藤川紗千恵(理工学研究科数理電子情報部門)

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研究分野

藤川　紗千恵（フジカワ　サチエ）
理工学研究科数理電子情報部門助教
工学部電気電子物理工学科

E-Mail：fujikawamail.saitama-u.ac.jp
ホームページ：
http://s-read.saitama-u.ac.jp/researchers/pages/researcher/ssyjgwKB

研究者情報

■ 学位

博士(工学), 埼玉大学

■ 研究キーワード

ナローバンドギャップ半導体

結晶成長

有機金属気相成長

電子デバイス

光デバイス

スパッタ

分子線エピタキシー

化合物半導体

希薄窒化物半導体

窒化物半導体

■ 研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学

ナノテク・材料, 結晶工学

ナノテク・材料, 応用物性

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器

■ 経歴

2019年10月 - 現在, 埼玉大学, 大学院理工学研究科, 助教

2013年04月 - 現在, 理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム（平山量子光素子研究室）, 客員研究員（兼任）

2023年04月 - 2024年03月, 放送大学学園放送大学, 非常勤講師（面接授業担当）

2017年04月 - 2019年09月, 東京電機大学, 工学部電気電子工学科, 助教

2013年04月 - 2017年03月, 情報通信研究機構, 協力研究員（兼任）

2013年04月 - 2017年03月, 東京理科大学, 基礎工学部電子応用工学科, 嘱託助教

2012年04月 - 2013年03月, 理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, 特別研究員

2009年04月 - 2012年03月, 理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, 基礎科学特別研究員

2005年06月 - 2009年03月, 理化学研究所, 高効率LEDデバイス研究チーム

■ 委員歴

2024年03月 - 2026年02月
電子材料シンポジウム実行委員会, 会場委員, 学協会

■ 受賞

2013年04月, 第三回先端フォトニクスシンポジウム人気ポスター賞, 日本学術会議総合工学委員会ICO分科会
藤川紗千恵

2012年11月, CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第5回公開シンポジウムポスター賞, 独立行政法人科学技術振興機構
藤川紗千恵

2012年01月, 平成23年度基礎科学・国際特別研究員研究成果発表会ポスター賞, 理化学研究所
藤川紗千恵

2010年05月, 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞, 日本結晶成長学会
藤川紗千恵

2001年03月, 大阪府知事賞
藤川紗千恵

業績情報

■ 論文

Development of Shorter Wavelength 230 nm-Band Far-UVC LEDs and Realization of High Output Power LED Panels　　　　　　　　　　　　　　　
Mitsuhiro Muta; Hiroyuki Oogami; Kengo Mouri; Hirokazu Kawashima; Noritoshi Maeda; Ajmal Khan; Yukio Kashima; Eriko Katsuura; Yuuki Nakamura; Kou Sumishi; Taiga Kirihara; Sachie Fujikawa; Hiroyuki Yaguchi; Yasushi Iwaisako; Hideki Hirayama
IEICE Tech. Rep, 巻：123, 号：290, 開始ページ：102, 終了ページ：105, 2023年11月

Investigation of off-cut angle of sapphire for epitaxial lateral overgrowth of AlN and fabrication of high-quality AlN template　　　　　　　　　　　　　　　
Narihito Okada; Takahiro Saito; Sachie Fujikawa; Noritoshi Maeda; Masafumi Jo; Hideki Hirayama; Kazuyuki Tadatomo
Journal of Crystal Growth, 巻：588, 開始ページ：126640, 2022年06月, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126640
DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2022.126640, ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, Web of Science ID：WOS:000800001500002

Investigation of the growth mechanism and crystallographic structures of GaSb dots nucleation layer and GaSb thin film grown on Si(001) substrate by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Ryuto Machida; Ryusuke Toda; Shinsuke Hara; Issei Watanabe; Kouichi Akahane; Sachie Fujikawa; Akifumi Kasamatsu; Hiroki I. Fujishiro
Journal of Vacuum Science & Technology A, 巻：40, 号：3, 2022年05月, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1116/6.0001810
DOI ID：10.1116/6.0001810, ISSN：0734-2101, eISSN：1520-8559, Web of Science ID：WOS:000793514400003

Impact of Mg level on lattice relaxation in a p-AlGaN hole source layer and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters　　　　　　　　　　　　　　　
M Ajmal Khan; Juan Paolo Bermundo; Yasuaki Ishikawa; Hiroshi Ikenoue; Sachie Fujikawa; Eriko Matsuura; Yukio Kashima; Noritoshi Maeda; Masafumi Jo; Hideki Hirayama
Nanotechnology, 巻：32, 号：36, 開始ページ：055702, 終了ページ：055702, 2021年09月, ［査読有り］, ［国際誌］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac0664
DOI ID：10.1088/1361-6528/ac0664, ISSN：0957-4484, eISSN：1361-6528, PubMed ID：34049295, Web of Science ID：WOS:000662686000001

Impact of Mg level on lattice relaxation in a p-AlGaN hole source layer and attempting excimer laser annealing on p-AlGaN HSL of UVB emitters　　　　　　　　　　　　　　　
M Ajmal Khan; Juan Paolo Bermundo; Yasuaki Ishikawa; Hiroshi Ikenoue; Sachie Fujikawa; Eriko Matsuura; Yukio Kashima; Noritoshi Maeda; Masafumi Jo; Hideki Hirayama
Nanotechnology, 巻：32, 号：5, 開始ページ：055702, 終了ページ：055702, 2021年01月, ［査読有り］, ［国際誌］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1088/1361-6528/abbddb
DOI ID：10.1088/1361-6528/abbddb, ISSN：0957-4484, eISSN：1361-6528, PubMed ID：33007768, Web of Science ID：WOS:000588560500001

Evaluation of GaN/AlGaN THz quantum-cascade laser epi-layers grown on AlGaN/Si templates by MOCVD　　　　　　　　　　　　　　　
Sachie Fujikawa; Toshiya Ishiguro; Ke Wang; Wataru Terashima; Hiroki Fujishiro; Hideki Hirayama
Journal of Crystal Growth, 巻：510, 開始ページ：47, 終了ページ：49, 2019年03月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.12.027
DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2018.12.027, ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, ORCID：175309033, Web of Science ID：WOS:000457974000009

Milliwatt power UV-A LEDs developed by using n-AlGaN superlattice buffer layers grown on AlN templates　　　　　　　　　　　　　　　
Takuma Matsumoto; M Ajmal Khan; Noritoshi Maeda; Sachie Fujikawa; Norihiko Kamata; Hideki Hirayama
Journal of Physics D: Applied Physics, 巻：52, 号：11, 開始ページ：115102, 2019年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1088/1361-6463/aaf60a
DOI ID：10.1088/1361-6463/aaf60a, ISSN：0022-3727, eISSN：1361-6463, Web of Science ID：WOS:000456064900001

Advantage of heteroepitaxial GaSb thin-film buffer and GaSb dot nucleation layer for GaSb/AlGaSb multiple quantum well structure grown on Si(1 0 0) substrate by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Ryuto Machida; Akifumi Kasamatsu; Kouichi Akahane; Hiroki Fujishiro; Shinsuke Hara; Sachie Fujikawa; Issei Watanabe
Journal of Crystal Growth, 巻：507, 開始ページ：357, 終了ページ：361, 2019年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.11.026
DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2018.11.026, ISSN：0022-0248, eISSN：1873-5002, ORCID：175309032, Web of Science ID：WOS:000455667500059

Surface cleaning and pure nitridation of GaSb by in-situ plasma processing　　　　　　　　　　　　　　　
Takahiro Gotow; Sachie Fujikawa; Hiroki I. Fujishiro; Mutsuo Ogura; Wen Hsin Chang; Tetsuji Yasuda; Tatsuro Maeda
AIP Advances, 巻：7, 号：10, 2017年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.5002173
DOI ID：10.1063/1.5002173, ISSN：2158-3226, eISSN：2158-3226, Web of Science ID：WOS:000414246100043

Comparative study on noise characteristics of As and Sb‐based high electron mobility transistors　　　　　　　　　　　　　　　
Takuto Takahashi; Shota Hatsushiba; Sachie Fujikawa; Hiroki I. Fujishiro
physica status solidi (a), 巻：214, 号：3, 2017年03月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.201600599
DOI ID：10.1002/pssa.201600599, ISSN：1862-6300, eISSN：1862-6319, Web of Science ID：WOS:000397577000019

Effect of low-temperature-grown GaSb layer on formation of high-density and small GaSb islands on Si(100) substrate—Effect of LT-grown GaSb layer on formation of GaSb islands on Si　　　　　　　　　　　　　　　
Ryuto Machida; Sachie Fujikawa; Shinsuke Hara; Hiroki Fujishiro; Issei Watanabe; Ryusuke Toda
physica status solidi (b), 巻：253, 号：4, 開始ページ：648, 終了ページ：653, 2016年04月, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.201552486
DOI ID：10.1002/pssb.201552486, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, Web of Science ID：WOS:000374142500009

InSb-based HEMT with over 300 GHz-fT using evaporated SiOx film　　　　　　　　　　　　　　　
Kyousuke Isono; Daisuke Tsuji; Tatsuya Taketsuru; Sachie Fujikawa; Issei Watanabe; Yoshimi Yamashita; Akira Endoh; Shinsuke Hara; Akifumi Kasamatsu; Hiroki I. Fujishiro
2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), 開始ページ：1, 終了ページ：1, 2016年, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1109/iciprm.2016.7528858
DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.202200529_references_DOI_aQM0k9Dv8tfERoIA70uOntNLM2E
DOI ID：10.1109/iciprm.2016.7528858, Web of Science ID：WOS:000392285400341

Growth of GaSb dots nucleation layer and thin-film GaSb on Si(100) substrate by molecular beam epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Shinsuke Hara; Akifumi Kasamatsu; Ryuto Machida; Kouichi Akahane; Sachie Fujikawa; Ryusuke Toda; Issei Watanabe; Hiroki Fujishiro
2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), 開始ページ：1, 終了ページ：1, 2016年, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1109/iciprm.2016.7528598
DOI ID：10.1109/iciprm.2016.7528598, Web of Science ID：WOS:000392285400081

Comparative study on noise characteristics of As and Sb-based HEMTs　　　　　　　　　　　　　　　
Takuto Takahashi; Shota Hatsushiba; Hiroki Fujishiro; Sachie Fujikawa
2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), 開始ページ：1, 終了ページ：1, 2016年, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1109/iciprm.2016.7528572
DOI ID：10.1109/iciprm.2016.7528572, Web of Science ID：WOS:000392285400055

Effects of Ga-induced reconstructed surfaces and atomic steps on the morphology of GaSb islands on Si(100)　　　　　　　　　　　　　　　
Issei Watanabe; Shinsuke Hara; Ryuto Machida; Hiroki Fujishiro; Sachie Fujikawa; Ryusuke Toda
Applied Surface Science, 巻：351, 開始ページ：686, 終了ページ：692, 2015年10月, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2015.05.184
DOI ID：10.1016/j.apsusc.2015.05.184, ISSN：0169-4332, eISSN：1873-5584, Web of Science ID：WOS:000359496600087

Recent Progress in AlGaN-Based Deep-UV LEDs　　　　　　　　　　　　　　　
Hideki Hirayama; Sachie Fujikawa; Norihiko Kamata
ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN, 巻：98, 号：5, 開始ページ：1, 終了ページ：8, 2015年05月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/ecj.11667
DOI ID：10.1002/ecj.11667, ISSN：1942-9533, eISSN：1942-9541, Web of Science ID：WOS:000352638300001

Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al₂O₃/GaSb/GaAs metal–oxide–semiconductor structures　　　　　　　　　　　　　　　
Takahiro Gotow; Sachie Fujikawa; Hiroki I. Fujishiro; Mutsuo Ogura; Tetsuji Yasuda; Tatsuro Maeda
Japanese Journal of Applied Physics, 巻：54, 号：2, 開始ページ：021201, 2015年02月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.54.021201
DOI ID：10.7567/JJAP.54.021201, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, CiNii Articles ID：210000144768, Web of Science ID：WOS:000350091000003

AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性　　　　　　　　　　　　　　　
竹鶴達哉; 藤川紗千恵; 原田義彬; 鈴木浩基; 磯野恭佑; 加藤三四郎; 辻大介; 藤代博記
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：115, 号：156(ED2015 36-46), 開始ページ：45, 終了ページ：49, 2015年
東京 : 電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201502215755603232, CiNii Articles ID：40020559934, CiNii Books ID：AA1123312X

Recent progress and future prospects of AlGaN-based high-efficiency deep-ultraviolet light-emitting diodes　　　　　　　　　　　　　　　
Hideki Hirayama; Noritoshi Maeda; Sachie Fujikawa; Shiro Toyoda; Norihiko Kamata
Japanese Journal of Applied Physics, 巻：53, 号：10, 開始ページ：100209, 2014年10月, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.53.100209
DOI ID：10.7567/JJAP.53.100209, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, CiNii Articles ID：210000144519, Web of Science ID：WOS:000343212100011

III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析　　　　　　　　　　　　　　　
矢島悠貴; 大濱諒子; 藤川紗千恵; 藤代博記
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：114, 号：168(ED2014 53-61), 開始ページ：25, 終了ページ：28, 2014年
東京 : 電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201402254687160391, CiNii Articles ID：110009946922, CiNii Books ID：AA1123312X

貫通転位がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響の解析　　　　　　　　　　　　　　　
初芝正太; 長井彰平; 藤川紗千恵; 原紳介; 遠藤聡; 渡邊一世; 笠松章史; 藤代博記
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：114, 号：168(ED2014 53-61), 開始ページ：13, 終了ページ：18, 2014年
東京 : 電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201402284770844924, CiNii Articles ID：110009946920, CiNii Books ID：AA1123312X

AlGaN-based deep-UV LEDs fabricated on connected-pillar AlN buffer　　　　　　　　　　　　　　　
H. Hirayama; Y. Tomita; S. Toyoda; S. Fujikawa; N. Kamata
Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO - Technical Digest, 2013年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1109/CLEOPR.2013.6600208
DOI ID：10.1109/CLEOPR.2013.6600208, SCOPUS ID：84885436997

真空アニール法がAl₂O₃/GaSb MOS界面に与える影響　　　　　　　　　　　　　　　
後藤高寛; 後藤高寛; 藤川紗千恵; 藤代博記; 小倉睦郎; 安田哲二; 前田辰郎; 前田辰郎
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：113, 号：176(ED2013 37-49), 開始ページ：37, 終了ページ：42, 2013年
東京 : 電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201302233341815885, CiNii Articles ID：110009805999, CiNii Books ID：AA1123312X

AlGaN系深紫外LEDの進展　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 藤川紗千恵; 鎌田憲彦
電気学会論文誌 C, 巻：133, 号：8, 開始ページ：1443, 終了ページ：1448, 2013年, ［査読有り］
Deep-ultraviolet (DUV) light-emitting diodes (LEDs) are demanded for a wide variety of potential applications, such as sterilization, water and air purification, medical use, and so on. We have demonstrated 222-351nm AlGaN and quaternary InAlGaN-based DUV-LEDs by developing a low threading dislocation density (TDD) AlN crystal. We achieved an external quantum efficiency (EQE) of about 4% and an output power more than 30mW in DUV-LEDs for use in sterilization applications by developing new crystal growth techniques.
一般社団法人電気学会, 日本語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1541/ieejeiss.133.1443
DOI ID：10.1541/ieejeiss.133.1443, ISSN：0385-4221, eISSN：1348-8155, J-Global ID：201302264842618349, CiNii Articles ID：10031189032, CiNii Books ID：AN10065950

Comparative study on nano‐scale III‐V double‐gate MOSFETs with various channel materials　　　　　　　　　　　　　　　
Akio Nishida; Kei Hasegawa; Ryoko Ohama; Sachie Fujikawa; Shinsuke Hara; Hiroki I. Fujishiro
physica status solidi c, 巻：10, 号：11, 開始ページ：1413, 終了ページ：1416, 2013年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201300264
DOI ID：10.1002/pssc.201300264, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, Web of Science ID：WOS:000334583400016

AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み　　　　　　　　　　　　　　　
富田優志; 平山秀樹; 藤川紗千恵; 水澤克哉; 豊田史朗; 鎌田憲彦
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：112, 号：327(ED2012 65-92), 2012年
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201302222267092343

High‐efficiency AlGaN deep‐UV LEDs fabricated on a‐ and m‐axis oriented c‐plane sapphire substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Sachie Fujikawa; Hideki Hirayama; Noritoshi Maeda
physica status solidi c, 巻：9, 号：3-4, 開始ページ：790, 終了ページ：793, 2012年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.201100453
DOI ID：10.1002/pssc.201100453, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, Web of Science ID：WOS:000306521600093

284–300 nm Quaternary InAlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes on Si(111) Substrates　　　　　　　　　　　　　　　
Sachie Fujikawa; Hideki Hirayama
Applied Physics Express, 巻：4, 号：6, 開始ページ：061002, 2011年06月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/APEX.4.061002
DOI ID：10.1143/APEX.4.061002, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, CiNii Articles ID：210000015083, CiNii Books ID：AA12295133, Web of Science ID：WOS:000291479300002

m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製　　　　　　　　　　　　　　　
前田哲利; 藤川紗千恵; 平山秀樹
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：111, 号：292(LQE2011 96-122), 開始ページ：107, 終了ページ：112, 2011年, ［査読有り］
東京 : 電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201202264236980728, CiNii Articles ID：10031103582, CiNii Books ID：AA1123312X

First Achievement of Deep-UV LED on Si substrate　　　　　　　　　　　　　　　
Sachie Fujikawa; Hideki Hirayama
22ND IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE, 開始ページ：21, 終了ページ：22, 2010年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
Web of Science ID：WOS:000287413100011

222–282 nm AlGaN and InAlGaN‐based deep‐UV LEDs fabricated on high‐quality AlN on sapphire　　　　　　　　　　　　　　　
Hideki Hirayama; Sachie Fujikawa; Norimichi Noguchi; Jun Norimatsu; Takayoshi Takano; Kenji Tsubaki; Norihiko Kamata
physica status solidi (a), 巻：206, 号：6, 開始ページ：1176, 終了ページ：1182, 2009年06月, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.200880961
DOI ID：10.1002/pssa.200880961, ISSN：1862-6300, eISSN：1862-6319, Web of Science ID：WOS:000267527800012

Extremely high efficiency 280 nm‐band emission from quaternary InAlGaN quantum wells realized by controlling Si‐doped layers　　　　　　　　　　　　　　　
Sachie Fujikawa; Hideki Hirayama; Takayoshi Takano; Kenji Tsubaki
physica status solidi c, 巻：6, 号：S2, 開始ページ：S784, 終了ページ：S787, 2009年, ［査読有り］, ［筆頭著者］
英語
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200880955
DOI ID：10.1002/pssc.200880955, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, Web of Science ID：WOS:000294494400124

222-282 nm AlGaN and InAlGaN based deep-UV LEDs fabricated on high-quality AlN template　　　　　　　　　　　　　　　
Hideki Hirayama; Norimichi Noguchi; Sachie Fujikawa; Jun Norimatsu; Norihiko Kamata; Takayoshi Takano; Kenji Tsubaki
SPIE Proceedings, 巻：7216, 開始ページ：721621, 2009年, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1117/12.809729
DOI ID：10.1117/12.809729, ISSN：0277-786X, eISSN：1996-756X, Web of Science ID：WOS:000285752800032

Fabrication of a low threading dislocation density ELO‐AlN template for application to deep‐UV LEDs　　　　　　　　　　　　　　　
Hideki Hirayama; Sachie Fujikawa; Jun Norimatsu; Takayoshi Takano; Kenji Tsubaki; Norihiko Kamata
physica status solidi c, 巻：6, 号：S2, 開始ページ：S356, 終了ページ：S359, 2009年, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200880958
DOI ID：10.1002/pssc.200880958, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, Web of Science ID：WOS:000294494400017

Milliwatt power 270 nm‐band AlGaN deep‐UV LEDs fabricated on ELO‐AlN templates　　　　　　　　　　　　　　　
Hideki Hirayama; Jun Norimatsu; Norimichi Noguchi; Sachie Fujikawa; Takayoshi Takano; Kenji Tsubaki; Norihiko Kamata
physica status solidi c, 巻：6, 号：S2, 開始ページ：S474, 終了ページ：S477, 2009年, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200880959
DOI ID：10.1002/pssc.200880959, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, Web of Science ID：WOS:000294494400047

Realization of 270 nm band AlGaN based UV‐LEDs on large area AlN templates with high crystalline quality　　　　　　　　　　　　　　　
Takayoshi Takano; Hideki Hirayama; Sachie Fujikawa; Kenji Tsubaki
physica status solidi c, 巻：6, 号：S2, 開始ページ：S462, 終了ページ：S465, 2009年, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200880929
DOI ID：10.1002/pssc.200880929, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, Web of Science ID：WOS:000294494400044

Realization of 340-nm-Band High-Output-Power (>7 mW) InAlGaN Quantum Well Ultraviolet Light-Emitting Diode with p-Type InAlGaN　　　　　　　　　　　　　　　
Sachie Fujikawa; Takayoshi Takano; Yukihiro Kondo; Hideki Hirayama
Japanese Journal of Applied Physics, 巻：47, 号：4, 開始ページ：2941, 終了ページ：2944, 2008年04月, ［査読有り］, ［筆頭著者］
英語
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.47.2941
DOI ID：10.1143/JJAP.47.2941, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, CiNii Articles ID：40016003561, CiNii Books ID：AA12295836, Web of Science ID：WOS:000255449100133

Remarkable improvement in output power for an InAlGaN based ultraviolet LED by improving the crystalline quality of AlN/AlGaN templates　　　　　　　　　　　　　　　
T. Takano; S. Fujikawa; Y. Kondo; H. Hirayama
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6, 巻：5, 号：6, 開始ページ：2102, 終了ページ：2104, 2008年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200778455
DOI ID：10.1002/pssc.200778455, ISSN：1610-1634, Web of Science ID：WOS:000256695700191

ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED　　　　　　　　　　　　　　　
乗松潤; 乗松潤; 乗松潤; 平山秀樹; 平山秀樹; 平山秀樹; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 野口憲路; 野口憲路; 野口憲路; 高野隆好; 高野隆好; 椿健治; 椿健治; 鎌田憲彦; 鎌田憲彦
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：108, 号：321(ED2008 152-183), 開始ページ：77, 終了ページ：82, 2008年
東京 : 電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：200902227936433673, CiNii Articles ID：110007127194, CiNii Books ID：AA1123312X

P型InAlGaNを用いた340nm帯の高出力UV-LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
FUJIKAWA Sachie; TAKANO Takayoshi; TAKANO Takayoshi; KONDO Yukihiro; HIRAYAMA Hideki; HIRAYAMA Hideki
Journal of Light & Visual Environment, 巻：32, 号：2, 開始ページ：83, 終了ページ：87, 2008年, ［査読有り］
The Illuminating Engineering Institute of Japan, 英語
DOI：https://doi.org/10.2150/jlve.32.83
DOI ID：10.2150/jlve.32.83, ISSN：0387-8805, eISSN：1349-8398, J-Global ID：200902285903461922, CiNii Articles ID：110006663890, CiNii Books ID：AA00258424, SCOPUS ID：58549083605

Realization of 340 nm-band high-power InAlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by the suppression of electron overflow　　　　　　　　　　　　　　　
Sachie Fujikawa; Takayoshi Takano; Yukihiro Kondo; Hideki Hirayama
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6, 巻：5, 号：6, 開始ページ：2260, 終了ページ：+, 2008年
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200778666
DOI ID：10.1002/pssc.200778666, ISSN：1862-6351, Web of Science ID：WOS:000256695700241

340 nm‐band high‐power InAlGaN quantum well ultraviolet light‐emitting diode using p‐type InAlGaN layers　　　　　　　　　　　　　　　
Sachie Fujikawa; Takayoshi Takano; Yukihiro Kondo; Hideki Hirayama
physica status solidi c, 巻：5, 号：6, 開始ページ：2280, 終了ページ：+, 2008年, ［査読有り］
英語
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200778687
DOI ID：10.1002/pssc.200778687, ISSN：1862-6351, eISSN：1610-1642, Web of Science ID：WOS:000256695700247

Quaternary InAlGaN quantum-dot ultraviolet light-emitting diode emitting at 335 nm fabricated by anti-surfactant method　　　　　　　　　　　　　　　
Hideki Hirayama; Sachie Fujikawa
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6, 巻：5, 号：6, 開始ページ：2312, 終了ページ：2315, 2008年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200778732
DOI ID：10.1002/pssc.200778732, ISSN：1610-1634, Web of Science ID：WOS:000256695700257

■ MISC

サファイア基板上220~230nm far-UVC LEDの進展—Recent Progress of 230 nm AlGaN far-UVC LED on sapphire substrate—特集深紫外光デバイスの進展とその応用　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; Ajmal Muhammad Khan; 鹿嶋行雄; 松浦恵理子; 前田哲利; 牟田実広; 大神裕之; 毛利健吾; 河島宏和; 祝迫恭; 藤川紗千恵; 矢口裕之
Optronics : 光技術コーディネートジャーナル, 巻：43, 号：5, 開始ページ：76, 終了ページ：81, 2024年05月
東京 : オプトロニクス社, 日本語
ISSN：0286-9659, CiNii Books ID：AN00360965

希薄窒化物半導体のナローバンドギャップ領域の特性解析　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵
旭硝子財団助成研究成果報告, 巻：93, 開始ページ：n/a, 2024年
公益財団法人旭硝子財団, 英語
DOI：https://doi.org/10.50867/afreport.2024_057
DOI ID：10.50867/afreport.2024_057, ISSN：1882-0069, eISSN：2436-1631

深紫外光デバイスの進展とその応用サファイア基板上220~230nm far-UVC LEDの進展　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; KHAN Ajmal Muhammad; 鹿嶋行雄; 松浦恵理子; 前田哲利; 牟田実広; 大神裕之; 毛利健吾; 河島宏和; 祝迫恭; 藤川紗千恵; 矢口裕之
Optronics, 号：509, 2024年
ISSN：0286-9659, J-Global ID：202402241195880802

輝きと魅力を増す最近の光源生体無害ウイルス不活化を目指した230nm帯高出力far-UVC LEDの進展　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; KHAN Ajmal Muhammad; 鹿嶋行雄; 松浦恵理子; 前田哲利; 牟田実広; 大神裕之; 祝迫恭; 藤川紗千恵; 矢口裕之
光アライアンス, 巻：35, 号：7, 開始ページ：1, 終了ページ：7, 2024年
東京 : 日本工業出版, 日本語
ISSN：0917-026X, J-Global ID：202402249015186556, CiNii Books ID：AA11758790

窒素δドープGaAs中の等電子トラップに局在した励起子分子の束縛エネルギーに関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
矢野裕子; 高宮健吾; 藤川沙千恵; 八木修平; 矢口裕之; 小林真隆; 秋山英文
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：70th, 2023年
ISSN：2436-7613, J-Global ID：202302286333664872

230nm AlGaN far-UVC LEDの発光効率の量子井戸構造依存性　　　　　　　　　　　　　　　
永田裕弥; 永田裕弥; 仲元寺郁弥; 仲元寺郁弥; 前田哲利; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 矢口裕之; 祝迫恭; 平山秀樹
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：84th, 2023年
ISSN：2758-4704, J-Global ID：202402213347263220

221.5nm far-UVC AlGaN LEDにおけるEQE0.008%動作の実現　　　　　　　　　　　　　　　
中村勇稀; 中村勇稀; 住司光; 住司光; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 矢口裕之; 遠藤聡; 藤代博記; 祝迫恭; 平山秀樹
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：84th, 2023年
ISSN：2758-4704, J-Global ID：202402227511994383

DCスパッタ法によるInSb_1-xN_x薄膜の成長条件の検討　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：84th, 2023年
ISSN：2758-4704, J-Global ID：202402259309406796

230nm帯far-UVC LEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現　　　　　　　　　　　　　　　
牟田実広; 大神裕之; 毛利健吾; 河島宏和; 前田哲利; KHAN Ajmal; 鹿嶋行雄; 松浦恵里子; 中村祐樹; 住司光; 桐原大河; 藤川紗千恵; 矢口裕之; 祝迫恭; 平山秀樹
電子情報通信学会技術研究報告(Web), 巻：123, 号：288(ED2023 14-37), 2023年
ISSN：2432-6380, J-Global ID：202402226864927084

第一原理計算によるInSb_1-xN_x混晶の電子構造解析　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 藤原彬嵩; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：83rd, 2022年
ISSN：2758-4704, J-Global ID：202302211602775956

微傾斜サファイア基板上AlNの選択横方向成長　　　　　　　　　　　　　　　
斉藤貴大; 中村亮太; 藤川紗千恵; 金輝俊; 前田哲利; 岡田成仁; 平山秀樹; 只友一行
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2019.2, 開始ページ：3557, 終了ページ：3557, 2019年09月04日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3557
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3557, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201902247784326256

電子ブロック層の最適化による250nm AlGaN UVC-LEDの出力改善　　　　　　　　　　　　　　　
中村励志; 藤川紗千恵; 前田哲利; 遠藤聡; 藤代博記; 平山秀樹
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2019.2, 開始ページ：3282, 終了ページ：3282, 2019年09月04日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3282
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3282, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201902280190759466

AlGaNベース半導体レーザー応用におけるp-AlGaNクラッド層に及ぼすMg濃度およびエキシマレーザーアニーリングの効果　　　　　　　　　　　　　　　
KHAN M. Ajmal; BERMUNDO Juan Paolo; ISHIKAWA Yasuaki; IKENOUE Hiroshi; FUJIKAWA Sachie; MAEDA Noritoshi; JO Masafumi; HIRAYAMA Hideki
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：80th, 開始ページ：3462, 終了ページ：3462, 2019年
英語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3462
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3462, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201902241960379540

240nm帯AlGaN UVC-LEDの高出力化の検討　　　　　　　　　　　　　　　
石黒稔也; 中村励志; 藤川紗千恵; 前田哲利; 町田龍人; 藤代博記; 平山秀樹
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2018.2, 開始ページ：3337, 終了ページ：3337, 2018年09月05日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3337
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3337, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201802263821409098

選択横方向成長による高品質AlNのストライプ方位依存性　　　　　　　　　　　　　　　
斉藤貴大; KIM F.; 藤川紗千恵; 前田哲利; 岡田成仁; 平山秀樹; 只友一行
応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集, 巻：2018, 2018年
J-Global ID：201902284056145360

AlNの選択横方向成長におけるストライプ方位依存性　　　　　　　　　　　　　　　
KIM F.; 斉藤貴大; 藤川紗知恵; 前田哲利; 岡田成仁; 平山秀樹; 只友一行
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：79th, 開始ページ：3281, 終了ページ：3281, 2018年
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3281
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3281, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201802274876637183

GaN系QCL実現に向けたSi基板上GaN/AlGaN超格子構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 石黒稔也; 王科; 藤代博記; 平山秀樹
光量子工学研究第6回理研シンポジウム平成30年, 2018年
J-Global ID：201902221302491292

低温成長InSbがGaAs基板上InSb薄膜成長に与える影響　　　　　　　　　　　　　　　
渡邊優介; 椎野響太; 伊藤峰水; 鈴木浩基; 藤川紗千恵; 町田龍人; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2017.2, 開始ページ：3308, 終了ページ：3308, 2017年08月25日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3308
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3308, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201702252467025188

GaSb薄膜／ドット核形成層を用いたSi(100)基板上のGaSb/AlGaSb MQW構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
町田龍人; 赤羽浩一; 渡邊一世; 原紳介; 藤川紗千恵; 笠松章史; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2017.2, 開始ページ：3305, 終了ページ：3305, 2017年08月25日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3305
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3305, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201702235605857116

Si基板上へのGaN系THz-QCL構造のMOCVD成長と評価　　　　　　　　　　　　　　　
石黒稔也; 藤川紗千恵; 王科; 前田哲利; 町田龍人; 藤代博記; 平山秀樹
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2017.2, 開始ページ：3411, 終了ページ：3411, 2017年08月25日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3411
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3411, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201702258071799168

GaAs(100)基板上ヘテロエピタキシャルGaSb薄膜成長の界面制御　　　　　　　　　　　　　　　
伊藤峰水; 鈴木浩基; 渡邊優介; 藤川紗千恵; 町田龍人; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2017.2, 開始ページ：3306, 終了ページ：3306, 2017年08月25日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3306
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3306, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201702248628355414

Ge基板上のAl₂O₃膜の構造変化と熱輸送特性　　　　　　　　　　　　　　　
中島佑太; 藤代博記; 藤川紗千恵; 前田辰郎; 服部淳一; 福田浩一; 内田紀行
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2017.1, 開始ページ：3052, 終了ページ：3052, 2017年03月01日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3052
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3052, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201702239991867551

InSb/Ga_0.35In_0.65Sb複合チャネル構造の電気的特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
岩木拓也; 原田義彬; 竹内淳; 藤川紗千恵; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2017.1, 開始ページ：3169, 終了ページ：3169, 2017年03月01日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3169
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3169, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201702250993226860

アンチモン系トランジスタの開発　　　　　　　　　　　　　　　
藤代博記; 藤川紗千恵; 町田龍人
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：117, 号：364, 開始ページ：33, 終了ページ：36, 2017年
電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201802225646480231, CiNii Articles ID：40021432497, CiNii Books ID：AA1123312X

Research and Development of InP, GaN and InSb-Based HEMTs and MMICs for Terahertz-Wave Wireless Communications　　　　　　　　　　　　　　　
Hideaki Matsuzaki; Kyousuke Isono; Makoto Yaita; Yasuhiro Nakasha; Amine El Moutaouakil; Y. Yamashita; Osamu Kagami; Shinsuke Hara; Hiroki Fujishiro; Daisuke Tsuji; Akifumi Kasamatsu; Hiroshi Hamada; Naoki Hara; Iwao Hosako; Tsuyoshi Takahashi; Issei Watanabe; Yoichi Kawano; Sachie Fujikawa; Toshihiko Kosugi; Akira Endoh
2016 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS), 開始ページ：1, 終了ページ：4, 2016年10月01日
We have improved the performances of InP-based HEMTs and MMICs for terahertz-wave wireless communications using a high frequency carrier wave around 300 GHz in an R&D program launched by the Ministry of Internal Affairs and Communications, Japan (MIC). Furthermore, we also have developed GaN and InSb-based HEMTs in another research. In this paper, we demonstrated the performances of InP, GaN and InSb-HEMTs, and InP-MMICs for power amplifier and low-noise amplifier operated around 300 GHz.
IEEE
DOI：https://doi.org/10.1109/csics.2016.7751063
DOI ID：10.1109/csics.2016.7751063

蒸着SiO_x膜を用いたf_T = 300GHz超InSb-HEMTの作製　　　　　　　　　　　　　　　
辻大介; 磯野恭佑; 竹鶴達哉; 藤川紗千恵; 渡邊一世; 山下良美; 遠藤聡; 原紳介; 笠松章史; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2016.1, 開始ページ：3147, 終了ページ：3147, 2016年03月03日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3147
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3147, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201602207975692184

高密度GaSbドットを用いたSi(100)基板上のGaSb薄膜成長　　　　　　　　　　　　　　　
町田龍人; 戸田隆介; 藤川紗千恵; 原紳介; 渡邊一世; 赤羽浩一; 笠松章史; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2016.1, 開始ページ：3351, 終了ページ：3351, 2016年03月03日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3351
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3351, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201602218847969221

3次元ICに向けた多結晶InSb MOSFETの電気特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
高橋正紘; 藤川紗千恵; 藤代博記; 入沢寿史; 富永淳二; 前田辰郎
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2016.1, 開始ページ：3032, 終了ページ：3032, 2016年03月03日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3032
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3032, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201502206072752918

SLS回数と成長温度の最適化によるInSb-HEMT構造の電気的特性向上　　　　　　　　　　　　　　　
加藤三四郎; 宮下愛理; 藤川紗千恵; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2016.1, 開始ページ：3104, 終了ページ：3104, 2016年03月03日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3104
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3104, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201602214620442973

In_1-xGa_xSb量子井戸構造の電気的特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
原田義彬; 岡直希; 藤川紗千恵; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2016.1, 開始ページ：3350, 終了ページ：3350, 2016年03月03日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3350
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3350, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201602211686503591

糖尿病患者における血糖値およびHbA1c予測の有用性に関する検討　　　　　　　　　　　　　　　
杉本由里; 川上由香里; 藤川千春; 吉村早百合; 藤田美幸; 高橋幸栄; 松野華子; 久川奈緒子; 池田幸雄
糖尿病(Web), 巻：59, 号：1, 2016年
ISSN：1881-588X, J-Global ID：201802244550471447

Improved electron transport properties of InSb quantum well structure using stepped buffer layer for strain reduction　　　　　　　　　　　　　　　
Daisuke Tsuji; Tatsurou Maeda; Hiroki Fujishiro; Sachie Fujikawa; Tatsuya Taketsuru
Journal of Crystal Growth, 巻：425, 開始ページ：64, 終了ページ：69, 2015年09月01日
Abstract We investigated a high-quality novel AlInSb buffer layer to increase the electron mobility of an InSb quantum well (QW) structure, which was grown on a (1 0 0) GaAs substrate by molecular beam epitaxy. We achieved high electron mobility in the InSb QW structure using an Al 0.25 In 0.75 Sb/Al 0.15 In 0.85 Sb stepped buffer layer and realized reduced compressive strain and improved surface roughness. In addition, we investigated the dependence of the Al 0.25 In 0.75 Sb layer thickness in the Al 0.25 In 0.75 Sb/Al 0.15 In 0.85 Sb stepped buffer layer on the electron mobility characteristics. We only obtained increased electron mobility using the Al 0.25 In 0.75 Sb layer within a critical thickness range.
Elsevier BV
DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.02.047
DOI ID：10.1016/j.jcrysgro.2015.02.047, ISSN：0022-0248

3次元ICに向けた多結晶InSb薄膜の電気特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
高橋正紘; 藤川沙千恵; 藤代博記; 入沢寿史; 富永淳二; 前田辰郎
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.2, 開始ページ：2759, 終了ページ：2759, 2015年08月31日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2759
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2759, eISSN：2436-7613

Al/Si(111)-√3×√3表面再構成構造上GaSb初期成長過程の温度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
緒方悟公; 町田龍人; 石井達也; 藤川紗千恵; 原紳介; 色川勝己; 三木裕文; 河津璋; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.2, 開始ページ：1436, 終了ページ：1436, 2015年08月31日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1436
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_1436, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201502213892956859

InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の膜質評価　　　　　　　　　　　　　　　
原紳介; 渡邊一世; 竹鶴達哉; 辻大介; 藤川紗千恵; 藤代博記; 赤羽浩一; 笠松章史
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.2, 開始ページ：3037, 終了ページ：3037, 2015年08月31日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3037
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3037, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201502203622152078

ナノスケールIII‐V HEMTの雑音解析　　　　　　　　　　　　　　　
高橋択斗; 初芝正太; 藤川紗千恵; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.2, 開始ページ：2772, 終了ページ：2772, 2015年08月31日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2772
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2772, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201502200744094770

GaAs(100)基板上のInSb/GaSb結晶のオフ角依存性　　　　　　　　　　　　　　　
鈴木浩基; 藤川紗千恵; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.2, 開始ページ：3040, 終了ページ：3040, 2015年08月31日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3040
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3040, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201502211471579034

AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性—Electron transport characteristics of strain reduced InSb QW structure with AlInSb stepped buffer layer—電子デバイス　　　　　　　　　　　　　　　
竹鶴達哉; 藤川紗千恵; 原田義彬
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 巻：115, 号：156, 開始ページ：45, 終了ページ：49, 2015年07月
電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201502215755603232, CiNii Articles ID：40020559934, CiNii Books ID：AA1123312X

InSb HEMT作製におけるプロセスダメージの検討　　　　　　　　　　　　　　　
前田章臣; 辻大介; 竹鶴達哉; 藤川紗千恵; 藤代博記; 渡邊一世; 山下良美; 遠藤聡; 原紳介; 笠松章史
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.1, 開始ページ：3001, 終了ページ：3001, 2015年02月26日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3001
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3001, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201502209963471446

GaSb表面の純窒化プロセスの検討　　　　　　　　　　　　　　　
後藤高寛; 藤川紗千恵; 藤代博記; 小倉睦郎; 安田哲二; 前田辰郎
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2015.1, 開始ページ：2816, 終了ページ：2816, 2015年02月26日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2816
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2816, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201502231377794878

貫通転位が InSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析　　　　　　　　　　　　　　　
初芝正太; 長井彰平; 藤川紗千恵; 原紳介; 遠藤聡; 渡邊一世; 笠松章史; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.2, 号：168(ED2014 53-61), 開始ページ：3937, 終了ページ：3937, 2014年09月01日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3937
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3937, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201402299065371321

窒素プラズマ処理を施したAl₂O₃/GaSb MOS構造の特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
後藤高寛; 藤川紗千恵; 藤代博記; 小倉睦郎; 安田祐介; 前田辰郎
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.2, 開始ページ：2664, 終了ページ：2664, 2014年09月01日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_2664
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_2664, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201402249518703064

Ga/Si(100)表面再構成構造上GaSb 3次元島の成長形態解析　　　　　　　　　　　　　　　
戸田隆介; 町田龍人; 緒方悟公; 藤川紗千恵; 原紳介; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.2, 開始ページ：1371, 終了ページ：1371, 2014年09月01日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_1371
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_1371, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201402287844610440

グレーデッドバッファ層を導入したInSb HEMT構造の作製と評価　　　　　　　　　　　　　　　
竹鶴達哉; 前田章臣; 辻大介; 藤川紗千恵; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.2, 開始ページ：3133, 終了ページ：3133, 2014年09月01日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3133
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3133, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201402296867295494

貫通転位がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響の解析—Analysis of effects of dislocation scattering on device characteristics of InSb HEMT—電子デバイス　　　　　　　　　　　　　　　
初芝正太; 長井彰平; 藤川紗千恵
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 巻：114, 号：168, 開始ページ：13, 終了ページ：18, 2014年08月01日
電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201402284770844924, CiNii Articles ID：110009946920, CiNii Books ID：AA1123312X

Ⅲ-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析—Analysis of Mechanisms of Delay Time Generation in Ⅲ-V DG MOSFETs—電子デバイス　　　　　　　　　　　　　　　
矢島悠貴; 大濱諒子; 藤川紗千恵
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 巻：114, 号：168, 開始ページ：25, 終了ページ：28, 2014年08月01日
電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201402254687160391, CiNii Articles ID：110009946922, CiNii Books ID：AA1123312X

歪緩和AlInSbバッファー層を用いたInSb-HEMT構造の作製と評価　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高木裕介; 前田章臣; 古仲佑太朗; 原紳介; 渡邉一世; 遠藤聡; 山下良美; 笠松章史; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.1, 開始ページ：2999, 終了ページ：2999, 2014年03月03日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2999
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2999, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201402239902800977

ラフネス・転位散乱がInSb HEMTの特性に与える影響の解析　　　　　　　　　　　　　　　
長井彰平; 永井佑太郎; 藤川紗千恵; 原紳介; 遠藤聡; 渡邊一世; 笠松章史; 藤代博記; 初芝正太
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.1, 開始ページ：3059, 終了ページ：3059, 2014年03月03日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3059
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3059, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201402232355535584

Al₂O₃/GaSb MOS界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討　　　　　　　　　　　　　　　
後藤高寛; 藤川紗千恵; 藤代博記; 小倉睦郎; 安田哲二; 前田辰郎
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.1, 開始ページ：2719, 終了ページ：2719, 2014年03月03日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2719
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2719, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201402252219474220

各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの遅延時間解析　　　　　　　　　　　　　　　
矢島悠貴; 大濱諒子; 西田明央; 藤川紗千恵; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.1, 開始ページ：3060, 終了ページ：3060, 2014年03月03日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3060
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3060, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201402242698449220

ナローバンドギャップデバイス応用にむけたInAsxSb1-x結晶の作製と特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高木裕介; 前田章臣; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2014.1, 開始ページ：3272, 終了ページ：3272, 2014年03月03日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3272
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3272, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201402228029314422

病棟薬剤業務の評価~医師・看護師へのアンケート調査~　　　　　　　　　　　　　　　
藤川亜衣; 万徳真子; 赤木紗智枝; 山根彩香; 笹木史絵; 峯駒美子; 古野孝明; 富田哲夫; 川口健; 半田寛; 吉國淑子; 古川友美子; 大鎗久美子; 今井圭介
広島県病院薬剤師会誌, 巻：49, 号：4, 2014年
ISSN：1344-0225, J-Global ID：201502269635268164

深紫外LED高効率化への新たな展開素子透明化によるAlGaN深紫外LEDの光取出し効率の高効率化　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 前田哲利; 藤川紗知恵; 豊田史朗; 鎌田憲彦
Optronics, 号：386, 2014年
ISSN：0286-9659, J-Global ID：201402231727183985

III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析　　　　　　　　　　　　　　　
矢島悠貴; 大濱諒子; 藤川紗千恵; 藤代博記
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：114, 号：168(ED2014 53-61), 2014年
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201402254687160391

窒化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術　　　　　　　　　　　　　　　
鹿嶋行雄; 松浦恵里子; 嶋谷聡; 小久保光典; 田代貴晴; 大川貴史; 上村隆一郎; 長田大和; 藤川紗千恵; 平山秀樹
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：114, 号：336(ED2014 73-97), 開始ページ：27, 終了ページ：32, 2014年
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201502252908228330

光•電子デバイスの研究に携わって　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵
映像情報メディア学会誌, 巻：68, 号：12, 開始ページ：922, 終了ページ：923, 2014年
一般社団法人映像情報メディア学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.3169/itej.68.922
DOI ID：10.3169/itej.68.922, ISSN：1342-6907, eISSN：1881-6908, CiNii Articles ID：110009892567, CiNii Books ID：AN10588970

各種チャネル材料を用いたナノスケールHEMTの周波数限界　　　　　　　　　　　　　　　
長井彰平; 永井佑太郎; 藤川紗千恵; 原紳介; 遠藤聡; 渡邊一世; 笠松章史; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.2, 開始ページ：3738, 終了ページ：3738, 2013年08月31日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3738
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3738, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201302280579100734

GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証　　　　　　　　　　　　　　　
後藤高寛; 藤川紗千恵; 藤代博記; 小倉睦郞; 安田哲二; 前田辰郎
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.2, 開始ページ：3470, 終了ページ：3470, 2013年08月31日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3470
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3470, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201302279302347262

各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの特性解析　　　　　　　　　　　　　　　
大濱諒子; 西田明央; 藤川紗千恵; 藤代博記
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：2013.2, 開始ページ：3739, 終了ページ：3739, 2013年08月31日
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3739
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3739, ISSN：2758-4704, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201302244916997338

真空アニール法がAl₂O₃/GaSb MOS界面に与える影響—Effect of Vacuum Annealing on Al₂O₃/GaSb MOS Interfaces—電子デバイス　　　　　　　　　　　　　　　
後藤高寛; 藤川紗千恵; 藤代博記
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 巻：113, 号：176, 開始ページ：37, 終了ページ：42, 2013年08月
電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201302233341815885, CiNii Articles ID：110009805999, CiNii Books ID：AA1123312X

病棟薬剤業務実施加算の取得へ向けての取り組み　　　　　　　　　　　　　　　
峯駒美子; 万徳真子; 赤木紗智枝; 山根彩香; 笹木史絵; 藤川亜衣; 宮内隆志; 古野孝明; 富田哲夫; 川口健; 半田寛; 吉國淑子; 棟久友美子; 土井久美子; 今井圭介
医療薬学フォーラム講演要旨集, 巻：21st, 2013年
ISSN：1348-0863, J-Global ID：201302278880817020

真空アニール法がAl₂O₃/GaSb MOS界面に与える影響　　　　　　　　　　　　　　　
後藤高寛; 後藤高寛; 藤川紗千恵; 藤代博記; 小倉睦郎; 安田哲二; 前田辰郎; 前田辰郎
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：113, 号：176(ED2013 37-49), 2013年
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201302233341815885

Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成　　　　　　　　　　　　　　　
町田龍人; 戸田隆介; 吉木圭祐; 藤川紗千恵; 原紳介; 色川勝己; 三木裕文; 河津璋; 藤代博記
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：113, 号：176(ED2013 37-49), 2013年
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201302280443904120

結合ピラーAlNバッファーを用いた高効率深紫外LEDの検討　　　　　　　　　　　　　　　
富田優志; 富田優志; 豊田史朗; 豊田史朗; 藤川紗千恵; 鎌田憲彦; 鎌田憲彦; 平山秀樹; 平山秀樹
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：60th, 開始ページ：3214, 終了ページ：3214, 2013年
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3214
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3214, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201302207021357306

p-AlGaN透明コンタクト層を用いた280nm帯深紫外LEDの高効率化　　　　　　　　　　　　　　　
前田哲利; 藤川紗千恵; 平山秀樹; 前田哲利; 藤川紗千恵; 平山秀樹
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：60th, 開始ページ：3194, 終了ページ：3194, 2013年
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3194
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3194, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201302240637199582

深紫外LEDバッファー用結合ピラーAlNの結晶成長　　　　　　　　　　　　　　　
豊田史朗; 豊田史朗; 富田優志; 富田優志; 藤川紗千恵; 鎌田憲彦; 鎌田憲彦; 平山秀樹; 平山秀樹
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：60th, 開始ページ：3213, 終了ページ：3213, 2013年
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3213
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3213, ISSN：2436-7613, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201302263559623062

AlGaN系深紫外LEDの進展　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 藤川紗千恵; 鎌田憲彦
電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌）, 巻：133, 号：8, 開始ページ：1443, 終了ページ：1448, 2013年
Deep-ultraviolet (DUV) light-emitting diodes (LEDs) are demanded for a wide variety of potential applications, such as sterilization, water and air purification, medical use, and so on. We have demonstrated 222-351nm AlGaN and quaternary InAlGaN-based DUV-LEDs by developing a low threading dislocation density (TDD) AlN crystal. We achieved an external quantum efficiency (EQE) of about 4% and an output power more than 30mW in DUV-LEDs for use in sterilization applications by developing new crystal growth techniques.
一般社団法人電気学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.1541/ieejeiss.133.1443
DOI ID：10.1541/ieejeiss.133.1443, ISSN：0385-4221, eISSN：1348-8155, J-Global ID：201302264842618349, CiNii Articles ID：10031189032, CiNii Books ID：AN10065950

AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み—Approaches for improving efficiency of AlGaN-based deep-UV LEDs—電子部品・材料　　　　　　　　　　　　　　　
富田優志; 平山秀樹; 藤川紗千恵
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 巻：112, 号：328, 開始ページ：87, 終了ページ：92, 2012年11月
電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201302222267092343, CiNii Articles ID：110009641957, CiNii Books ID：AA1123312X

確率論的安全評価のための広帯域地震動群の作成手法と適用例　　　　　　　　　　　　　　　
藤川智; 佐藤智美; 山本祥江; 森井雄史
日本原子力学会春の年会予稿集(CD-ROM), 巻：2012, 2012年
J-Global ID：201202211927268840

AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み　　　　　　　　　　　　　　　
富田優志; 平山秀樹; 藤川紗千恵; 水澤克哉; 豊田史朗; 鎌田憲彦
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：112, 号：327(ED2012 65-92), 開始ページ：87, 終了ページ：92, 2012年
東京 : 電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201302222267092343, CiNii Articles ID：110009641957, CiNii Books ID：AA1123312X

フォトニック結晶を用いたAlGaN系深紫外LEDの高効率化　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 平山秀樹; 平山秀樹; 鹿嶋行雄; 西原浩巳; 田代貴晴; 大川貴史; YOUN Sung Won; 高木秀樹
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：73rd, 開始ページ：3347, 終了ページ：3347, 2012年
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_3347
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_3347, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201202264138381417

m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製　　　　　　　　　　　　　　　
前田哲利; 藤川紗千恵; 平山秀樹
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス, 巻：111, 号：290, 開始ページ：107, 終了ページ：112, 2011年11月10日, ［査読有り］
電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：201202264236980728, CiNii Articles ID：10031104187, CiNii Books ID：AN10012954

AlGaN系深紫外LEDの進展と展望　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 藤川紗千恵; 塚田悠介; 鎌田憲彦
応用物理, 巻：80, 号：4, 開始ページ：319, 終了ページ：324, 2011年04月10日, ［査読有り］
深紫外LED，LDは，殺菌・浄水，医療，照明，高密度光記録，環境破壊物質の高速分解処理など幅広い応用が考えられ，その実現が期待されている．本研究ではAlGaN系半導体を用いて222〜351nmの広い波長領域の深紫外LEDを実現し，特に殺菌用途波長において実用レベルの高出力を実現した．パルス状ガス供給法を用いた低貫通転位密度AlN結晶成長法を開発し，深紫外発光効率を飛躍的に向上させ，50〜80％程度の高い内部量子効率を実現した．また，多重量子障壁の導入により電子注入効率を大幅に向上させ，CW出力30mWの高出力深紫外LEDを実現した．
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/oubutsu.80.4_319
DOI ID：10.11470/oubutsu.80.4_319, ISSN：0369-8009, eISSN：2188-2290, J-Global ID：201102224899395412, CiNii Articles ID：10027969857, CiNii Books ID：AN00026679

殺菌への実用を目指したSi基板上深紫外LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹
エクストリームフォトニクス研究第12回理研・分子研合同シンポジウム平成23年, 2011年
J-Global ID：201202254430600620

応用物理
藤川紗千恵
AlGaN系深紫外LEDの進展と展望, 巻：4月号, 2011年

a軸方向傾斜c面サファイア上に作製した高効率深紫外LED　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵
第58回応用物理学関係連合講演会, 2011, 巻：58th, 開始ページ：3599, 終了ページ：3599, 2011年
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3599
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3599, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201102277405115354, CiNii Articles ID：10029622893

Si基板上280nm帯InAlGaN深紫外LED　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 平山秀樹; 平山秀樹
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：71st, 開始ページ：3274, 終了ページ：3274, 2010年
公益社団法人応用物理学会, 日本語
DOI：https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_3274
DOI ID：10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_3274, eISSN：2436-7613, J-Global ID：201002247071350175

LED-15 p-InAlGaN4元混晶を用いた340nm帯高出力紫外LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵
照明学会誌, 巻：93, 号：6, 開始ページ：373, 終了ページ：374, 2009年06月01日
一般社団法人照明学会, 日本語
ISSN：0019-2341, CiNii Articles ID：110007327049, CiNii Books ID：AN00268860

InAlGaN四元混晶半導体を用いた深紫外発光量子ドットの作製　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 藤川紗千恵; 平山秀樹; 平山秀樹; 杉山正和; 杉山正和
応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 巻：56th, 号：1, 2009年
J-Global ID：200902232415539673

250nm帯InAlGaN量子井戸紫外LEDのサブミリワット出力動作　　　　　　　　　　　　　　　
塚田悠介; 塚田悠介; 平山秀樹; 平山秀樹; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 野口憲路; 野口憲路; 野口憲路; 鎌田憲彦; 鎌田憲彦
応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 巻：56th, 号：1, 2009年
J-Global ID：200902264425540156

2”×3MOCVDを用いた核形成層制御によるサファイア基板上AlNの高品質化　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 高野隆好; 藤川紗千恵; 平山秀樹; 椿健治; 椿健治
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：70th, 号：1, 2009年
J-Global ID：200902243054387670

280nm帯紫外LEDにおけるInAlGaNの極低速成長の重要性　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 平山秀樹; 平山秀樹; 高野隆好; 高野隆好; 椿健治; 椿健治
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：70th, 号：1, 2009年
J-Global ID：200902204412849805

Siドーピングによる250nm帯InドープAlGaN量子井戸LED高効率化の検討　　　　　　　　　　　　　　　
塚田悠介; 塚田悠介; 塚田悠介; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 平山秀樹; 平山秀樹; 乗松潤; 乗松潤; 乗松潤; 鎌田憲彦; 鎌田憲彦
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：70th, 号：1, 2009年
J-Global ID：200902279740820407

In混入AlGaNの発光およびp型特性と高効率深紫外LEDへの応用　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 平山秀樹; 平山秀樹; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 塚田悠介; 塚田悠介; 塚田悠介; 乗松潤; 乗松潤; 乗松潤; 高野隆好; 高野隆好; 野口憲路; 野口憲路; 椿健治; 鎌田憲彦; 鎌田憲彦
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：70th, 2009年
J-Global ID：200902273859255629

280nm帯InAlGaN高出力紫外LED—280nm-band InAlGaN-based high-power UV LEDs—レーザ・量子エレクトロニクス　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 藤川紗千恵; 高野隆好
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 巻：108, 号：323, 開始ページ：83, 終了ページ：88, 2008年11月
電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：200902276527657404, CiNii Articles ID：110007127193, CiNii Books ID：AA1123312X

ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED—270nm-band AlGaN deep-UV LEDs fabricated on ELO-AlN templates—電子デバイス　　　　　　　　　　　　　　　
乗松潤; 平山秀樹; 藤川紗千恵
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 巻：108, 号：321, 開始ページ：77, 終了ページ：82, 2008年11月
電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：200902227936433673, CiNii Articles ID：110007127194, CiNii Books ID：AA1123312X

InAlGaN4元混晶を用いた280nm帯深紫外LED　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹; 平山秀樹; 高野隆好; 高野隆好; 椿健治; 椿健治
応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 巻：55th, 号：1, 2008年
J-Global ID：200902206165005685

量産対応型MOCVDによる270nm帯高出力深紫外LEDの検討　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 高野隆好; 藤川紗千恵; 椿健治; 椿健治; 平山秀樹; 平山秀樹
応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 巻：55th, 号：1, 2008年
J-Global ID：200902245338577545

ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN-LEDのCWミリワット出力動作　　　　　　　　　　　　　　　
乗松潤; 乗松潤; 乗松潤; 平山秀樹; 平山秀樹; 平山秀樹; 野口憲路; 野口憲路; 野口憲路; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 高野隆好; 椿健治; 鎌田憲彦; 鎌田憲彦
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：69th, 号：1, 2008年
J-Global ID：200902208599452763

SiモジュレーションドープInAlGaN発光層を用いた280nm帯紫外LEDの10mW出力動作　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 平山秀樹; 平山秀樹; 高野隆好; 高野隆好; 椿健治; 椿健治
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：69th, 号：1, 2008年
J-Global ID：200902235584658613

紫外LED用低貫通転位密度ELO-AlNテンプレートの作製　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 平山秀樹; 平山秀樹; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 乗松潤; 乗松潤; 乗松潤; 高野隆好; 高野隆好; 椿健治; 椿健治; 鎌田憲彦; 鎌田憲彦
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：69th, 号：1, 2008年
J-Global ID：200902286364863538

280nm帯InAlGaN高出力紫外LED　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 平山秀樹; 平山秀樹; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 藤川紗千恵; 高野隆好; 高野隆好; 椿健治; 椿健治
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：108, 号：321(ED2008 152-183), 開始ページ：83, 終了ページ：88, 2008年
東京 : 電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：200902276527657404, CiNii Articles ID：110007127193, CiNii Books ID：AA1123312X

p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED—340nm-band high-power UV-LED using p-type InAlGaN layers and high-quality AlN buffer—レーザ・量子エレクトロニクス　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高野隆好; 近藤行廣
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 巻：107, 号：253, 開始ページ：29, 終了ページ：34, 2007年10月
電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：200902226787430740, CiNii Articles ID：110006453382, CiNii Books ID：AA1123312X

Realization of 340nm-band high-power (>7mW) InAlGaN quantum well UV-LED with p-type InAlGaN　　　　　　　　　　　　　　　
FUJIKAWA Sachie; TAKANO Takayoshi; KONDO Yukihiro; HIRAYAMA Hideki
巻：2007, 開始ページ：998, 終了ページ：999, 2007年09月19日
英語
CiNii Articles ID：10022551430, CiNii Books ID：AA10777858

250-350nm帯AlGaN系紫外高輝度LEDの開発—特集 LED照明の最近の動向　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 高野隆好; 藤川紗千恵
O plus E : Optics + electronics, 巻：29, 号：6, 開始ページ：572, 終了ページ：581, 2007年06月
アドコム・メディア, 日本語
ISSN：0911-5943, J-Global ID：200902274738722854, CiNii Articles ID：40015507883, CiNii Books ID：AN00360954

AlN/AlGaNテンプレート改善による出力16mW以上InAlGaN紫外LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 高野隆好; 藤川紗千恵; 近藤行廣; 近藤行廣; 平山秀樹
応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 巻：54th, 号：1, 2007年
J-Global ID：200902201725740872

230-350nm窒化物深紫外LEDの進展と今後の展望　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 谷田部透; 谷田部透; 野口憲路; 野口憲路; 藤川紗千恵; 高野隆好; 高野隆好; 鎌田憲彦; 近藤行廣
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：68th, 2007年
J-Global ID：200902213635367909

電子注入機構の最適化によるInAlGaN紫外LEDの高出力化　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高野隆好; 高野隆好; 近藤行廣; 近藤行廣; 平山秀樹
応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 巻：54th, 号：1, 2007年
J-Global ID：200902218499336486

P-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高野隆好; 近藤行廣; 平山秀樹
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：107, 号：253(LQE2007 57-79), 開始ページ：29, 終了ページ：34, 2007年
東京 : 電子情報通信学会, 日本語
ISSN：0913-5685, J-Global ID：200902226787430740, CiNii Articles ID：110006453382, CiNii Books ID：AA1123312X

p型InAlGaN 4元混晶を用いた340nm帯高出力(>16mW)紫外LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高野隆好; 高野隆好; 近藤行廣; 近藤行廣; 平山秀樹
応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 巻：54th, 号：1, 2007年
J-Global ID：200902252151866817

深紫外発光InAlGaN 4元混晶量子ドットの形成と電流注入発光　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：68th, 号：1, 2007年
J-Global ID：200902252197780500

InAlGaN窒化物4元混晶を用いた高出力紫外LEDの開発　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 高野隆好; 藤川紗千恵; 大橋智昭; 谷田部徹; 鎌田憲彦; 近藤行廣
電気学会研究会資料. OQD, 光・量子デバイス研究会, 巻：2006, 号：37, 開始ページ：5, 終了ページ：10, 2006年12月08日
日本語
J-Global ID：200902282847792563, CiNii Articles ID：10018459460, CiNii Books ID：AN00140211

InAlGaN4元混晶紫外LEDの高出力化の検討　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 高野隆好; 藤川紗千恵; 近藤行広; 近藤行広; 平山秀樹
応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 巻：53rd, 号：1, 2006年
J-Global ID：200902209704351656

AlGaN系紫外LEDのLLOプロセスにおけるKOHエッチング効果　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高野隆好; 高野隆好; 平山秀樹; 近藤行廣; 近藤行廣
応用物理学会学術講演会講演予稿集, 巻：67th, 号：1, 2006年
J-Global ID：200902263288114547

手術や処置を受ける患児の不安表出・軽減の試み-ホスピタルドールを導入して-　　　　　　　　　　　　　　　
山口幸江; 小川千鶴; 藤川美弥; 本間瞳子; 畑中映恵; 高橋智美; 山本悦代; 村田雅子; 山田泰子
日本小児外科学会雑誌, 巻：41, 号：1, 2005年
ISSN：0288-609X, J-Global ID：200902263646542378

330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 高野隆好; 大橋智昭; 大橋智昭; 藤川紗千恵; 鎌田憲彦; 近藤行広
電子情報通信学会技術研究報告, 巻：105, 号：326(ED2005 139-156), 2005年
ISSN：0913-5685, J-Global ID：200902275720842883

微小血管吻合術による口腔再建の不良症例の検討　　　　　　　　　　　　　　　
柴原孝彦; 野間弘康; 山内智博; 山口晋一; 藤川真紀; 野村幸恵
日本口腔科学会雑誌, 巻：51, 号：4, 2002年
ISSN：0029-0297, J-Global ID：200902184765526979

診断に苦慮した下顎腺様嚢胞癌の一例　　　　　　　　　　　　　　　
高野正行; 野村幸恵; 柿沢卓; 藤川真紀; 野村武史; 矢島安朝; 柴原孝彦; 野間弘康; 山満
日本口腔腫瘍学会誌, 巻：12, 号：3, 2000年
ISSN：0915-5988, J-Global ID：200902108648332626

塞栓術が有効であった巨大なcirsoid hemangiomaの治療経験　　　　　　　　　　　　　　　
矢村宗久; 隅田さちえ; 宮本義洋; 藤川光一
交通医学, 巻：45, 号：3, 1991年
ISSN：0022-5274, J-Global ID：200902062513675680

■ 書籍等出版物

生体無害ウイルス不活性化を目指した230nm帯高出力far-UVC LEDの進展　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; Ajmal Muhammad Khan; 鹿嶋行雄; 松浦恵理子; 前田哲利; 牟田実広; 大神裕之; 祝迫恭; 藤川紗千恵; 矢口裕之, ［共著］
光アライアンス, 2024年07月

サファイア基板上220～230nmfar-UVC LEDの進展　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; Ajmal Muhammad Khan; 鹿嶋行雄; 松浦恵理子; 前田哲利; 牟田実広; 大神裕之; 毛利健吾; 河島宏和; 祝迫恭; 藤川紗千恵; 矢口裕之, ［共著］
OPTRONICS（2024）No.5, 2024年05月

光の更なる活用を目指して　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵
埼玉新聞サイ・テクこらむ#472, 2021年01月

光・電子デバイスの研究に携わって　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵
映像情報メディア学会誌, 2014年12月

素子透明化によるAlGaN深紫外LEDの光取出し効率の高効率化　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 前田哲利; 藤川紗千恵; 豊田史朗; 鎌田憲彦
OPTRONICS、Vol. 33, No. 386, P. 58-66, 2014年

AlGaN系深紫外LEDの進展と今後の展望　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 前田哲利; 藤川紗千恵; 豊田史郎; 金澤裕也; 鎌田憲彦; 椿健治; 阪井淳; 高野隆好; 美濃卓哉; 野口憲路
InterLab特集「注目の技術とその傾向」, No. 112, pp. 10-16, 2014年

AlGaN系深紫外LEDの進展と展望　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 藤川紗千恵; 塚田悠介; 鎌田憲彦
応用物理第80巻第4号pp319-324, 2011年04月

10mW越の深紫外LED－殺菌システムを小型・高効率に－　　　　　　　　　　　　　　　
日経エレクトロニクス, 2008年08月

250-350nm帯AlGaN系深紫外高輝度LEDの開発　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 高野隆好; 藤川紗千恵; 大橋智昭; 鎌田憲彦; 近藤行廣
月刊O plus E、Vol. 29、No. 6, 2007年

■ 講演・口頭発表等

コア層ドーピング濃度を考慮したGaN系THz-QCLの光利得マッピング解析”　　　　　　　　　　　　　　　
矢部航輝; 高橋瞳瑠; 金子瑛; 藤川紗千恵; 矢口裕之
2025年03月
日本語, 口頭発表（一般）

GaN系量子カスケードレーザーの低損失導波路の設計　　　　　　　　　　　　　　　
金子瑛; 高橋瞳瑠; 藤川紗千恵; 王利; 矢口裕之; 平山秀樹
第25回ミリ波サブミリ波受信機ワークショップ, 2024年11月
2024年11月 - 2024年11月

GaN系量子カスケードレーザーの高利得のための設計最適化　　　　　　　　　　　　　　　
高橋瞳瑠; 金子瑛; 藤川紗千恵; 矢口裕之; 平山秀樹
第25回ミリ波サブミリ波受信機ワークショップ
2024年11月 - 2024年11月

Effect of n-type AlGaN buffer layers Growth Temperature on relaxation and conductivity in 228-230nm Far-UVC LED grown on c-Sapphire　　　　　　　　　　　　　　　
M Ajmal Khan; Kohei Fujimoto; Hiroyuki Yaguchi; Mitsuhiro Muta; Yukio Kashima; Yasushi Iwaisako; Sachie Fujikawa; Hideki Hirayama
2024 IEEE Photonics Conference, 2024年11月
英語, 口頭発表（一般）

Reduction of Forward Voltage in 230 nm AlGaN far-UVC LED Using Polarization Assisted AlGaN Hole Injection Layer　　　　　　　　　　　　　　　
Kohei Fujimoto; Mitsuhiro Muta; Muhammad Ajmal Khan; Sachie Fujikawa; Hiroyuki Yaguchi; Dr. Yasushi Iwaisako; Hideki Hirayama
APWS 2024
2024年10月 - 2024年10月, 英語, 口頭発表（一般）

As-free growth of InSb films on GaAs substrates covered with GaSb by Sb irradiation　　　　　　　　　　　　　　　
Yuki Shirakawa; Yohei Nukaga; Hiroyuki Yaguchi; Sachie Fujikawa
The 43th Electronic Materials Symposium (EMS-43), 2024年10月
英語, ポスター発表

Fabrication of PIN structure using InSb1-xNx thin films by magnetron sputtering　　　　　　　　　　　　　　　
Yuto Ariji; Hiroyuki Yaguchi; Sachie Fujikawa
The 43th Electronic Materials Symposium (EMS-43), 2024年10月
英語, ポスター発表

Analysis of doping density dependence of optical gain of 10 THz-band GaN-based QCL　　　　　　　　　　　　　　　
Airu Takahashi; Li Wang; Sachie Fujikawa; Hiroyuki Yaguchi; Hideki Hirayama
The 43th Electronic Materials Symposium (EMS-43), 2024年10月
英語, ポスター発表

Design of singe metal plasmon waveguide GaN-based THz-QCL used AlN substrate　　　　　　　　　　　　　　　
Akira Kaneko; Sachie Fujikawa; Hiroyuki Yaguchi; Hideki Hirayama
The 43th Electronic Materials Symposium (EMS-43), 2024年10月
英語, ポスター発表

GaN系10THz帯量子カスケードレーザー光利得のドーピング濃度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
高橋瞳瑠; 王利; 藤川紗千恵; 矢口裕之; 平山秀樹
第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月
日本語, 口頭発表（一般）

AlN基板を用いた片面金属導波路GaN系THz-QCLの導波路解析　　　　　　　　　　　　　　　
金子瑛; 藤川紗千恵; 矢口裕之; 平山秀樹
第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月
日本語, 口頭発表（一般）

MBE法を用いたBeドープInSb薄膜の成長と電気的特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
星野陸; 漆戸祐哉; 矢口裕之; 藤川紗千恵
第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月
日本語, ポスター発表

Sb照射によりGaSbを形成したGaAs基板上へのInSbのAsフリー成長　　　　　　　　　　　　　　　
白川裕暉; 額賀陽平; 矢口裕之; 藤川紗千恵
第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月
日本語, ポスター発表

マグネトロンスパッタ法によるInSb1-xNx薄膜を用いたPIN構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
有路結斗; 矢口裕之; 藤川紗千恵
第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月
日本語, ポスター発表

スパッタ法によるSnドープ及びZn変調ドープInSb1-xNx薄膜成長　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 有路結斗; 矢口裕之
第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月
日本語, ポスター発表

Revisiting the Growth Temperature Dependence of n-AlGaN Buffer Layer and Quantum-Well in (228-230 nm)-Band far-UVC LEDs　　　　　　　　　　　　　　　
Muhammad Ajmal Khan; Mitsuhiro Muta; Kohei Fujimoto; Yuya Nagata; Yukio Kashima; Eriko Matsuura; Sachie Fujikawa; Hiroyuki Yaguchi; Yasushi Iwaisako; Hideki Hirayama
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月
英語, 口頭発表（一般）

分極ドープ層導入による230nm帯AlGaN far-UVC LEDの特性改善　　　　　　　　　　　　　　　
藤本康平; 牟田実広; アジマル・カーン; 藤川紗千恵; 矢口裕之; 祝迫恭; 平山秀樹
第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月
日本語, 口頭発表（一般）

Achievement of 0.01% EQE in 222 nm AlGaN Far-UVC LED using Al-Graded AlGaN Polarization Doping layer　　　　　　　　　　　　　　　
Ranga Raju Harshitha; Yuki Nakamura; Sachie Fujikawa; Muhammad Ajmal Khan; Hiroyuki Yaguchi; Yasushi Iwaisako; Hideki Hirayama
The 7th International Workshop on UV Materials and Devices (TA25), 2024年06月
英語, 口頭発表（一般）

Increasing the Efficiency of 219-222 nm AlGaN Far-UVC LEDs with Graded Al Content AlGaN Polarization Doping Layers　　　　　　　　　　　　　　　
Hideki Hirayama; Harshitha Rangaraju; Yuki Nakamura; Sachie Fujikawa; M.Ajmal Khan; Hiroyuki Yaguci; Yasushi Iwaisako
International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI)
2024年05月 - 2024年05月, 英語, 口頭発表（一般）

分極ドープ層を用いた 222 nm AlGaN far-UVC LED の高効率化　　　　　　　　　　　　　　　
Rangaraju Harshitha; 中村勇稀; 住司光; Khan Ajma; 藤川紗千恵; 矢口裕之; 遠藤聡; 藤代博記; 祝迫恭; 平山秀樹
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月
日本語, 口頭発表（一般）

230nm帯far-UVCLEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現　　　　　　　　　　　　　　　
牟田実広; 大神裕之; 毛利健吾; 河島宏和; 前田哲利; Khan Ajmal; 鹿嶋行雄; 松浦恵里子; 中村勇稀; 住司光; 桐原大河; 藤川紗千恵; 矢口裕之; 祝迫恭; 平山秀樹
電子通信情報学会, 2023年12月
日本語, 口頭発表（一般）

Growth and Characterization of Sb-based Dilute Nitride Semiconductors by Sputtering　　　　　　　　　　　　　　　
Sachie Fujikawa
2023 MRS Fall Meeting and Exhibit, 2023年11月
英語

Efficiency Increase in 230 nm AlGaN far-UVC LED by Changing Quantum Well Str20ucture　　　　　　　　　　　　　　　
Yuya Nagata; Fumiya Chugenji; Noritoshi Maeda; Ajmal Khan; Sachie Fujikawa; Hiroyuki Yaguchi; Yasushi Iwaisako; Hideki Hirayama
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
2023年11月 - 2023年11月, 英語

Realization of EQE 0.008 % operation in 221.5 nm AlGaN far-UVC LED　　　　　　　　　　　　　　　
Yuki Nakamura; Kou Sumishi; Sachie Fujikawa; Hiroyuki Yaguchi; Akira Endoh; Hiroki Fujishiro; Yasushi Iwaisako; Hideki Hirayama
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
2023年11月 - 2023年11月, 英語, 口頭発表（一般）

DCスパッタ法によるInSb1-xNx薄膜の成長条件の検討　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 矢口裕之
第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月
日本語

230 nm AlGaN far-UVC LEDの発光効率の量子井戸構造依存性　　　　　　　　　　　　　　　
永田裕弥; 仲元寺郁弥; 前田哲利; 藤川紗千恵; 矢口裕之; 祝迫泰; 平山秀樹
第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月
日本語, 口頭発表（一般）

221.5 nm far-UVC AlGaN LED における EQE0.008 %動作の実現　　　　　　　　　　　　　　　
中村勇稀; 住司光; 藤川紗千恵; 矢口裕之; 遠藤聡; 藤代博記; 祝迫恭; 平山秀樹
第81回応用物理学会秋季学術講演会, 2023年09月
日本語

Electronic structure analysis of InSb1-xNx alloys by first-principles calculation　　　　　　　　　　　　　　　
Sachie Fujikawa; Yoshitaka Fujiwara; Hiroyuki Yaguchi
International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE) 20, 2023年08月
英語

Fabrication of InSb(N) thin film by DC magnetron sputtering　　　　　　　　　　　　　　　
Sachie Fujikawa; Yuto Shimbo
International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE) 20, 2023年08月
英語

窒素��ドープ GaAs 中の等電子トラップに局在した励起子分子の束縛エネルギーに関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
矢野裕子; 高宮健吾; 藤川紗千恵; 八木修平; 矢口裕之; 小林真隆; 秋山英文
第70回応用物理学会春季学術講演会, 2023年03月
日本語, 口頭発表（一般）

第一原理計算によるInSb1-xNx混晶の電子構造解析　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 藤原彬嵩; 矢口裕之
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 2022年09月
日本語

The influence of both Mg-concentration and excimer laser annealing (ELA) on p-AlGaN cladding layer for the application of AlGaN-based UVB Laser Diodes　　　　　　　　　　　　　　　
Muhammad Ajmal Khan; Juan Paolo Bermundo; Yasuaki Ishikawa; Hiroshi Ikenoue; Sachie Fujikawa; Noritoshi Maeda; Masafumi Jo; Hideki Hirayama
The 80th JSAP Autumn Meeting, 2019年09月
英語

微傾斜サファイア基板上AlNの選択横方向成長　　　　　　　　　　　　　　　
斉藤貴大; 中村亮太; 藤川紗千恵; 金輝俊; 前田哲利; 岡田成仁; 平山秀樹; 只友一行
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
日本語

電子ブロック層の最適化による250nm AlGaN UVC-LEDの出力改善　　　　　　　　　　　　　　　
中村励志; 藤川紗千恵; 前田哲利; 遠藤聡; 藤代博記; 平山秀樹
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 2019年09月
日本語, 口頭発表（一般）

Epitaxial Lateral Overgrowth of AlN with Partially Non-dislocation-region on Vicinal AlN template　　　　　　　　　　　　　　　
N. Okada; F. Kim; T. Saito; S. Fujikawa; N. Maeda; H. Hirayama; K. Tadatomo
13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13), 2019年07月
英語, 口頭発表（一般）

Realization of High Light O utput Power in AlGaN-Based UVB LED at 310±2nm Emission Using Highly Relaxed (50%) n-AlGaN Electron Injection Layer　　　　　　　　　　　　　　　
M.A. Khan; N.Maeda; S.Fujikawa; Masafumi Jo; Yoichi Yamada; Hideki Hirayama
13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13), 2019年07月
英語, 口頭発表（一般）

GaN系QCL実現に向けたSi基板上GaN/AlGaN超格子構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 石黒稔也; 王科; 藤代博記; 平山秀樹
第6回RAPシンポジウム, 2018年11月
日本語

Development of 240 nm-band high output power AlGaN UVC LED　　　　　　　　　　　　　　　
Toshiya Ishiguro; Reiji Nakamura; Sachie Fujikawa; Noritoshi Maeda; Ryuto Machida; Hiroki Fujishiro; Hideki Hirayama
International workshop on Nitride Semiconductors(IWN2018), 2018年11月
英語, 口頭発表（一般）

AlNの選択横⽅向成⻑におけるストライプ⽅位依存性　　　　　　　　　　　　　　　
金輝俊; 藤貴大; 藤川紗千恵; 前田哲利; 岡田成仁; 平山秀樹; 只友一行
第79回応用物理学会秋季学術講演会, 2018年09月

Evaluation of GaN-based THz-QCL structure on Si substrate grown by MOCVD　　　　　　　　　　　　　　　
Sachie Fujikawa; Toshiya Ishiguro; Ke Wang; Wataru Terashima; Hiroki Fujishiro; Hideki Hirayama
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX)
2018年06月 - 2018年06月, 英語

アンチモン系トランジスタの開発　　　　　　　　　　　　　　　
藤代博記; 磯野恭佑; 原田義彬; 岡直希; 竹内淳; 藤川紗千恵; 町田龍人; 渡邊一世; 山下良美; 遠藤聡; 原紳介; 笠松章史
電子デバイス研究会, 2017年12月, ［招待有り］
日本語, 口頭発表（招待・特別）

低温成長InSbがGaAs基板上InSb薄膜成長に与える影響　　　　　　　　　　　　　　　
渡邊優介; 椎野響太; 伊藤峰水; 鈴木浩基; 藤川紗千恵; 町田龍人; 藤代博記
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
日本語

GaAs(100)基板上ヘテロエピタキシャルGaSb薄膜成長の界面制御　　　　　　　　　　　　　　　
伊藤峰水; 鈴木浩基; 渡邊優介; 藤川紗千恵; 町田龍人; 藤代博記
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
日本語

GaSb薄膜／ドット核形成層を用いたSi(100)基板上のGaSb/AlGaSb MQW構造の作製　　　　　　　　　　　　　　　
町田龍人; 赤羽浩一; 渡邊一世; 原紳介; 藤川紗千恵; 笠松章史; 藤代博記
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
日本語

Si基板上へのGaN系THz-QCL構造のMOCVD成長と評価　　　　　　　　　　　　　　　
石黒稔也; 藤川紗千恵; 王科; 前田哲利; 町田龍人; 藤代博記; 平山秀樹
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月
日本語

Electron Transport Properties of InSb/Ga0.35In0.65Sb Composite Channel Structure　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; T. Iwaki; Y. Harada; J.Takeuchi; Y.Endoh; I. Watanabe; Y. Yamashita; A. Endoh; S. Hara; A. Kasamatsu; H.I. Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2017 (CSW 2017), 2017年05月
2017年05月 - 2017年05月, 英語

Monte Carlo Study on Electron Transport Properties of GaxIn1-xSb HEMT Structures Considering Roughness Scattering　　　　　　　　　　　　　　　
Yui Fujisawa; Takuto Takahashi; Shougo Kawamura; Sachie Fujikawa; Hiroki Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2017 (CSW 2017), 2017年05月
英語

Fabrication of GaSb/AlGaSb Multi Quantum Wells Structure Grown on Si(100) Substrate Using Heteroepitaxial GaSb Thin-film and Dots Nucleation Layers　　　　　　　　　　　　　　　
R. Machida; K. Akahane; I. Watanabe; S. Hara; S. Fujikawa; A. Kasamatsu; H.I. Fujishiro
IPRM 2017 on Indium Phosphide and Related Materials, 2017年05月

InSb/Ga0.35In0.65Sb複合チャネル構造の電気的特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
岩木拓也; 原田義彬; 竹内淳; 遠藤勇輝; 藤川紗千恵; 藤代博記
第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月
日本語

Ge基板上の基板上の基板上のAl 2O3膜の構造変化と熱輸送特性膜の構造変化と熱輸送特性膜　　　　　　　　　　　　　　　
中島佑太; 藤川紗千恵; 藤代博記; 服部淳一; 福田浩一; 内田紀行; 前田辰郎
第64回応用物理学会春季学術講演会, 2017年03月
日本語

Research and development of InP, GaN and InSb-based HEMTs and MMICs for terahertz-wave wireless communications　　　　　　　　　　　　　　　
I. Watanabe; Y. Yamashita; A. Endoh; S. Hara; A. Kasamatsu; I. Hosako; H. Hamada; T. Kosugi; M. Yaita; A. E. Moutaouakil; H. Matsuzaki; O. Kagami; T. Takahashi; Y. Kawano; Y. Nakasha; N. Hara; D. Tsuji; K. Isono; S. Fujikawa; H. I. Fujishiro
2016 IEEE Compound Semiconductor IC Symposium, 2016年10月
2016年10月, 英語

Poly-InSb nMOSFETs for monolithic 3DIC　　　　　　　　　　　　　　　
Masahiro Takahashi; Toshifumi Irisawa; Wen-Hsin Chang; Junji Tominaga; Sachie Fujikawa; Hiroki I. Fujishiro; Tatsuro Maeda
Solid State Devices and Materials (SSDM2016)
2016年09月 - 2016年09月, 英語

InSb-based HEMTwith Over 300 GHz-fT using Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; K. Isono; Y. Harada; I. Watanabe; Y. Yamashita; A. Endoh; S. Hara; A. Kasamatsu; H. I. Fujishiro
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016)
2016年09月 - 2016年09月, 英語

Electron Transport Properties of InSb/GaInSb Composite Channel　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; J. Takeuchi; Y. Harada; H. I. Fujishiro
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016)
2016年09月 - 2016年09月, 英語

Electron transport properties of novel InSb/GaInSb composite channel high electron mobility transistor structures　　　　　　　　　　　　　　　
J. Takeuchi; S. Fujikawa; Y. Harada; H. I. Fujishiro
35rd Electronic Materials Symposium (EMS35)
2016年07月 - 2016年07月

InSb HEMT with over 300 GHz-fT using stepped buffer layer for strain reduction　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; K. Isono; Y. Harada; I. Watanabe; Y. Yamashita; A. Endoh; S. Hara; A. Kasamatsu; H. I. Fujishiro
35rd Electronic Materials Symposium (EMS35)
2016年07月 - 2016年07月

Growth of GaSb Dots Nucleation Layer and Thin -Film GaSb on Si(100) Substrate by Molecular Beam Epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
Ryuto Machida; Ryusuke Toda; SachieFujikawa; Shinsuke Hara; Issei Watanabe; Kouichi Akahane; Akifumi Kasamatsu; Hiroki I. Fujishiro
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) 2016
2016年06月 - 2016年06月, 英語

Comparative Study on Noise Characteristics of As and Sb-based HEMTs　　　　　　　　　　　　　　　
Takuto Takahashi; Shota Hatsushiba; Sachie Fujikawa; Hiroki I. Fujishiro
The International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016
2016年06月 - 2016年06月, 英語

InSb-based HEMT with Over 300 GHz-fT using Evaporated SiOx Film　　　　　　　　　　　　　　　
K. Isono; D. Tsuji; T. Taketsuru; S. Fujikawa; I. Watanabe; Y. Yamashita; A. Endoh; S. Hara; A. Kasamatsu; H. I. Fujishiro
The International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016
2016年06月 - 2016年06月, 英語

蒸着 SiOx 膜を用いた fT = 300GHz 超 InSb-HEMT の作製　　　　　　　　　　　　　　　
辻大介; 磯野恭佑; 竹鶴達哉; 藤川紗千恵; 渡邊一世; 山下良美; 遠藤聡; 原紳介; 笠松章史; 藤代博記
第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月

高密度4GaSbドットを用いた Si(100) 基板上のGaSb 薄膜成長　　　　　　　　　　　　　　　
町田龍人; 戸田隆介; 藤川紗千恵; 原紳介; 渡邊一世; 赤羽浩一; 笠松章史; 藤代博記
第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月

In1-xGaxSb 量子井戸構造の電気的特性の評価　　　　　　　　　　　　　　　
原田義彬; 岡直希; 藤川紗千恵; 藤代博記
第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月

3 次元 IC に向けた多結晶 InSb MOSFET の電気特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
高橋正紘; 藤川紗千恵; 藤代博記; 入沢寿史; 富永淳二; 前田辰郎
第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月

SLS回数と成長温度の最適化による InSb-HEMT 構造の電気的特性向上　　　　　　　　　　　　　　　
加藤三四郎; 宮下愛理; 藤川紗千恵; 藤代博記
第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月

DEPENDENCE OF InSb/GaSb FILMS GROWN ON FLAT AND VICINAL GaAs (100) SUBSTRATES　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; H. Suzuki; H. I. Fujishiro
31st NORTH AMERICAN MOLECULAR BEAM EPITAXY CONFRENCE (31th NAMBE)
2015年10月 - 2015年10月, 英語

ナノスケールIII‐V HEMTの雑音解析　　　　　　　　　　　　　　　
高橋択斗; 初芝正太; 藤川紗千恵; 藤代博記
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月

3次元ICに向けた多結晶InSb薄膜の電気特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
高橋正紘; 藤川紗千恵; 藤代博記; 入沢寿史; 富永淳二; 前田辰郎
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月

Al/Si(111)-√3×√3表面再構成構造上GaSb初期成長過程の温度依存性　　　　　　　　　　　　　　　
緒方悟公; 町田龍人; 石井達也; 藤川紗千恵; 原紳介; 色川勝己; 三木裕文; 河津璋; 藤代博記
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月

InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の膜質評価　　　　　　　　　　　　　　　
原紳介; 渡邊一世; 竹鶴達哉; 辻大介; 藤川紗千恵; 藤代博記; 赤羽浩一; 笠松章史
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月

GaAs(100)基板上のInSb/GaSb結晶のオフ角依存性　　　　　　　　　　　　　　　
鈴木浩基; 藤川紗千恵; 藤代博記
第76回応用物理学会秋季学術講演会, 2015年09月

AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性　　　　　　　　　　　　　　　
竹鶴達哉; 藤川紗千恵; 原田義彬; 鈴木浩基; 磯野恭佑; 加藤三四郎; 辻大介; 藤代博記
電子デバイス研究会, 2015年07月

Electron transport properties of InGaSb quantum well structure　　　　　　　　　　　　　　　
Y. Harada; K. Isono; T. Taketsuru; H. Suzuki; S. Katou; D. Tsuji; S. Fujikawa; H. I. Fujishiro
34rd Electronic Materials Symposium (EMS34), 2015年07月

Formation of GaSb islands on Si(100) with low-temperature grown GaSb layer　　　　　　　　　　　　　　　
R. Machida; R. Toda; S. Fujikawa; S. Hara; H. I. Fujishiro
34rd Electronic Materials Symposium (EMS34), 2015年07月

Study on Impacts of Dislocation and Roughness Scatterings on Electron Transport in InSb QW Comparing Monte Carlo Simulation and Measurements　　　　　　　　　　　　　　　
Shota Hatsushiba; Sachie Fujikawa; Hiroki Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2015, 2015年07月
英語

Growth of GaSb Islands on Si(100) with Low-temperature Grown GaSb Layer　　　　　　　　　　　　　　　
Ryuto Machida; Ryusuke Toda; Sachie Fujikawa; Shinsuke Hara; Hiroki Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2015 (CSW 2015), 2015年07月
英語

GaSb表面の純窒化プロセスの検討　　　　　　　　　　　　　　　
後藤高寛; 藤川紗千恵; 藤代博記; 小倉睦郎; 安田哲二; 前田辰郎
第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月

InSb HEMT作製におけるプロセスダメージの検討　　　　　　　　　　　　　　　
前田章臣; 辻大介; 竹鶴達哉; 藤川紗千恵; 藤代博記; 渡邊一世; 山下良美; 遠藤聡; 原紳介; 笠松章史
第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015年03月

窒化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術　　　　　　　　　　　　　　　
鹿嶋行雄; 松浦恵里子; 嶋谷聡; 小久保光典; 田代貴晴; 大川貴史; 上村隆一郎; 長田大和; 藤川紗千恵; 平山秀樹
電子情報通信学会・研究会（LQE・ED・CPM）, 2014年11月

窒素プラズマ処理を施したAl2O3/GaSb MOS構造の特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
後藤高寛; 藤川紗千恵; 藤代博記; 小倉睦郎; 安田哲二; 前田辰郎
2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会, 2014年09月

Ga/Si(100)表面再構成構造上 GaSb 3 次元島の成長形態解析　　　　　　　　　　　　　　　
戸田隆介; 町田龍人; 緒方悟公; 藤川紗千恵; 原紳介; 藤代博記
2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会, 2014年09月

グレーデッドバッファ層を導入したInSb HEMT構造の作製と評価　　　　　　　　　　　　　　　
竹鶴達哉; 前田章臣; 辻大介; 藤川紗千恵; 藤代博記
2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会, 2014年09月

貫通転位がInSb HEMTの特性に与える影響の解析　　　　　　　　　　　　　　　
初芝正太; 長井彰平; 藤川紗千恵; 原紳介; 遠藤聡; 渡邊一世; 笠松章史; 藤代博記
2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会, 2014年09月

Improved Electron Transport Properties of InSb-QW Structure Using Stepped Buffer Layer for Strain Reduction　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; D. Tsuji; T. Taketsuru; T. Maeda; H. I. Fujishiro
18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014)
2014年09月 - 2014年09月, 英語

貫通転位がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響の解析　　　　　　　　　　　　　　　
初芝正太; 長井彰平; 藤川紗千恵; 原紳介; 遠藤聡; 渡邊一世; 笠松章史; 藤代博記
電子情報通信学会電子デバイス研究会, 2014年08月

III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析　　　　　　　　　　　　　　　
矢島悠貴; 大濱諒子; 藤川紗千恵; 藤代博記
電子情報通信学会電子デバイス研究会, 2014年08月

Comparison of delay times in III-V MOSFETs with various channel materials　　　　　　　　　　　　　　　
Y. Yajima; R. Ohama; S. Fujikawa; H. I. Fujishiro
33rd Electronic Materials Symposium (33rd EMS), 2014年07月
2014年07月 - 2014年07月

Improved electron transport characteristic of InSb-QW structure with Al0.25In0.75Sb / Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction　　　　　　　　　　　　　　　
T. Taketsuru; D. Tsuji; T. Maeda; S. Fujikawa; H. I. Fujishiro
33rd Electronic Materials Symposium (33rd EMS)
2014年07月 - 2014年07月

Characterization of InSb-QW structures with Al0.25In0.75Sb / Al0.15In0.85Sb buffer layer for strain reduction　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; Y. Takagi; T. Maeda; T. Taketsuru; D. Tsuji; H. I. Fujishiro
38th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (38th WOCSDICE), 2014年06月
英語, 口頭発表（一般）

Analysis of Delay Times in III-V MOSFETs with Various Channel Materials　　　　　　　　　　　　　　　
Ryoko Ohama; Yuki Yajima; Akio Nishida; Sachie Fujikawa; Hiroki I. Fujishiro
The 41st International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS 2014)
2014年05月 - 2014年05月, 英語

ラフネス・転位散乱がInSb HEMTの特性に与える影響の解析　　　　　　　　　　　　　　　
初芝正太; 長井彰平; 永井佑太郎; 藤川紗千恵; 原紳介; 遠藤聡; 渡邊一世; 笠松章史; 藤代博記
第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月

各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの遅延時間解析　　　　　　　　　　　　　　　
矢島悠貴; 大濱諒子; 西田明央; 藤川紗千恵; 藤代博記
第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月

歪緩和AlInSbバッファー層を用いたInSb-HEMT構造の作製と評価　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高木裕介; 前田章臣; 古仲佑太朗; 原紳介; 渡邉一世; 遠藤聡; 山下良美; 笠松章史; 藤代博記
第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月

ナローバンドギャップデバイス応用にむけたInAsxSb1-x結晶の作製と特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高木裕介; 前田章臣; 藤代博記
第61回応用物理学会春季学術講演会, 2014年03月

Demonstration of Ni-GaSb metal S/D GaSb pMOSFETs with vacuum annealing on GaAs substrates　　　　　　　　　　　　　　　
T. Gotow; S. Fujikawa; Hiroki I. Fujishiro; M. Ogura; T. Yasuda; T. Maeda
44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC)
2013年12月 - 2013年12月, 英語

Growth Morphology of GaSb Islands on Ga-Induced Si(100)-2×2 Reconstructed Surface　　　　　　　　　　　　　　　
Ryuto Machida; Ryusuke Toda; Keisuke Yoshiki; Sachie Fujikawa; Shinsuke Hara; Akira Kawazu; Hiroki I.Fujishiro
12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures in conjunction with 21st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy(ACSIN-12&ICSPM21)
2013年11月 - 2013年11月, 英語

各種チャネル材料を用いたナノスケールHEMTの周波数限界　　　　　　　　　　　　　　　
長井彰平; 永井佑太郎; 藤川紗千恵; 原紳介; 遠藤聡; 渡邊一世; 笠松章史; 藤代博記
2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
2013年09月 - 2013年09月

各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの特性解析　　　　　　　　　　　　　　　
大濱諒子; 西田明央; 藤川紗千恵; 藤代博記
2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
2013年09月 - 2013年09月

GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証　　　　　　　　　　　　　　　
後藤高寛; 藤川紗千恵; 藤代博記; 小倉睦郎; 安田哲二; 前田辰郎
2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会
2013年09月 - 2013年09月

Frequency Limits of Nanoscale HEMTs with Various Channel Materials　　　　　　　　　　　　　　　
S. Nagai; Y. Nagai; S. Fujikawa; H. I. Fujishiro; S. Hara; A. Endoh; I. Watanabe; A. Kasamatsu
10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (THWM 2013)
2013年09月 - 2013年09月, 英語

真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響　　　　　　　　　　　　　　　
後藤高寛; 藤川紗千恵; 藤代博記; 小倉睦郞; 安田哲二; 前田辰郎
ED研究会
2013年08月 - 2013年08月

Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成　　　　　　　　　　　　　　　
町田龍人; 戸田隆介; 吉木圭祐; 藤川紗千恵; 原紳介; 色川勝己; 三木裕文; 河津璋; 藤代博記
ED研究会
2013年08月 - 2013年08月

AlGaN-based Deep-UV LEDs Fabricated on Connected-Pillar AlN Buffer　　　　　　　　　　　　　　　
H. Hirayama; Y. Tomita; S. Toyoda; S. Fujikawa; N. Kamata
The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, and The 18th Opto Electronics and Communications Conference/Photonics in Switching 2013 (CLEO-PR & OECC/PS 2013)
2013年06月 - 2013年07月

Recent progress of AlGaN based deep-UV LEDs　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; N. Kamata; H. Hirayama
E-MRS(European Materials Research Society) 2013 Spring Meeting, ［招待有り］
2013年05月 - 2013年05月, 英語, 口頭発表（招待・特別）

Realization of High-Efficiency Deep-UV LEDs using transparent p-AlGaN Contact Layer　　　　　　　　　　　　　　　
Noritoshi Maeda; Sachie Fujikawa; Hideki Hirayama
Compound Semiconductor Week(CSW 2013),IPRM 2013(The 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)
2013年05月 - 2013年05月, 英語

深紫外LEDバッファー用結合ピラーAlNの結晶成長　　　　　　　　　　　　　　　
富田優志; 豊田史朗; 藤川紗千恵; 鎌田憲彦; 平山秀樹
2013年第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年03月
2013年03月 - 2013年03月

結合ピラーAlNバッファーを用いた高効率深紫外LEDの検討　　　　　　　　　　　　　　　
富田優志; 豊田史朗; 藤川紗千恵; 鎌田憲彦; 平山秀樹
2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
2013年03月 - 2013年03月

p-AlGaN透明コンタクト層を用いた深紫外LEDの高効率化の実現　　　　　　　　　　　　　　　
前田哲利; 藤川紗千恵; 平山秀樹
2013年第60回応用物理学会春季学術講演会
2013年03月 - 2013年03月

結合ピラーAlNバッファーを用いた高効率深紫外LEDの開拓　　　　　　　　　　　　　　　
富田優志; 藤川紗千恵; 豊田史朗; 鎌田憲彦; 平山秀樹
先端光科学領域シンポジウム 2012, 2012年12月

p-AlGaN透明コンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの検討　　　　　　　　　　　　　　　
前田哲利; 藤川紗千恵; 水澤克哉; 平山秀樹
先端光科学領域シンポジウム 2012, 2012年12月

フォトニックナノ構造を用いた深紫外LEDの高効率化　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹
先端光科学領域シンポジウム 2012, 2012年12月

AlGaN深紫外LEDの高効率化への取り組み　　　　　　　　　　　　　　　
富田優志; 藤川紗千恵; 水澤克哉; 豊田史朗; 鎌田憲彦; 平山秀樹
電子情報通信学会, 2012年11月

結合ピラーAlNバッファーを用いた高効率深紫外LEDの検討　　　　　　　　　　　　　　　
富田優志; 藤川紗千恵; 豊田史朗; 鎌田憲彦
CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第5回公開シンポジウム, 2012年11月

p-AlGaN透明コンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの検討　　　　　　　　　　　　　　　
前田哲利; 藤川紗千恵; 水澤克哉; 平山秀樹
CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第5回公開シンポジウム, 2012年11月

多重量子障壁を用いた230nm帯短波長・高効率深紫外LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 藤川紗千恵; 鎌田憲彦
CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第5回公開シンポジウム, 2012年11月

220-350nm帯AlGaN系深紫外LEDのこれまでの進展　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 藤川紗千恵; 前田哲利; 富田優志; 水澤克哉; 豊田史朗; 鎌田憲彦
CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第5回公開シンポジウム, 2012年11月

深紫外LEDバッファー用結合ピラーAlNの結晶成長技術の開拓　　　　　　　　　　　　　　　
富田優志; 藤川紗千恵; 豊田史朗; 鎌田憲彦; 平山秀樹
CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第5回公開シンポジウム, 2012年11月

2次元フォトニック結晶を用いた深紫外LEDの高効率化　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹
CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第5回公開シンポジウム, 2012年11月

Improvement of light extraction efficiency of AlGaN deep-UV LED using 2-dimensional photonic crystal (2D-PhC)　　　　　　　　　　　　　　　
S.Fujikawa; H. Hirayama; Y. Kashima; H. Nishihara; T. Tashiro; T. Ohkawa; S. W. Youn; H. Takagi
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
2012年10月 - 2012年10月, 英語

フォトニック結晶を用いたAlGaN系深紫外LEDの高効率化　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹; 鹿嶋行雄; 西原浩巳; 田代貴晴; 大川貴史; 尹成圓; 高木秀樹
2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会
2012年09月 - 2012年09月

Development of Deep-UV LEDs using AlGaN Semiconductors”, 8th Interdisciplinary Exchange Evening　　　　　　　　　　　　　　　
Hideki Hirayama; Sachie Fujikawa; Noritoshi Maeda
2012年08月

Improvement of light extraction efficiency of AlGaN deep-UV LED using 2-dimensional photonic crystal (2D-PhC)　　　　　　　　　　　　　　　
S.Fujikawa; H. Hirayama; Y. Kashima; H. Nishihara; T. Tashiro; T. Ohkawa; S. W. Youn; H. Takagi
4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
2012年07月 - 2012年07月, 英語, 口頭発表（一般）

Progress of Deep-UV LEDs using AlGaN-based semiconductors　　　　　　　　　　　　　　　
S.Fujikawa; N.Kamata; H.Hirayama
The 2nd RIKEN-McGill University Scientific Workshop
2012年04月 - 2012年04月

220-350nm帯AlGaN系深紫外LEDの最近の進展　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 秋葉雅弘; 藤川紗千恵; 鎌田憲彦
CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第４回公開シンポジウム「光・光量子科学技術の新展開」, 2011年12月

マイクロステップ制御による深紫外LEDの作製　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹; 前田哲利
公益社団法人応用物理学会結晶工学分科会主催２０１１年・年末講演会, 2011年12月

Si基板上InAlGaN系深紫外LEDの進展　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹
CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第４回公開シンポジウム「光・光量子科学技術の新展開」, 2011年12月

a軸およびm軸傾斜サファイア基板上に作製した高効率AlGaN深紫外LED　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 前田哲利; 平山秀樹
CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第４回公開シンポジウム「光・光量子科学技術の新展開」, 2011年12月

m軸およびa軸オフ角 C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製　　　　　　　　　　　　　　　
前田哲利; 藤川紗千恵; 平山秀樹
電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会（LQE）, 2011年11月
2011年11月 - 2011年11月

Enhancement of Light Extraction Efficiency of Deep UV-LEDs using Photonic Nano-structures　　　　　　　　　　　　　　　
S.Fujikawa; H.Hirayama; Y.Kajima
The 2011 Nano Science Joint Laboratory Form, RIKEN, 2011年11月

AlGaN系高効率深紫外LEDの開発　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵
日本学術会議主催公開シンポジウム第２回先端フォトニクスの展望, 2011年10月

AlGaN系深紫外LEDの注入効率と光取り出し効率の高効率化　　　　　　　　　　　　　　　
秋葉雅弘; 平山秀樹; 藤川紗千恵; 鎌田憲彦
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」, 2011年08月

InAlGaN4元混晶からの深紫外高IQEの観測と殺菌波長帯高出力LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」, 2011年08月

Marked Increase of Injection Efficiency in AlGaN Deep-UV LEDs using MQB　　　　　　　　　　　　　　　
H. Hirayama; Y. Tsukada; M. Akiba; Y. Tomita; S.Fujikawa; N. Maeda; N. Kamata
9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9), 2011年07月
英語

High-Efficiency AlGaN Deep-UV LEDs fabricated on a- and m-axis oriented c-plane sapphire substrates　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; H. Hirayama; N. Maeda
9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9), 2011年07月
英語, 口頭発表（一般）

窒化物半導体を用いた深紫外LEDの開発　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹
第３回窒化物半導体結晶成長講演会, 2011年06月, ［招待有り］
日本語, 口頭発表（招待・特別）

殺菌への実用を目指したSi基板上深紫外LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹
第12回理研・分子研合同シンポジウムエクストリームフォトニクス研究, 2011年06月

High-Efficiency AlGaN Deep-UV LEDs fabricated on a- and m-axis oriented c-plane sapphire substrates　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; H. Hirayama; N. Maeda
5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS-2011), 2011年05月
英語

a軸方向傾斜c面サファイア上に作製した高効率深紫外LED　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹; 前田哲利
2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会, 2011年03月

Si基板上280nm帯InAlGaN深紫外LED　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹
窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会, 2010年11月

InAlGaN4元混晶を用いた280nm帯殺菌用途深紫外LEDの進展　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹
「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域光・光量子科学技術の進展開第３回公開シンポジウム, 2010年11月

First Achievement of Deep-UV LED on Si substrate"　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; H. Hirayama
2010 IEEE International Semiconductor Laser Conference
2010年09月 - 2010年09月, 英語

Realization of InAlGaN-based deep UV LEDs on Si (111) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; H. Hirayama
International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2010)
2010年09月 - 2010年09月, 英語

Si基板上280nm帯InAlGaN深紫外LED　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹
2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会, 2010年09月

280nm-band InAlGaN deep-UV LED on Silicon (111) substrate　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; H. Hirayama
Third International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides(ISGN-3), 2010年07月
英語

Si基板上280nm帯InAlGaN深紫外LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹
第２回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の新しい流れ」, 2010年05月

InAlGaN４元混晶を用いた高出力深紫外LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵
日本学術会議主催公開シンポジウム先端フォトニクスの展望, 2010年04月

Growth of AlN with Low Threading Dislocation Density on Sapphire Fabricated by controlling AlN Nuclei using 2inch x 3 MOCVD System　　　　　　　　　　　　　　　
T. Takano; H. Hirayama; S. Fujikawa; K. Tsubaki
8th International Coference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), 2009年10月
英語

Achievement of High-quality Quaternary InAlGaN Quantum Wells for Deep-UV LEDs by using Quite Low Growth Rate Epitaxy　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; H. Hirayama; T. Takano; K. Tsubaki
8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), 2009年10月
英語

2"×3 MOCVDを用いた核形成層制御によるサファイア基板上AlNの高品質化　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 藤川紗千恵; 平山秀樹; 椿健治
第70回応用物理学会学術講演会
2009年09月 - 2009年09月

In混入AlGaNの発光およびp型特性と高効率深紫外LEDへの応用　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 藤川紗千恵; 塚田悠介; 乗松潤; 高野隆好; 野口憲路; 椿健治; 鎌田憲彦
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月

Siドーピングによる250nm帯InドープAlGaN量子井戸LED高効率化の検討　　　　　　　　　　　　　　　
塚田悠介; 藤川紗千恵; 平山秀樹; 乗松潤; 鎌田憲彦
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月

280nm帯紫外LEDにおけるInAlGaNの極低速成長の重要性　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹; 高野隆好; 椿健治
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年09月

モジュレーションドープInAlGaN量子井戸発光層を用いた高出力280nm帯紫外LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹; 高野隆好; 椿健治
文部科学省科学研究費補助金特定領域研究公開シンポジウム「窒化物光半導体フロンティア―材料潜在能力の極限発見―」, 2009年08月

高Al組成InAlGaN4元混晶の結晶成長と250nm帯深紫外高効率LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
塚田悠介; 平山秀樹; 藤川紗千恵; 野口憲路; 鎌田憲彦
日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の未来を展望する」, 2009年05月

大周期ストライプを用いた深紫外LED用ELO-AlNテンプレートの貫通転位の低減　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 乗松潤; 平山秀樹; 野口憲路; 鎌田憲彦
日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の未来を展望する」, 2009年05月

低速成長による高Al組成InAlGaN4元混晶の高品質結晶成長・評価と280nm帯深紫外高出力LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹; 高野隆好; 椿健治
日本結晶成長学会ナノエピ分科会第1回窒化物半導体結晶成長講演会「窒化物半導体結晶成長の未来を展望する」, 2009年05月

InAlGaN四元混晶半導体を用いた深紫外発光量子ドットの作製　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 藤川紗千恵; 平山秀樹; 杉山正和
第56回応用物理学関係連合学術講演会, 2009年03月

250nm帯InAlGaN量子井戸紫外LEDのサブミリワット出力動作　　　　　　　　　　　　　　　
塚田悠介; 平山秀樹; 藤川紗千恵; 野口憲路; 鎌田憲彦
第56回応用物理学関係連合学術講演会, 2009年03月

222-282nm AlGaN and InAlGaN based deep-UV LEDs fabricated on high-quality AlN template　　　　　　　　　　　　　　　
H. Hirayama; N. Noguchi; S. Fujikawa; J. Norimatsu; T. Takano; K. Tsubaki; N. Kamata
SPIE Photonics West 2009, 2009年01月, ［招待有り］
英語, 口頭発表（招待・特別）

280nm帯InAlGaN高出力紫外LED　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 藤川紗千恵; 高野隆好; 椿健治
電子情報通信学会研究会(窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般), 2008年11月

ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED　　　　　　　　　　　　　　　
乗松潤; 平山秀樹; 野口憲路; 藤川紗千恵; 高野隆好; 椿健治; 鎌田憲彦
電子情報通信学会研究会(窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般), 2008年11月

Realization of 270 nm Band AlGaN Based UV-LED on Large Area AlN Template with High Crystalline Quality　　　　　　　　　　　　　　　
T. Takano; S. Fujikawa; K. Tsubaki; H. Hirayama
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
2008年10月 - 2008年10月, 英語

Milliwatt power 270 nm-band AlGaN deep-UV LEDs fabricated on ELO-AlN template　　　　　　　　　　　　　　　
J. Norimatsu; H. Hirayama; N. Noguchi; S. Fujikawa; T. Takano; K. Tsubaki; N. Kamata
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
2008年10月 - 2008年10月, 英語, 口頭発表（一般）

222-282 nm AlGaN and InAlGaN-based deep-UV LEDs fabricated on high-quality AlN on sapphire　　　　　　　　　　　　　　　
H. Hirayama; S. Fujikawa; N. Noguchi; T. Yatabe; T. Takano; K. Tsubaki; N. Kamata
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008), ［招待有り］
2008年10月 - 2008年10月, 英語, 口頭発表（招待・特別）

Fabrication of low threading dislocation density ELO-AlN template for the application to deep-UV LEDs　　　　　　　　　　　　　　　
H. Hirayama; S. Fujikawa; J. Norimatsu; T. Takano; K. Tsubaki; N. Kamata
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
2008年10月 - 2008年10月, 英語

Extremely high efficiency 280 nm-band emission from quaternary InAlGaN QWs realized by controlling Si-doped layers　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; H. Hirayama; T. Takano; K. Tsubaki
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
2008年10月 - 2008年10月, 英語, 口頭発表（一般）

ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN-LEDのCWミリワット出力動作　　　　　　　　　　　　　　　
乗松潤; 平山秀樹; 野口憲路; 藤川紗千恵; 高野隆好; 椿健治; 鎌田憲彦
第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月

SiモジュレーションドープInAlGaN発光層を用いた280nm帯紫外LEDの10mW出力動作　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹; 高野隆好; 椿健治
第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月

紫外LED用低貫通転位密度ELO-AlNテンプレートの作製　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 藤川紗千恵; 乗松潤; 高野隆好; 椿健治; 鎌田憲彦
第69回応用物理学会学術講演会, 2008年09月

High-efficiency 280 nm-band InAlGaN quantum well deep-UV LEDs with Si-doped barrier layers　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; H. Hirayama; T. Takano; K. Tsubaki
27thElectronic Materials Symposium (EMS-27), 2008年07月
2008年07月 - 2008年07月

270 nm-band AlGaN deep-UV LEDs fabricated on ELO-AlN buffer　　　　　　　　　　　　　　　
J. Norimatsu; H. Hirayama; T. Takano; S. Fujikawa; N. Noguchi; K. Tsubaki; N. Kamata
27thElectronic Materials Symposium (EMS-27)
2008年07月 - 2008年07月

Extremely high efficiency PL emission from 280 nm-band InAlGaN QWs realized by Si-doped layer control　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; H. Hirayama; T. Takano; K. Tsubaki
Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2), 2008年07月
英語, 口頭発表（一般）

280 nm-Band Quaternary InAlGaN Quantum Well Deep-UV LEDs with p-InAlGaN Layers　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; H. Hirayama; T. Takano; K. Tsubaki
International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 2008 (ISSLED2008), 2008年05月
英語, 口頭発表（一般）

量産対応型MOCVDによる270nm帯高出力深紫外LEDの検討　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 藤川紗千恵; 椿健治; 平山秀樹
第55回応用物理学関係連合学術講演会, 2008年03月

InAlGaN 4元混晶を用いた280nm帯深紫外LED　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹; 高野隆好; 椿健治
第55回応用物理学関係連合学術講演会, 2008年03月

p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯紫外高出力LED　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高野隆好; 椿健治; 平山秀樹
応用物理学会結晶工学分科会主催 2007年・年末講演会, 2007年12月

Realization of 340nm-band high-power UV-LED using p-type InAlGaN　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; T. Takano; Y. Kondo; H. Hirayama
First International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (White LEDs-07), 2007年11月
英語, ポスター発表

340nm-band High-power (>7 mW) InAlGaN Quantum Well UV-LED Using p-type InAlGaN Layers　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; T. Takano; Y. Kondo; H. Hirayama
The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
2007年10月 - 2007年10月, 英語

p-InAlGaN と高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高野隆好; 近藤行廣; 平山秀樹
電子情報通信学会研究会(窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般), 2007年10月

Remarkable Improvement of Output Power for InAlGaN Based Ultraviolet LED by Improving the Crystal Quality of AlN/AlGaN Templates　　　　　　　　　　　　　　　
T. Takano; S. Fujikawa; Y. Kondo and; H. Hirayama
7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7)
2007年09月 - 2007年09月, 英語

Quaternary InAlGaN Quantum-Dot UV-LED Emitting at 335nm Fabricated by Anti-Surfactant Method　　　　　　　　　　　　　　　
H. Hirayama; S. Fujikawa
7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7)
2007年09月 - 2007年09月, 英語

340nm-Band High-Power (>7mW) InAlGaN Quantum Well UV-LED Using p-Type InAlGaN Layers　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; T. Takano; Y. Kondo; H. Hirayama
7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7)
2007年09月 - 2007年09月, 英語, 口頭発表（一般）

Realization of 340nm-Band High-Power InAlGaN-Based UV-LEDs by the Suppression of Electron Overflow　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; T. Takano; Y. Kondo; H. Hirayama
7th Int'l Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7)
2007年09月 - 2007年09月, 英語

Realization of 340nmband high-power (>7mW) InAlGaN quantum well UV-LED with p-type InAlGaN　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; T. Takano; Y. Kondo; H. Hirayama
2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2007)
2007年09月 - 2007年09月, 英語, 口頭発表（一般）

深紫外発光InAlGaN 4元混晶量子ドットの形成と電流注入発光　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 平山秀樹
第68回応用物理学会学術講演会, 2007年09月

230-350nm窒化物深紫外LEDの進展と今後の展望　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 谷田部透; 野口憲路; 藤川紗千恵; 高野隆好; 鎌田憲彦; 近藤行廣
第68回応用物理学会学術講演会窒化物の新展開特定領域研究企画（窒化物半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発見-）, 2007年09月
口頭発表（招待・特別）

Remarkable Improvement of Output Power for InAlGaN based UV LED by Improving Crystal Quality of AlN/AlGaN Template　　　　　　　　　　　　　　　
T. Takano; S. Fujikawa; Y. Kondo; H. Hirayama
6thElectronic Materials Symposium (EMS-26)
2007年07月 - 2007年07月

Realization of 340nm-band high-power UV-LED using p-type InAlGaN　　　　　　　　　　　　　　　
S. Fujikawa; T. Takano; Y. Kondo; H. Hirayama
26thElectronic Materials Symposium (EMS-26), 2007年07月

AlN/AlGaNテンプレート改善による高出力InAlGaN紫外LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 藤川紗千恵; 近藤行廣; 平山秀樹
第54回応用物理学関係連合学術講演会, 2007年03月

p型InAlGaN4元混晶を用いた340nm帯高出力紫外LEDの実現　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高野隆好; 近藤行廣; 平山秀樹
第54回応用物理学関係連合学術講演会, 2007年03月

電流注入機構の最適化によるInAlGaN紫外LEDの高出力化　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高野隆好; 近藤行廣; 平山秀樹
第54回応用物理学関係連合学術講演会, 2007年03月

InAlGaN窒化物４元混晶を用いた高出力紫外LEDの開発　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 高野隆好; 藤川紗千恵; 大橋智昭; 谷田部透; 鎌田憲彦; 近藤行廣
電気学会, 2006年12月

Remarkable Improvement of Output Power for InAlGaN Based UV-LED by Ni/Au Electrode　　　　　　　　　　　　　　　
T. Takano; H. Hirayama; S. Fujikawa; Y. Kondo
International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006)
2006年10月 - 2006年10月, 英語

AlGaN 系紫外LED のLLO プロセスにおけるKOH エッチング効果　　　　　　　　　　　　　　　
藤川紗千恵; 高野隆好; 平山秀樹; 近藤行廣
第67回応用物理学会学術講演会, 2006年09月

Remarkable Increase of UV Emission Efficiency of InAlGaN Quantum Well by using High-quality AlN/AlGaN Buffers　　　　　　　　　　　　　　　
T. Takano; H. Hirayama; S. Fujikawa; Y. Kondo
13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy IC-MOVPE-XIII)
2006年05月 - 2006年05月, 英語

InAlGaN4元混晶紫外LEDの高出力化の検討　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 藤川紗千恵; 近藤廣行; 平山秀樹
第53回応用物理学関係連合学術講演会, 2006年03月

330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測　　　　　　　　　　　　　　　
平山秀樹; 高野隆好; 大橋智昭; 藤川紗千恵; 近藤行廣
電子情報通信学会、「電子デバイス、－結晶成長、評価技術およびデバイス（化合物、Si、SiGe、その他電子材料）－
2005年10月 - 2005年10月

■ 論文指導

2024, 博士前期(専門職学位)課程, 指導学生数計：6

2024, 学士課程, 指導学生数計：3

■ 所属学協会

2024年07月 - 現在, 日本赤外線学会

2023年12月 - 現在

現在, 応用物理学会結晶工学分科会

現在, 応用物理学会

■ 共同研究・競争的資金等の研究課題

サブバンド間遷移機構の革新による未踏周波数・室温動作THz-QCL実現に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(S), 2024年04月 - 2029年03月
平山秀樹; 林宗澤; 王利; 藤川紗千恵, 国立研究開発法人理化学研究所
配分額（総額）：204750000, 配分額（直接経費）：157500000, 配分額（間接経費）：47250000

ナローバンドギャップ領域希薄窒化物半導体薄膜の結晶成長技術開拓と物性解析　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人日本板硝子材料工学助成会, 令和5年度（第45回）研究助成, 2023年04月 - 2026年03月
藤川紗千恵, 研究代表者

狭バンドギャップ半導体を用いた光熱電変換材料の創製　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人徳山科学技術振興財団, 2024年度研究助成, 2024年06月 - 2025年05月
藤川紗千恵, 研究代表者

Growth of Zn doped and Sn modulation doped InSb1-xNx thin films by DC/RF Magnetron Sputtering　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人日本板硝子材料工学助成会, 研究成果の普及に対する助成金, 2025年04月
研究代表者

ナローバンドギャップ領域の半導体成長と物性解析　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人高橋産業経済研究財団, 令和5年度研究助成, 2023年04月 - 2024年03月
藤川紗千恵, 研究代表者

希薄窒化物半導体のナローバンドギャップ領域の特性解析　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人旭硝子財団, 2022年度研究助成, 2022年04月 - 2024年03月
藤川紗千恵, 研究代表者

Growth and Characterization of Sb-based Dilute Nitride Semiconductors by Sputtering　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人日本板硝子材料工学助成会, 研究成果の普及に対する助成金, 2023年12月
藤川紗千恵, 研究代表者

Growth and Characterization of Sb-based Dilute Nitride Semiconductors by Sputtering　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人松籟科学技術振興財団, 国際研究集会派遣助成金, 2023年09月
藤川紗千恵, 研究代表者

ナローバンドギャップ半導体を用いたヘテロ構造作製と物性解析　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人村田学術振興財団, 第37回（2021年度）研究助成, 2021年09月 - 2023年08月
藤川紗千恵, 研究代表者

ナローバンドギャップ領域の半導体成長と物性解析　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人高橋産業経済研究財団, 令和4年度研究助成, 2022年04月 - 2023年03月
藤川紗千恵, 研究代表者

希薄窒化物半導体を用いた遠赤外光デバイスの創製　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人池谷科学技術財団, 2020年度研究助成単年度研究助成, 2020年07月 - 2021年03月
藤川紗千恵, 研究代表者

テラヘルツ領域極限性能トランジスタの開発　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(C), 2016年04月01日 - 2019年03月31日
藤代博記; 町田龍人; 藤川紗千恵, 東京理科大学
配分額（総額）：4810000, 配分額（直接経費）：3700000, 配分額（間接経費）：1110000
電子有効質量me*の最適設計により、界面ラフネス散乱の影響を抑えながら高い電子移動度μeと高い電子濃度Nsを同時に実現するGaInSb量子井戸QWチャネルを作製し、HEMTを試作した。
歪ステップバッファの導入により高いμeを維持しながらNsを高めることに成功し、Ga0.22In0.78Sb QWにおいてμe = 15,500 cm2/Vs、Ns = 2.05×1012 cm-2の特性を得た。Ga0.22In0.78Sb HEMTを作製し、fT = 214 GHzを得た（Lg = 40 nm）。これはGaInSbを用いたトランジスタで報告されている最も高い値であった。
課題番号：16K06316

Sb系希薄窒化物半導体の物性解明と高輝度遠赤外線発光素子の創製　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(C), 2015年04月01日 - 2018年03月31日
藤川紗千恵
配分額（総額）：4940000, 配分額（直接経費）：3800000, 配分額（間接経費）：1140000
本研究では、Ⅲ-V半導体の中で最もエネルギーバンドギャップの小さいInSbに窒素を導入したInSbN希薄窒化物半導体を作製するために、有機金属気相成長法を用いて、GaAs（001）基板上InSbN膜を作製した。材料であるアンモニアの流量を変化させることにより、X線回折の2θ-ω測定において、スペクトルのシフトを確認し、格子定数が小さくなることを明らかにした。これらの結果等から、InSbN結晶を作製することが可能であることがわかり、アンモニア流量やSb流量の制御によりナローバンドギャップ化を達成できることがわかった。これらのことから、私たちは、遠赤外線デバイスを実現することが示唆できた。
課題番号：15K05995

Sb系希薄窒化物半導体を用いた遠赤外線LEDと光検出器の開発　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人住友財団, ２０１５年度基礎科学研究助成, 2015年11月 - 2016年11月
藤川紗千恵, 研究代表者

Sb系半導体材料を用いた中赤外発光デバイスの研究　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人泉科学技術振興財団, 平成27年度研究助成, 2015年10月 - 2016年09月
藤川紗千恵, 研究代表者

Sb系半導体材料を用いた中赤外線発光素子に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人カシオ科学振興財団, 第33回(平成27年度)研究助成, 2015年10月 - 2016年09月
藤川紗千恵, 研究代表者

Ｓｉ基板を用いた縦型大面積・高出力深紫外ＬＥＤの研究　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(A), 2012年04月01日 - 2015年03月31日
平山秀樹; 藤川紗知恵, 独立行政法人理化学研究所
配分額（総額）：47060000, 配分額（直接経費）：36200000, 配分額（間接経費）：10860000
深紫外LEDは、医療、殺菌・浄水、生化学産業などへ応用においてその高出力化が期待されている。しかし、サファイア基板上に形成された深紫外LEDでは、横注入構造のため高出力化が難しく、また光取り出し効率が低い。本研究では、Si基板上にAlGaN深紫外LEDを形成することにより、縦型・大面積化を実現しその高出力化を実現することを目的とする。
研究では、2次元格子状パターン加工基板上にAlN成長を行いクラックの無い良好なAlNバッファーを形成し、深紫外LEDのミリワット動作に成功した。また、透明p型AlGaNコンタクトと高反射電極を導入することにより、深紫外LEDの光取り出し効率を大幅に向上させた。
課題番号：24246010

Recent progress of AlGaN based deep-UV LEDs　　　　　　　　　　　　　　　
公益財団法人矢崎科学技術振興記念財団, 2012年度国際交流援助（後期）, 2013年02月
藤川紗千恵, 研究代表者

窒化物半導体を用いた深紫外LED・深紫外LDの開発　　　　　　　　　　　　　　　
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 若手研究(B), 2010年 - 2011年
藤川紗千恵, 独立行政法人理化学研究所
配分額（総額）：4290000, 配分額（直接経費）：3300000, 配分額（間接経費）：990000
サファイアオフ角a軸傾斜基板を用いて高品質AlNの作製、AlGaN量子井戸領域へのSiモジュレーションドーピングにより内部量子効率改善、多重障壁バリア層導入による電子注入効率の向上、各膜厚や膜質の最適化等を行った。その結果、安易に良質なAlN表面平坦な膜を形成できることを明らかにし、波長270nmにおいて最高光出力33mW、最高外部量子効率約4%と世界最高レベルの深紫外LEDを実現した。
課題番号：22760017

■ 産業財産権

窒化物半導体発光素子の製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 椿健治; 平山秀樹; 藤川紗千恵, 特許権
特許番号・登録番号：特許第5777196号
J-Global ID：201503013058948673

窒化物半導体多層構造体の製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 椿健治; 平山秀樹; 藤川紗千恵, 特許権
特許番号・登録番号：特許第5704724号
J-Global ID：201503083029246659

発光素子及びその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
鹿嶋行雄; 松浦恵里子; 西原浩巳; 田代貴晴; 大川貴史; 平山秀樹; 藤川紗千恵; 尹成圓; 高木秀樹; 上村隆一郎; 長田大和, 特許権
特許番号・登録番号：特許第5315513号
J-Global ID：201303010896350351

窒化物半導体発光素子　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 椿健治; 平山秀樹; 藤川紗千恵, 特許権
特許番号・登録番号：特許第5279006号
J-Global ID：201303057480055411

発光素子及びその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　
鹿嶋行雄; 松浦恵里子; 西原浩巳; 田代貴晴; 大川貴史; 平山秀樹; 藤川紗千恵; 尹成圓; 高木秀樹; 上村隆一郎; 長田大和, 特許権
J-Global ID：201503064785852193

窒化物半導体多層構造体およびその製造方法、窒化物半導体発光素子　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 椿健治; 平山秀樹; 藤川紗千恵, 特許権
J-Global ID：201303031086770637

窒化物半導体発光素子　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 椿健治; 平山秀樹; 藤川紗千恵, 特許権
J-Global ID：201003047660505302

窒化物半導体層の製造方法、窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 椿健治; 平山秀樹; 藤川紗千恵, 特許権
J-Global ID：201003059135550168

窒化物半導体発光素子　　　　　　　　　　　　　　　
高野隆好; 椿健治; 平山秀樹; 藤川紗千恵, 特許権
J-Global ID：200903005273524530

理工学研究科数理電子情報部門	助教
工学部電気電子物理工学科

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藤川 紗千恵（フジカワ サチエ）理工学研究科 数理電子情報部門助教工学部 電気電子物理工学科

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藤川　紗千恵（フジカワ　サチエ）
理工学研究科数理電子情報部門助教
工学部電気電子物理工学科