ZnSe (110) surfaces　　　　　　　　　　　　　　　
BP Zhang; T Yasuda; Y Segawa; H Yaguchi; K Onabe; E Edamatsu; T Itoh
APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：70, 号：18, 開始ページ：2413, 終了ページ：2415, 1997年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.118888
DOI ID：10.1063/1.118888, ISSN：0003-6951, ORCID：30384879, Web of Science ID：WOS:A1997WZ07600027

Nitrogen concentration dependence of photoluminescence decay time in GaP1-xNx alloys　　　　　　　　　　　　　　　
Hiroyuki Yaguchi; Seiro Miyoshi; Hideo Arimoto; Shiro Saito; Hidefumi Akiyama; Kentaro Onabe; Yasuhiro Shiraki; Ryoichi Ito
Solid-State Electronics, 巻：41, 号：2 SPEC. ISS., 開始ページ：231, 終了ページ：233, 1997年02月, ［査読有り］, ［筆頭著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0038-1101(96)00206-7
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0031076173&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0031076173&origin=inward
DOI ID：10.1016/S0038-1101(96)00206-7, ISSN：0038-1101, CiNii Articles ID：80009442419, ORCID：56291672, SCOPUS ID：0031076173, Web of Science ID：WOS:A1997WF76300024

Photoluminescence excitation spectroscopy of GaP1 - XNx alloys: Conduction-band-edge formation by nitrogen incorporation　　　　　　　　　　　　　　　
Hiroyuki Yaguchi; Seiro Miyoshi; Goshi Biwa; Masaya Kibune; Kentaro Onabe; Yasuhiro Shiraki; Ryoichi Ito
Journal of Crystal Growth, 巻：170, 号：1-4, 開始ページ：353, 終了ページ：356, 1997年01月, ［査読有り］, ［筆頭著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(96)00592-1
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0030680373&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0030680373&origin=inward
DOI ID：10.1016/S0022-0248(96)00592-1, ISSN：0022-0248, CiNii Articles ID：80009462734, ORCID：56291666, SCOPUS ID：0030680373, Web of Science ID：WOS:A1997WD06200066

In-plane polarization properties of GaAsP/AlAs strained quantum wells on GaAs(113)A and (114)A substrates
N. Hiroyasu; H. Yaguchi; K. Onabe; Y. Shiraki; R. Ito
Institute of Physics Conference Series, 巻：155, 開始ページ：771, 終了ページ：774, 1997年
研究論文（学術雑誌）
ORCID：56291697, Web of Science ID：WOS:A1997BJ12N00181

A highly luminescent crescent-shaped tensile-strained GaAsP/AlGaAs quantum wire laser structure　　　　　　　　　　　　　　　
Wugen Pan; Hiroyuki Yaguchi; Yoshihiko Hanamaki; Mitsuteru Ishikawa; Yasuhisa Kaneko; Kentaro Onabe; Ryoichi Ito; Yasuhiro Shiraki
Journal of Crystal Growth, 巻：170, 号：1-4, 開始ページ：585, 終了ページ：589, 1997年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0022-0248(96)00593-3
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0030687245&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0030687245&origin=inward
DOI ID：10.1016/S0022-0248(96)00593-3, ISSN：0022-0248, CiNii Articles ID：80009462781, ORCID：56291746, SCOPUS ID：0030687245, Web of Science ID：WOS:A1997WD06200113

Self Formation and Photoluminescence of II-VI Quantum Wires on GaAs(110) Surfaces　　　　　　　　　　　　　　　
B. P. Zhang; W. X. Wang; G. Isoya; T. Yasuda; Y. Segawa; H. Yaguchi; K. Onabe; K. Edamatsu; T. Itoh
Nonlinear Optics, 巻：18, 号：2-4, 開始ページ：133, 終了ページ：136, 1997年
研究論文（学術雑誌）
ORCID：48141781, SCOPUS ID：0031347795

MOVPE Growth of GaPAsN Quaternary Alloys Lattice-Matched to GaP　　　　　　　　　　　　　　　
Goshi Biwa; Hiroyuki Yaguchi; Kentaro Onabe; Yasuhiro Shiraki
MRS Proceedings, 巻：482, 1997年01月
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1557/proc-482-173
DOI ID：10.1557/proc-482-173, ISSN：1946-4274, ORCID：48141416, SCOPUS ID：0031389252, Web of Science ID：WOS:000073983100026

The optical processes in AlInP/GaInP/AlInP quantum wells　　　　　　　　　　　　　　　
Y Ishitani; S Minagawa; T Kita; T Nishino; H Yaguchi; Y Shiraki
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：80, 号：8, 開始ページ：4592, 終了ページ：4598, 1996年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.363829
DOI ID：10.1063/1.363829, ISSN：0021-8979, ORCID：30384893, Web of Science ID：WOS:A1996VM27200055

Anomalous optical absorption in ZnCdSe/ZnSe single quantum wells　　　　　　　　　　　　　　　
Baoping Zhang; Takanari Yasui; Takashi Yasuda; Yusaburo Segawa; Hiroyuki Yaguchi; Yasuhiro Shiraki
Solid State Communications, 巻：99, 号：12, 開始ページ：897, 終了ページ：900, 1996年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0038-1098(96)00320-1
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0030244101&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0030244101&origin=inward
DOI ID：10.1016/0038-1098(96)00320-1, ISSN：0038-1098, CiNii Articles ID：80009163673, ORCID：56291690, SCOPUS ID：0030244101, Web of Science ID：WOS:A1996VF72800007

Rectangular AlGaAs/AlAs quantum wires using spontaneous vertical quantum wells　　　　　　　　　　　　　　　
Pan WG; Yaguchi H; Onabe K; Ito R; Usami N; Shiraki Y
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 巻：35, 号：2 SUPPL. B, 開始ページ：1214, 終了ページ：1216, 1996年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.35.1214
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0030080393&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0030080393&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.35.1214, ISSN：0021-4922, ORCID：30384891, SCOPUS ID：0030080393, Web of Science ID：WOS:A1996UD94100088

Characterization of Si delta-doped GaAs using photoellipsometry and photoreflectance　　　　　　　　　　　　　　　
M Mochizuki; K Kobayashi; H Yaguchi; T Saitoh; YM Xiong
INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POLARIZATION ANALYSIS AND APPLICATIONS TO DEVICE TECHNOLOGY, 巻：2873, 開始ページ：270, 終了ページ：273, 1996年
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1117/12.246238
DOI ID：10.1117/12.246238, ORCID：56291748, Web of Science ID：WOS:A1996BG27F00067

Characterization of modulation-doped n-AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure using spectroscopic ellipsometry and photoreflectance　　　　　　　　　　　　　　　
CC Wong; M Mochizuki; H Yaguchi; T Saitoh; YM Xiong
INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POLARIZATION ANALYSIS AND APPLICATIONS TO DEVICE TECHNOLOGY, 巻：2873, 開始ページ：226, 終了ページ：229, 1996年
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1117/12.246226
DOI ID：10.1117/12.246226, Web of Science ID：WOS:A1996BG27F00056

Growth temperature dependence of AlGaAs spontaneous vertical quantum wells on V-grooved substrates by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Wugen Pan; Hiroyuki Yaguchi; Kentaro Onabe; Yasuhiro Shiraki; Ryoichi Ito
Journal of Crystal Growth, 巻：158, 号：3, 開始ページ：205, 終了ページ：209, 1996年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00449-1
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0030561998&origin=inward
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DOI ID：10.1016/0022-0248(95)00449-1, ISSN：0022-0248, CiNii Articles ID：80008768230, ORCID：48141804, SCOPUS ID：0030561998, Web of Science ID：WOS:A1996TR88900003

Built-in Electric Field Strength in InP/n+-InP Determined by Photoellipsometry and Photoreflectance
Yasuhiro SHIRAKI; Yi-Ming XIONG; HIROYUKI YAGUCHI
Extended Abstracts of the International Conference on Solid State Devices and Materials, 1996年
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/SSDM.1996.PD-7-3
DOI ID：10.7567/SSDM.1996.PD-7-3, ORCID：56291753

Time-resolved photoluminescence study on AlxGa1-xAs spontaneous vertical quantum well structures　　　　　　　　　　　　　　　
Usami N; Pan WG; Yaguchi H; Ito R; Onabe K; Akiyama H; Shiraki Y
Applied Physics Letters, 巻：68, 号：23, 開始ページ：3221, 終了ページ：3223, 1996年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.116443
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0030567631&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0030567631&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.116443, ISSN：0003-6951, ORCID：30384895, SCOPUS ID：0030567631, Web of Science ID：WOS:A1996UN63500004

TENSILE-STRAINED GAASP/ALGAAS QUANTUM-WELLS GROWN BY LOW-PRESSURE METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY　　　　　　　　　　　　　　　
WG PAN; H YAGUCHI; K ONABE; R ITO; Y SHIRAKI
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：78, 号：5, 開始ページ：3517, 終了ページ：3519, 1995年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.359987
DOI ID：10.1063/1.359987, ISSN：0021-8979, ORCID：30384899, Web of Science ID：WOS:A1995RR84500099

The in Situ Growth of Lateral Confinement Enhanced Rectangular AlGaAs/AlAs Quantum Wires by Utilizing the Spontaneous Vertical Quantum Wells　　　　　　　　　　　　　　　
PAN Wugen; YAGUCHI Hiroyuki; ONABE Kentaro; ITO Ryoichi; USAMI Noritaka; SHIRAKI Yasuhiro
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 巻：1995, 開始ページ：737, 終了ページ：739, 1995年08月
英語
CiNii Articles ID：10017203168, CiNii Books ID：AA10777858

Optical property of GaAsP/AlGaAs strained-layer quantum well grown on GaAs-(111)B substrate　　　　　　　　　　　　　　　
Zhang X; Karaki K; Yaguchi H; Onabe K; Ito R; Shraki Y
Applied Physics Letters, 巻：66, 号：2, 開始ページ：186, 終了ページ：188, 1995年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.113129
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=36449000705&origin=inward
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DOI ID：10.1063/1.113129, ISSN：0003-6951, ORCID：30384898, SCOPUS ID：36449000705, Web of Science ID：WOS:A1995QA69800025

GROWTH-PARAMETERS FOR METASTABLE GAP1-XNX ALLOYS IN MOVPE
S MIYOSHI; H YAGUCHI; K ONABE; Y SHIRAKI; R ITO
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1994, 巻：141, 号：141, 開始ページ：97, 終了ページ：100, 1995年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
ISSN：0951-3248, ORCID：30384897, Web of Science ID：WOS:A1995BC92S00018

Composition profile of an AlGaAs epilayer on a V-grooved substrate grown by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Pan WG; Yaguchi H; Onabe K; Ito R; Shiraki Y
Applied Physics Letters, 巻：67, 号：7, 開始ページ：959, 終了ページ：961, 1995年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.114708
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=21544436485&origin=inward
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DOI ID：10.1063/1.114708, ISSN：0003-6951, ORCID：30384896, SCOPUS ID：21544436485, Web of Science ID：WOS:A1995RN57500028

Effect of growth interruption on the interface flatness in metalorganic vapor phase epitaxy-grown GaAs/GaAsP heterostructures　　　　　　　　　　　　　　　
Kazunobu Ota; Hiroyuki Yaguchi; Kentaro Onabe; Ryoichi Ito; Yasuhiro Shiraki
Journal of Crystal Growth, 巻：145, 号：1-4, 開始ページ：819, 終了ページ：823, 1994年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)91148-7
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0028762033&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0028762033&origin=inward
DOI ID：10.1016/0022-0248(94)91148-7, ISSN：0022-0248, CiNii Articles ID：80008075962, ORCID：56291705, SCOPUS ID：0028762033, Web of Science ID：WOS:A1994QC54300129

Metalorganic vapor phase epitaxial growth and luminescence properties of GaAs/GaAsP quantum wires　　　　　　　　　　　　　　　
Wugen Pan; Hiroyuki Yaguchi; Kentaro Onabe; Kazumi Wada; Yasuhiro Shiraki; Ryoichi Ito
Journal of Crystal Growth, 巻：145, 号：1-4, 開始ページ：702, 終了ページ：706, 1994年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)91130-4
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0028761934&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0028761934&origin=inward
DOI ID：10.1016/0022-0248(94)91130-4, ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, CiNii Articles ID：80008075944, ORCID：56291683, SCOPUS ID：0028761934, Web of Science ID：WOS:A1994QC54300111

Surface orientation dependence of growth rate of cubic GaN　　　　　　　　　　　　　　　
Masaki Nagahara; Seiro Miyoshi; Hiroyuki Yaguchi; Kentaro Onabe; Yasuhiro Shiraki; Ryoichi Ito
Journal of Crystal Growth, 巻：145, 号：1-4, 開始ページ：197, 終了ページ：202, 1994年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)91050-2
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0028761939&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0028761939&origin=inward
DOI ID：10.1016/0022-0248(94)91050-2, ISSN：0022-0248, CiNii Articles ID：80008075864, ORCID：56291698, SCOPUS ID：0028761939, Web of Science ID：WOS:A1994QC54300031

INTERMEDIATE RANGE BETWEEN N-DOPED GAP AND GAP1-XNX ALLOYS - DIFFERENCE IN OPTICAL-PROPERTIES　　　　　　　　　　　　　　　
S MIYOSHI; H YAGUCHI; K ONABE; R ITO; Y SHIRAKI
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：145, 号：1-4, 開始ページ：87, 終了ページ：92, 1994年12月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)91033-2
DOI ID：10.1016/0022-0248(94)91033-2, ISSN：0022-0248, CiNii Articles ID：80008075847, ORCID：56291750, Web of Science ID：WOS:A1994QC54300014

TEMPERATURE-DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH IN GAAS/GAASP STRAINED-LAYER QUANTUM-WELL STRUCTURES　　　　　　　　　　　　　　　
XN ZHANG; Y SHIRAKI; H YAGUCHI; K ONABE; R ITO
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 巻：12, 号：4, 開始ページ：2293, 終了ページ：2298, 1994年07月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1116/1.587755
DOI ID：10.1116/1.587755, ISSN：1071-1023, ORCID：30384911, Web of Science ID：WOS:A1994PD16100003

Formation of Cubic GaN on (111)B GaAs by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy with Dimethylhydrazine　　　　　　　　　　　　　　　
Kuwano N; Kobayashi K; Oki K; Miyoshi S; Yaguchi H; Onabe K; Shiraki Y
Japanese Journal of Applied Physics, 巻：33, 号：6R, 開始ページ：3415, 終了ページ：3416, 1994年06月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.33.3415
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0028442419&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0028442419&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.33.3415, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：30384903, SCOPUS ID：0028442419, Web of Science ID：WOS:A1994PT64200021

PHOTOREFLECTANCE STUDY OF INTERFACE ROUGHNESS IN GE/SIGE STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES　　　　　　　　　　　　　　　
H YAGUCHI; K TAI; K TAKEMASA; K ONABE; Y SHIRAKI; R ITO
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 巻：33, 号：4B, 開始ページ：2353, 終了ページ：2356, 1994年04月, ［査読有り］, ［筆頭著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.33.2353
DOI ID：10.1143/JJAP.33.2353, ISSN：0021-4922, ORCID：30384908, Web of Science ID：WOS:A1994NR95900044

Valence-subband level crossing in GaAs/GaAsP strained-barrier quantum well structures observed by circularly polarized photoluminescence excitation spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
Hiroyuki Yaguchi; Kazunobu Ota; Yutaka Takahashi; Koji Muraki; Kentaro Onabe; Yasuhiro Shiraki; Ryoichi Ito
Solid State Electronics, 巻：37, 号：4-6, 開始ページ：915, 終了ページ：918, 1994年, ［査読有り］, ［筆頭著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0038-1101(94)90325-5
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0028408432&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0028408432&origin=inward
DOI ID：10.1016/0038-1101(94)90325-5, ISSN：0038-1101, CiNii Articles ID：80007544207, ORCID：56291777, SCOPUS ID：0028408432, Web of Science ID：WOS:A1994NE79600089

Formation of facetted heterointerfaces of cubic GaN grown on GaAs(001) by metalorganic vapor phase epitaxy
N KUWANO; K KOBAYASHI; Y TAKEICHI; K OKI; S MIYOSHI; H YAGUCHI; K ONABE; Y SHIRAKI
ELECTRON MICROSCOPY 1994, VOLS 2A AND 2B, 開始ページ：619, 終了ページ：620, 1994年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
ORCID：56291582, Web of Science ID：WOS:A1994BE09Y00300

Transmission electron-microscope observation of cubic GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy with dimethylhydrazine on (001) GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
Kuwano N; Nagatomo Y; Kobayashi K; Oki K; Miyoshi S; Yaguchi H; Onabe K; Shiraki Y
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 巻：33, 号：1A, 開始ページ：18, 終了ページ：22, 1994年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.33.18
DOI ID：10.1143/JJAP.33.18, ISSN：0021-4922, ORCID：30384912, Web of Science ID：WOS:A1994MV67700004

SELECTIVE GROWTH OF CUBIC GAN IN SMALL AREAS ON PATTERNED GAAS(100) SUBSTRATES BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY　　　　　　　　　　　　　　　
M NAGAHARA; S MIYOSHI; H YAGUCHI; K ONABE; Y SHIRAKI; R ITO
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 巻：33, 号：1B, 開始ページ：694, 終了ページ：697, 1994年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.33.694
DOI ID：10.1143/JJAP.33.694, ISSN：0021-4922, ORCID：30384909, Web of Science ID：WOS:A1994MV67800069

Photoluminescence study of (111)-oriented GaAs/GaAsP strained-layer quantum well structure　　　　　　　　　　　　　　　
Zhang X; Karaki K; Yaguchi H; Onabe K; Ito R; Shiraki Y
Applied Physics Letters, 巻：64, 号：12, 開始ページ：1555, 終了ページ：1557, 1994年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.111991
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0028385086&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0028385086&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.111991, ISSN：0003-6951, ORCID：30384907, SCOPUS ID：0028385086, Web of Science ID：WOS:A1994NB63900032

Characterization of Ge/SiGe Strained-Barrier Quantum-Well Structures Using Photoreflectance Spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
Yaguchi H; Tai K; Takemasa K; Onabe K; ITto R; Shiraki Y
Physical Review B, 巻：49, 号：11, 開始ページ：7394, 終了ページ：7399, 1994年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1103/PhysRevB.49.7394
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0039126902&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0039126902&origin=inward
DOI ID：10.1103/PhysRevB.49.7394, ISSN：0163-1829, ORCID：30384900, SCOPUS ID：0039126902

Self-modulating Sb incorporation in Si/SiGe superlattices during molecular beam epitaxial growth　　　　　　　　　　　　　　　
K. Fujita; S. Fukatsu; N. Usami; Y. Shiraki; H. Yaguchi; R. Ito; K. Nakagawa
Surface Science, 巻：295, 号：3, 開始ページ：335, 終了ページ：339, 1993年10月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0039-6028(93)90280-W
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0027681891&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0027681891&origin=inward
DOI ID：10.1016/0039-6028(93)90280-W, ISSN：0039-6028, CiNii Articles ID：80007270434, ORCID：56291770, SCOPUS ID：0027681891, Web of Science ID：WOS:A1993LZ22800011

GAASP LAYERS GROWN ON (111)-ORIENTED GAAS SUBSTRATES BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY　　　　　　　　　　　　　　　
ZHANG, X; K KARAKI; H YAGUCHI; K ONABE; Y SHIRAKI; R ITO
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 巻：32, 号：6A, 開始ページ：L755, 終了ページ：L757, 1993年06月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.32.L755
DOI ID：10.1143/JJAP.32.L755, ISSN：0021-4922, ORCID：30384914, Web of Science ID：WOS:A1993LF97200001

Metal-organic vapor phase epitaxy growth and optical study of gaas/gaas1-xpx, strained-barrier single quantum well structures　　　　　　　　　　　　　　　
Xiong Zhang; Kentaro Onabe; Hiroyuki Yaguchi; Yasuhiro Shiraki; Ryoichi Ito
Japanese Journal of Applied Physics, 巻：32, 号：3 B, 開始ページ：L375, 終了ページ：L378, 1993年03月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.32.L375
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84939370422&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84939370422&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.32.L375, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：84939370422

INTERSUBBAND ABSORPTION IN N-TYPE SI/SI1-XGEX MULTIPLE-QUANTUM-WELL STRUCTURES FORMED BY SB SEGREGANT-ASSISTED GROWTH　　　　　　　　　　　　　　　
K FUJITA; S FUKATSU; Y SHIRAKI; H YAGUCHI; R ITO
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：127, 号：1-4, 開始ページ：416, 終了ページ：420, 1993年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0022-0248(93)90651-C
DOI ID：10.1016/0022-0248(93)90651-C, ISSN：0022-0248, Web of Science ID：WOS:A1993KZ45300088

IS LOW-TEMPERATURE GROWTH THE SOLUTION TO ABRUPT SI/SI1-XGEX INTERFACE FORMATION　　　　　　　　　　　　　　　
S FUKATSU; N USAMI; K FUJITA; H YAGUCHI; Y SHIRAKI; R ITO
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：127, 号：1-4, 開始ページ：401, 終了ページ：405, 1993年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0022-0248(93)90648-G
DOI ID：10.1016/0022-0248(93)90648-G, ISSN：0022-0248, Web of Science ID：WOS:A1993KZ45300085

Highly conductive p-type cubic GaN epitaxial films on GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
S. Miyoshi; N. Ohkouchi; H. Yaguchi; K. Onabe; Y. Shiraki; R. Ito
Institute of Physics Conference Series, 巻：129, 開始ページ：79, 終了ページ：84, 1993年, ［査読有り］

Characterization of Interface Roughness in Ge/SiGe Heterostructures Using Photoreflectance Spectroscopy
Yasuhiro SHIRAKI; Keizo TAKEMASA; Ryoichi ITO; Kentaro ONABE; Kaori TAI; HIROYUKI YAGUCHI
Extended Abstracts of the International Conference on Solid State Devices and Materials, 1993年
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/SSDM.1993.S-I-6-6
DOI ID：10.7567/SSDM.1993.S-I-6-6, ORCID：56291716

SELF-MODULATING INCORPORATION OF SB IN SI/SIGE, SUPERLATTICES DURING MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH　　　　　　　　　　　　　　　
K FUJITA; S FUKATSU; N USAMI; H YAGUCHI; Y SHIRAKI; R ITO
SHALLOW IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS, 巻：117, 開始ページ：159, 終了ページ：164, 1993年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.117-118.159
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.117-118.159, ISSN：0255-5476, ORCID：30384921, Web of Science ID：WOS:A1993BZ20P00024

PHOTOREFLECTANCE STUDY OF GAAS/GAASP STRAINED-BARRIER QUANTUM-WELL STRUCTURES　　　　　　　　　　　　　　　
H YAGUCHI; ZHANG, X; K OTA; M NAGAHARA; K ONABE; Y SHIRAKI; R ITO
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 巻：32, 号：1B, 開始ページ：544, 終了ページ：547, 1993年01月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.32.544
DOI ID：10.1143/JJAP.32.544, ISSN：0021-4922, ORCID：30384920, Web of Science ID：WOS:A1993KQ00300059

Observation of the valence-subband level crossing in GaAs/GaAsP strained-barrier quantum well structures using circularly polarized photoluminescence excitation spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
Ota K; Yaguchi H; Onabe K; Ito R; Takahashi Y; Muraki K; Shiraki Y
Applied Physics Letters, 巻：63, 号：7, 開始ページ：946, 終了ページ：948, 1993年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.109853
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=36448998505&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=36448998505&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.109853, ISSN：0003-6951, ORCID：30384919, SCOPUS ID：36448998505

Metalorganic vapor phase epitaxy of GaP1-xNx alloys on GaP　　　　　　　　　　　　　　　
Miyoshi S; Yaguchi H; Onabe K; Ito R; Shiraki Y
Applied Physics Letters, 巻：63, 号：25, 開始ページ：3506, 終了ページ：3508, 1993年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.110109
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0346589553&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0346589553&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.110109, ISSN：0003-6951, ORCID：30384918, SCOPUS ID：0346589553

MOVPE GROWTH OF CUBIC GAN ON GAAS USING DIMETHYLHYDRAZINE　　　　　　　　　　　　　　　
S MIYOSHI; K ONABE; N OHKOUCHI; H YAGUCHI; R ITO; S FUKATSU; Y SHIRAKI
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 巻：124, 号：1-4, 開始ページ：439, 終了ページ：442, 1992年11月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0022-0248(92)90497-7
DOI ID：10.1016/0022-0248(92)90497-7, ISSN：0022-0248, Web of Science ID：WOS:A1992KB90500070

Initial oxidation of MBE-grown Si( 100) surfaces　　　　　　　　　　　　　　　
Yaguchi Hiroyuki; Fujita Ken; Fukatsu Susumu; Shiraki Yasuhiro; Ito Ryoichi; Igarashi Takayuki; Hattori Takeo
Surface Science, 巻：275, 号：3, 開始ページ：395, 終了ページ：400, 1992年09月, ［査読有り］, ［筆頭著者］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0039-6028(92)90811-J
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0026918085&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0026918085&origin=inward
DOI ID：10.1016/0039-6028(92)90811-J, ISSN：0039-6028, SCOPUS ID：0026918085

ATOMISTIC PICTURE OF INTERFACIAL MIXING IN THE SI/GE HETEROSTRUCTURES　　　　　　　　　　　　　　　
S FUKATSU; K FUJITA; H YAGUCHI; Y SHIRAKI; R ITO
SURFACE SCIENCE, 巻：267, 号：1-3, 開始ページ：79, 終了ページ：82, 1992年04月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0039-6028(92)91093-Q
DOI ID：10.1016/0039-6028(92)91093-Q, ISSN：0039-6028, Web of Science ID：WOS:A1992HM90100022

Photoreflectance Study of GaAs/GaAsP Strained-Barrier Quantum Well Structures　　　　　　　　　　　　　　　
Hiroyuki YAGUCHI; Xiong ZHANG; Kentaro ONABE; Yasuhiro SHIRAKI; Ryoichi ITO
Extended Abstracts of the 1992 International Conference on Solid State Devices and Materials, 開始ページ：589, 終了ページ：591, 1992年, ［査読有り］
The Japan Society of Applied Physics, 英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.7567/ssdm.1992.b-4-5
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0027002314&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0027002314&origin=inward
DOI ID：10.7567/ssdm.1992.b-4-5, SCOPUS ID：0027002314

Intersubband absorption in narrow Si/SiGe multiple quantum-wells without interfacial smearing　　　　　　　　　　　　　　　
Fujita K; Fukatsu S; Shiraki Y; Yaguchi H; Ito R
Applied Physics Letters, 巻：61, 号：2, 開始ページ：210, 終了ページ：212, 1992年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.108220
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0346609110&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0346609110&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.108220, ISSN：0003-6951, ORCID：30384925, SCOPUS ID：0346609110

Strain Relaxation in MBE-Grown Si1-xGex/Si(100) Heterostructures by Annealing　　　　　　　　　　　　　　　
Yaguchi H; Fujita K; Futatsu S; Shiraki Y; Ito R
Japanese Journal of Applied Physics Part 2-Letters, 巻：30, 号：8 B, 開始ページ：L1450, 終了ページ：L1453, 1991年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.30.L1450
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0026207085&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0026207085&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.30.L1450, ISSN：0021-4922, ORCID：30384929, SCOPUS ID：0026207085

Self-limitation in the surface segregation of Ge atoms during Si molecular beam epitaxial growth　　　　　　　　　　　　　　　
Fukatsu S; Fujita K; Yaguchi H; Shiraki Y; Ito R
Applied Physics Letters, 巻：59, 号：17, 開始ページ：2103, 終了ページ：2105, 1991年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.106412
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=36449004565&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=36449004565&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.106412, ISSN：0003-6951, ORCID：30384928, SCOPUS ID：36449004565

Involvement of the topmost Ge layer in the Ge surface segregation during Si/Ge heterostructure formation　　　　　　　　　　　　　　　
Fujita K; Fukatsu S; Yaguchi H; Shiraki Y; Ito R
Applied Physics Letters, 巻：59, 号：18, 開始ページ：2240, 終了ページ：2241, 1991年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.106082
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=36449002825&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=36449002825&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.106082, ISSN：0003-6951, ORCID：30384927, SCOPUS ID：36449002825

Realization of Abrupt interfaces in Si/Ge superlattices by suppressing Ge Surface Segregation with infmonolayer of Sb　　　　　　　　　　　　　　　
Ken Fujita; Susumu Fukatsu; Hiroyuki Yaguchi; Takayuki Igarashi; Yasuhiro Shiraki; Ryoichi Ito
Japanese Journal of Applied Physics, 巻：29, 号：11, 開始ページ：L1981, 終了ページ：L1983, 1990年11月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.29.L1981
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=3743115953&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=3743115953&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.29.L1981, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, SCOPUS ID：3743115953

Suppression of Interfacial Mixing in Si/Ge Superlattices by Sb Deposition　　　　　　　　　　　　　　　
K. FUJITA; S. FUKATSU; H. YAGUCHI; T. IGARASHI; Y. SHIRAKI; R. ITO
Extended Abstracts of the 1990 International Conference on Solid State Devices and Materials, 開始ページ：1151, 終了ページ：1152, 1990年, ［査読有り］
The Japan Society of Applied Physics, 英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.7567/ssdm.1990.ln-d-1
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0025554961&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0025554961&origin=inward
DOI ID：10.7567/ssdm.1990.ln-d-1, SCOPUS ID：0025554961

RHEED Study of Superstructures of Submonolayer Lead Films on Silicon (111) Surfaces　　　　　　　　　　　　　　　
Yaguchi H; Baba S; Kinbara A
Applied Surface Science, 巻：33-34, 号：C, 開始ページ：75, 終了ページ：80, 1988年09月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/0169-4332(88)90290-5
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0024067915&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0024067915&origin=inward
DOI ID：10.1016/0169-4332(88)90290-5, ISSN：0169-4332, CiNii Articles ID：80004251511, ORCID：30384931, SCOPUS ID：0024067915, Web of Science ID：WOS:A1988Q431500011

Pb/Si(111)表面超構造のRHEEDによる観察　　　　　　　　　　　　　　　
H. Yaguchi; S. Baba; A. Kinbara
表面科学, 巻：9, 号：5, 開始ページ：368, 終了ページ：373, 1988年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1380/jsssj.9.368
DOI ID：10.1380/jsssj.9.368, ISSN：0388-5321, CiNii Articles ID：80004300663, ORCID：79735519

ＲＨＥＥＤによるＰｂ／Ｓｉ（１１１）表面超構造の研究　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之; 馬場茂; 金原粲
真空, 巻：31, 号：5, 開始ページ：399, 終了ページ：401, 1988年, ［査読有り］
一般社団法人日本真空学会, 日本語, 研究論文（学術雑誌）
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85024451098&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85024451098&origin=inward
DOI ID：10.3131/jvsj.31.399, ISSN：0559-8516, eISSN：1880-9413, CiNii Articles ID：130000863491, CiNii Books ID：AN00119871, ORCID：79735477, SCOPUS ID：85024451098

■ MISC

深紫外光デバイスの進展とその応用サファイア基板上220~230nm far-UVC LEDの進展　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; KHAN Ajmal Muhammad; 鹿嶋行雄; 松浦恵理子; 前田哲利; 牟田実広; 大神裕之; 毛利健吾; 河島宏和; 祝迫恭; 藤川紗千恵; 矢口裕之
Optronics, 号：509, 2024年
ISSN：0286-9659, J-Global ID：202402241195880802

輝きと魅力を増す最近の光源生体無害ウイルス不活化を目指した230nm帯高出力far-UVC LEDの進展　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; KHAN Ajmal Muhammad; 鹿嶋行雄; 松浦恵理子; 前田哲利; 牟田実広; 大神裕之; 祝迫恭; 藤川紗千恵; 矢口裕之
光アライアンス, 巻：35, 号：7, 2024年
ISSN：0917-026X, J-Global ID：202402249015186556

230nm AlGaN far-UVC LEDの発光効率の量子井戸構造依存性　　　　　　　　　　　　　　　
永田裕弥; 永田裕弥; 仲元寺郁弥; 仲元寺郁弥; 前田哲利; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 矢口裕之; 祝迫恭; 平山秀樹
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：84th, 2023年
ISSN：2758-4704, J-Global ID：202402213347263220

窒素δドープGaAs中の等電子トラップに局在した励起子分子の束縛エネルギーに関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
矢野裕子; 高宮健吾; 藤川沙千恵; 八木修平; 矢口裕之; 小林真隆; 秋山英文
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：70th, 2023年
ISSN：2436-7613, J-Global ID：202302286333664872

230nm帯far-UVC LEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現　　　　　　　　　　　　　　　
牟田実広; 大神裕之; 毛利健吾; 河島宏和; 前田哲利; KHAN Ajmal; 鹿嶋行雄; 松浦恵里子; 中村祐樹; 住司光; 桐原大河; 藤川紗千恵; 矢口裕之; 祝迫恭; 平山秀樹
電子情報通信学会技術研究報告(Web), 巻：123, 号：288(ED2023 14-37), 2023年
ISSN：2432-6380, J-Global ID：202402226864927084

ErドープGaAsからの発光線の励起強度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
伊藤駿平; 高宮健吾; 小林真隆; 八木修平; 秋山英文; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：69th, 2022年
ISSN：2436-7613, J-Global ID：202202243673645430

DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVC-LEDの進展　　　　　　　　　　　　　　　
最上耀介; 最上耀介; 大澤篤史; 尾崎一人; 谷岡千丈; 前岡淳史; 糸数雄吏; 糸数雄吏; 桑葉俊輔; 桑葉俊輔; 定昌史; 前田哲利; 矢口裕之; 平山秀樹
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：119, 号：304(LQE2019 76-101), 2019年
ISSN：0913-5685, J-Global ID：202002288409055443

有機鉛ペロブスカイト製膜過程リアルタイム観察　　　　　　　　　　　　　　　
阿内悠人; 阿内悠人; 宮寺哲彦; 山本晃平; 小金澤智之; 近松真之; 吉田郵司; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：66th, 2019年
J-Global ID：201902275657649484

第一原理計算によるGaAsN混晶中のN原子配置のバンド構造への影響の検討
塚原悠太; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：79th, 開始ページ：ROMBUNNO.18p‐234B‐6, 2018年09月05日
日本語
J-Global ID：201802221348887183

二波長励起PL測定によるGaPN混晶のアップコンバージョン発光特性評価
高橋渉; 高宮健吾; 八木修平; 狭間優治; 秋山英文; 矢口裕之; 鎌田憲彦
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：79th, 開始ページ：ROMBUNNO.18p‐234B‐4, 2018年09月05日
日本語
J-Global ID：201802238518840151

規則配列化InNドットの作製に向けた立方晶GaN表面ステップ構造の成長条件依存性
大倉一将; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：79th, 開始ページ：ROMBUNNO.19p‐PA4‐25, 2018年09月05日
日本語
J-Global ID：201802262792771299

RF‐MBE成長による4H‐SiC(000-1)基板上へのN極性GaNの作製
杉浦亮; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：79th, 開始ページ：ROMBUNNO.19p‐PA4‐14, 2018年09月
日本語
J-Global ID：201802290158483556

MBE成長したErドープGaAsの発光特性に対するアニーリングの影響
五十嵐大輔; 高宮健吾; 伊藤隆; 八木修平; 秋山英文; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：65th, 開始ページ：ROMBUNNO.18p‐P8‐12, 2018年03月05日
日本語
J-Global ID：201802217506237741

真空プロセスによる有機鉛ペロブスカイトの結晶成長制御　　　　　　　　　　　　　　　
宮寺哲彦; 阿内悠人; 小金澤智之; 矢口裕之; 吉田郵司; 近松真之
高分子学会予稿集(CD-ROM), 巻：67, 号：2, 2018年
J-Global ID：201802238290737286

GaPN混晶のアップコンバージョン発光
高橋渉; 高宮健吾; 八木修平; 伊藤隆; 秋山英文; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：78th, 開始ページ：ROMBUNNO.6p‐PA7‐1, 2017年08月25日
日本語
J-Global ID：201702255331459722

新規可溶性オリゴチオフェン系電子ドナー材料を用いた有機薄膜太陽電池への溶媒蒸気アニーリング効果
秋山雄希; 秋山雄希; 橘浩昭; 阿澄玲子; 宮寺哲彦; 近松真之; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：78th, 開始ページ：ROMBUNNO.5p‐PA3‐7, 2017年08月25日
日本語
J-Global ID：201702271908434102

希釈窒化物半導体中の窒素原子配置によるバンドギャップへの影響
宮島数喜; 八木修平; 庄司靖; 岡田至崇; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：78th, 開始ページ：ROMBUNNO.5p‐C21‐1, 2017年08月25日
日本語
J-Global ID：201702278507065273

ErドープGaAsからの発光のMBE成長温度依存性
五十嵐大輔; 高宮健吾; 八木修平; 伊藤隆; 秋山英文; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：64th, 開始ページ：ROMBUNNO.17p‐P2‐8, 2017年03月01日
日本語
J-Global ID：201702218011102092

1eV帯InGaAs:Nδドープ超格子の作製
梅田峻平; 八木修平; 宮下直也; 岡田至崇; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：64th, 開始ページ：ROMBUNNO.14p‐B6‐9, 2017年03月01日
日本語
J-Global ID：201702242750399704

n型GaAs:Nδドープ超格子の電気的特性評価
加藤諒; 八木修平; 岡田至崇; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：64th, 開始ページ：ROMBUNNO.15p‐P16‐8, 2017年03月01日
日本語
J-Global ID：201702266277509859

DRCN5T/PCBMバルクヘテロ接合膜の溶媒蒸気アニーリング過程のその場観察
新井康司; 新井康司; 宮寺哲彦; 小金澤智之; 秋山雄希; 秋山雄希; 橘浩昭; 吉田郵司; 近松真之; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：64th, 開始ページ：ROMBUNNO.16p‐F201‐3, 2017年03月01日
日本語
ISSN：2436-7613, J-Global ID：201702283758456263

ルブレン単結晶上の有機鉛ペロブスカイトのエピタキシャル成長　　　　　　　　　　　　　　　
阿内悠人; 阿内悠人; 宮寺哲彦; 小金澤智之; 近松真之; 吉田郵司; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：64th, 2017年
ISSN：2436-7613, J-Global ID：201702243313040023

4H‐SiC微傾斜基板上に作製した自己組織化InN/GaNドットの配列性制御
松岡圭佑; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：77th, 開始ページ：ROMBUNNO.16a‐P5‐11, 2016年09月01日
日本語
J-Global ID：201602236541953232

レーザ照射によるGaInNAs混晶半導体の発光効率への影響
米倉成一; 高宮健吾; 八木修平; 上田修; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：77th, 開始ページ：ROMBUNNO.15a‐P11‐11, 2016年09月01日
日本語
J-Global ID：201602248642339078

新規可溶性オリゴチオフェン系電子ドナー材料を用いた有機薄膜太陽電池
秋山雄希; 秋山雄希; 橘浩昭; 阿澄玲子; 宮寺哲彦; 近松真之; 小金澤智之; 矢口裕之; 八木修平
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：77th, 開始ページ：ROMBUNNO.13p‐P9‐11, 2016年09月01日
日本語
ISSN：2436-7613, J-Global ID：201602279619229573

添加剤導入によるP3HT薄膜の結晶成長過程のその場観察評価
新井康司; 新井康司; 宮寺哲彦; 小金澤智之; 秋山雄希; 秋山雄希; 杉田武; 近松真之; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：63rd, 開始ページ：ROMBUNNO.19P-W242-6, 2016年03月03日
日本語
ISSN：2436-7613, J-Global ID：201602206159061072

MgO微傾斜基板上に作製した立方晶InNドット配列構造の堆積量依存性
石井健一; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：63rd, 開始ページ：ROMBUNNO.22A-P6-10, 2016年03月03日
日本語
J-Global ID：201602218989088990

4H‐SiC基板の二波長励起PL測定―BGE強度依存性―
近藤圭太郎; 福田武司; 本多善太郎; 鎌田憲彦; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：63rd, 開始ページ：ROMBUNNO.20A-H101-9, 2016年03月03日
日本語
J-Global ID：201602220555984119

Investigation of SiC/Oxide Interface Structures by Spectroscopic Ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
Sadafumi Yoshida; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
2015年09月
DOI：https://doi.org/10.5772/61082
DOI ID：10.5772/61082, ORCID put code：79779725

AlAs/GaAs分布ブラッグ反射鏡を有するEr δドープGaAsの発光特性
須藤真樹; JIN R.G; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：76th, 開始ページ：ROMBUNNO.13P-PB2-5, 2015年08月31日
日本語
J-Global ID：201502200169002575

フォトルミネッセンス法による4H‐SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察
浅藤亮祐; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：76th, 開始ページ：ROMBUNNO.15A-1A-11, 2015年08月31日
日本語
J-Global ID：201502200868414404

第一原理計算によるGaAs:Nδドープ超格子における光学遷移に関する研究
吉川洋生; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：76th, 開始ページ：ROMBUNNO.13P-PB2-2, 2015年08月31日
日本語
J-Global ID：201502202887386651

微傾斜基板を用いたシングルドメイン立方晶GaNの成長と立方晶InNドット配列の形成
石井健一; 折原操; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：76th, 開始ページ：ROMBUNNO.14P-PB12-19, 2015年08月31日
日本語
J-Global ID：201502207396200760

第一原理計算によるInAsN混晶の伝導帯の解析
宮崎貴史; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：76th, 開始ページ：ROMBUNNO.13P-PB2-1, 2015年08月31日
日本語
J-Global ID：201502207598351728

GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性
JIN R; 高宮健吾; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：76th, 開始ページ：ROMBUNNO.13P-PB2-3, 2015年08月31日
日本語
J-Global ID：201502215233126671

ErドープGaAsからの発光に対する低温成長の影響
飯村啓泰; JIN R.G; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：76th, 開始ページ：ROMBUNNO.13P-PB2-4, 2015年08月31日
日本語
J-Global ID：201502221370971885

円偏光PLEによるGe直接遷移端への光スピン注入
安武裕輔; 安武裕輔; 太野垣健; 太野垣健; 大川洋平; 矢口裕之; 金光義彦; 深津晋
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：76th, 開始ページ：ROMBUNNO.14A-2N-8, 2015年08月31日
日本語
J-Global ID：201502209609017925

GaAs:Nδドープ超格子を有する太陽電池の二段階光吸収
鈴木智也; 八木修平; 土方泰斗; 岡田至崇; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：62nd, 開始ページ：ROMBUNNO.13P-P19-17, 2015年02月26日
日本語
J-Global ID：201502212728546006

4H‐SiC(0001)微傾斜基板を用いたInNドット配列の自己形成
森誠也; 高宮健吾; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：62nd, 開始ページ：ROMBUNNO.12P-P16-9, 2015年02月26日
日本語
J-Global ID：201502237562705111

第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究
宮崎貴史; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：62nd, 開始ページ：ROMBUNNO.13A-P15-2, 2015年02月26日
日本語
J-Global ID：201502238490747422

添加剤導入によるP3HT:PCBM混合膜の結晶成長過程のその場観察評価　　　　　　　　　　　　　　　
新井康司; 新井康司; 柴田陽生; 伊藤英輔; 小金澤智之; 宮寺哲彦; 宮寺哲彦; 近松真之; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：62nd, 2015年
J-Global ID：201502277517255255

中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長
鈴木智也; 長田一輝; 八木修平; 内藤駿弥; 土方泰斗; 岡田至崇; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：75th, 開始ページ：ROMBUNNO.19P-PB3-10, 2014年09月01日
日本語
J-Global ID：201402204873316264

SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化
今野良太郎; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：75th, 開始ページ：ROMBUNNO.19A-PB5-11, 2014年09月01日
日本語
J-Global ID：201402218643252926

GaAs:Nδドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御
長田一輝; 鈴木智也; 八木修平; 内藤駿弥; 庄司靖; 岡田至崇; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：75th, 開始ページ：ROMBUNNO.19A-S1-6, 2014年09月01日
日本語
J-Global ID：201402223396439019

Geの磁場中時間分解円偏光フォトルミネッセンス
安武裕輔; 矢口裕之; 深津晋
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：75th, 開始ページ：ROMBUNNO.17P-PA3-7, 2014年09月01日
日本語
J-Global ID：201402279887395531

RF‐MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長
五十嵐健; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 片山竜二; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：61st, 開始ページ：ROMBUNNO.20A-PG1-15, 2014年03月03日
日本語
J-Global ID：201402228659986330

二波長励起PLによるGaPN混晶の光学特性評価
末次麻希子; TOUHIDUL ISLAM A.Z.M; 花岡司; 福田武司; 鎌田憲彦; 八木修平; 矢口裕之
照明学会全国大会講演論文集(CD-ROM), 巻：47th, 開始ページ：ROMBUNNO.10-3, 2014年
日本語
J-Global ID：201402295481095788

六方晶SiC無極性面の酸化過程の実時間観察
後藤大祐; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：74th, 開始ページ：ROMBUNNO.19A-P9-4, 2013年08月31日
日本語
J-Global ID：201302203339195393

窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定
高宮健吾; 八木修平; 土方泰斗; 望月敏光; 吉田正裕; 秋山英文; 窪谷茂幸; 片山竜二; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：74th, 開始ページ：ROMBUNNO.19A-P8-11, 2013年08月31日
日本語
J-Global ID：201302208930844769

GaInNAs量子井戸の発光効率へのレーザー照射の影響
岩崎卓也; 八木修平; 土方泰斗; 上田修; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：74th, 開始ページ：ROMBUNNO.19A-P8-13, 2013年08月31日
日本語
J-Global ID：201302210710989914

GaAsN/GaAs量子井戸構造からの発光の励起強度依存性
山崎泰由; 八木修平; 土方泰斗; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：74th, 開始ページ：ROMBUNNO.19A-P8-14, 2013年08月31日
日本語
J-Global ID：201302253457891105

GaAs:Nδドープ超格子を用いた中間バンド型太陽電池の特性評価
八木修平; 野口駿介; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 岡田至崇; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：74th, 開始ページ：ROMBUNNO.17P-D6-14, 2013年08月31日
日本語
J-Global ID：201302263267421817

InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討　　　　　　　　　　　　　　　
徳田英俊; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：74th, 号：8, 開始ページ：ROMBUNNO.17P-P7-15, 終了ページ：08JL06-4, 2013年08月31日
Creation of short-period InN/GaN superlattices is one of the possible ways of conducting band gap engineering in the green-blue range of the spectrum. The present paper reports results of photoluminescence experiments, including pressure effects, on a superlattice sample consisting of unit cells with one monolayer of InN and 40 monolayers of GaN. The results are compared with calculations performed for different types of superlattices: InN/GaN, InGaN/GaN, and InN/InGaN/GaN with single monolayers of InN and/or InGaN. The superlattices are simulated by band structure calculations based on the local density approximation (LDA) with a semi-empirical correction for the ``LDA gap error''. A similarity is observed between the results of calculations for an InGaN/GaN superlattice (with one monolayer of InGaN) and the experimental results. This indicates that the fabricated InN quantum wells may contain some Ga atoms due to interdiffusion.
The Japan Society of Applied Physics, 日本語
DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.52.08JL06
DOI ID：10.7567/JJAP.52.08JL06, ISSN：0021-4922, J-Global ID：201302285385764625, CiNii Articles ID：40019758965, CiNii Books ID：AA12295836

Ge/SiGe多重量子井戸への室温光スピン注入
安武裕輔; 矢口裕之; 深津晋
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：74th, 開始ページ：ROMBUNNO.16P-C15-3, 2013年08月31日
日本語
J-Global ID：201302231556794835

SiC酸化メカニズム解明への試み : Si酸化との共通点/異なる点 (シリコン材料・デバイス)　　　　　　　　　　　　　　　
土方泰斗; 八木修平; 矢口裕之
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 巻：113, 号：87, 開始ページ：91, 終了ページ：96, 2013年06月18日
SiC半導体を用いたパワーMOSFETが従来のSi系パワーデバイスを凌駕するには,SiC酸化メカニズムのより一層の理解が不可欠である.本稿では,SiCの酸化メカニズムに対し,何がどこまでわかったかを総括し,Si酸化との共通点と相違点を織り交ぜながら近年の研究事例や課題を紹介していく.
一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, CiNii Articles ID：110009779110, CiNii Books ID：AN10013254

RF‐MBE法による立方晶InNドット積層構造の作製
鈴木潤一郎; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：60th, 開始ページ：ROMBUNNO.28P-PA1-1, 2013年03月11日
日本語
J-Global ID：201302223183186110

4H‐SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について
宮野祐太郎; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：60th, 開始ページ：ROMBUNNO.29P-PB4-9, 2013年03月11日
日本語
J-Global ID：201302267568241755

中間バンド型太陽電池へ向けたGaAs中窒素ドープ超格子のE₊バンド光吸収の観測
野口駿介; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 岡田至崇; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：60th, 開始ページ：ROMBUNNO.29A-PB7-19, 2013年03月11日
日本語
J-Global ID：201302299241158730

Thermal Oxidation Mechanism of Silicon Carbide　　　　　　　　　　　　　　　
Yasuto Hijikata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi; Sadafumi Yoshi
2012年10月
DOI：https://doi.org/10.5772/50748
DOI ID：10.5772/50748, ORCID put code：79780638

Nondestructive and Contactless Characterization Method for Spatial Mapping of the Thickness and Electrical Properties in Homo-Epitaxially Grown SiC Epilayers Using Infrared Reflectance Spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
Sadafumi Yoshida; Yasuto Hijikata; Hiroyuki Yaguchi
2012年10月
DOI：https://doi.org/10.5772/50749
DOI ID：10.5772/50749, ORCID put code：79780627

スパッタ薄膜成長による4H‐SiC基板中の非発光再結合中心生成
加藤寿悠; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：73rd, 開始ページ：ROMBUNNO.11P-PB2-12, 2012年08月27日
日本語
J-Global ID：201202222514720266

堆積と熱酸化による4H‐SiC MOS構造の作製
大谷篤志; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：73rd, 開始ページ：ROMBUNNO.11P-PB2-4, 2012年08月27日
日本語
J-Global ID：201202230425306688

InN成長におけるInN高温バッファ層の効果に関する検討
増田篤; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：73rd, 開始ページ：ROMBUNNO.12A-PB4-11, 2012年08月27日
日本語
J-Global ID：201202235572897960

第一原理計算によるGaAsNの電子構造に対する原子配置の影響に関する研究
坂本圭; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：73rd, 開始ページ：ROMBUNNO.12A-PB4-22, 2012年08月27日
日本語
J-Global ID：201202252900504833

窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定
高宮健吾; 八木修平; 土方泰斗; 望月敏光; 吉田正裕; 秋山英文; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 矢口裕之
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：73rd, 開始ページ：ROMBUNNO.12P-PB11-20, 2012年08月27日
日本語
J-Global ID：201202257209482469

MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長
JIN R; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 矢口裕之
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：73rd, 開始ページ：ROMBUNNO.12P-PB11-16, 2012年08月27日
日本語
J-Global ID：201202271314197829

RF‐MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響
五十嵐健; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：73rd, 開始ページ：ROMBUNNO.12A-PB4-12, 2012年08月27日
日本語
J-Global ID：201202279081759741

RF‐MBE法によるTiO₂(001)基板上への立方晶GaNの成長
折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：73rd, 開始ページ：ROMBUNNO.13P-H9-17, 2012年08月27日
日本語
J-Global ID：201202285680090400

熱酸化が4H‐SiCエピ膜中積層欠陥に及ぼす影響の顕微フォトルミネッセンスによる観察
山形光; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：59th, 開始ページ：ROMBUNNO.17P-A8-11, 2012年02月29日
日本語
J-Global ID：201202246861327481

窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光
高宮健吾; 福島俊之; 星野真也; 八木修平; 土方泰斗; 望月敏光; 吉田正裕; 秋山英文; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 矢口裕之
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：59th, 開始ページ：ROMBUNNO.17A-A8-9, 2012年02月29日
日本語
J-Global ID：201202254067781707

分光エリプソメトリによる立方晶InNの光学的特性評価
吉田倫大; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：59th, 開始ページ：ROMBUNNO.16A-DP1-27, 2012年02月29日
日本語
J-Global ID：201202270422534312

GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価
野口駿介; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：59th, 開始ページ：ROMBUNNO.17P-DP3-12, 2012年02月29日
日本語
J-Global ID：201202272956548214

窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
新井佑也; 星野真也; 高宮健吾; 八木修平; 土方泰斗; 望月敏光; 吉田正裕; 秋山英文; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：59th, 開始ページ：ROMBUNNO.17P-DP3-13, 2012年02月29日
日本語
J-Global ID：201202279946154581

共鳴トンネル構造を用いたエネルギー選択層における熱励起電流のホットキャリア型太陽電池特性への影響
八木修平; 土方泰斗; 岡田至崇; 矢口裕之
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：72nd, 開始ページ：ROMBUNNO.1A-H-12, 2011年08月16日
日本語
J-Global ID：201102252261232919

Growth rate enhancement of silicon-carbide oxidation in thin oxide regime　　　　　　　　　　　　　　　
Hijikata Yasuto; Yaguchi Hiroyuki; Yoshida Sadafumi; Gerhardt R
Properties and Applications of Silicon Carbide, 開始ページ：77, 終了ページ：87, 2011年, ［査読有り］
DOI：https://doi.org/10.5772/14591
DOI ID：10.5772/14591, ORCID put code：30384781, Web of Science ID：WOS:000363729000005

極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル
大久保航; 石川輝; 八木修平; 土方泰斗; 吉田貞史; 片山竜二; 尾鍋研太郎; 矢口裕之
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：71st, 開始ページ：ROMBUNNO.14P-ZV-1, 2010年08月30日
日本語
J-Global ID：201002208945322457

極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
新井佑也; 遠藤雄太; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 矢口裕之
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：71st, 開始ページ：ROMBUNNO.14P-ZV-2, 2010年08月30日
日本語
J-Global ID：201002211648568235

酸化中のSiC層へのSiおよびC原子放出についての理論的検討
土方泰斗; 八木修平; 矢口裕之; 吉田貞史
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：71st, 開始ページ：ROMBUNNO.15A-ZS-10, 2010年08月30日
日本語
J-Global ID：201002219694574542

酸化中のSi及びC原子のSiC層への放出現象における理論的検討＜研究成果報告＞　　　　　　　　　　　　　　　
土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史
埼玉大学工学部紀要第一部論文集, 巻：44, 開始ページ：34, 終了ページ：37, 2010年
To understand the structure of SiC-oxide interface more in detail, we propose a theory for calculating the depth profiles of Si and C emitted into SiC layer during oxidation. Simulations of the depth profiles of Si and C interstitials results in the structures analogous with those observed from a spectroscopic ellipsometry. To determine the diffusivities of Si and C interstitials, we performed capacitance-voltage measurements for examining the re-distribution profiles of nitrogen after oxidation. By comparing between observed and calculated profile, we obtained the self-diffusivity of C interstitials and confirmed that the proposed theory was appropriate to estimate depth profiles of Si and C interstitials emitted into SiC layer.
埼玉大学工学部広報委員会, 日本語
ISSN：1880-4446, CiNii Articles ID：120005386082

分光エリプソメトリによるSiC半導体の酸化界面評価と酸化メカニズム解明＜研究成果報告＞　　　　　　　　　　　　　　　
土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史
埼玉大学工学部紀要第一部論文集, 巻：43, 開始ページ：17, 終了ページ：21, 2009年
We tried to elucidate the oxidizing interface structure of SiC semiconductor and its oxidation mechanism. First of all, we investigated the analysis method for deriving the thickness of interface layer and verified the validity of the method by analyzing the multi-angle measurement data. As a result of analysis for SiC-oxide interfaces using the analysis method, it is found that the photon energy dispersion of optical constants of the interface layer is similar to that for SiC, the real part of dielectric function is larger than that of SiC, and the imaginary part agrees with that of SiC. In addition, we examined the thickness dependence of optical constants of interface layer and found that the standing point in energy dispersion of the imaginary part of dielectric function shifted to the lower energy-side at 40 nm of oxide thickness. In addition to the observation of SiC-oxide interface, real-time measurements of oxide growth-rates of SiC at various oxidation temperatures were conducted using an in-situ spectroscopic ellipsometer. We tried to apply 'Si and C emission model', which is proposed as the SiC oxidation model by us, to the experimental growth-rate data. As a result, the Si and C emission model well reproduced the growth-rate at the entire oxide thickness region at all of the oxidation temperatures measured for both of (0001)Si-face and (000-1)C-face. Based on the knowledge on oxidizing interface layer and oxidation mechanism obtained from spectroscopic ellipsometry studies, we discuss the structure of interface layer and the formation mechanism of interface states.
埼玉大学工学部, 日本語
CiNii Articles ID：120005386070

RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上への立方晶InNの結晶成長およびその物性評価　　　　　　　　　　　　　　　
富田康浩; 井上赳; 折原操; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史; 平林康男
応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 巻：55th, 号：1, 2008年
J-Global ID：200902203029436754

局所ドーピング半導体による単一光子発生に関する研究
矢口裕之
旭硝子財団助成研究成果報告, 開始ページ：1, 終了ページ：7, 2008年
旭硝子財団, 日本語
ISSN：1882-0069, CiNii Articles ID：40019970578

閃亜鉛鉱構造窒化物半導体のエピタキシャル成長　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之
巻：34, 号：4, 開始ページ：201, 終了ページ：206, 2007年

InN/InGaN系結晶の基礎物性解明および結晶成長のための基板探索--RF-MBE法によるサファイアR面基板上へのA面InNの結晶成長　　　　　　　　　　　　　　　
吉田貞史; 矢口裕之; 折原操
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 号：8, 開始ページ：48, 終了ページ：51, 2007年
The improvement of the surface morphology of a-plane InN films grown by RF molecular beam epitaxy is reported. Using low-temperature (LT) InN buffer layers, we could successfully obtain InN films with a smooth surface. The full width at half maximum of the x-ray diffraction (11-20) rocking curve along the [0001] InN direction was 2200 arcsec for a-plane InN samples grown at 450°C with a LT-InN buffer layer. Thus, we could improve also the crystalline quality of a-plane InN films by using LT-InN buffer layers. We observed strong polarization anisotropy in the photoluminescence spectra of a-plane InN, which is typical of nonpolar wurtzite III-nitride films.
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：40016200658, CiNii Books ID：AA11808968

極低窒素濃度化合物半導体混晶におけるアイソエレクトロニックトラップによる発光に関する研究<研究成果報告>　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之; 青木貴嗣
埼玉大学紀要. 工学部第1編第1部論文集, 巻：39, 開始ページ：131, 終了ページ：132, 2006年07月
We have studied the photoluminescence from isoelectonic traps in dilute GaAsN alloys. A number of sharp luminescence peaks due to nitrogen pairs and their phonon replicas were observed. The energy differences between the luminescence peaks and phonon replicas were 36 meV, which is in agreement with the energy of the longitudinal optical phonon at the Γ point . This indicates that the formation of isoelectronic traps is largely affected by the conduction band state at the Γ point in dilute GaAsN alloys. We have also investigated the temperature dependence of the photoluminescence related to isoelectronic traps. The energy shift of the luminescence peaks with increasing temperature is found to be almost the same as that of E0 gap of GaAs, also showing that the conduction band state at the Γ point significantly contributes to the formation of isoelectronic traps in dilute GaAsN alloys.
埼玉大学工学部, 日本語
ISSN：1880-4446, CiNii Articles ID：120001370441

先端物質によるフロンティアフォトニクス<研究成果報告>　　　　　　　　　　　　　　　
鎌田憲彦; 明連広昭; 矢口裕之; 谷口弘三
埼玉大学紀要. 工学部第1編第1部論文集, 巻：39, 開始ページ：138, 終了ページ：142, 2006年07月
Based on science and technology of advanced materials, the quantum mechanical nature of photons can be utilized for expanding the available spectral window and strengthening the security of our social systems. Towards such frontier photonics, we started to study some basic elements from physical and technological aspects. We succeeded in growing β'-(BEDT-TTF)2ICl2 single crystals, detecting THz signal by our superconducting tunneling junction device. An in-situ ellipsometry enabled us to monitor thermal oxidation process of SiC surface, and a spectroscopic detection of non-radiative centers in a InAs/GaAs quantum dot structure became possible. The combination of quantum-mechanical design, nano-scale fabrication and detailed characterization is considered to be essential for proceeding the research frontier of brilliant photonics world.
埼玉大学工学部, 日本語
ISSN：1880-4446, CiNii Articles ID：120001370444

InN/InGaN系結晶の基礎物性解明および結晶成長のための基板探索　　　　　　　　　　　　　　　
吉田貞史; 矢口裕之; 折原操
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：7, 開始ページ：63, 終了ページ：63, 2006年
埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371315

RF-MBE法を用いたMgO(001)基板上への立方晶InN薄膜の成長　　　　　　　　　　　　　　　
吉田貞史; 矢口裕之; 折原操
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：6, 開始ページ：71, 終了ページ：71, 2005年
埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371341

RFI-MBE法を用いたSiC基板上へのInNエピタキシャル層およびInN/InGaN量子井戸の成長　　　　　　　　　　　　　　　
吉田貞史; 矢口裕之; 土方泰斗; 折原操
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：5, 開始ページ：63, 終了ページ：63, 2004年
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371469

Photoemission spectroscopy and in-situ spectroscopic ellipsometry studies on the Ar post-oxidation-annealing effects of oxide/SiC interfaces　　　　　　　　　　　　　　　
Y. Hijikata; S. Kawato; S. Sekiguchi; H. Yaguchi; Y. Ishida; M. Yoshiawa; T. Kamiya; S. Yoshida
開始ページ：127, 終了ページ：132, 2003年

Spectroscopic ellipsometry study on the dielectric functions of GaPN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
H Kanaya; H Yaguchi; Y Hijikata; S Yoshida; S Miyoshi; K Onabe
巻：0, 号：7, 開始ページ：2753, 終了ページ：2756, 2003年
英語
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200303430
DOI ID：10.1002/pssc.200303430, ISSN：1862-6351, ORCID put code：56291710, Web of Science ID：WOS:000189401700183

RF-MBE法を用いた六方晶および立方晶InNのエピタキシャル成長　　　　　　　　　　　　　　　
吉田貞史; 矢口裕之; 土方泰斗; 折原操
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 号：4, 開始ページ：61, 終了ページ：64, 2003年
We have grown InN films on 3C-SiC (001) substrates with and without cubic GaN underlayers by RF-MBE. It was found that, in the case of direct growth on 3C-SiC (001), hexagonal InN grows with the crystal orientation as hexagonal InN [1-100]//3C-SiC [110], while, in the case of the growth on cubic GaN underlayers, cubic InN grows with the crystal orientation as cubic InN [110]//cubic GaN [110]. Photoluminescence emissions from the cubic and hexagonal InN films were clearly observed at around 0.7 eV.
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
DOI：https://doi.org/10.24561/00016696
DOI ID：10.24561/00016696, ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120006388491, CiNii Books ID：AA11808968

広禁制帯幅半導体のナノ表層構造評価用極端紫外分光装置の開発紫外分光偏光解析による広禁制帯幅半導体に関する研究開発　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之; 土方泰斗
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：3, 開始ページ：40, 終了ページ：40, 2002年
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371525

分光偏光解析等によるSiC酸化膜の評価　　　　　　　　　　　　　　　
吉田貞史; 矢口裕之; 土方泰斗; 折原操
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 号：3, 開始ページ：41, 終了ページ：48, 2002年
We have developed the method of obtaining the refractive indices of SiC/oxide interfaces by use of spectroscopic ellipsometry, and by using this method we have characterized SiC/oxide interfaces obtained by various oxidation methods and/or post oxidation annealing (POA). We have designed and fabricated the system with which in situ spectroscopic ellipsometry measurements can be carried out. We have observed the initial oxidation stage of SiC. We have also observed the changes of the refractive indices of interfaces by annealing in Ar atmosphere (Ar POA). The changes of atomic bond states at the interface by Ar POA were also observed by angle-resolved XPS and UPS, and compared with the results obtained form optical measurements and C-V measurements. We have developed the measurement method of obtaining carrier density and mobility distribution in SiC wafers by use of microscopic FT-IR. We have shown that the values obtained by this method well agree with those obtained from Hall measurements, suggesting that the method is useful to characterize electrical properties of SiC wafers quantitatively, non-destructively and without contact.
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
DOI：https://doi.org/10.24561/00016656
DOI ID：10.24561/00016656, ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120006388453, CiNii Books ID：AA11808968

分光偏光解析等によるSiC酸化膜の評価　　　　　　　　　　　　　　　
吉田貞史; 矢口裕之; 土方泰斗
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 号：2, 開始ページ：150, 終了ページ：156, 2001年
The characterization of oxidized films on SiC and oxide/SiC interfaces has been carried out by use of spectroscopic ellipsometry and XPS in order to make clear their dependences on the oxidation process. It was found that the refractive indices of the interfaces depend both on the oxide formation method and the method of post oxidation annealing. We found that the refractive indices for the oxide films deposited by low temperature CVD have lower interface refractive indices than those for dry oxidation and pyrogenic oxidation, and those for post oxidation annealed in· Ar atmosphere are lower that those for quenched samples. These results correspond well with the tendencies of interface state densities obtained by electrical measurements for the samples with the corresponding oxidation processes, except the cases of the oxidation processes containing hydrogen orland hydro-oxide base, like pyrogenic oxidation and wet re-oxidation. The XPS measurements have also shown the changes in the composition and bonding nature at the interfaces by the oxidation processes. We have shown the capability of microscopic FT -IR measurements for obtaining carrier density and mobility mapping of bulk SiC wafers.
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：40006206458, CiNii Books ID：AA11808968

分光偏光解析等によるSiC酸化膜の評価　　　　　　　　　　　　　　　
吉田貞史; 矢口裕之; 土方泰斗
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 号：1, 開始ページ：25, 終了ページ：32, 2000年
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：40006206430, CiNii Books ID：AA11808968

炭化ケイ素高温半導体新結晶成長法の開発 : 結晶物性評価 <平成12年度受託研究の概要>　　　　　　　　　　　　　　　
吉田貞史; 矢口裕之; 土方泰斗; 折原操
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：1, 開始ページ：74, 終了ページ：74, 2000年
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001389831

Arsenic Surfactant and Incorporation Effects on Cubic GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Tokuharu KIMURA; Seikoh YOSHIDA; Jun WU; Hiroyuki YAGUCHI; Kentaro ONABE; Yasuhiro SHIRAKI
1999年, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.7567/ssdm.1999.c-1-5
DOI ID：10.7567/ssdm.1999.c-1-5, ORCID put code：56291742

立方晶ナイトライドのMOVPE成長と評価　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之; 呉軍; 尾鍋研太郎
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 巻：98, 号：109, 開始ページ：73, 終了ページ：78, 1998年06月16日
より結晶性の高い立方晶ナイトライドの成長を行うために有機金属気相成長における成長条件について検討を行った。その検討に基づいて成長した高品質な立方晶ナイトライドをフォトルミネッセンスによって評価し, いくつかの発光ピークについてその起源を明らかにした。さらに, 立方晶GaN/AlGaNダブルヘテロ構造を作製し, 光励起による誘導放出を観測した。
一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
CiNii Articles ID：110003307581, CiNii Books ID：AN10442705

Metalorganic vapor phase epitaxy of high quality cubic GaN, AlGaN and their application to optical devices
J Wu; H Yaguchi; K Onabe; Y Shiraki
開始ページ：715, 終了ページ：718, 1998年, ［査読有り］
英語
ORCID put code：56291604, Web of Science ID：WOS:000079631200176

MOVPE growth of GaPAsN quaternary alloys lattice-matched to GaP　　　　　　　　　　　　　　　
G Biwa; H Yaguchi; K Onabe; Y Shiraki
巻：482, 開始ページ：173, 終了ページ：178, 1998年, ［査読有り］
英語
ISSN：0272-9172, Web of Science ID：WOS:000073983100026

Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of High Quality Cubic GaN,AlGaN and Their Application to Optical Devices　　　　　　　　　　　　　　　
J. Wu; H. Yaguchi; K. Onabe; Y. Shiraki
開始ページ：715, 終了ページ：718, 1998年

カソードルミネッセンスによる半導体低次元構造の評価　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之; 辻川智子; 尾鍋研太郎
巻：33, 開始ページ：217, 終了ページ：220, 1998年

High Quality Cubic GaN Growth on GaAs (100) Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
WU Jun; YAGUCHI Hiroyuki; ONABE Kentaro; SHIRAKI Yasuhiro; ITO Ryoichi
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 巻：1997, 開始ページ：194, 終了ページ：195, 1997年09月16日
英語
CiNii Articles ID：10017194491, CiNii Books ID：AA10777858

Polarization Characteristics of Crescent-Shaped Tensile-Strained GaAsP/AlGaAs Quantum Wire Lasers　　　　　　　　　　　　　　　
ISHIKAWA Mitsuteru; PAN Wugen; KANEKO Yasuhisa; YAGUCHI Hiroyuki; ONABE Kentaro; ITO Ryoichi; SHIRAKI Yasuhiro
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 巻：1997, 開始ページ：342, 終了ページ：343, 1997年09月16日
英語
CiNii Articles ID：10017194971, CiNii Books ID：AA10777858

GaAs/AlGaAs Quantum Structures Grown in Tetrahedral-Shaped Recesses on GaAs (111)B Substrates by MOVPE　　　　　　　　　　　　　　　
TSUJIKAWA Tomoko; MOMMA Keishi; YAGUCHI Hiroyuki; ONABE Kentaro; SHIRAKI Yasuhiro; ITO Ryoichi
Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials, 巻：1997, 開始ページ：318, 終了ページ：319, 1997年09月16日
英語
CiNii Articles ID：10017194909, CiNii Books ID：AA10777858

GaPN混晶半導体のMOVPEと光学評価　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス, 巻：97, 号：100, 開始ページ：25, 終了ページ：30, 1997年06月17日
GaP_<1-x>N_x混晶のMOVPE成長における成長特性を検討することによって成長中の窒素の脱離が窒素組成に大きく影響することがわかった. また, 様々な光学評価によって, GaP_<1-x>N_x混晶における発光過程や緩和過程, 伝導帯の形成機構が明らかになった.
一般社団法人電子情報通信学会, 日本語
CiNii Articles ID：110003307129, CiNii Books ID：AN10442705

Polarization properties of GaAsP/AlGaAs tensilely strained quantum wire structures grown on V-grooved GaAs substrates
W Pan; H Yaguchi; K Onabe; R Ito; N Usami; Y Shiraki
巻：145, 開始ページ：925, 終了ページ：930, 1996年, ［査読有り］
英語
ISSN：0951-3248, ORCID put code：56291587, Web of Science ID：WOS:A1996BF51P00168

Time-resolved photoluminescence study of radiative transition processes in GaP1-xNx alloys
H Yaguchi; S Miyoshi; H Arimoto; S Saito; H Akiyama; K Onabe; Y Shiraki; R Ito
巻：145, 開始ページ：307, 終了ページ：312, 1996年, ［査読有り］
英語
ISSN：0951-3248, ORCID put code：56291776, Web of Science ID：WOS:A1996BF51P00055

Strain effect on direct- and indirect-gap band lineups of GaAs1-xPx/GaP quantum wells
A Shima; H Yaguchi; K Onabe; Y Shiraki; R Ito
巻：145, 開始ページ：403, 終了ページ：408, 1996年, ［査読有り］
英語
ISSN：0951-3248, ORCID put code：56291588, Web of Science ID：WOS:A1996BF51P00072

Reflectance spectroscopy of ZnCdSe/ZnSe single quantum wells　　　　　　　　　　　　　　　
B. P. Zhang; T. Yasui; T. Yasuda; Y. Segawa; H. Yaguchi; Y. Shiraki
RIKEN Review, 巻：11, 開始ページ：23, 終了ページ：24, 1995年

MOVPE GROWTH OF STRAINED GAP1-XNX AND GAP1-XNX/GAP QUANTUM-WELLS
S MIYOSHI; H YAGUCHI; K ONABE; Y SHIRAKI; R ITO
巻：136, 号：136, 開始ページ：637, 終了ページ：642, 1994年, ［査読有り］
英語
ISSN：0951-3248, ORCID put code：56291580, Web of Science ID：WOS:A1994BB30L00105

DETERMINATION OF BAND OFFSETS IN GAASP/GAP STRAINED-LAYER QUANTUM-WELL STRUCTURES USING PHOTOREFLECTANCE AND PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY
Y HARA; H YAGUCHI; K ONABE; Y SHIRAKI; R ITO
巻：136, 号：136, 開始ページ：361, 終了ページ：366, 1994年, ［査読有り］
英語
ISSN：0951-3248, ORCID put code：56291623, Web of Science ID：WOS:A1994BB30L00060

Initial Oxidation of MBE-Grown Si Surfaces　　　　　　　　　　　　　　　
T. Igarashi; H. Yaguchi; K. Fujita; S. Fukatsu; Y. Shiraki; R. Ito; T. Hattori
巻：220, 開始ページ：35, 終了ページ：39, 1991年, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1557/proc-220-35
DOI ID：10.1557/proc-220-35, ISSN：0272-9172, eISSN：1946-4274, ORCID put code：56291586, Web of Science ID：WOS:A1991BU84B00005

Suppression of Interfacial Mixing by Sb Deposition in Si/Ge Strained-Layer Superlattices　　　　　　　　　　　　　　　
K. Fujita; S. Fukatsu; H. Yaguchi; T. Igarashi; Y. Shiraki; R. Ito
巻：220, 開始ページ：193, 終了ページ：197, 1991年, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1557/proc-220-193
DOI ID：10.1557/proc-220-193, ISSN：0272-9172, eISSN：1946-4274, ORCID put code：56291656, Web of Science ID：WOS:A1991BU84B00029

KINETICS OF GE SEGREGATION IN THE PRESENCE OF SB DURING MOLECULAR-BEAM EPITAXY　　　　　　　　　　　　　　　
S FUKATSU; K FUJITA; H YAGUCHI; Y SHIRAKI; R ITO
巻：220, 開始ページ：217, 終了ページ：222, 1991年, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1557/PROC-220-217
DOI ID：10.1557/PROC-220-217, ORCID put code：56291583, Web of Science ID：WOS:A1991BU84B00033

Initial oxidation of MBE-grown Si surfaces
T. Igarashi; H. Yaguchi; K. Fujita; S. Fukatsu; Y. Shiraki; R. Ito; T. Hattori
巻：651, 開始ページ：35, 終了ページ：39, 1991年
We investigated the initial oxidation of MBE-grown Si (100) surfaces with atomic flatness using x-ray photoemission spectroscopy (XPS) and reflection high energy electron diffraction (RHEED). It was found that the MBE-grown surfaces are inert and hardly oxidized even after exposure to molecular oxygen up to 1500 Langmuir (L) at room temperature. At elevated temperatures, the surface oxidation was substantially promoted. On the contrary, the surface oxidation was found to be substantiated on a deliberately corrugated Si surface prepared by low temperature MBE growth, even at room temperature.
DOI：https://doi.org/10.1557/proc-220-35
DOI ID：10.1557/proc-220-35, ISSN：0272-9172, eISSN：1946-4274

Suppression of interfacial mixing by Sb deposition in Si/Ge strained-layer superlattices
K. Fujita; S. Fukatsu; H. Yaguchi; T. Igarashi; Y. Shiraki; R. Ito
巻：651, 開始ページ：193, 終了ページ：197, 1991年
We have studied interfacial mixing of Si/Ge strained-layer superlattices during Si molecular beam epitaxy. The mixing has been shown to be primarily due to the surface segregation of Ge atoms during Si overlayer growth. It has been found that only the Ge atoms on the topmost Ge layer dominantly segregate to the growing surface. It has also been found that the surface segregation of Ge is effectively suppressed by depositing Sb atoms on the Ge layers. It has been demonstrated that Si/Ge superlattices with abrupt Si/Ge interfaces can be grown by depositing Sb. The two state exchange model is used to discuss the surface segregation of Ge and the suppression of the segregation by Sb deposition.
DOI：https://doi.org/10.1557/proc-220-193
DOI ID：10.1557/proc-220-193, ISSN：0272-9172, eISSN：1946-4274

Kinetics of Ge segregation in the presence of Sb during molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fukatsu; K. Fujita; H. Yaguchi; Y. Shiraki; R. Ito
巻：651, 開始ページ：217, 終了ページ：222, 1991年

28p-K-10 ヘテロエピタキシャル薄膜中の転位の運動速度　　　　　　　　　　　　　　　
山下善文; 前田康二; 目良裕; 矢口裕之; 白木靖寛
年会講演予稿集, 巻：46, 号：0, 開始ページ：41, 終了ページ：41, 1991年
一般社団法人日本物理学会, 日本語
DOI ID：10.11316/jpsgaiyod.46.2.0_41_2, CiNii Articles ID：110002149886, CiNii Books ID：AN10453938

■ 書籍等出版物

薄膜作製応用ハンドブック
権田, 俊一; 酒井, 忠司; 田畑, 仁; 八瀬, 清志; 宮崎, 照宣, ［分担執筆］
エヌ・ティー・エス, 2020年02月
日本語, 総ページ数：38, 6, 16, 1468, 21, 15p
CiNii Books：http://ci.nii.ac.jp/ncid/BB29670662
ISBN：9784860436315, CiNii Books ID：BB29670662

初歩から学ぶ固体物理学　　　　　　　　　　　　　　　
矢口, 裕之, ［単著］
講談社, 2017年02月
日本語, 総ページ数：vi, 312p
CiNii Books：http://ci.nii.ac.jp/ncid/BB23156746
ISBN：9784061532946, CiNii Books ID：BB23156746

Advanced Silicon Carbide Devices and Processing　　　　　　　　　　　　　　　
［分担執筆］
Intechopen, 2015年09月
総ページ数：258
ISBN：9535121685, ASIN：9535121685, EAN：9789535121688

理工学のための線形代数　　　　　　　　　　　　　　　
長沢, 壮之; 江頭, 信二; 榎本, 裕子; 古城, 知己; 鈴木, 輝一(地盤工学); 矢口, 裕之; 柳瀬, 郁夫, ［共著］
培風館, 2013年04月
日本語, 総ページ数：iv, 193p
CiNii Books：http://ci.nii.ac.jp/ncid/BB12572749
ISBN：9784563004712, CiNii Books ID：BB12572749

薄膜の評価技術ハンドブック　　　　　　　　　　　　　　　
吉田, 貞史; 金原, 粲, ［分担執筆］
テクノシステム, 2013年01月
日本語, 総ページ数：14, 624p
CiNii Books：http://ci.nii.ac.jp/ncid/BB11488829
ISBN：9784924728677, CiNii Books ID：BB11488829

電気数学　　　　　　　　　　　　　　　
吉田貞史; 菊池昭彦; 松田七美男; 矢口裕之; 明連広昭; 石谷善博; 金原粲, ［共著］
実教出版, 2008年09月
ISBN：9784407313178

薄膜ハンドブック　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会薄膜第131委員会; 尾浦, 憲治郎; 吉田, 貞史, ［分担執筆］
オーム社, 2008年03月
日本語, 総ページ数：xvii, 1235p
CiNii Books：http://ci.nii.ac.jp/ncid/BA85340554
ISBN：9784274205194, CiNii Books ID：BA85340554

等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製　　　　　　　　　　　　　　　
矢口, 裕之
[矢口裕之], 2007年
総ページ数：50p
CiNii Books：http://ci.nii.ac.jp/ncid/BA82567702
CiNii Books ID：BA82567702

基礎物理２　　　　　　　　　　　　　　　
金原粲; 吉田貞史; 江馬一弘; 馬場茂; 矢口裕之; 和田直久, ［共著］
実教出版, 2006年10月
ISBN：9784407308556

Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices(Optical Gain of Variously Strained Semiconductor Quantum Wells)　　　　　　　　　　　　　　　
Y. Seko; H. Yaguchi, ［分担執筆］
American Scientific Publishers, Los Angeles, 2005年
ISBN：9781588830739

III-Nitride Semiconductors: Optical Properties II (Chapter 9 Cubic Phase GaN and AlGaN: Epitaxial Growth and Optical Properties)　　　　　　　　　　　　　　　
J. Wu; H. Yaguchi; K. Onabe, ［分担執筆］
Taylor & Francis Books, Inc., 2002年
ISBN：9781560329732

■ 講演・口頭発表等

First-principles study of the band tail states and optical properties of gallium phosphide nitride alloys　　　　　　　　　　　　　　　
Hiroyuki Yaguchi
35th International Conference on the Physics of Semiconductors 2022, 2022年06月
英語, 口頭発表（一般）
共同研究・競争的資金等ID：24508454

Arsenic Composition Dependence Of Up-conversion Luminescence Of Gallium Phosphide Arsenide Nitride Alloys　　　　　　　　　　　　　　　
Kengo Takamiya; Sultan Md. Zamil; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
35th International Conference on the Physics of Semiconductors 2022, 2022年06月
英語, ポスター発表
共同研究・競争的資金等ID：24508454

分極効果p型層を用いた280 nm帯LDの試作と高電流注入発光の観測　　　　　　　　　　　　　　　
仲元寺郁弥; 前田哲利; 糸数雄吏; M. Ajmal Khan; 祝迫恭; 矢口裕之; 平山秀樹
第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月
日本語, 口頭発表（一般）

AlGaN系深紫外LDのネットモード利得の波長依存性の解析　　　　　　　　　　　　　　　
糸数雄吏; 前田哲利; 矢口裕之; 平山秀樹
第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月
日本語, 口頭発表（一般）

ErドープGaAsからの発光線の励起強度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
伊藤駿平; 高宮健吾; 小林真隆; 八木修平; 秋山英文; 矢口裕之
第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月
日本語, ポスター発表

Optical Characterization of Carrier Recombination Process in GaPN Alloys: Excitation Source and Nitrogen Concentration Dependence　　　　　　　　　　　　　　　
Hiroki Iwai; Sanjida Ferdous; Norihiko Kamata; Shuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi
2021 MRS Fall Meeting, 2021年12月
英語, 口頭発表（一般）
共同研究・競争的資金等ID：24508454

高パワー密度励起におけるGaAsのフォトルミネッセンス強度低下　　　　　　　　　　　　　　　
高岡祥平; Md. Zamil Sultan; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月
日本語, ポスター発表

InGaN-LED動作時の禁制帯内励起光照射による非発光再結合準位の検出　　　　　　　　　　　　　　　
千代田夏樹; 鎌田憲彦; 矢口裕之
第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月
日本語, 口頭発表（一般）

中間バンド型GaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価：窒素濃度1.4%と3.2%の比較　　　　　　　　　　　　　　　
岩井広樹; フェルドスサンジーダ; 鎌田憲彦; 八木修平; 矢口裕之
第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月
日本語, 口頭発表（一般）
共同研究・競争的資金等ID：24508454

第一原理計算を用いたGaPN混晶のバンドテイルによる光吸収についての検討　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之
第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月
日本語, ポスター発表
共同研究・競争的資金等ID：24508454

GaPN混晶のアップコンバージョン発光へのバンドギャップエネルギーを超える励起光の影響　　　　　　　　　　　　　　　
相良鋼; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2020年09月
日本語, 口頭発表（一般）
共同研究・競争的資金等ID：24508454

第一原理計算によるGaPN混晶におけるバンドテイル状態の検討　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之
第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月
日本語, ポスター発表
共同研究・競争的資金等ID：24508454

Photoluminescence Intensity Change of InGaAsN Quantum Well by Laser Irradiation　　　　　　　　　　　　　　　
Md Zamil Sultan; S. Yagi; K. Takamiya; H. Yaguchi
第67回応用物理学会春季学術講演会, 2020年03月
英語, 口頭発表（一般）
共同研究・競争的資金等ID：24508454

Crystal Growth Control and Real-Time Analysis of Organolead-Halide Perovskite　　　　　　　　　　　　　　　
Tetsuhiko Miyadera; Yuto Auchi; Kohei Yamamoto; Noboru Ohashi; Tomoyuki Koganezawa; Hiroyuki Yaguchi; Yuji Yoshida; Masayuki Chikamatsu
Asia-Pacific International Conference on Perpvskite, Organic Photovoltaices and Optoellectronics, 2020年01月
英語

Crystal Growth Dynamics of CH3NH3PbI3 in Vacuum Deposition Process　　　　　　　　　　　　　　　
T. Miyadera; Y. Auchi; K. Yamanoto; N. Ohashi; T. Koganezawa; H. Yaguchi; Y. Yoshida; M. Chikamatsu
Materials Research Meeting 2019, 2019年12月
英語

DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVC-LEDの進展　　　　　　　　　　　　　　　
最上耀介; 大澤篤史; 尾崎一人; 谷岡千丈; 前岡淳史; 糸数雄吏; 桑葉俊輔; 定昌史; 前田哲利; 矢口裕之; 平山秀樹
電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2019年11月
日本語, 口頭発表（一般）

Fabrication of UVC AlGaN LEDs on DC-sputtered AlN templates with hightemperature annealing　　　　　　　　　　　　　　　
Y. Mogami; A. Osawa; K. Osaki; Y. Tanioka; A. Maeoka; Y. Itokazu; S. Kuwaba; M. Jo; N. Maeda; H. Yaguchi; H. Hirayama
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 2019年11月
英語

真空プロセスによる鉛ハライドペロブスカイトの配向制御　　　　　　　　　　　　　　　
宮寺哲彦; 阿内悠人; 山本晃平; 大橋昇; 小金澤智之; 矢口裕之; 吉田郵司; 近松真之
第68回高分子討論会, 2019年09月
日本語, 口頭発表（一般）

Growth of InN nanocolumns using a cubic GaN interlayer by RF-MBE　　　　　　　　　　　　　　　
R. Onuma; S. Yagi; H. Yaguchi
7th International Workshop on Eptaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2019年09月
英語, ポスター発表

Fabrication of Cubic InN Nanowires on GaN V-Groove Structures　　　　　　　　　　　　　　　
Y. Nishimura; S. Yagi; H. Yaguchi
7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2019年09月
英語, ポスター発表

Upconversion Luminescence from GaPN Alloys with Various N Compositions　　　　　　　　　　　　　　　
K. Takamiya; W. Takahashi; S. Yagi; N. Kamata; Y. Hazama; H. Akiyama; H. Yaguchi
7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2019年09月
英語, ポスター発表
共同研究・競争的資金等ID：24508454

Photoluminescence Intensity Change of GaPN by Laser Irradiation　　　　　　　　　　　　　　　
Sultan Md. Zamil; A. Shiroma; S. Yagi; K. Takamiya; H. Yaguchi
7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2019年09月
英語, ポスター発表
共同研究・競争的資金等ID：24508454

窒素δ-ドープGaAs超格子の二波長励起フォトルミネッセンス法によるキャリア再結合準位評価　　　　　　　　　　　　　　　
永田航太; 鎌田憲彦; 八木修平; 矢口裕之
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
日本語, ポスター発表

DCスパッタAlNを用いたAlGaN層格子緩和の促進　　　　　　　　　　　　　　　
最上耀介; 大澤篤史; 尾崎一人; 谷岡千丈; 前岡淳史; 糸数雄吏; 桑葉俊輔; 定昌史; 前田哲利; 矢口裕之; 平山秀樹
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
日本語, 口頭発表（一般）

DCスパッタAlNテンプレート上UVC AlGaN LEDの作製と評価　　　　　　　　　　　　　　　
最上耀介; 大澤篤史; 尾崎一人; 谷岡千丈; 前岡淳史; 糸数雄吏; 桑葉俊輔; 定昌史; 前田哲利; 矢口裕之; 平山秀樹
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
日本語, 口頭発表（一般）

GaN V溝構造を下地層とした立方晶InNナノワイヤの作製　　　　　　　　　　　　　　　
西村裕介; 八木修平; 矢口裕之
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
日本語, ポスター発表

RF-MBE法による立方晶GaN中間層を用いたInNナノコラムの成長　　　　　　　　　　　　　　　
大沼力也; 八木修平; 矢口裕之
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
日本語, 口頭発表（一般）

(111)基板上に作製した窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光　　　　　　　　　　　　　　　
高岡祥平; 高宮健吾; 八木修平; 挟間優治; 秋山英文; 矢口裕之
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
日本語, 口頭発表（一般）

InGaAs:N δドープ超格子の電気特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
米野龍司; 宮下直也; 岡田至崇; 八木修平; 矢口裕之
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
英語, 口頭発表（一般）

Laser Induced Degradation of Photoluminescence Intensity in GaPN　　　　　　　　　　　　　　　
Md Zamil Sultan; A. Shiroma; S. Yagi; K. Takamiya; H. Yaguchi
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
英語, 口頭発表（一般）
共同研究・競争的資金等ID：24508454

Two-Wavelength Excited Photoluminescence Study of Upconversion Photoluminescence from GaPN Alloys　　　　　　　　　　　　　　　
H. Yaguchi; W. Takahashi; K. Takamiya; S. Yagi; N. Kamata; Y. Hazama; H. Akiyama
13th International Conference on Nitride Semiconductors, 2019年07月
英語, ポスター発表
共同研究・競争的資金等ID：24508454

有機鉛ペロブスカイト製膜過程リアルタイム観察　　　　　　　　　　　　　　　
阿内悠人; 阿内悠人; 宮寺哲彦; 山本晃平; 小金澤智之; 近松真之; 吉田郵司; 矢口裕之
第66回応用物理学会春季学術講演会, 2019年03月
2019年 - 2019年, 日本語, 口頭発表（一般）

規則配列化InNドットの作製に向けた立方晶GaN表面ステップ構造の成長条件依存性　　　　　　　　　　　　　　　
大倉一将; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
第79回応用物理学会秋季講演, 2018年09月
2018年09月 - 2018年09月, 日本語

二波長励起PL測定によるGaPN混晶のアップコンバージョン発光特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
高橋渉; 高宮健吾; 八木修平; 狭間優治; 秋山英文; 矢口裕之; 鎌田憲彦
第79回応用物理学会秋季講演会, 2018年09月
2018年09月 - 2018年09月, 日本語, 口頭発表（一般）

第一原理計算によるGaAsN混晶中のN原子配置のバンド構造への影響の検討　　　　　　　　　　　　　　　
塚原悠太; 八木修平; 矢口裕之
第79回応用物理学会秋季講演会, 2018年09月
2018年09月 - 2018年09月, 日本語, 口頭発表（一般）

RF‐MBE成長による4H‐SiC(000-1)基板上へのN極性GaNの作製　　　　　　　　　　　　　　　
杉浦亮; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
第79回応用物理学会秋季講演会, 2018年09月
2018年09月 - 2018年09月, 日本語

MBE成長したErドープGaAsの発光特性に対するアニーリングの影響　　　　　　　　　　　　　　　
五十嵐大輔; 高宮健吾; 伊藤隆; 八木修平; 秋山英文; 矢口裕之
第65回応用物理学会春季学術講演会, 2018年03月
2018年03月 - 2018年03月, 日本語

真空プロセスによる有機鉛ペロブスカイトの結晶成長制御　　　　　　　　　　　　　　　
宮寺哲彦; 阿内悠人; 小金澤智之; 矢口裕之; 吉田郵司; 近松真之
第67回高分子討論会, 2018年09月
2018年 - 2018年

First-principles study of optical transitions in dilute nitride semiconductor nanostructures　　　　　　　　　　　　　　　
H. Yaguchi; S. Yagi; K. Takamiya
6th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2017年09月
英語, 口頭発表（招待・特別）

希釈窒化物半導体中の窒素原子配置によるバンドギャップへの影響　　　　　　　　　　　　　　　
宮島数喜; 八木修平; 庄司靖; 岡田至崇; 矢口裕之
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
2017年08月 - 2017年08月, 日本語

新規可溶性オリゴチオフェン系電子ドナー材料を用いた有機薄膜太陽電池への溶媒蒸気アニーリング効果　　　　　　　　　　　　　　　
秋山雄希; 秋山雄希; 橘浩昭; 阿澄玲子; 宮寺哲彦; 近松真之; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017年08月
2017年08月 - 2017年08月, 日本語

GaPN混晶のアップコンバージョン発光　　　　　　　　　　　　　　　
高橋渉; 高宮健吾; 八木修平; 伊藤隆; 秋山英文; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017年08月
2017年08月 - 2017年08月, 日本語

DRCN5T/PCBMバルクヘテロ接合膜の溶媒蒸気アニーリング過程のその場観察　　　　　　　　　　　　　　　
新井康司; 新井康司; 宮寺哲彦; 小金澤智之; 秋山雄希; 秋山雄希; 橘浩昭; 吉田郵司; 近松真之; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017年03月
2017年03月 - 2017年03月, 日本語

n型GaAs:Nδドープ超格子の電気的特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
加藤諒; 八木修平; 岡田至崇; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017年03月
2017年03月 - 2017年03月, 日本語

1eV帯InGaAs:Nδドープ超格子の作製　　　　　　　　　　　　　　　
梅田峻平; 八木修平; 宮下直也; 岡田至崇; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017年03月
2017年03月 - 2017年03月, 日本語

ErドープGaAsからの発光のMBE成長温度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
五十嵐大輔; 高宮健吾; 八木修平; 伊藤隆; 秋山英文; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017年03月
2017年03月 - 2017年03月, 日本語

ルブレン単結晶上の有機鉛ペロブスカイトのエピタキシャル成長　　　　　　　　　　　　　　　
阿内悠人; 阿内悠人; 宮寺哲彦; 小金澤智之; 近松真之; 吉田郵司; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2017年
2017年 - 2017年

新規可溶性オリゴチオフェン系電子ドナー材料を用いた有機薄膜太陽電池　　　　　　　　　　　　　　　
秋山雄希; 秋山雄希; 橘浩昭; 阿澄玲子; 宮寺哲彦; 近松真之; 小金澤智之; 矢口裕之; 八木修平
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2016年09月
2016年09月 - 2016年09月, 日本語

レーザ照射によるGaInNAs混晶半導体の発光効率への影響　　　　　　　　　　　　　　　
米倉成一; 高宮健吾; 八木修平; 上田修; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2016年09月
2016年09月 - 2016年09月, 日本語

4H‐SiC微傾斜基板上に作製した自己組織化InN/GaNドットの配列性制御　　　　　　　　　　　　　　　
松岡圭佑; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2016年09月
2016年09月 - 2016年09月, 日本語

4H‐SiC基板の二波長励起PL測定―BGE強度依存性―　　　　　　　　　　　　　　　
近藤圭太郎; 福田武司; 本多善太郎; 鎌田憲彦; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2016年03月
2016年03月 - 2016年03月, 日本語

MgO微傾斜基板上に作製した立方晶InNドット配列構造の堆積量依存性　　　　　　　　　　　　　　　
石井健一; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2016年03月
2016年03月 - 2016年03月, 日本語

添加剤導入によるP3HT薄膜の結晶成長過程のその場観察評価　　　　　　　　　　　　　　　
新井康司; 新井康司; 宮寺哲彦; 小金澤智之; 秋山雄希; 秋山雄希; 杉田武; 近松真之; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2016年03月
2016年03月 - 2016年03月, 日本語

円偏光PLEによるGe直接遷移端への光スピン注入　　　　　　　　　　　　　　　
安武裕輔; 安武裕輔; 太野垣健; 太野垣健; 大川洋平; 矢口裕之; 金光義彦; 深津晋
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年08月
2015年08月 - 2015年08月, 日本語

ErドープGaAsからの発光に対する低温成長の影響　　　　　　　　　　　　　　　
飯村啓泰; JIN R.G; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年08月
2015年08月 - 2015年08月, 日本語

GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
JIN R; 高宮健吾; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年08月
2015年08月 - 2015年08月, 日本語

第一原理計算によるInAsN混晶の伝導帯の解析　　　　　　　　　　　　　　　
宮崎貴史; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年08月
2015年08月 - 2015年08月, 日本語

微傾斜基板を用いたシングルドメイン立方晶GaNの成長と立方晶InNドット配列の形成　　　　　　　　　　　　　　　
石井健一; 折原操; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年08月
2015年08月 - 2015年08月, 日本語

第一原理計算によるGaAs:Nδドープ超格子における光学遷移に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
吉川洋生; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年08月
2015年08月 - 2015年08月, 日本語

フォトルミネッセンス法による4H‐SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察　　　　　　　　　　　　　　　
浅藤亮祐; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年08月
2015年08月 - 2015年08月, 日本語

AlAs/GaAs分布ブラッグ反射鏡を有するEr δドープGaAsの発光特性　　　　　　　　　　　　　　　
須藤真樹; JIN R.G; 高宮健吾; 八木修平; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年08月
2015年08月 - 2015年08月, 日本語

第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
宮崎貴史; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年02月
2015年02月 - 2015年02月, 日本語

4H‐SiC(0001)微傾斜基板を用いたInNドット配列の自己形成　　　　　　　　　　　　　　　
森誠也; 高宮健吾; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年02月
2015年02月 - 2015年02月, 日本語

GaAs:Nδドープ超格子を有する太陽電池の二段階光吸収　　　　　　　　　　　　　　　
鈴木智也; 八木修平; 土方泰斗; 岡田至崇; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年02月
2015年02月 - 2015年02月, 日本語

添加剤導入によるP3HT:PCBM混合膜の結晶成長過程のその場観察評価　　　　　　　　　　　　　　　
新井康司; 新井康司; 柴田陽生; 伊藤英輔; 小金澤智之; 宮寺哲彦; 宮寺哲彦; 近松真之; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2015年
2015年 - 2015年

Geの磁場中時間分解円偏光フォトルミネッセンス　　　　　　　　　　　　　　　
安武裕輔; 矢口裕之; 深津晋
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2014年09月
2014年09月 - 2014年09月, 日本語

GaAs:Nδドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御　　　　　　　　　　　　　　　
長田一輝; 鈴木智也; 八木修平; 内藤駿弥; 庄司靖; 岡田至崇; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2014年09月
2014年09月 - 2014年09月, 日本語

SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化　　　　　　　　　　　　　　　
今野良太郎; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2014年09月
2014年09月 - 2014年09月, 日本語

中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長　　　　　　　　　　　　　　　
鈴木智也; 長田一輝; 八木修平; 内藤駿弥; 土方泰斗; 岡田至崇; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2014年09月
2014年09月 - 2014年09月, 日本語

RF‐MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長　　　　　　　　　　　　　　　
五十嵐健; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 窪谷茂幸; 片山竜二; 矢口裕之
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2014年03月
2014年03月 - 2014年03月, 日本語

二波長励起PLによるGaPN混晶の光学特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
末次麻希子; TOUHIDUL ISLAM A.Z.M; 花岡司; 福田武司; 鎌田憲彦; 八木修平; 矢口裕之
照明学会全国大会講演論文集(CD-ROM), 2014年
2014年 - 2014年, 日本語

六方晶SiC無極性面の酸化過程の実時間観察　　　　　　　　　　　　　　　
後藤大祐; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2013年08月
2013年08月 - 2013年08月, 日本語

Polarization properties of photoluminescence from individual isoelectronic traps in nitrogen delta-doped semiconductors: effect of host crystals　　　　　　　　　　　　　　　
Hiroyuki Yaguchi
The Second International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, 2009年08月
英語, 口頭発表（招待・特別）

SiおよびC原子放出モデルに基づく様々な酸化温度におけるSiC 酸化速度のモデル計算　　　　　　　　　　　　　　　
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会, 2009年

4H-SiC/酸化膜界面の光学的および電気的評価　　　　　　　　　　　　　　　
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会, 2009年

In-situ分光エリプソメータによる低酸素分圧下におけるSiC酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会, 2009年

RF-MBE Growth of InN on 4H-SiC(0001) with Off-angles　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Conference on Nitride Semiconductors, 2009年

Model calculation of SiC oxide growth rate at various oxidation temperatures based on the silicon and carbon emission model　　　　　　　　　　　　　　　
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, 2009年

In-situ Spectroscopic Ellipsometry Study of SiC Oxidation at Low Oxygen-Partial-Pressures　　　　　　　　　　　　　　　
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, 2009年

In-situ分光エリプソメ－タによる低酸素分圧下におけるSiC酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年

RF-MBE法による4H-SiC(0001)オフ基板上へのInN直接成長　　　　　　　　　　　　　　　
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年

窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年

極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定　　　　　　　　　　　　　　　
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年

フォトリフレクタンスによるGaAsNの電子構造に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年

GaAs(001)および(111)面基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
第５回量子ナノ材料セミナー, 2009年

Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A　　　　　　　　　　　　　　　
The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 2009年

SiおよびC原子放出モデルに基づく様々な酸化温度におけるSiC 酸化速度のモデル計算　　　　　　　　　　　　　　　
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会, 2009年

4H-SiC/酸化膜界面の光学的および電気的評価　　　　　　　　　　　　　　　
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会, 2009年

In-situ分光エリプソメータによる低酸素分圧下におけるSiC酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会, 2009年

RF-MBE Growth of InN on 4H-SiC(0001) with Off-angles　　　　　　　　　　　　　　　
8th International Conference on Nitride Semiconductors, 2009年

Model calculation of SiC oxide growth rate at various oxidation temperatures based on the silicon and carbon emission model　　　　　　　　　　　　　　　
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, 2009年

In-situ Spectroscopic Ellipsometry Study of SiC Oxidation at Low Oxygen-Partial-Pressures　　　　　　　　　　　　　　　
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, 2009年

In-situ分光エリプソメ－タによる低酸素分圧下におけるSiC酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年

RF-MBE法による4H-SiC(0001)オフ基板上へのInN直接成長　　　　　　　　　　　　　　　
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年

窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年

極低窒素濃度GaAsNのフォトルミネッセンス励起分光測定　　　　　　　　　　　　　　　
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年

フォトリフレクタンスによるGaAsNの電子構造に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年

GaAs(001)および(111)面基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
第５回量子ナノ材料セミナー, 2009年

Photoluminescence from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs grown on GaAs(111)A　　　　　　　　　　　　　　　
The 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 2009年

極低濃度窒素をドーピングしたGaAs中の等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

In-situ分光エリプソメータによるSiCの極薄領域における酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化膜厚依存性-　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上への立方晶InNの結晶成長およびその物性評価　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

RF-MBE法により成長させたA面InN膜のフォトルミネッセンス特性　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定 (II)　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

極低濃度窒素をドーピングしたGaAs中の等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

In-situ分光エリプソメータによるSiCの極薄領域における酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化膜厚依存性-　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上への立方晶InNの結晶成長およびその物性評価　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

RF-MBE法により成長させたA面InN膜のフォトルミネッセンス特性　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定 (II)　　　　　　　　　　　　　　　
第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 2008年

SiC 酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算　　　　　　　　　　　　　　　
2007年
ポスター発表

n-situ 分光エリプソメータによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定　　　　　　　　　　　　　　　
2007年
ポスター発表

In-situ 分光エリプソメータによるSiC の極薄膜厚領域における酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
2007年
ポスター発表

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-(2)　　　　　　　　　　　　　　　
2007年
ポスター発表

Model Calculation of SiC Oxidation Rates in the Thin Oxide Regime　　　　　　　　　　　　　　　
2007年
ポスター発表

Oxygen-Partial-Pressure Dependence of SiC Oxidation Rate Studied by In-situ Spectroscopic Ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
2007年
ポスター発表

Lattice Polarity Determination for GaN by Modulation Spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
Technical Program of the 7th International Conference on Nitride Semiconductors, 2007年

Improvement of the Surface Morphology of a-Plane InN Using Low-Temperature InN Buffer Layers　　　　　　　　　　　　　　　
Technical Program of the 7th International Conference on Nitride Semiconductors, 2007年

Photoluminescence of Cubic InN Films on MgO(001) Substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Technical Program of the 7th International Conference on Nitride Semiconductors, 2007年
ポスター発表

Photoluminescence Study of Hexagonal InN/InGaN Quantum Well Structures Grown on 3C-SiC (001) Substrates by Molecular Beam Epitax　　　　　　　　　　　　　　　
Technical Program of the 7th International Conference on Nitride Semiconductors, 2007年
ポスター発表

変調分光法によるGaNの極性評価　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

光照射によるGaInAsN混晶の発光効率向上に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

窒素をデルタドープしたGaAsにおける単一の等電子トラップからの発光の偏光特性　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

窒素をデルタドープしたGaP中の等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

SiC酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

RF-MBE法を用いた4H-SiC基板(0001)面および(000-1)面上へのInGaN成長　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

In-situ分光エリプソメ-タによるSiC酸化速度の酸素分圧依存性測定　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

分光エリプソメトリによるInGaN混晶の光学的特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
Abstract Book of the 13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 2007年
ポスター発表

Modulation spectroscopic investigation on lattice polarity of GaN　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Absctracts of the 26th Electronic Materials Symposium, 2007年

RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製(III)　　　　　　　　　　　　　　　
2007年

RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
2007年

RF-MBE法によるGaNバッファー層を用いたサファイアR面基板上へのA面InNの成長　　　　　　　　　　　　　　　
2007年

窒素をデルタドープしたGaAsにおける等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
2007年

SiC 酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算　　　　　　　　　　　　　　　
2007年
ポスター発表

n-situ 分光エリプソメータによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定　　　　　　　　　　　　　　　
2007年
ポスター発表

In-situ 分光エリプソメータによるSiC の極薄膜厚領域における酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
2007年
ポスター発表

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-(2)　　　　　　　　　　　　　　　
2007年
ポスター発表

Model Calculation of SiC Oxidation Rates in the Thin Oxide Regime　　　　　　　　　　　　　　　
2007年
ポスター発表

Oxygen-Partial-Pressure Dependence of SiC Oxidation Rate Studied by In-situ Spectroscopic Ellipsometry　　　　　　　　　　　　　　　
2007年
ポスター発表

Lattice Polarity Determination for GaN by Modulation Spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
Technical Program of the 7th International Conference on Nitride Semiconductors, 2007年

Improvement of the Surface Morphology of a-Plane InN Using Low-Temperature InN Buffer Layers　　　　　　　　　　　　　　　
Technical Program of the 7th International Conference on Nitride Semiconductors, 2007年

Photoluminescence of Cubic InN Films on MgO(001) Substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Technical Program of the 7th International Conference on Nitride Semiconductors, 2007年
ポスター発表

Photoluminescence Study of Hexagonal InN/InGaN Quantum Well Structures Grown on 3C-SiC (001) Substrates by Molecular Beam Epitax　　　　　　　　　　　　　　　
Technical Program of the 7th International Conference on Nitride Semiconductors, 2007年
ポスター発表

変調分光法によるGaNの極性評価　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

光照射によるGaInAsN混晶の発光効率向上に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

窒素をデルタドープしたGaAsにおける単一の等電子トラップからの発光の偏光特性　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

窒素をデルタドープしたGaP中の等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

SiC酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

RF-MBE法を用いた4H-SiC基板(0001)面および(000-1)面上へのInGaN成長　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

In-situ分光エリプソメ-タによるSiC酸化速度の酸素分圧依存性測定　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

分光エリプソメトリによるInGaN混晶の光学的特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 2007年

Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
Abstract Book of the 13th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 2007年
ポスター発表

Modulation spectroscopic investigation on lattice polarity of GaN　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Absctracts of the 26th Electronic Materials Symposium, 2007年

RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製(III)　　　　　　　　　　　　　　　
2007年

RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
2007年

RF-MBE法によるGaNバッファー層を用いたサファイアR面基板上へのA面InNの成長　　　　　　　　　　　　　　　
2007年

窒素をデルタドープしたGaAsにおける等電子トラップからの発光　　　　　　　　　　　　　　　
2007年

窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

テラヘルツ分光法によるSiC エピタキシャル成長膜のキャリヤ濃度、移動度、膜厚の同時評価　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

In-situ 分光エリプソメータによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -複数の入射角による測定-　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

GaN, InN結晶特性からみた立方晶、六方晶の違いに関する考察　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

Structural and Optical Characterization of High In Content Cubic InGaN on GaAs(001) Substrates by RF-MBE　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

Photoluminescence Study of Isoelectronic Traps in Dilute GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

Micro-photoluminescence study on nitrogen atomic-layer doping in GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

RF-MBE growth of InN/InGaN quantum well structures on 3C-SiC substrates　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

RF-MBE growth of a-plane InN on r-plane sapphire with a GaN underlayer　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

Simultaneous Determination of the Carrier Concentration, Mobility and Thickness of SiC Homo-Epilayers Using Terahertz Reflectance Spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

分光エリプソメトリによる高In組成InGaN の光学的評価　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

窒素をδドープしたGaAs における等電子トラップの顕微フォトルミネッセンス測定　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

Micro-photoluminescence study of nitrogen atomic-layer doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

Micro-photoluminescence study of nitrogen delta-doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

Micro Raman study on the improvement of luminescence efficiency of GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長(IV)　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

ラマン分光を用いたGaAsN混晶の発光効率向上に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

In-situ分光エリプソメータによるSiCの酸化の実時間観察　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

RF-MBE法を用いたSiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

RF-MBE法を用いた3C-SiC(001)基板上への六方晶InNの結晶成長　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

Real-time observation of SiC oxidation using an in situ spectroscopic ellipsometer　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

テラヘルツ分光法によるSiC エピタキシャル成長膜のキャリヤ濃度、移動度、膜厚の同時評価　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

In-situ 分光エリプソメータによるSiC 酸化速度の酸素分圧依存性測定　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -複数の入射角による測定-　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

GaN, InN結晶特性からみた立方晶、六方晶の違いに関する考察　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

Structural and Optical Characterization of High In Content Cubic InGaN on GaAs(001) Substrates by RF-MBE　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

Photoluminescence Study of Isoelectronic Traps in Dilute GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

Micro-photoluminescence study on nitrogen atomic-layer doping in GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

RF-MBE growth of InN/InGaN quantum well structures on 3C-SiC substrates　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

RF-MBE growth of a-plane InN on r-plane sapphire with a GaN underlayer　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

Simultaneous Determination of the Carrier Concentration, Mobility and Thickness of SiC Homo-Epilayers Using Terahertz Reflectance Spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

分光エリプソメトリによる高In組成InGaN の光学的評価　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

窒素をδドープしたGaAs における等電子トラップの顕微フォトルミネッセンス測定　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

Micro-photoluminescence study of nitrogen atomic-layer doped GaAs　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

Micro-photoluminescence study of nitrogen delta-doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

Micro Raman study on the improvement of luminescence efficiency of GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
2006年
ポスター発表

RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長(IV)　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

ラマン分光を用いたGaAsN混晶の発光効率向上に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

In-situ分光エリプソメータによるSiCの酸化の実時間観察　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

RF-MBE法を用いたSiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

RF-MBE法を用いた3C-SiC(001)基板上への六方晶InNの結晶成長　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

Real-time observation of SiC oxidation using an in situ spectroscopic ellipsometer　　　　　　　　　　　　　　　
2006年

RF-MBE法を用いた中間組成InGaN膜上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
平野茂; 岩橋洋平; 折原操; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史
第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月
日本語, 口頭発表（一般）

RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製（II）　　　　　　　　　　　　　　　
折原操; 岩橋洋平; 平野茂; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史
第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月
日本語, 口頭発表（一般）

ラマン分光を用いたGaAsN混晶の光照射による構造変化の評価　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之; 清水博史; 森桶利和; 青木貴嗣; 土方泰斗; 吉田貞史; 宇佐美徳隆; 吉田正裕; 秋山英文; 青木大一郎; 尾鍋研太郎
第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月
日本語, 口頭発表（一般）

低オフ角C面SiC基板上の酸化膜の評価　　　　　　　　　　　　　　　
土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史; 高田恭孝; 小林啓介; 野平博司; 服部健雄
第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月
日本語

赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
大石慎吾; 土方泰斗; 矢口祐之; 吉田貞史
第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月
日本語, ポスター発表

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -紫外領域への拡張-　　　　　　　　　　　　　　　
窪木亮一; 覚張光一; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史
第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月
日本語, ポスター発表

様々な傾斜角を有するSiC基板上の酸化膜の評価　　　　　　　　　　　　　　　
土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史; 高田恭孝; 小林啓介; 野平博司; 服部健雄
第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年04月
日本語, 口頭発表（一般）

In situ エリプソメータによるSiCの酸化の実時間観察　　　　　　　　　　　　　　　
覚張光一; 窪木亮一; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史
第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年04月
日本語

赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
大石慎吾; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史
第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年03月
日本語, 口頭発表（一般）

窒素をδドープしたGaAsの顕微フォトルミネッセンス　　　　　　　　　　　　　　　
花島君俊; 森桶利和; 青木貴嗣; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史; 吉田正裕; 秋山英文; 平山琢; 片山竜二; 尾鍋研太郎
第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年03月
日本語, ポスター発表

RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
折原操; 北村芳広; 岩橋洋平; 平野茂; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史
第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年03月
日本語, 口頭発表（一般）

Real Time Observation of SiC Oxidation Using In-Situ Spectroscopic Ellipsometer　　　　　　　　　　　　　　　
Final Technical Program, 2005年
ポスター発表

Off-Angle Dependence of Characteristics of 4H-SiC-Oxide Interfaces　　　　　　　　　　　　　　　
Final Technical Progam, 2005年
ポスター発表

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -紫外領域への拡張-　　　　　　　　　　　　　　　
2005年

RF-MBE growth of cubic InN films on MgO (001) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
2005年
ポスター発表

Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
2005年
ポスター発表

分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -紫外領域への拡張-　　　　　　　　　　　　　　　
2005年
ポスター発表

In-situ エリプソメータによるSiC の酸化の実時間観察　　　　　　　　　　　　　　　
2005年
ポスター発表

Real Time Observation of SiC Oxidation Using In-Situ Spectroscopic Ellipsometer　　　　　　　　　　　　　　　
Final Technical Program, 2005年
ポスター発表

Off-Angle Dependence of Characteristics of 4H-SiC-Oxide Interfaces　　　　　　　　　　　　　　　
Final Technical Progam, 2005年
ポスター発表

RF-MBE growth of cubic InN films on MgO (001) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
2005年
ポスター発表

Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys　　　　　　　　　　　　　　　
2005年
ポスター発表

In-situ エリプソメータによるSiC の酸化の実時間観察　　　　　　　　　　　　　　　
2005年
ポスター発表

分光エリプソメータによるSiC酸化膜の初期酸化過程の観察(IV)　　　　　　　　　　　　　　　
覚張光一; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史
第65回応用物理学会学術講演会, 2004年09月
日本語, 口頭発表（一般）

ラマン散乱分光法によるInAsN混晶の評価　　　　　　　　　　　　　　　
本村寛; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史; 飛田聡; 西尾晋; 片山竜二; 尾鍋研太郎
第65回応用物理学会学術講演会, 2004年09月
日本語, 口頭発表（一般）

低窒素濃度GaPN混晶のフォトルミネッセンス　　　　　　　　　　　　　　　
青木貴嗣; 森桶利和; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史; 張保平; 三吉靖郎; 尾鍋研太郎
第65回応用物理学会学術講演会, 2004年09月
日本語, 口頭発表（一般）

レーザ照射によるGaAsN混晶の発光効率向上の窒素濃度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
森桶利和; 青木貴嗣; 呉智元; 吉田正裕; 秋山英文; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史; 青木大一郎; 尾鍋研太郎
第65回応用物理学会学術講演会, 2004年09月
日本語, 口頭発表（一般）

RF-MBE法を用いた4H-SiC(0001)基板上へのInNの結晶成長　　　　　　　　　　　　　　　
北村芳広; 岩橋洋平; 多田宏之; 折原操; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史
第65回応用物理学科学術講演会, 2004年09月
日本語, 口頭発表（一般）

RF-MBE法によるMgO(001)基板上への立方晶GaNの成長　　　　　　　　　　　　　　　
多田宏之; 北村芳広; 岩橋洋平; 折原操; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史
第65回応用物理学会学術講演会, 2004年09月
日本語, 口頭発表（一般）

RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInGaN結晶成長　　　　　　　　　　　　　　　
折原操; 北村芳広; 岩橋洋平; 多田宏之; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史
第65回応用物理学会学術講演会, 2004年09月
日本語, 口頭発表（一般）

RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長(III)　　　　　　　　　　　　　　　
岩橋洋平; 北村芳広; 多田宏之; 折原操; 土方泰斗; 矢口裕之; 吉田貞史
第65回応用物理学会学術講演会, 2004年09月
日本語, 口頭発表（一般）

Growth of high-quality hexagonal InN on 3C-SiC (001) by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
H. Yaguchi; Y. Kitamura; K. Nishida; Y. Iwahashi; Y. Hijikata; S. Yoshida
International Workshop on Nitride Semiconductors Program & Abstract Book, 2004年07月
英語, 口頭発表（一般）

高エネルギー分解能光電子分光による4H-SiC(000-1)面上酸化膜の評価　　　　　　　　　　　　　　　
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会予稿集, 2004年
ポスター発表

分光エリプソメータによるSiCの初期酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会予稿集, 2004年
ポスター発表

Epitaxial Growth of Hexagonal and Cubic InN Films by Gas Source Molecular Beam Epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Proceedings of 7th China-Japan Symposium on Thin Films, 2004年

Characterization of Oxide Films on SiC Epitaxial (000-1) Faces by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopic Measurements using Synchrotron Radiation　　　　　　　　　　　　　　　
2004年
ポスター発表

高エネルギー分解能光電子分光による4H-SiC(000-1)面上酸化膜の評価　　　　　　　　　　　　　　　
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会予稿集, 2004年
ポスター発表

分光エリプソメータによるSiCの初期酸化過程の観察　　　　　　　　　　　　　　　
SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会予稿集, 2004年
ポスター発表

Epitaxial Growth of Hexagonal and Cubic InN Films by Gas Source Molecular Beam Epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Proceedings of 7th China-Japan Symposium on Thin Films, 2004年

Characterization of Oxide Films on SiC Epitaxial (000-1) Faces by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopic Measurements using Synchrotron Radiation　　　　　　　　　　　　　　　
2004年
ポスター発表

Characterization of oxide films on SiC by spectroscopic ellipsometer　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Abstracts of 1st International Workshop on Ultra-Low-Loss Power Device Technology, 2000年

Characterization of oxide films on SiC by spectroscopic ellipsometer　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Abstracts of 1st International Workshop on Ultra-Low-Loss Power Device Technology, 2000年

Built-in Electric Field Strength in InP/n+-InP Determined by Photoellipsometry and Photoreflectance　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Abstracts of the 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1996年

The in Situ Growth of Lateral Confinement Enhanced Rectangular AlGaAs/AlAs Quantum Wires by Utilizing the Spontaneous Vertical Quantum Wells　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Abstracts of the 1995 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1995年

The in Situ Growth of Lateral Confinement Enhanced Rectangular AlGaAs/AlAs Quantum Wires by Utilizing the Spontaneous Vertical Quantum Wells　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Abstracts of the 1995 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1995年

Photoreflectance and Photoluminescence Study of Direct- and Indirect-Gap Band Lineups of GaAsP/GaP Strained Quantum Wells　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1994年

Photoreflectance and Photoluminescence Study of Direct- and Indirect-Gap Band Lineups of GaAsP/GaP Strained Quantum Wells　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1994年

Characterization of Interface Roughness in Ge/SiGe Heterostructures Using Photoreflectance Spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1993年

MOVPE Selective Growth of Cubic GaN in Small Areas on Patterned GaAs(100) Substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1993年

Characterization of Interface Roughness in Ge/SiGe Heterostructures Using Photoreflectance Spectroscopy　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1993年

MOVPE Selective Growth of Cubic GaN in Small Areas on Patterned GaAs(100) Substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1993年

Photoreflectance study of GaAs/GaAsP strained-barrier quantum well structures　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Abstracts of the 1992 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1992年

Photoreflectance study of GaAs/GaAsP strained-barrier quantum well structures　　　　　　　　　　　　　　　
Extended Abstracts of the 1992 International Conference on Solid State Devices and Materials, 1992年

28p-K-10 ヘテロエピタキシャル薄膜中の転位の運動速度　　　　　　　　　　　　　　　
山下善文; 前田康二; 目良裕; 矢口裕之; 白木靖寛
年会講演予稿集, 1991年, 一般社団法人日本物理学会
1991年 - 1991年, 日本語

Si1-xGex歪薄膜の熱処理による歪の緩和　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之; 張保平; 藤田研; 深津晋; 白木靖寛; 伊藤良一
応用物理学会第51回講演会, 1990年09月
日本語, 口頭発表（一般）

SbによるSi/Ge界面ミキシングの抑制　　　　　　　　　　　　　　　
藤田研; 深津晋; 矢口裕之; 五十嵐孝行; 張保平; 白木靖寛; 伊藤良一
応用物理学会第51回講演会, 1990年09月
日本語, 口頭発表（一般）

Suppression of Interfacial Mixing in Si/Ge Superlattices by Sb Deposition　　　　　　　　　　　　　　　
K. Fujita; S. Fukatsu; H. Yaguchi; T. Igarashi; Y. Shiraki; R. Ito
22nd Conference on Solid State Devices and Materials, 1990年08月
英語, 口頭発表（一般）

原子レベルで平坦なシリコン上の酸化膜形成とその構造　　　　　　　　　　　　　　　
五十嵐孝行; 高瀬和彦; 服部健雄; 矢口裕之; 藤田研; 深津晋; 白木靖寛
第37回応用物理学関連連合講演会, 1990年03月
日本語, 口頭発表（一般）

Pb/Si(111)表面超構造のRHEEDによる観察　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之; 馬場茂; 金原粲
第7回表面科学講演大会, 1987年12月
日本語, 口頭発表（一般）

RHEEDによるPb/Si(111)表面超構造の研究　　　　　　　　　　　　　　　
矢口裕之; 馬場茂; 金原粲
第28回真空に関する連合講演会, 1987年11月
日本語, 口頭発表（一般）

RHEED Study of Superstructures of Submonolayer Lead Films on Silicon(111) Surfaces　　　　　　　　　　　　　　　
H. Yaguchi; S. Baba; A. Kinbara
4th International Conference on Solid Films and Surfaces, 1987年08月
英語, 口頭発表（一般）

■ 所属学協会

日本光学会

Materials Research Society

American Physical Society

応用物理学会

■ 共同研究・競争的資金等の研究課題

バンドテイルを経由した２段階光吸収を利用する太陽電池の高効率化　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(C), 2024年04月01日 - 2027年03月31日
矢口裕之; 八木修平; 高宮健吾, 埼玉大学
配分額（総額）：4550000, 配分額（直接経費）：3500000, 配分額（間接経費）：1050000
課題番号：24K07574

希釈窒化物半導体における電子局在状態を活用する高効率太陽電池への展開　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(B), 基盤研究(B), 2019年04月01日 - 2022年03月31日
矢口裕之; 秋山英文; 高宮健吾, 埼玉大学
配分額（総額）：17420000, 配分額（直接経費）：13400000, 配分額（間接経費）：4020000
希釈窒化物半導体における電子局在状態を介した２段階光吸収を活用するというアプローチで中間バンド型太陽電池の変換効率向上の可能性を検討した。スーパーセル法に基づく第一原理計算から、GaPN中の窒素原子配列がバンドギャップエネルギーを大きく変化させ、電子局在状態を形成する要因となることが明らかになった。二波長励起フォトルミネッセンス測定の励起強度依存性と試作した太陽電池の光電流特性から、バンドギャップよりも高エネルギーの光と低エネルギーの光とが太陽電池の効率向上につながるような光生成キャリアの増加を相乗的にもたらすことがわかった。
課題番号：19H02612
論文ID：47638463, 講演・口頭発表等ID：39504829, 受賞ID：33629959

紫外LED動作時の禁制帯内励起光照射による欠陥準位の検出・評価手法の確立　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(C), 基盤研究(C), 2018年04月01日 - 2021年03月31日
鎌田憲彦; 矢口裕之; 平山秀樹, 埼玉大学
配分額（総額）：4160000, 配分額（直接経費）：3200000, 配分額（間接経費）：960000
市販されているSMD型紫外LEDを放熱プレート上に固定し、放熱プレートの温度をペルチエ素子で自動制御する試料マウント部を作製した。広帯域ロックインアンプSR865Aを導入し、EL、電流、電圧測定のための実験系を新たに整備した。室温付近の一定温度下でLEDを低電流駆動し、外部からBGE光を断続照射した際のBGE光ONおよびOFF時のEL強度IB、IEが異なることを確認した。両者の比IB/IEで規格化EL強度を定義し、この比が1からずれることによって欠陥準位を検出する。複数のUV-LEDを用いてこのEL強度変化（BGE効果）を観測し、LEDチップ形状での欠陥準位検出が可能であることを確認した。
駆動回路の直列抵抗値と駆動方法により規格化EL強度、電流増加量が異なることを再度確認した。回路要因を系統的に調べた結果、 EL強度変化（規格化EL強度IN：BGE光照射あり/なしでのEL強度の比）は定電流駆動条件を基準とする、定電圧条件ではBGE光照射による電流増加分がELに寄与するため、BGE効果は＋側にシフトする、電流値の増加量Δiは定電圧駆動条件で再現性良く測定可能である、定電流条件でBGE光を照射すると、一定電流を維持するために必要な電圧値が低下する、といった諸点が得られた。
駆動電流値を増すにつれ、BGE光照射による相対的なEL強度変化率（規格化EL強度）は低下するが、Δiは単調増加する。実際の定格電流駆動時での評価に近づくため、定電圧駆動時の電流増加量Δiに着目し、駆動電流400mAまでの領域でΔiの測定を達成した。ロックインアンプを導入して測定条件の改善を始め、成果の一部を発表した。
課題番号：18K04954

希釈窒化物半導体中の欠陥の挙動およびデバイスの信頼性向上に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(C), 基盤研究(C), 2014年04月01日 - 2017年03月31日
上田修; 池永訓昭; 八木修平; 矢口裕之, 金沢工業大学
配分額（総額）：5070000, 配分額（直接経費）：3900000, 配分額（間接経費）：1170000
GaInNAsなどの希釈窒化物半導体を用いた発光デバイスの劣化メカニズムを解明するために、結晶成長時に発生する欠陥を透過電子顕微鏡により評価するとともに、結晶にレーザ光を照射し、欠陥の形成・増殖について調べた。その結果、GaInNAs中には点欠陥クラスタ、転位ループなどの欠陥は観察されなかった。また、GaInNAs/GaAs SQW構造にレーザ照射を行うと、レーザパワー密度が低い場合には、発光効率が増加し、パワー密度が高い場合には、発光効率が瞬時に増加後、減少した。いずれの場合にも、特に新たな構造欠陥は形成されず、今後さらなる照射パワー密度の増強を行う必要がある。
競争的資金, 課題番号：26390057

非熱平衡状態フォノン輸送制御による半導体光素子の新展開　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(B), 基盤研究(B), 2013年04月01日 - 2017年03月31日
石谷善博; 篠塚雄三; 矢口裕之; 森田健; 馬ベイ; 大木健輔, 千葉大学
配分額（総額）：18720000, 配分額（直接経費）：14400000, 配分額（間接経費）：4320000
半導体素子特性を決める多くの過程にフォノンが関わっている。太陽電池のエネルギー変換効率，励起子の生成・解離，非輻射性キャリア再結合などがこれにあたる。熱平衡状態の詳細な電子・正孔‐励起子系の研究があるが，フォノン系，電子系，輻射場を全て含んだ非熱平衡過程の解析は進んでいない。本研究では，材料物性，素子構造等に基づく素子中のキャリア密度，格子温度などを変数にとり，種々の素過程を統合した電子・正孔や励起子の励起・脱励起の流れを初めて特徴づけることを行った。特に励起子の安定性，非輻射性再結合やキャリアトラップの原因となる深い準位への遷移過程に対するフォノン局在性の影響について新たな知見を得た。
競争的資金, 課題番号：25286048

局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(B), 基盤研究(B), 2012年04月01日 - 2015年03月31日
矢口裕之; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 窪谷茂幸; 土方泰斗; 八木修平; 秋山英文, 埼玉大学, 研究代表者
配分額（総額）：19240000, 配分額（直接経費）：14800000, 配分額（間接経費）：4440000
原子層ドーピングを利用して、窒素原子およびエルビウム原子局所ドーピング構造半導体を作製し、量子情報通信において重要な役割を担う完全ランダム偏光かつ優れた波長再現性を有する単一光子および量子もつれ光子対の高効率生成を目指した。窒素原子局所ドーピング構造半導体を用いて、量子もつれ光子対生成に応用できるランダム偏光の励起子分子および励起子発光の観測に成功した。エピタキシャル成長中のエルビウム原子の表面偏析の温度依存性を定量的に調べることによって、原子層ドーピング構造半導体を作製するための条件として低温成長が必須であることを明らかにした。
競争的資金, 課題番号：24360004
論文ID：17925482

炭化ケイ素半導体の酸化誘因欠陥の形成メカニズム解明　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(C), 基盤研究(C), 2012年04月01日 - 2015年03月31日
土方泰斗; 矢口裕之, 埼玉大学
配分額（総額）：5460000, 配分額（直接経費）：4200000, 配分額（間接経費）：1260000
炭化ケイ素(SiC)半導体の酸化メカニズムのより深い理解を目指し、1)SiC上の酸化膜構造分析、2)酸化処理基板のフォトルミネッセンス・イメージング観察、3)SiC酸化過程の実時間観察等の実験を行った。
1)の結果から、SiCの酸化時における酸化界面から酸化層への“Si原子放出現象”を世界で初めて観察することに成功した。2)の結果より、積層欠陥が酸化によって変形すること、Si酸化で見られる“酸化誘起積層欠陥”と同様の欠陥がSiCでもまた形成する可能性が示唆された。3)の結果から、統合SiC酸化モデルが構築され、SiおよびC原子の界面濃度から界面欠陥の形成をシミュレーションした。
競争的資金, 課題番号：24560365

高相純度立方晶III族窒化物半導体薄膜成長とヘテロ構造の物性応用　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(B), 基盤研究(B), 2010年 - 2012年
尾鍋研太郎; 矢口裕之; 片山竜二; 窪谷茂幸; サクンタムサノーピン, 東京大学
配分額（総額）：13520000, 配分額（直接経費）：10400000, 配分額（間接経費）：3120000
III族窒化物半導体GaN,InN,AlNおよび関連混晶の高相純度立方晶薄膜およびヘテロ構造を、有機金属気相成長法ないし分子線エピタキシー法を用いて実現し、相純度、欠陥性状、発光特性、電気伝導特性などの基礎物性を成長条件との関連において明らかにした。とくに立方晶InNおよびInGaNにおいてはYSZ(001)基板の有用性を確認した。また立方晶GaNおよびAlGaNにおいては、Si添加による伝導性制御を確立した。立方晶AlNにおいてはバンドギャップ値を同定した。
競争的資金, 課題番号：22360005

次世代発光デバイス用新材料および量子ドット構造への光照射劣化の研究　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(C), 基盤研究(C), 2010年 - 2012年
上田修; 山口敦史; 佐久間芳樹; 五神真; 吉本昌広; 矢口裕之; 池永訓昭, 金沢工業大学
配分額（総額）：3900000, 配分額（直接経費）：3000000, 配分額（間接経費）：900000
発光デバイスの究極の寿命を決定する遅い劣化のメカニズムを解明するために、次世代発光デバイス用の新材料および量子ドット構造に外部から光照射を行い、劣化の度合いを評価した。その結果、新材料のGaInNAsでは、顕著な劣化が見られたが、InGaN,AlInGaAsでは、殆ど劣化が見られなかった。また、InP/InAs量子ドット/InP構造では、比較的強い光励起下でも殆ど劣化は見られなかった。今後、実デバイスに近い構造でも評価する必要がある。
競争的資金, 課題番号：22560012

局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(B), 基盤研究(B), 2009年 - 2011年
矢口裕之; 土方泰斗; 尾鍋研太郎; 片山竜二; 八木修平; 窪谷茂幸; 秋山英文, 埼玉大学, 研究代表者
配分額（総額）：18460000, 配分額（直接経費）：14200000, 配分額（間接経費）：4260000
原子層ドーピング技術を用いて局所ドーピング構造半導体を作製し、量子暗号通信などの量子情報技術において重要となる、優れた波長再現性・完全なランダム偏光などの特徴を有する単一光子発生の実現を目指した。窒素原子局所ドーピング構造半導体の作製に用いる基板面方位の選択によって量子暗号通信への応用にとって望ましい完全なランダム偏光を実現した。また、量子もつれ光子対生成につながる励起子分子発光の観測に成功した。
競争的資金, 課題番号：21360004

有機N原料によるInNおよび関連混晶薄膜のMOVPE成長　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業特定領域研究, 特定領域研究, 2009年 - 2010年
尾鍋研太郎; 片山竜二; 矢口裕之, 東京大学
配分額（総額）：6400000, 配分額（直接経費）：6400000
本研究課題は、平成19～20年度実施の本特定領域研究公募研究課題の「有機N原料によるInN薄膜のMOVPE成長」の成果を受けて、さらに発展させることを意図した。本研究の特徴は、有機N原料を有機金属原料とともに用いること、さらに原料間の付加化合物生成の寄生反応を避けるために原料の分離供給法を採用することにある。研究期間内において、MOVPE成長InN薄膜の高品質化を伝導性制御も含めて追求するとともに、作製する材料をInGaNおよびInAlNなどInリッチ窒化物混晶へ発展させること、またガス質量分析器を用いて反応系の詳細を明らかにし、寄生反応を回避する有効な反応経路を明らかにすることを目的とした。
最終年度である平成22年度においては、下記各項目に示す成果を挙げた。
1)細管により成長領域へ直接導入するガス種がTMInである場合およびDMHyである場合のそれぞれにおいて、成長特性の成長温度、V/III比、圧力依存性、TMIn供給量依存性を明らかにするとともに、最適細管先端位置の確定、および実効的V/III比など、その決定要因を明らかにした。とくに、成長温度500℃～570℃においてInN成長が効率的に進行することを明らかにした。
2)六方晶InNがサファイア基板上において単一ドメインで、[10-10]InN//[11-20]sapphireのエピタキシャル関係で成長することを、広い成長条件の範囲で確立した。
3)サファイア基板上にGaN層を形成したGaN擬似基板上へのInN成長において、InNウィスカーないしInN微粒子結晶が成長する性状を明らかにした。
4)質量分析器による反応ガス分析システムを活用し、有機N原料として用いるジメチルヒドラジン(DMHy)の熱分解特性を明らかにした。
これらの成果は、InNにもとづく光・電子デバイスを実用化するための高品質InN薄膜を、MOVPEにより実現することの可能性を強く示唆するものとなった。
競争的資金, 課題番号：21016003

狭バンドギャップIII-V-N混晶半導体量子ナノ構造の作製と物性応用　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(B), 基盤研究(B), 2007年 - 2009年
尾鍋研太郎; 片山竜二; 山本剛久; 矢口裕之, 東京大学
配分額（総額）：18720000, 配分額（直接経費）：14400000, 配分額（間接経費）：4320000
InAsN、InGaAsN、InGaPN、InPNなどInをその1成分として含むIII-V-N型混晶半導体による薄膜ないし量子ドット構造をMOVPE法を用いて作製し、結晶成長特性をN濃度との関係において明らかにするとともに、N添加に伴うバンドギャップの縮小効果および発光特性など特徴的な物性を明らかにした。とくにInAsN量子ドットにおいて、波長1.2μmの室温フォトルミネッセンス発光を実現した。本研究により、III-V-N型混晶半導体の物性応用に新規な可能性を示すことができた。
競争的資金, 課題番号：19360003

InN系窒化物ナノデバイス/ナノプロセスの分子線エピタキシ法による新展開　　　　　　　　　　　　　　　
科学技術振興機構, 戦略的な研究開発の推進戦略的創造研究推進事業 CREST, 2002年 - 2007年
吉川明彦, 千葉大学, 研究分担者
最近、InNのバンドキャップが約0.63eVであり、窒化物系半導体は光通信波長領域までもカバーしうることが明らかにされました。本研究では、InNをベースとした窒化物系材料の「超薄膜・超急峻界面制御」分子線エピタキシ法ナノプロセス技術を開発します。これにより、InN系ナノ構造本来の物性を発現させ、近未来の大容量・超高速画像環境情報を支える、光通信波長域レーザ、超高速光制御素子、そして超高速・超省電力電子素子開発の可能性を検討します。

等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(C), 基盤研究(C), 2005年 - 2006年
矢口裕之; 吉田貞史; 土方泰斗, 埼玉大学, 研究代表者
配分額（総額）：3500000, 配分額（直接経費）：3500000
単一光子発生素子は、量子暗号等、量子情報技術の分野で重要な役割を果たすデバイスと考えられている。そこで、本研究では、単一光子発生素子への応用を目指して、窒素原子や窒素原子対によって形成される等電子トラップが、励起子を束縛する効果に着目して、窒素原子対を基本的な単位構造とする半導体量子ナノ構造を作製し、特異な光物性を発現させ、その物理的な解明を行なうことを目的とした。具体的には、原子層ドーピング技術を用いて窒素原子を局所的にドーピングすると同時に、電子線リソグラフィーを用いた微細加工技術によって、特定の配列をした単一の窒素原子対からの発光を観測できるような構造を作製した。母体となる半導体材料にはガリウム砒素およびガリウム燐を用いて、これに極低濃度の窒素原子をドーピングした。特定の配列をした窒素原子対を得るために、窒素原子のドーピング濃度、成長温度や原料の供給比などの最適化を行った。このような構造についての検討の結果、直径1μmの範囲内に特定の配列をした窒素原子対が一つだけ存在するような構造を作製することに成功するとともに、顕微フォトルミネッセンス測定によって線幅が50μeV以下の鋭い発光を得ることに成功した。この結果は、等電子トラップを用いた単一光子発生素子を実現する可能性が十分に高いことを示すものである。また、互いに偏光方向が直交し、わずかにエネルギーの異なる2つの発光線も観測されたことから新規デバイスへの応用も期待される。さらに、素子への応用の上で不可欠となる発光効率を向上させる方法に関して検討を行い、ガリウム砒素・窒素系の混晶半導体において、極低温下でレーザー光を照射することによって発光効率を向上させる独自の方法を確立するとともに、この現象が局所的な構造変化と関連していることを顕微ラマン散乱分光によるその場観察によって明らかにした。
競争的資金, 課題番号：17560004

IV族半導体の極薄酸化膜の界面評価に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(B), 基盤研究(B), 2001年 - 2002年
吉田貞史; 土方泰斗; 矢口裕之, 埼玉大学
配分額（総額）：15300000, 配分額（直接経費）：15300000
分光偏光解析を用いて酸化膜/SiC界面の解析を行うと同時に、酸化膜形成後の種々の熱処理による変化についても調べ、電気的特性との対応について検討した。特に、SiC上の極薄酸化膜の形成過程および界面のミクロ構造を明らかにし、良好なSiC MOS椿造を形成するための知見を得ることを目的として分光偏光解析でその場観察できる装置を開発し、SiCの酸化初期過程や、熱処理による酸化膜/SiC界面の構造変化について研究を行った。その結果、SiCの酸化初期過程においては、SiO2と化学量論組成が異なる酸化膜が形成していることや、SiCやSiO_2よりも大きな屈折率を有する界面層の屈折率が、熱処理によって変化することを見出した。また、γ線照射によって界面準位密度だけを増加させる方法を用いて作製したSiC MOS構造について分光偏光解析とC-V測定とを行うことにより、分光偏光解析でとらえた界面層の屈折率とMOSFETのチャンネル移動度に影響を与える界面準位密度との関係を明らかにした。さらに、角度分解X線光電子分光・紫外光電子分光測定により、熱処理に伴うSiC-SiO_2界面の組成・結合状態の変化を明らかにした。このように、本研究によってSiC-SiO_2界面構造に対する理解が深まるとともに、分光偏光解析法が、界面構造を評価するための優れた方法であることと、その場観察できる方法であることからデバイスプロセスのモニタリングへの応用も可能であることを実証することができた。また、従来SiO_2の光学定数を仮定して行っている酸化膜厚測定法では誤った値を与える問題点があることを初めて明らかにすることができた。偏光解析による評価技術の開発と共に、顕微赤外反射分光を用いてSiCバルク結晶における電気的特性の分布を測定する手法を開発し、ウエハのキャリア濃度および移動度の分布を非破壊・非接触で測定できることを示した。
競争的資金, 課題番号：13450120

青色半導体レーザと強誘電体光導波路の一体型新規光学素子のための複合材料創製　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(C), 基盤研究(C), 1998年 - 1999年
増田淳; 清水立生; 矢口裕之; 尾鍋研太郎; 森本章治, 北陸先端科学技術大学院大学
配分額（総額）：4000000, 配分額（直接経費）：4000000
青色半導体レーザと酸化物強誘電体光導波路の集積化により、表面弾性波を用いた一体型青色レーザスキャナなどの新規光学素子を開発することを目的に、青色半導体レーザ材料である窒化ガリウム(GaN)上に酸化物強誘電体であるチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)薄膜を形成することを試みた。その結果、(100)面のガリウム砒素(GaAs)を基板として、有機金属化学気相成長法で形成したGaN薄膜上に、レーザアブレーション法によりPZT薄膜を形成することに初めて成功した。この際、PZTとGaN間に酸化マグネシウム(MgO)バッファ層を導入することの効果についても検討した。MgOバッファ層はGaN上にcube on cubeの関係でエピタキシャル成長した。MgOバッファ層の導入により、GaN層への酸素の拡散や、PZTとGaN間の金属元素の相互拡散が抑制できることを見出した。さらに、MgOバッファ層を用いない場合にはPZT薄膜はランダム配向であったが、MgOバッファ層の導入により[100]優先配向PZT薄膜が得られた。
次に、GaNの結晶性と耐酸化性の相関を、六法晶混在比の大きい試料、X線回折の半値幅の大きい試料ならびに高品質試料の3種類のGaN薄膜の比較により検討した。その結果、結晶性の劣るGaN薄膜の方が耐酸化性に優れることを見出した。また、酸素雰囲気曝露により、GaN薄膜の結晶性が劣化し、表面粗さは減少することも明らかになった。
競争的資金, 課題番号：10650005

分極反転エピタクシーの研究と波長変換素子への応用　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(A), 基盤研究(A), 1996年 - 1998年
伊藤良一; 宇佐美徳隆; 矢口裕之; 近藤高志; 尾鍋研太郎; 白木靖寛, 東京大学
配分額（総額）：41700000, 配分額（直接経費）：41700000
1. 分極反転エピタクシーの実証
GaAs/Si/GaAs(100),GaAP/Si/GaP(100),GaAs/Ge/GaAs(100),GaAs/Ge/GaAs(111)の系についていずれも分極反転エピタクシーが実現できることを実証した。MBEを用いた結晶成長で再現性良く分極反転を実現できる条件を見出した。分極反転の確認にはRHEEDと異方性エッチングが有効であった。
2. 分極反転エピタクシャル膜の評価
反射SHG測定によって分極反転エピタクシー法で成長したエピ膜の非線形光学定数の符合が確かに反転していることを確認した。また,X線定在波法によっても分極反転の有無が確認できることを示した。XTEM観察によってアンチフェイズドメインの挙動を観察することに成功し,RHEED観察の結果とあわせて,副格子交換のメカニズムを解明することができた。さらに興味深い現象として,GaAs/Ge/GaAs(111)において現状では異常な(111)Σ3粒界が存在することがXTEM観察によって判明した。
3. 周期分極反転構造の作製
GaAs/Ge/GaAs(100)系分極反転エピタクシーの手法を用いて周期的分極反転構造AlGaAsデバイスを作製する方法を考案した。成長の初期過程でアンチフェイズドメインが発生してもデバイス部に影響を与えることなく成長がおこなえる点が大きな特徴である。MBEによる再成長によって非常に良質な周期分極反転構造を作製することに成功した。現在,この技術を用いて導波路型波長変換デバイスの試作をおこなっているところである。
競争的資金, 課題番号：08405002

新しい超構造を有する間接遷移型半導体の光学遷移に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(B), 基盤研究(B), 1996年 - 1997年
白木靖寛; 宇佐美徳隆; 矢口裕之; 近藤高志; 尾鍋研太郎; 伊藤良一, 東京大学
配分額（総額）：8600000, 配分額（直接経費）：8600000
本研究においては、間接遷移型半導体に、さまざまな超構造を導入するとこにより、材料固有の性質を人為的に変化させ、光学遷移確率を増大させることを、SiGe/Si系、AlGap系という、二種類の典型的な間接遷移型半導体に対して試みた。特に、電子と正孔を空間的に分離して閉じ込める「隣接閉じ込め構造」について詳しく検討した。
緩和SiGeバッファ上に、引っ張り歪みSi層と、圧縮歪みSiGe層を交互に成長することにより形成した、SiGe/Si系隣接閉じ込め構造においては、正孔の閉じ込め層の膜厚を、島状成長の臨界膜厚程度に選ぶことにより、無フォノン発光の効率を増加させることができることがわかった。これは、臨界膜厚付近では、島形成の核となるような、井戸幅のゆらぎが多く存在するため、界面における励起子の局在が、顕著になるからである。
また、AlGap系隣接閉じ込め構造に関しては、歪みを加えることにより、歪みゆらぎに起因した、面内ポテンシャルのゆらぎにより、無フォノン発光強度が増大することがわかっていたが、時間分解フォトルミネッセンス法により、この事実を検証した。パルスレーザで励起した場合のピークエネルギーの時間依存性は、いずれの試料においても、時間とともに、ピークエネルギーがレッドシフトした。これは、NCSの活性層に緩和した励起子が、時間とともに、より深い面内ポテンシャルくぼみに束縛されることを示している。歪みが印加された試料では、ピークエネルギーのレッドシフト量が非常に大きくなることから、歪みの大きい試料ほど深いポテンシャルくぼみが形成されているとが示された。
競争的資金, 課題番号：08455008

シリコン・ゲルマニウム規則混晶からの光第二高調波発生に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(C), 基盤研究(C), 1996年 - 1996年
矢口裕之; 近藤高志, 東京大学, 研究代表者
配分額（総額）：2200000, 配分額（直接経費）：2200000
Si分子線セルの検討
固体ソースSi分子線エピタキシャル成長では,従来Siを蒸発させる手段として電子銃加熱が用いられてきたが成長速度の安定性に問題があり,成長速度の制御も容易ではない。そこでこれに代わる方法として,高温まで使用可能なSi分子線セルを用いてSiGeヘテロ構造の作製を行った。Si分子線セルは1350〜1650℃の範囲で使用した。これは5×10^<-3>〜0.5Å/secの成長速度に対応し、2桁にわたって成長速度の制御が可能であることがわかった。分子線セルでは成長速度の制御性が高く,本研究で対象とする短周期超格子構造の作製に最適な成長技術を確立することができた。
Si/Ge短周期超格子からの光第二高調波発生
SiおよびGeは反転対称性を有するため双極子近似による光第二高調波発生は禁止されているが,奇数原子層からなるSi_nGe_n超格子においては反射対称性が崩れるための光第二高調波発生が期待される。本研究ではSi(111)基板上にSi_3Ge_3超格子を作製し、光第二高調波の測定を行い,超格子からの寄与と考えられる光第二高調波発生を初めて観測した。この試料を850℃でアニールすると光第二高調波の強度が急激に減少した。これはアニールによって原子の拡散が起こり、超格子構造が壊れたためと考えられる。比較のために反転対称性を有するSi_4Ge_4超格子で同様の測定を行った結果,光第二高調波の強度は弱く,アニールによる強度変化はほとんどなかった。しかたがってこの場合の光第二高調波は表面からの寄与によると考えられる。
今後は,成長中に形成される規則混晶からの光第二高調波発生について研究を進めたいと考えている。
競争的資金, 課題番号：08650005

非対称構造半導体量子井戸の2次非線形光学特性の研究　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(C), 基盤研究(C), 1996年 - 1996年
近藤高志; 矢口裕之, 東京大学
配分額（総額）：2200000, 配分額（直接経費）：2200000
1.参照用試料(GaAs)の評価
AlGaAs量子井戸の非線形光学特性の評価時に用いるGaAsの非線形光学定数の絶対値を最初に測定した。発振波長1.533μmのDFBレーザを基本波光源としてSHG法によって絶対測定をおこない,d_<36>=119pm/Vという結果を得た。
2.電場印加AlGaAs量子井戸の評価
バルクGaAsとのSHG相対測定によって電場印加AlGaAs非対称量子井戸の非線形光学定数の測定をおこなった。測定に用いた試料はGaAs(100)基板上に成長した多重量子井戸で,Al_<0.18>Ga_<0.82>As井戸層(井戸幅10nm)とAl_<0.30>Ga_<0.70>As障壁層(障壁層幅5nm)とを47周期積層したものである。基本波光源としてFP型GaInAsPレーザにグレーティングフィードバックをかけた外部共振器型の波長可変半導体レーザを用いて,励起子順位からのdetuning(ΔE=E_-2hw)と試料に印加する電場(E_)とをパラメータとして測定をおこなった。測定の結果,ΔE=9.9meV,E_=59kV/cmで最大d_<15>=16pm/Vというかなり大きな値が得られた。しかしながら,これは単一量子井戸についておこなわれた理論計算の結果(d_<15>=60pm/V)よりも小さく,理論計算で無視していた井戸間の相互作用が影響しているものと考えられる。
以上の研究を通じて、非対称構造半導体量子井戸の近赤外域での2次非線形光学特性を初めて定量的に評価することができた。今後は,光通信への応用を念頭に置いて差周波発生の実験をおこなっていきたいと考えている。
競争的資金, 課題番号：08650045

窒化物系準安定混晶半導体の作製と物性に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業基盤研究(B), 基盤研究(B), 1994年 - 1996年
尾鍋研太郎; 矢口裕之; 近藤高志; 長田俊人; 白木靖寛; 伊藤良一; 深津晋, 東京大学
配分額（総額）：8400000, 配分額（直接経費）：8400000
本研究は、極度の非混和性を有するために従来作製が困難であったGaPNに代表されるIII-V-N型の窒化物系混晶半導体の作製および物性解明を行ったものである。本研究により以下の諸点が明らかになり、これらの特徴的な物性を利用した新しい工学的応用に道を拓くものである。 1.【GaPN混晶の結晶成長】N原料としてジメチルヒドラジンを用いたGaPN混晶の有機金属気相成長における成長特性を明らかにした。とくに混晶組成はN原子の結晶成長表面からの再脱離過程に大きく支配されることが明らかになった。これらの成長特性に基づき、N組成が6%までのGaPN混晶の実現に成功した。 2.【発光準位の起源と性質】窒素濃度が4%までのGaPN混晶における、光吸収、フォトルミネッセンス、および励起スペクトルなどの光学測定および解析により、発光準位はバンド端の状態密度テイル部に形成される準局在準位に基づいていることが明らかになった。極低温における発光の緩和過程は、N組成1%以下ではNN対に基づく発光緩和、N組成1%以上では非発光準位および準局在発光準位への緩和が支配的となる。 3.【N組成の増加におけるバンド端の形成過程】GaPN混晶のバンド端は、GaP結晶中に孤立して存在するN原子に起因する準位により形成されるものであることが明らかになった。さらに局在励起子の擬自由励起子への活性化による移動度端のふるまいが明らかになった。これらは併せて行った強結合近似に基づくバンド計算の結果と整合するものであり、エネルギーギャップの組成依存性における巨大ボウイング効果がGaPN混晶の本来の特徴的な性質であることを示している。またこの性質は、GaAsPN、InGaPNなどの関連混晶において共通の特性であることを示唆している。
競争的資金, 課題番号：06452107

歪導入による半導体量子ナノ構造の偏光特性の制御　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業一般研究(C), 一般研究(C), 1995年 - 1995年
矢口裕之, 東京大学, 研究代表者
配分額（総額）：2500000, 配分額（直接経費）：2500000
本研究の主たる目的は,引っ張り歪の導入によって半導体量子細線構造における発光の偏光特性の制御が可能であることを実証することにある。そこでまず最初にGaAsP/AlGaAs量子井戸を作製し,引っ張り歪を導入して発光の偏光特性を制御できることを実験的に検証した。
本研究では,フォトリソグラフィー技術で基板にV溝状の加工を施した後,有機金属気相エピタキシ-法によって量子細線構造を作製するという方法をとっている。この場合,AlGaAs障壁層を成長する際にはV溝の形状を鋭く保ち,一方,GaAsPからなる細線層を成長する際にはV溝の底部に厚く成長することが要求される。そこで良好な形状を有する細線構造を作製する成長条件を決定することが重要な位置を占める。その過程においてV溝底部にGa組成の大きいAlGaAs混晶が局所的に成長することがわかった。また,その部分の寸法が成長温度・Al供給量等の成長条件に依存することが明らかになり,これに基づく新しい量子細構造作製の提案を行った。さらに最適な成長条件に基づいてGaAsP/AlGaAs引っ張り歪量子細線構造を作製した。フォトルミネッセンスによって発光の偏光特性を検討した結果,細線の寸法を小さくするにしたがって,基板に平行な偏光から基板に垂直な偏光へと変化していくことが明らかになり,歪導入によって偏光の制御が可能であることが実証された。
以上の実験結果に基づいて細線の寸法を決定し,量子細線方向と垂直な方向に対して偏光の異方性が解消された量子細線構造レーザを試作した。電流注入量が発振しきい値下では偏光の異方性のほとんどない発光が確認された。レーザ特性としてはしきい値電流が高いなどの問題があり,さらに今後の検討を要する。
競争的資金, 課題番号：07650005

ガリウム砒素リン系半導体超格子構造による高効率発光素子材料の実現　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業一般研究(C), 一般研究(C), 1994年 - 1994年
矢口裕之; 白木靖寛; 尾鍋研太郎, 東京大学, 研究代表者
本研究で取り扱った砒素リン系半導体超格子構造においては、ガリウム砒素に近い組成領域では室温でレーザ発振するほどの高品質なものが得られているが、ガリウムリンに近い組成領域では間接遷移型半導体であり、しかもバンドラインアップが、電子と正孔が別々に閉じ込められるようなタイプIIであるという実験結果があるために、高効率の発光材料としては適当ではないと考えられてきた。
しかしながら、フォトリフレクタンス分光法およびフォトルミネッセンス分光法を用いることによって、ガリウムリン基板上に超格子構造を作製した場合には、ガリウムリン・ガリウム砒素リンヘテロ界面はどのような組成領域においてもタイプIとなることがわかった。さらに本研究によって、すべての組成領域において直接遷移エネルギーギャップ、間接遷移エネルギーギャップのどちらについてもタイプIヘテロ構造が実現されていることが初めて明らかになった。
また、基板にガリウム砒素リンを用いて、ガリウム砒素・ガリウムリン超格子を作製し、どちらの層にも歪が加わるようにした。この場合、間接遷移バンドの縮退が解けてタイプIとタイプIIの両方のヘテロ構造が同時に存在するような極めて興味深い状況が実現することがわかった。実際に両方の光学遷移に対応するフォトルミネッセンスが観測され、発光寿命にもタイプIとタイプIIの違いが反映されることが明らかになった。
以上、高効率にするために不可欠な基礎物性に関する十分な知見を得ることが出来た。
競争的資金, 課題番号：06650005

フォトリフレタンス分光法による間接遷移型半導体を材料とした超構造半導体の研究　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業奨励研究(A), 奨励研究(A), 1993年 - 1993年
矢口裕之; 鳥山欽哉, 研究代表者
配分額（総額）：900000, 配分額（直接経費）：900000
量子井戸レーザや高速トランジスタは半導体のヘテロ構造を利用することによってその特性を引き出しているが、これらのデバイスを設計する上で重要な基本的物性であるヘテロ界面でのバンド不連続量等に関する情報は不可欠である。本研究ではフォトリフレクタンス分光法を用いてこのような基本的物性を間接遷移型半導体について検討し、さらに界面の平坦性についても検討を行った。その結果、
1.高速トランジスタへの応用が期待されるゲルマニウム/シリコン・ゲルマニウム界面でのバンド不連続量を明らかにした。そして、バンド不連続量はゲルマニウム組成に対して線形に変化することがわかった。さらに、フォトリフレクタンス・スペクトルの線幅に注目することによって、界面の平坦性について検討を行い、横方向数百Aの範囲では1原子層程度の凹凸が存在することが明らかになった。
2.発光材料として用いられるガリウム砒素燐系の中で、広いバンドギャップを有するガリウム燐に近い組成でのヘテロ界面におけるバンド不連続量を明らかにした。フォトリフレクタンスによって明らかになったのはGAMMA点におけるバンド不連続量であるが、この結果に基づいて、最小ギャップを形成しているX点におけるバンド不連続量を導き出し、そのバンドラインアップがtypeIになっていることを明らかにした。このことはフォトルミネッセンス測定による結果からも確かめられた。
3.電場変調用の励起光として波長連続可変光源を用いて量子井戸層のみを励起し、量子井戸構造の局所的な情報を得るという新しい手法の検討を行った結果、励起光波長依存性が測定温度によって大きく異なることがわかった。その原因の解明にはより詳細な研究が不可欠である。
競争的資金, 課題番号：05750003

ナイトライド系化合物半導体の立方晶構造変換ヘテロエピタキシー機構の研究　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業重点領域研究, 重点領域研究, 1992年 - 1992年
尾鍋研太郎; 矢口裕之; 近藤高志; 深津晋; 白木靖寛; 伊藤良一, 東京大学
配分額（総額）：1700000, 配分額（直接経費）：1700000
本年度は、GaAsないしGaP上への立方晶GaNおよび関連の混晶のMOVPE成長と結晶評価を行い、以下の成果を得た。
1)GaAs上の不純物添加のない立方晶GaNにおいて、従来困難とされていたp型電気伝導特性を見い出した。再現性およびp型伝導の起源についての検討を進め、結晶粒界などの結晶性状に由来するものとの見通しを得た。
2)SiO_2をマスクとして用いたGaAs上の5μm平方の微小領域への立方晶GaNのMOVPE成長において、単結晶領域のサイズが基板全面への通常の成長の場合に比べて数倍程度大きくなることを見い出した。
3)立方晶GaN/GaAs界面の高分解能透過型電子顕微鏡による直接観察により、界面が(100)B面より成ること、また界面に直接接してほとんど無歪みの立方晶GaNが形成されているなどの界面微構造を明らかにした。
4)GaAsおよびGaP上にGaAsNおよびGaPN混晶のMOVPE成長を行い、GaAsNにおいて最大N濃度0.5%、GaPNにおいて同2.9%の混晶を得ることに成功した。またフォトルミネッセンスにより発光ピークエネルギーがN濃度の増加により長波長化することを見い出した。またラマン分光により混晶の結晶性評価を行い、混晶化によるラマンシフトを見い出した。
以上によりGaNにおける立方晶構造変換ヘテロエピタキシーの基本的特性が明らかになり、結晶成長機構を解明する上での有力な知見を得た。
課題番号：04227211

有機金属気相成長法によるワイドギャップ化合物半導体の原子層エピタキシ-の研究　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業一般研究(B), 一般研究(B), 1989年 - 1991年
尾鍋研太郎; 矢口裕之; 近藤高志; 深津晋; 白木靖寛; 伊藤良一, 東京大学
配分額（総額）：7400000, 配分額（直接経費）：7400000
本研究では、GaAsP系量子井戸および立方晶GaNに関して結晶成長および材料評価を進め、結晶成長上の特性および材料物性について新知見を得た。
1.GaAs/GaAsPヘテロ構造に基づく歪み量子井戸構造および歪み障壁量子井戸構造を作製し、フォトルミネッセンス、赤外反射分光およびフォトリフレクタンスによる光学的評価より、ヘテロ界面におけるバンド不連続値の決定を行った。これにより、バンド不連続値の混晶組成比および歪み依存性が明らかになった。
2.GaAsP/GaPヘテロ構造に基づく歪み多重量子井戸構造を作製し、フォトリフレクタンスによる光学的評価より、ヘテロ界面におけるバンド不連続値の決定を行った。これにより量子井戸構造が第1型に属するものであることが明らかになった。またフォトルミネッセンスによる評価より、間接遷移に基づく発光を観測した。
3.GaN結晶成長のV族(N)原料ガスとして、ジメチルヒドラジンを用いてサファィアおよびGaAs結晶基板上への成長を行い、従来のアンモニア使用に比較して、低温かつ高効率の結晶成長条件を確立した。
GaAs上へのGaN結晶成長においては、従来より完全性の高い立方晶結晶を厚さ1μmにわたり得ることに成功し、当初の目的であった「結晶構造変換ヘテロエピタキシ-」を基本的に実証した。さらに、X線回折およびラマン分光法による詳細な構造的評価を進め、立方晶GaNの構造的特性について明らかにした。また光学的・電気的評価より立方晶GaNのバンドギャップ、n型およびp型導電特性について明らかにした。
今後は、GaAsP系量子井戸および立方晶GaNに関するこれらの新知見に基づいて、材料作製の方法にさらに高度の改良を加えるとともに、可視光領域の発光特性・非線形光学的特性の評価、およびフォトニックデバイスへの応用への検討を進める計画である。
課題番号：01460071

■ 産業財産権

光起電力素子及びその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
佐藤大典; 矢口裕之; 八木修平, 特許権
特許番号・登録番号：特許第5841231号
J-Global ID：201603019885568991

光起電力素子及びその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
佐藤大典; 矢口裕之; 八木修平, 特許権
J-Global ID：201503010382867768

多孔質酸化チタン薄膜とその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
八巻徹也; 伊藤久義; 篠原竜児; 浅井圭介; 阿部弘亨; 土方泰斗; 矢口裕之, 特許権
特許番号・登録番号：特許第4104899号
J-Global ID：201103066300269030

多孔質酸化チタン薄膜とその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
八巻徹也; 伊藤久義; 篠原竜児; 浅井圭介; 阿部弘亨; 土方泰斗; 矢口裕之, 特許権
J-Global ID：200903052376790857

理工学研究科数理電子情報部門	教授
工学部電気電子物理工学科

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矢口 裕之（ヤグチ ヒロユキ）理工学研究科 数理電子情報部門教授工学部 電気電子物理工学科

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矢口　裕之（ヤグチ　ヒロユキ）
理工学研究科数理電子情報部門教授
工学部電気電子物理工学科