業績情報

• An Amperometric Sensor for Chemical Imaging Using Photoconductive Organic Film　　　　　　　　　　　　　　　
  Takuya Hagiwara; Masataka Takazawa; Hidekazu Uchida; Yuki Hasegawa; Tamaki Yaji
  巻：E91C, 号：12, 開始ページ：1863, 終了ページ：1868, 2008年12月
  We have developed an amperometric sensor employing a photoconductive organic thin film that enables the measurement of the two-dimensional distribution of redox current on a sensor surface. The sensor simply consists of photoconductive film and transparent electrode. A focused light beam through the transparent electrode excites the photoconductive film that leads to detect local redox current at the beam position. Intensity of the redox current depends on local concentration of redox species of solution on the sensor. We investigated several materials for the photoconductive film and found a suitable structure is Cu-phthalocyanine doped polyvinylcarbazole film/indium tin oxide/glass substrate. Compared with a conventional two-dimensional chemical sensor, our newly developed sensor can he prepared by lower cost fabrication methods without complex semiconductor processes. The sensor showed a good signal dependence on the concentration of K3Fe(CN)(6)/K4Fe(CN)(6) in an aqueous solution at 15.4 nA/dec at a constant bias voltage of 0.8 V. We measured the two-dimensional distribution of ions in an agarose gel of 2 mm thickness. The result showed a photograph of the diffusion process of redox species. We also discuss the discrimination of redox species like voltammetry.
  英語
  DOI：https://doi.org/10.1093/ietele/e91-c.12.1863
  DOI ID：10.1093/ietele/e91-c.12.1863, ISSN：0916-8524, eISSN：1745-1353, CiNii Articles ID：10026820340, Web of Science ID：WOS:000262010500007
• 医薬シーズとしての特異的結合性ペプチド（ペプチドアプタマー）の開発
  西垣功一; Md. Salimullah; 二上雅恵; 木下保則; 内田秀和; 根本直人; 門脇知子; 山本健二
  埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：8, 開始ページ：31, 終了ページ：31, 2007年
  埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門, 日本語
  ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371268
• 高速分子進化による高機能バイオ分子の創出（埼玉バイオプロジェクト）　　　　　　　　　　　　　　　
  西垣功一; 吉田昼也; 高橋進; 木下保則; 内田秀和; 北村幸一郎; 高橋陽子; 門脇知子; 山本健二
  埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：8, 開始ページ：30, 終了ページ：30, 2007年
• 医薬シーズとしての特異的結合性ペプチド（ペプチドアプタマー）の開発
  西垣 功一; Md. Salimullah; 二上 雅恵; 木下 保則; 内田 秀和; 根本 直人; 門脇 知子; 山本 健二
  埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：8, 開始ページ：31, 終了ページ：31, 2007年
  埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門, 日本語
  ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371268
• 高速分子進化による高機能バイオ分子の創出（埼玉バイオプロジェクト）　　　　　　　　　　　　　　　
  西垣功一; 吉田昼也; 高橋進; 木下保則; 内田秀和; 北村幸一郎; 高橋陽子; 門脇知子; 山本健二
  巻：8, 開始ページ：30, 終了ページ：30, 2007年
• 高速分子進化による高機能バイオ分子の創出（埼玉バイオプロジェクト）
  西垣功一; 吉田昼也; 田山貴紘; 木下保則; 鈴木美穂; 内田秀和; 勝部昭明; 北村幸一郎; 高橋陽子; Md. Salimullah; 門脇知子; 山本健二
  埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：7, 開始ページ：53, 終了ページ：53, 2006年
  埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門, 日本語
  ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371310
• Fabrication and Measurement System for Microarray Using Digital Micromirror Device　　　　　　　　　　　　　　　
  N. Sato; Y. Hayashi; H. Uchida
  Proceedings of the 23rd Sensor Symposium, 開始ページ：109, 終了ページ：113, 2006年
• 高速分子進化による高機能バイオ分子の創出（埼玉バイオプロジェクト）
  西垣 功一; 吉田 昼也; 田山 貴紘; 木下 保則; 鈴木 美穂; 内田 秀和; 勝部 昭明; 北村 幸一郎; 高橋 陽子; Md. Salimullah; 門脇 知子; 山本 健二
  埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：7, 開始ページ：53, 終了ページ：53, 2006年
  埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門, 日本語
  ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371310
• Fabrication and Measurement System for Microarray Using Digital Micromirror Device　　　　　　　　　　　　　　　
  N. Sato; Y. Hayashi; H. Uchida
  開始ページ：109, 終了ページ：113, 2006年
• 高速分子進化による高機能バイオ分子の創出（埼玉バイオプロジェクト）
  西垣功一; 北村幸一郎; 高橋―; 本多陽子; 木下保則; 吉田昼也; MD. Salimullah; 鈴木美穂; 内田秀和; 勝部昭明
  埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：6, 開始ページ：83, 終了ページ：83, 2005年
  埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門, 日本語
  ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371347
• 高速分子進化による高機能バイオ分子の創出（埼玉バイオプロジェクト）
  西垣 功一; 北村 幸一郎; 高橋—本多 陽子; 木下 保則; 吉田 昼也; MD. Salimullah; 鈴木 美穂; 内田 秀和; 勝部 昭明
  埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：6, 開始ページ：83, 終了ページ：83, 2005年
  埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門, 日本語
  ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371347
• Unsupervised scanning light pulse technique for chemical sensing　　　　　　　　　　　　　　　
  H Uchida; D Filippini; Lundstrom, I
  巻：103, 号：1-2, 開始ページ：225, 終了ページ：232, 2004年09月
  A scanning light pulse technique (SLPT) operating in a totally unsupervised way suitable for chemical sensing and the efficient screening of new sensing materials is demonstrated. The procedure automatically determines inflexion points (optimum biasing condition) and photocurrent amplitudes from locally acquired i-V characteristics of metal-insulator-semiconductor structures that enables optimum biased measurements properly re-scaled to avoid spurious amplifying effects.
  Additionally, the procedure allows composing flat-band voltage shift patterns within the same experiment, and avoiding feedback mode measurements. Optimum bias patterns when used to modulate subsequent measurements, allow a fast recording mode. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
  英語
  DOI：https://doi.org/10.1016/j.snb.2004.04.054
  DOI ID：10.1016/j.snb.2004.04.054, ISSN：0925-4005, Web of Science ID：WOS:000224064100035
• Gap-gate field effect gas sensing device for chemical image generation　　　　　　　　　　　　　　　
  D Filippini; Lundstrom, I; H Uchida
  巻：84, 号：15, 開始ページ：2946, 終了ページ：2948, 2004年04月
  A field effect chemically sensitive device, specially suited for the generation of scanning light pulse technique chemical images, is demonstrated. The present approach provides a complete separation between the required electrical biasing and chemical sensing functions inherently coupled in all previous systems. The concept is demonstrated by sensing hydrogen with insensitive biasing electrodes, composing a so-called gap gate, combined with discontinuous palladium clusters usually unsuitable for sensing in conventional arrangements. A simple one-dimensional model is used to explain the observed behavior. (C) 2004 American Institute of Physics.
  英語
  DOI：https://doi.org/10.1063/1.1703838
  DOI ID：10.1063/1.1703838, ISSN：0003-6951, CiNii Articles ID：80016608651, Web of Science ID：WOS:000220728100076
• Gas response and modeling of NO-sensitive thin-Pt SiC schottky diodes　　　　　　　　　　　　　　　
  SA Khan; EA de Vasconcelos; H Uchida; T Katsube
  巻：92, 号：1-2, 開始ページ：181, 終了ページ：185, 2003年07月
  Thin-Pt SiC schottky diodes responding to NO gas concentrations from 500 down to 10 ppm at temperatures up to 400 degreesC were fabricated. The response followed a simple Langmuir adsorption model for all concentrations equal or superior to 100 ppm. From a linear correlation of the conductance (G) and current (1) in a G/I x G plot, it was possible to evaluate accurately the series resistance, ideality factor and barrier height changes of the devices due to exposure to NO gas, further confirming the model adopted as well as the quality of the devices. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
  英語
  DOI：https://doi.org/10.1016/S0925-4005(03)00261-2
  DOI ID：10.1016/S0925-4005(03)00261-2, ISSN：0925-4005, Web of Science ID：WOS:000183162200025
• An Application Possibility of Self-Ordered Mesoporous Silicate for Surface Photo Voltage (SPV) Type NO Gas Sensor (II) : Self-Ordered Mesoporous Silicate Incorporated SPV Device and Its Sensing Property Dependence on Mesostructure(Special Issue on Rece・・・　　　　　　　　　　　　　　　
  内田秀和
  IEICE transactions on electronics, 巻：E85-C, 号：6, 開始ページ：1304, 終了ページ：1310, 2002年
  An Application Possibility of Self-Ordered Mesoporous Silicate for Surface Photo Voltage (SPV) Type NO Gas Sensor (II) : Self-Ordered Mesoporous Silicate Incorporated SPV Device and Its Sensing Property Dependence on Mesostructure(Special Issue on Recent Progress in Organic Molecular Electronics)
• An Application Possibility of Self-Ordered Mesoporous Silicate for Surface Photo Voltage Type NO Gas Sensor (I) : The Characterization of Nonionic Triblock Copolymer Templated Self-Ordered Mesoporous Silicates and Preparation Their Film for Device Appl・・・　　　　　　　　　　　　　　　
  内田秀和
  IEICE transactions on electronics, 巻：E85-C, 号：6, 開始ページ：1298, 終了ページ：1303, 2002年
  An Application Possibility of Self-Ordered Mesoporous Silicate for Surface Photo Voltage Type NO Gas Sensor (I) : The Characterization of Nonionic Triblock Copolymer Templated Self-Ordered Mesoporous Silicates and Preparation Their Film for Device Application(Special Issue on Recent Progress in Organic Molecular Electronics)
• An Application Possibility of Self-Ordered Mesoporous Silicate for Surface Photo Voltage (SPV) Type NO Gas Sensor (II) : Self-Ordered Mesoporous Silicate Incorporated SPV Device and Its Sensing Property Dependence on Mesostructure(Special Issue on Rece・・・　　　　　　　　　　　　　　　
  内田秀和
  巻：E85-C, 号：6, 開始ページ：1304, 終了ページ：1310, 2002年
  An Application Possibility of Self-Ordered Mesoporous Silicate for Surface Photo Voltage (SPV) Type NO Gas Sensor (II) : Self-Ordered Mesoporous Silicate Incorporated SPV Device and Its Sensing Property Dependence on Mesostructure(Special Issue on Recent Progress in Organic Molecular Electronics)
• An Application Possibility of Self-Ordered Mesoporous Silicate for Surface Photo Voltage Type NO Gas Sensor (I) : The Characterization of Nonionic Triblock Copolymer Templated Self-Ordered Mesoporous Silicates and Preparation Their Film for Device Appl・・・　　　　　　　　　　　　　　　
  内田秀和
  巻：E85-C, 号：6, 開始ページ：1298, 終了ページ：1303, 2002年
  An Application Possibility of Self-Ordered Mesoporous Silicate for Surface Photo Voltage Type NO Gas Sensor (I) : The Characterization of Nonionic Triblock Copolymer Templated Self-Ordered Mesoporous Silicates and Preparation Their Film for Device Application(Special Issue on Recent Progress in Organic Molecular Electronics)
• NO Gas Sensor Based on Surface Photovoltage System Fabricated by Self-Ordered Hexagonal Mesoporous Silicate Film　　　　　　　　　　　　　　　
  H. S. Zhou; T. Yamada; K. Asai; I. Honma; H. Uchida; T. Katsube
  Jpn. J. Appl. Phys., 巻：40, 号：12, 開始ページ：7098, 終了ページ：7102, 2001年
  DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.40.7098
  DOI ID：10.1143/JJAP.40.7098, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：30021823943
• NO Gas Sensor Based on Surface Photovoltage System Fabricated by Self-Ordered Hexagonal Mesoporous Silicate Film　　　　　　　　　　　　　　　
  H. S. Zhou; T. Yamada; K. Asai; I. Honma; H. Uchida; T. Katsube
  巻：40, 号：12, 開始ページ：7098, 終了ページ：7102, 2001年
  DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.40.7098
  DOI ID：10.1143/JJAP.40.7098, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：30021823943
• Novel type cholinesterase sensor based on SPV measurement technique　　　　　　　　　　　　　　　
  OV Fedosseeva; H Uchida; T Katsube; Y Ishimaru; T Iida
  巻：65, 号：1-3, 開始ページ：55, 終了ページ：57, 2000年06月
  The surface photovoltage (SPV) technique was applied to the fabrication of a novel type biosensor based on immobilized cholinesterase. Two types of cholinesterase were utilized, acetylcholinesterase and butyrylcholinesterase, depending on the types of substrates. On the surface of the silicon wafer the cholinesterase layers were immobilized by using 3-aminopropyltriethoxysilane and glutaraldehyde. Characteristics of the sensor were studied in phosphate-buffered saline containing 15 mM NaCl and 1 mM phosphate buffer, pH 7.0. The detection limits of the substrates were 9.0 x 10(-7) M, 2.7 x 10(-6) M, and 4.1 x 10(-6) M for butyrylthiocholine iodide, acetylcholine iodide, and acetylcholine chloride, respectively. The activity of the cholinesterase was inhibited by the presence of alkaloids such as physostigmine and neostigmine. (C) 2000 Elsevier Science S.A. All rights reserved.
  英語
  DOI：https://doi.org/10.1016/S0925-4005(99)00437-2
  DOI ID：10.1016/S0925-4005(99)00437-2, ISSN：0925-4005, Web of Science ID：WOS:000088185800016
• A study of silicon Schottky diode structures for NOx gas detection　　　　　　　　　　　　　　　
  WY Zhang; EA de Vasconcelos; H Uchida; T Katsube; T Nakatsubo; Y Nishioka
  巻：65, 号：1-3, 開始ページ：154, 終了ページ：156, 2000年06月
  A silicon Schottky diode structure was applied for detecting nitride oxide gases at room temperature. The Pt-Pd/Si/Al structure was employed successfully to detect NO2 gas concentration for as low as 6 ppm at room temperature. This sensor also showed useful response to NO gas, but the sensitivity was lower than its sensitivity to NO2 gas. Fabrication of the diode on a porous silicon surface enhances NO2 gas sensitivity, but the response time becomes longer. This structure provides a convenient technique to manufacture miniaturized and integrated sensors. (C) 2000 Elsevier Science S.A. All rights reserved.
  英語
  DOI：https://doi.org/10.1016/S0925-4005(99)00466-9
  DOI ID：10.1016/S0925-4005(99)00466-9, ISSN：0925-4005, Web of Science ID：WOS:000088185800045
• Highly sensitive semiconductor NOx gas sensor operating at room temperature　　　　　　　　　　　　　　　
  A Kunimoto; N Abe; H Uchida; T Katsube
  巻：65, 号：1-3, 開始ページ：122, 終了ページ：124, 2000年06月
  The novel semiconductor NOx gas sensor based on a heterojunction structure workable at room temperature has been investigated. The sensor consists of Pt/Tin-dioxide(SnO2)/n-Si/p(+)-Si/Al in which vertical direction current between Pt and Al electrode was measured with applying reverse direction bias voltage on Pt electrode. All the films including SnO2 with the thickness of 50-200 nm were deposited on an epitaxial layer of n-Si over p(+)-Si substrate by RF sputtering method. As a result, the current in the sensor decreased when the gas flow was switched from dry air to mixed gas of air and NOx. Clear response was obtained at the NOx gas concentration as low as 1 ppm at room temperature, while the almost no response was observed for the n-Si, p-Si, and p-Si/n(+)-Si substrate. The generation of large change in current for the sensor was considered that the barrier height change or conductivity change of SnO2 gas sensitive layer may cause the modulation of the depletion layer at the n/p(+)-junction of Si substrate. (C) 2000 Elsevier Science S.A. All rights reserved.
  英語
  DOI：https://doi.org/10.1016/S0925-4005(99)00440-2
  DOI ID：10.1016/S0925-4005(99)00440-2, ISSN：0925-4005, Web of Science ID：WOS:000088185800036
• Highly sensitive thermistors based on high-purity polycrystalline cubic silicon carbide　　　　　　　　　　　　　　　
  EA de Vasconcelos; SA Khan; WY Zhang; H Uchida; T Katsube
  巻：83, 号：1-3, 開始ページ：167, 終了ページ：171, 2000年05月
  It is possible to fabricate highly sensitive thermistors using polycrystalline, intentionally undoped, chemical vapor deposition cubic SiC wafers. Resistance-temperature characteristics described by thermistor equations with thermistor constants around 7000 K from 25 degrees C to 200 degrees C and around 5000 K from 200 degrees C to 400 degrees C are presented (temperature coefficient of resistance at 25 degrees C = -7.9%/K). The influence of the fabrication process on thermistor characteristics as well as conduction mechanisms are discussed. (C) 2000 Elsevier Science S.A. All rights reserved.
  英語
  DOI：https://doi.org/10.1016/S0924-4247(00)00351-4
  DOI ID：10.1016/S0924-4247(00)00351-4, ISSN：0924-4247, Web of Science ID：WOS:000087144800027
• Cholinesterase-based biosensor using surface photovoltage technique　　　　　　　　　　　　　　　
  OV Fedosseeva; H Uchida; T Katsube; Y Ishimaru; T Iida
  巻：67, 号：7, 開始ページ：755, 終了ページ：759, 1999年07月
  The new measurement method of Surface Photovoltage (SPV) technique was applied to the fabrication of a novel type cholinesterase-based biosensor. Cholinesterases (butyrylcholine esterase (BuChE) and acetylcholine esterase (AChE)) have been immobilized directly onto the semiconductor surface to measure the concentration of enzyme substrates, via pH changes. The detection limits of the substrates were 9.0 x 10(-7) M, 2.7 X 10(-6) M and 4.1 x 10(-6) M for butyrylthiocholine iodide, acetylcholine iodide and acetylcholine chloride, respectively. The analytical possibilities were examined from the results of the inhibiting actions exerted in the presence of alkaloids such as physostigmine sulfate and neostigmine bromide on BuChE.
  英語
  ISSN：1344-3542, Web of Science ID：WOS:000081506800004
• Dynamic photocurrent images of a gas sensing surface　　　　　　　　　　　　　　　
  Vasconcelos, E. A; Uchida, H; Zhang, W; Katsube, T
  Jpn. J.Appl. Phys, 巻：38, 号：5A, 開始ページ：2893, 終了ページ：2898, 1999年
  DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.38.2893
  DOI ID：10.1143/JJAP.38.2893, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：110003907309
• Dynamic photocurrent images of a gas sensing surface　　　　　　　　　　　　　　　
  Vasconcelos, E. A; Uchida, H; Zhang, W; Katsube, T
  巻：38, 号：5A, 開始ページ：2893, 終了ページ：2898, 1999年
  DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.38.2893
  DOI ID：10.1143/JJAP.38.2893, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：110003907309
• High resolution chemical image sensor using a high-speed digital SPV measurement system　　　　　　　　　　　　　　　
  H Uchida; WY Zhang; H Maekawa; T Katsube
  巻：9, 号：5, 開始ページ：267, 終了ページ：278, 1997年
  A high resolution and high-speed two-dimensional surface photovoltage (SPV) sensing system which is based on digital data processing was developed and applied to the in-situ monitoring of chemical images. The SPV signal generated by a scanning light beam was directly stored in a computer and signal integration of all measurement points was carried out simultaneously in allocated memories :by numerical calculation, which made it possible, in principle, to reduce the measurement time to equal the scanning time of the light beam. The light beam was modulated by a haversine (interleaved versed sine) wave in order to separate each measurement point signal and obtain a high resolution image. To form images of 16,384 data points, the proposed system requires about 4.5 min, which is at least two orders of magnitude faster than a conventional analog SPV system.
  英語
  ISSN：0914-4935, Web of Science ID：WOS:A1997XY82200001
• High speed chemical image sensor with digital LAPS system　　　　　　　　　　　　　　　
  H Uchida; WY Zhang; T Katsube
  巻：34, 号：1-3, 開始ページ：446, 終了ページ：449, 1996年08月
  A high speed two-dimensional surface photovoltage (SPV) sensing system based on a digital data processing was developed and applied to an in-situ monitoring of chemical images. The SPV signal generated by a scanning light spot was directly memorized in a computer and signal integration of all measurement points was carried out in parallel in allocated memories by numerical calculation, which made it possible in principle to reduce the measurement time as short as the scanning time of the light spot. For the formation of the image of 6400 data points, the proposed system needs about 30 min which is at least one order of magnitude faster than that of a conventional analog SPV system.
  英語
  DOI：https://doi.org/10.1016/S0925-4005(96)01939-9
  DOI ID：10.1016/S0925-4005(96)01939-9, ISSN：0925-4005, CiNii Articles ID：80009334143, Web of Science ID：WOS:A1996WC20900042
• スピネル型構造をもつZn-Sn系複合酸化物薄膜のガス検知特性　　　　　　　　　　　　　　　
  平塚信之; 小林裕; 内田秀和; 勝部昭明
  日本セラミックス協会学術論文誌, 巻：104, 号：1215, 開始ページ：1048, 終了ページ：1051, 1996年
  DOI：https://doi.org/10.2109/jcersj.104.1048
  DOI ID：10.2109/jcersj.104.1048
• High speed chemical image sensor with digital LAPS system　　　　　　　　　　　　　　　
  Uchida, H; Zhang, W.Y; Katsube, T
  巻：34, 号：1/3, 開始ページ：446, 終了ページ：449, 1996年
  DOI：https://doi.org/10.1016/S0925-4005(96)01939-9
  DOI ID：10.1016/S0925-4005(96)01939-9, ISSN：0925-4005, CiNii Articles ID：80009334143
• スピネル型構造をもつZn-Sn系複合酸化物薄膜のガス検知特性　　　　　　　　　　　　　　　
  平塚信之; 小林裕; 内田秀和; 勝部昭明
  巻：104, 号：1215, 開始ページ：1048, 終了ページ：1051, 1996年
  DOI：https://doi.org/10.2109/jcersj.104.1048
  DOI ID：10.2109/jcersj.104.1048
• HIGHLY SENSITIVE TASTE SENSOR WITH A NEW DIFFERENTIAL LAPS METHOD　　　　　　　　　　　　　　　
  Y SASAKI; Y KANAI; H UCHIDA; T KATSUBE
  巻：25, 号：1-3, 開始ページ：819, 終了ページ：822, 1995年04月
  A new differential measurement method for a LAPS (light-addressable potentiometric sensor) has been developed and applied to fabricate an integrated taste sensor with artificial lipid membranes as the ion-sensitive material. The differential measurement procedure is based on a time-sharing technique, which makes it possible to achieve a very sensitive and highly stabilized response due to the noise-compensation effect. Sensitivity enhancement is further achieved by cancelling the base component of the differential response current. These techniques improve the sensitivity by at least two orders of magnitude compared to a conventional LAP system. The sensor shows highly sensitive responses to various taste substances, which makes it possible to identify a sweet taste through pattern-recognition routines. Miniaturization of the LAPS is also attained by using a small metal pseudo-reference electrode instead of a glass electrode.
  英語
  DOI：https://doi.org/10.1016/0925-4005(95)85182-8
  DOI ID：10.1016/0925-4005(95)85182-8, ISSN：0925-4005, CiNii Articles ID：30004030910, Web of Science ID：WOS:A1995RN87000113

• 内田秀和 他113名 MEMS/NEMS工学全集　　　　　　　　　　　　　　　
  テクノシステム, 2009年
• 内田秀和 他113名 MEMS/NEMS工学全集　　　　　　　　　　　　　　　
  テクノシステム, 2009年
• 内田秀和 他122名 バイオセンサ・ケミカルセンサ事典　　　　　　　　　　　　　　　
  テクノシステム, 2007年
  ISBN：9784924728547
• 内田秀和 他122名 バイオセンサ・ケミカルセンサ事典　　　　　　　　　　　　　　　
  テクノシステム, 2007年
  ISBN：9784924728547

• 高密度マイクロリアクターセル分析システムの開発　　　　　　　　　　　　　　　
  総合研究機構研究プロジェクト成果発表会 : ポスター展示, 2007年
• 高密度マイクロリアクターセル分析システムの開発　　　　　　　　　　　　　　　
  総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書, 2007年
• 水晶振動子センサを用いた初期火災センシングシステムの開発　　　　　　　　　　　　　　　
  電気学会研究会資料, 2007年
• 高密度マイクロリアクターセル分析システムの開発　　　　　　　　　　　　　　　
  総合研究機構研究プロジェクト成果発表会 : ポスター展示, 2007年
• 高密度マイクロリアクターセル分析システムの開発　　　　　　　　　　　　　　　
  総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書, 2007年
• 水晶振動子センサを用いた初期火災センシングシステムの開発　　　　　　　　　　　　　　　
  電気学会研究会資料, 2007年
• Fabrication and fluorescence measurement system for microarray using Digital Micromirror Device　　　　　　　　　　　　　　　
  電子情報通信学会技術研究報告, 2006年
• 光導電性高分子薄膜を用いた新しい化学画像センサ　　　　　　　　　　　　　　　
  電子情報通信学会技術研究報告, 2006年
• Fabrication and fluorescence measurement system for microarray using Digital Micromirror Device　　　　　　　　　　　　　　　
  電子情報通信学会技術研究報告, 2006年
• 光導電性高分子薄膜を用いた新しい化学画像センサ　　　　　　　　　　　　　　　
  電子情報通信学会技術研究報告, 2006年
• Dissolved gas image sensor using two dimensional SPV technique　　　　　　　　　　　　　　　
  Transducers'99 The 10th Intern. Conference on Solid-State Sensors and Actuators, 1999年
• Dissolved gas image sensor using two dimensional SPV technique　　　　　　　　　　　　　　　
  Transducers'99 The 10th Intern. Conference on Solid-State Sensors and Actuators, 1999年

• 電気学会
• 応用物理学会

• 有機光導電性薄膜を用いた化学センサ　　　　　　　　　　　　　　　
  補助金, 2006年
  有機光導電性薄膜を用いてセンサ表面の任意の場所で酸化還元反応を起こす技術に関する研究を行っている。
  競争的資金
• Chemical Sensors using Organic Photoconductive Film　　　　　　　　　　　　　　　
  2006年
  競争的資金
• マイクロリアクターアレイの高速測定技術に関する研究　　　　　　　　　　　　　　　
  補助金, 2003年
  創薬などを目的として高速分子進化に利用するマイクロリアクターアレイを高速に分析するための技術に関する研究
  競争的資金
• -　　　　　　　　　　　　　　　
  2003年
  競争的資金
• 嗅覚センサ　　　　　　　　　　　　　　　
  2001年
  QCMおよび酸化物半導体センサを利用した嗅覚センサの研究。これまで食品に関する匂い判別の研究を行って来た。現在、主に初期火災に至る前の燻りを感知するセンサシステムの研究を行っている。
  競争的資金
• Odor Sensors　　　　　　　　　　　　　　　
  2001年
  競争的資金
• 表面光電圧法を用いた化学センサ　　　　　　　　　　　　　　　
  補助金, 1987年 - 2000年
  半導体素子を用いた化学センサに関する研究を行い、特に表面光電圧法がマルチセンサを容易に構成可能であり、化学センサとして適していることを見いだした。主に食品、医療関連分野への応用を行った。非常に高い感度が要求される測定用途のために差動表面光電圧法の技術開発を行い、安定した性能を示すことを明らかにした。さらにセンサ信号処理技術を改善して高速２次元化学画像センサの開発を行い、ガスフローが変化する様子などをリアルタイムで高密度測定できることを示した。生化学分野では抗体を用いた免疫センサ、ヘモグロビンを用いた溶存NOxセンサ、コリンエステラーゼを用いた酸素センサ、DNAハイブリダイゼーションの検出等の応用を行った。
  競争的資金
• Chemical Sensors using Surface Photovoltage Measurement　　　　　　　　　　　　　　　
  1987年 - 2000年
  競争的資金