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土方 泰斗（ヒジカタ ヤスト）
| 理工学研究科 数理電子情報部門 | 准教授 |
| 工学部 電気電子物理工学科 |
研究者情報
■ 研究分野- ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電子デバイス、電子機器
- ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学
- ナノテク・材料, 光工学、光量子科学
- ナノテク・材料, 結晶工学
- ナノテク・材料, 応用物性
- 2006年04月 - 現在, 埼玉大学, 大学院理工学研究科, 准教授
- 2005年09月 - 2006年03月, イタリア国立研究所, マイクロエレクトロニクス＆マイクロシステム研究所, 客員研究員, イタリア共和国
- 1999年10月 - 2006年03月, 埼玉大学, 工学部, 助手
■ 委員歴
■ 受賞
- 2019年12月17日, The best poster presentation award, Q-Leap
- 2019年03月09日, 2019年春季学術講演会Poster Award, 応用物理学会
- 2019年03月, 第１３回ポスター賞, 同位体酸素を用いたSiC表面に形成される単一光子源の構造推定, 応用物理学会
土方 泰斗;松下 雄一郎;大島 武
30040424;30040423 - 2018年12月25日, Student Award, 2018 Conference on Intelligent Computing, Communication & Applied Technologies (CICCAT2018)
- 2018年12月25日, Outstanding research achievement and contribution award, 2018 Conference on Intelligent Computing, Communication & Applied Technologies (CICCAT2018)
- 2018年05月10日, 優秀ポスター賞, 量子生命科学研究会第２回学術集会
- 2005年11月10日, 研究奨励賞, 応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
- 2000年01月01日, 電気学会論文発表賞, 社団法人電気学会
業績情報
■ 論文- Demonstration of Quantum Polarized Microscopy Using an Entangled-Photon Source
Mousume Samad; Maki Shimizu; Yasuto Hijikata
Photonics, 巻：12, 号：2, 開始ページ：127, 終了ページ：127, 2025年01月, ［査読有り］, ［最終著者, 責任著者］
With the advancement of non-classical light sources such as single-photon and entangled-photon sources, innovative microscopy based on quantum principles has been proposed for traditional microscopy. This paper introduces the experimental demonstration of a quantum polarization microscopic technique that incorporates a quantum-entangled photon source. Although the point that employs the variation in polarization angle due to reflection or transmission at the sample is similar to classical polarization microscopy, the method for constructing the image contrast is significantly different. The image contrast is constructed by the coincidence count of signal and idler photons. In the case that the coincidence count is recorded from both the signal and idler photons, the photon statistics resemble a thermal state, similar to the blackbody radiation, but with a significantly higher peak intensity in the second-order autocorrelation function at zero delay that is derived from the coincidence count, while, when the coincidence count is taken from either the signal or idler photon only, although the photon state exhibits a thermal state again, the photon statistics become more dispersive and result in a lower peak intensity of the autocorrelation function. These different thermal states can be switched by slightly changing the photon polarization, which is suddenly aroused within a narrow range of the analyzer angle. The autocorrelation function g2(0) at the thermal state exhibits a sensitivity that is three times higher compared to the classical coincidence count rate, and this concept can be effectively utilized to enhance the contrast of the image. One of the key achievements of our proposed method is ensuring a low power of illumination (in the order of Pico-joules) for constructing the image. In addition, the robustness without any precise setup is also favorable for practical use. This polarization microscopic technique can provide a superior imaging technique compared to the classical method, opening a new frontier for research in material sciences, biology, and other fields requiring high-resolution imaging.
MDPI AG, 英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.3390/photonics12020127
DOI ID：10.3390/photonics12020127, eISSN：2304-6732, ORCID：179943162 - Ar/N2混合雰囲気中RFマグネトロンスパッタリング法で作製したアモルファスSnO2:N薄膜の特性評価
川口 拓真; 大石 竜嗣; 清水 麻希; 土方 泰斗; 相川 慎也
電気学会論文誌C, 巻：144, 号：11, 開始ページ：1093, 終了ページ：1099, 2024年11月, ［査読有り］
Institute of Electrical Engineers of Japan (IEE Japan), 日本語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1541/ieejeiss.144.1093
DOI ID：10.1541/ieejeiss.144.1093, ISSN：0385-4221, eISSN：1348-8155 - Thermoelectric measurements of nanomaterials by nanodiamond quantum thermometry
Maki Shimizu; Koki Sugimoto; Yasuto Hijikata
Applied Physics Express, 2024年09月, ［査読有り］, ［最終著者］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad6fe9
DOI ID：10.35848/1882-0786/ad6fe9, ORCID：165592223 - The Influence of Oxygen‐Related Defects on the Formation of In2O3‐Based Low‐Fluorescence Transparent Conducting Film
Maki Shimizu; Masataka Shugo; Shun Mori; Yasuto Hijikata; Shinya Aikawa
physica status solidi (a), 2023年06月, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.202200896
DOI ID：10.1002/pssa.202200896, ORCID：134830830 - Optically detected magnetic resonance of silicon vacancies in 4H-SiC at elevated temperatures toward magnetic sensing under harsh environments
Shu Motoki; Shin-ichiro Sato; Seiichi Saiki; Yuta Masuyama; Yuichi Yamazaki; Takeshi Ohshima; Koichi Murata; Hidekazu Tsuchida; Yasuto Hijikata
Journal of Applied Physics, 巻：133, 号：15, 2023年04月, ［査読有り］, ［最終著者］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/5.0139801
DOI ID：10.1063/5.0139801, ISSN：1089-7550, ORCID：133244244, SCOPUS ID：85153679126 - Spin property improvement of boron vacancy defect in hexagonal boron nitride by thermal treatment
Tetta Suzuki; Yuichi Yamazaki; Takashi Taniguchi; Kenji Watanabe; Yusuke Nishiya; Yu-ichiro Matsushita; Kazuya Harii; Yuta Masuyama; Yasuto Hijikata; Takeshi Ohshima
Applied Physics Express, 巻：16, 号：3, 開始ページ：032006, 終了ページ：032006, 2023年03月, ［査読有り］
Abstract
Negatively charged boron vacancy (V B –) in hexagonal boron nitride has attracted attention as a promising spin defect for quantum sensing applications. Hence, a fabrication method for generation of V B – with superior spin properties would be desirable. In this study, we demonstrated V B – formation by two thermal treatment methods. Both methods improve the signal-to-noise ratio of optically detected magnetic resonance signal by a factor of 4. Furthermore, a zero-field splitting parameter E which reflects crystal distortion after irradiation significantly reduces for irradiation above 650 °C. These findings indicate that thermal treatment is an effective method for a V B – based quantum sensor.
IOP Publishing, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.35848/1882-0786/acc442
DOI ID：10.35848/1882-0786/acc442, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786 - Impact of formation process on the radiation properties of single-photon sources generated on SiC crystal surfaces
Yasuto Hijikata; Shota Komori; Shunsuke Otojima; Yu-Ichiro Matsushita; Takeshi Ohshima
Applied Physics Letters, 巻：118, 号：20, 2021年05月, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
American Institute of Physics Inc., 英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/5.0048772
DOI ID：10.1063/5.0048772, ISSN：0003-6951, SCOPUS ID：85106570372 - Influences of hydrogen ion irradiation on NcVsi− formation in 4H-silicon carbide
Takuma Narahara; Shin-Ichiro Sato; Kazutoshi Kojima; Yasuto Hijikata; Takeshi Ohshima
Applied Physics Express, 巻：14, 号：2, 2021年02月, ［査読有り］
IOP Publishing Ltd, 英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.35848/1882-0786/abdc9e
DOI ID：10.35848/1882-0786/abdc9e, ISSN：1882-0786, SCOPUS ID：85100388082 - Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations
Yuichi Yamazaki; Yoji Chiba; Shin-Ichiro Sato; Takahiro Makino; Naoto Yamada; Takahiro Satoh; Kazutoshi Kojima; Yasuto Hijikata; Hidekazu Tsuchida; Norihiro Hoshino; Sang-Yun Lee; Takeshi Ohshima
Applied Physics Letters, 巻：118, 号：2, 2021年01月, ［査読有り］
American Institute of Physics Inc., 英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/5.0028318
DOI ID：10.1063/5.0028318, ISSN：0003-6951, SCOPUS ID：85099354563 - Influence of neutron radiation on majority and minority carrier traps in n-type 4H-SiC
Ivana Capan; Tomislav Brodar; Yuichi Yamazaki; Yuya Oki; Takeshi Ohshima; Yoji Chiba; Yasuto Hijikata; Luka Snoj; Vladimir Radulović
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 巻：478, 開始ページ：224, 終了ページ：228, 2020年09月, ［査読有り］
Elsevier B.V., 英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.nimb.2020.07.005
DOI ID：10.1016/j.nimb.2020.07.005, ISSN：0168-583X, SCOPUS ID：85088126382 - Near infrared photoluminescence of ncvsi-centers in high-purity semi-insulating 4h-sic irradiated with energetic charged particles
Shin-Ichiro Sato; Takuma Narahara; Shinobu Onoda; Yuichi Yamazaki; Yasuto Hijikata; Brant C. Gibson; Andrew D. Greentree; Takeshi Ohshima
Materials Science Forum, 巻：1004, 開始ページ：355, 終了ページ：360, 2020年, ［査読有り］
Trans Tech Publications Ltd, 英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.355
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.355, ISSN：1662-9752, SCOPUS ID：85089803119 - Enhancement of ODMR contrasts of silicon vacancy in SiC by thermal treatment
Yoji Chiba; Yuichi Yamazaki; Shin-Ichiro Sato; Takahiro Makino; Naoto Yamada; Takahiro Satoh; Yasuto Hijikata; Takeshi Ohshima
Materials Science Forum, 巻：1004, 開始ページ：337, 終了ページ：342, 2020年, ［査読有り］
Trans Tech Publications Ltd, 英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.337
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.337, ISSN：1662-9752, SCOPUS ID：85089798448 - Effects of nitrogen impurity concentration on nitrogen-vacancy center formation in 4h-sic
Takuma Narahara; Shin-Ichiro Sato; Kazutoshi Kojima; Yuichi Yamazaki; Yasuto Hijikata; Takeshi Ohshima
Materials Science Forum, 巻：1004, 開始ページ：349, 終了ページ：354, 2020年, ［査読有り］
Trans Tech Publications Ltd, 英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.349
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.349, ISSN：1662-9752, SCOPUS ID：85089796074 - Optically detected magnetic resonance study of 3d arrayed silicon vacancies in sic pn diodes
Yamazaki, Y.; Chiba, Y.; Sato, S.-I.; Makino, T.; Yamada, N.; Satoh, T.; Kojima, K.; Hijikata, Y.; Tsuchida, H.; Hoshino, N.; Lee, S.-Y.; Ohshima, T.
Materials Science Forum, 巻：1004 MSF, 2020年, ［査読有り］
Materials Science Forum, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.343
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.343, ISSN：1662-9752, ORCID：80841223, SCOPUS ID：85089809284 - Creation of color centers in sic pn diodes using proton beam writing
Chiba, Y.; Yamazaki, Y.; Makino, T.; Sato, S.-I.; Yamada, N.; Satoh, T.; Kojima, K.; Lee, S.-Y.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
Materials Science Forum, 巻：963 MSF, 2019年, ［査読有り］
Materials Science Forum, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.709
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.963.709, ORCID：69201932, SCOPUS ID：85071847159 - Macroscopic simulations of the SiC thermal oxidation process based on the Si and C emission model
Hijikata, Y.
Diamond and Related Materials, 巻：92, 開始ページ：253, 終了ページ：258, 2019年, ［査読有り］, ［筆頭著者, 責任著者］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.diamond.2019.01.012
DOI ID：10.1016/j.diamond.2019.01.012, ISSN：0925-9635, eISSN：1879-0062, ORCID：69201950, SCOPUS ID：85060283318, Web of Science ID：WOS:000461129800033 - First-principles study of oxygen-related defects on 4H-SiC surface: The effects of surface amorphous structure
Matsushita, Y.-I.; Furukawa, Y.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
Applied Surface Science, 巻：464, 開始ページ：451, 終了ページ：454, 2019年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.09.072
DOI ID：10.1016/j.apsusc.2018.09.072, ISSN：0169-4332, eISSN：1873-5584, ORCID：69201997, SCOPUS ID：85053384490, Web of Science ID：WOS:000447744200054 - Radiation response of negative gate biased SiC MOSFETs
Takeyama, A.; Makino, T.; Okubo, S.; Tanaka, Y.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
Materials, 巻：12, 号：7, 開始ページ：2741, 終了ページ：2741, 2019年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.3390/ma12172741
DOI ID：10.3390/ma12172741, eISSN：1996-1944, ORCID：69201964, SCOPUS ID：85071867226, Web of Science ID：WOS:000488880300094 - Formation of nitrogen-vacancy centers in 4H-SiC and their near infrared photoluminescence properties
Sato, S.-I.; Narahara, T.; Abe, Y.; Hijikata, Y.; Umeda, T.; Ohshima, T.
Journal of Applied Physics, 巻：126, 号：8, 2019年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.5099327
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85071323431&origin=inward
DOI ID：10.1063/1.5099327, ISSN：0021-8979, eISSN：1089-7550, ORCID：69201955, SCOPUS ID：85071323431, Web of Science ID：WOS:000483884600018 - Various single photon sources observed in SiC pin diodes
Tsunemi, H.; Honda, T.; Makino, T.; Onoda, S.; Sato, S.-I.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
Materials Science Forum, 巻：924 MSF, 2018年, ［査読有り］
Materials Science Forum, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.204
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.924.204, ORCID：47642246, SCOPUS ID：85049011254 - Oxygen-incorporated single-photon sources observed at the surface of silicon carbide crystals
Hijikata, Y.; Horii, T.; Furukawa, Y.; Matsushita, Y.-I.; Ohshima, T.
Journal of Physics Communications, 巻：2, 号：11, 2018年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1088/2399-6528/aaede4
DOI ID：10.1088/2399-6528/aaede4, ISSN：2399-6528, ORCID：69201936, SCOPUS ID：85060292412, Web of Science ID：WOS:000456498500004 - Electrically controllable position-controlled color centers created in SiC pn junction diode by proton beam writing
Yamazaki, Y.; Chiba, Y.; Makino, T.; Sato, S.-I.; Yamada, N.; Satoh, T.; Hijikata, Y.; Kojima, K.; Lee, S.-Y.; Ohshima, T.
Journal of Materials Research, 巻：33, 号：20, 開始ページ：3355, 終了ページ：3361, 2018年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1557/jmr.2018.302
DOI ID：10.1557/jmr.2018.302, ISSN：0884-2914, eISSN：2044-5326, ORCID：69201975, SCOPUS ID：85052912484, Web of Science ID：WOS:000452651700001 - Generation of stacking faults in 4H-SiC epilayer induced by oxidation
Asafuji, R.; Hijikata, Y.
Materials Research Express, 巻：5, 号：1, 2018年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1088/2053-1591/aaa00c
DOI ID：10.1088/2053-1591/aaa00c, ISSN：2053-1591, ORCID：69201994, SCOPUS ID：85041630558, Web of Science ID：WOS:000419328400003 - Room Temperature Electrical Control of Single Photon Sources at 4H-SiC Surface
Sato, S.-I.; Honda, T.; Makino, T.; Hijikata, Y.; Lee, S.-Y.; Ohshima, T.
ACS Photonics, 巻：5, 号：8, 開始ページ：3159, 終了ページ：3165, 2018年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1021/acsphotonics.8b00375
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85047601078&origin=inward
DOI ID：10.1021/acsphotonics.8b00375, ISSN：2330-4022, eISSN：2330-4022, ORCID：69201946, SCOPUS ID：85047601078, Web of Science ID：WOS:000442185900025 - Creation and functionalization of defects in SiC by proton beam writing
Ohshima, T.; Honda, T.; Onoda, S.; Makino, T.; Haruyama, M.; Kamiya, T.; Satoh, T.; Hijikata, Y.; Kada, W.; Hanaizumi, O.; Lohrmann, A.; Klein, J.R.; Johnson, B.C.; McCallum, J.C.; Castelletto, S.; Gibson, B.C.; Kraus, H.; Dyakonov, V.; Astakhov, G.V.
Materials Science Forum, 巻：897 MSF, 2017年, ［査読有り］
Materials Science Forum, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.897.233
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.897.233, ORCID：47642233, SCOPUS ID：85020032477 - Three-Dimensional Proton Beam Writing of Optically Active Coherent Vacancy Spins in Silicon Carbide
Kraus, H.; Simin, D.; Kasper, C.; Suda, Y.; Kawabata, S.; Kada, W.; Honda, T.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.; Dyakonov, V.; Astakhov, G. V.
Nano Letters, 巻：17, 号：5, 2017年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b05395
DOI ID：10.1021/acs.nanolett.6b05395, ORCID：33755623, SCOPUS ID：85019179211, Web of Science ID：WOS:000401307300018 - Optimum structures for gamma-ray radiation resistant SiC-MOSFETs
Mitomo, S.; Matsuda, T.; Murata, K.; Yokoseki, T.; Makino, T.; Takeyama, A.; Onoda, S.; Ohshima, T.; Okubo, S.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 巻：214, 号：4, 2017年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.201600425
DOI ID：10.1002/pssa.201600425, ISSN：1862-6300, eISSN：1862-6319, ORCID：47642240, SCOPUS ID：85012884011, Web of Science ID：WOS:000402158300025 - Impacts of gate bias and its variation on gamma-ray irradiation resistance of SiC MOSFETs
Murata, K.; Mitomo, S.; Matsuda, T.; Yokoseki, T.; Makino, T.; Onoda, S.; Takeyama, A.; Ohshima, T.; Okubo, S.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 巻：214, 号：4, 2017年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.201600446
DOI ID：10.1002/pssa.201600446, ISSN：1862-6300, eISSN：1862-6319, ORCID：47642238, SCOPUS ID：84996555465, Web of Science ID：WOS:000402158300026 - Gamma-ray irradiation response of the motor-driver circuit with SiC MOSFETs
Kobayashi, Y.; Yokozeki, T.; Matsuda, T.; Mitomo, S.; Murata, K.; Hachisuka, M.; Kaneko, Y.; Makino, T.; Takeyama, A.; Onoda, S.; Ohshima, T.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.
Materials Science Forum, 巻：858, 2016年, ［査読有り］
Materials Science Forum, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.868
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.858.868, ORCID：47642235, SCOPUS ID：84971498978 - Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers
Miyazaki, T.; Makino, T.; Takeyama, A.; Onoda, S.; Ohshima, T.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.
Superlattices and Microstructures, 巻：99, 2016年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.03.005
DOI ID：10.1016/j.spmi.2016.03.005, ORCID：31489770, SCOPUS ID：84960365133, Web of Science ID：WOS:000390630200035 - Change in characteristics of SiC MOSFETs by gamma-ray irradiation at high temperature
Matsuda, T.; Yokoseki, T.; Mitomo, S.; Murata, K.; Makino, T.; Abe, H.; Takeyama, A.; Onoda, S.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
Materials Science Forum, 巻：858, 開始ページ：860, 終了ページ：863, 2016年, ［査読有り］
Materials Science Forum, 英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.860
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=84971500986&origin=inward
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.858.860, ISSN：0255-5476, eISSN：1662-9752, ORCID：47642241, SCOPUS ID：84971500986 - Unified theory of silicon carbide oxidation based on the Si and C emission model
Goto, D.; Hijikata, Y.
Journal of Physics D: Applied Physics, 巻：49, 号：22, 2016年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/22/225103
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Takeyama, A.; Matsuda, T.; Yokoseki, T.; Mitomo, S.; Murata, K.; Makino, T.; Onoda, S.; Okubo, S.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
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英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.55.104101
DOI ID：10.7567/JJAP.55.104101, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：69201952, SCOPUS ID：84989321764, Web of Science ID：WOS:000384090600001 - Radiation response of silicon carbide metal-oxide-semiconductor transistors in high dose region
Ohshima, T.; Yokoseki, T.; Murata, K.; Matsuda, T.; Mitomo, S.; Abe, H.; Makino, T.; Onoda, S.; Hijikata, Y.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Okubo, S.; Yoshie, T.
Japanese Journal of Applied Physics, 巻：55, 号：1, 開始ページ：01AD01, 2016年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.55.01AD01
DOI ID：10.7567/JJAP.55.01AD01, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：69201939, SCOPUS ID：84953216736, Web of Science ID：WOS:000369014400042 - Recovery of the electrical characteristics of SiC MOSFETs irradiated with gamma-rays by thermal treatments
Yokoseki, T.; Abe, H.; Makino, T.; Onoda, S.; Tanaka, Y.; Kandori, M.; Yoshie, T.; Hijikata, Y.; Ohshima, T.
Materials Science Forum, 巻：821-823, 開始ページ：705, 終了ページ：708, 2015年, ［査読有り］
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Hijikata, Y.; Asafuji, R.; Konno, R.; Akasaka, Y.; Shinoda, R.
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DOI ID：10.1063/1.4922536, ISSN：2158-3226, ORCID：69201957, SCOPUS ID：84934978437, Web of Science ID：WOS:000357608000028 - Photoluminescence study of oxidation-induced stacking faults in 4H-SiC epilayers
Miyano, Y.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
Materials Science Forum, 巻：821-823, 開始ページ：327, 終了ページ：330, 2015年, ［査読有り］
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Goto, D.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
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Miyano, Y.; Asafuji, R.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
AIP Advances, 巻：5, 号：12, 開始ページ：127116, 終了ページ：127116, 2015年, ［査読有り］
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Jin, R.G.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
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Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 巻：211, 号：4, 開始ページ：752, 終了ページ：755, 2014年, ［査読有り］
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Hijikata, Yasuto; Yagi, Shuhei; Yaguchi, Hiroyuki; Sadafumi, Yoshida
Physics and Technology of Silicon Carbide Devices, 開始ページ：26, 終了ページ：26, 2013年, ［査読有り］
DOI：https://doi.org/10.5772/50748
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Hijikata, Yasuto
2013年, ［査読有り］
DOI：https://doi.org/10.5772/3428
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Yoshida, Sadafumi; Hijikata, Yasuto; Yaguchi, Hiroyuki
Physics and Technology of Silicon Carbide Devices, 開始ページ：26, 終了ページ：26, 2013年, ［査読有り］
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DOI ID：10.5772/50749, ORCID：31489788 - RF-MBE growth of cubic InN nano-scale dots on cubic GaN
Suzuki, J.; Orihara, M.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.
Journal of Crystal Growth, 巻：378, 開始ページ：454, 終了ページ：458, 2013年, ［査読有り］
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Shuhei Yagi; Shunsuke Noguchi; Yasuto Hijikata; Shigeyuki Kuboya; Kentaro Onabe; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), 開始ページ：2490, 終了ページ：2493, 2013年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
DOI：https://doi.org/10.1109/PVSC.2013.6744981
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英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.043
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Hijikata, Y.; Yagi, S.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
Materials Science Forum, 巻：740-742, 開始ページ：833, 終了ページ：+, 2013年, ［査読有り］
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Physics of Semiconductors, 巻：1566, 号：1, 開始ページ：538, 終了ページ：+, 2013年, ［査読有り］
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Yagi, S.; Noguchi, S.; Hijikata, Y.; Kuboya, S.; Onabe, K.; Yaguchi, H.
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英語, 研究論文（学術雑誌）
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Materials Science Forum, 巻：706-709, 開始ページ：2916, 終了ページ：+, 2012年, ［査読有り］
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DOI：https://doi.org/10.1143/APEX.5.051302
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Takamiya, K.; Fukushima, T.; Yagi, S.; Hijikata, Y.; Mochizuki, T.; Yoshita, M.; Akiyama, H.; Kuboya, S.; Onabe, K.; Katayama, R.; Yaguchi, H.
Applied Physics Express, 巻：5, 号：11, 開始ページ：3, 2012年, ［査読有り］
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2012 38TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC), 開始ページ：83, 終了ページ：86, 2012年, ［査読有り］
英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Shuhei Yagi; Yasuto Hijikata; Yoshitaka Okada; Hiroyuki Yaguchi
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研究論文（国際会議プロシーディングス）
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Hijikata, Yasuto; Yaguchi, Hiroyuki; Yoshida, Sadafumi
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英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.639
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DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.556-557.423
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DOI：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.019
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DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200674721
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英語, 研究論文（学術雑誌）
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DOI ID：10.1016/j.mee.2007.01.241, ISSN：0167-9317, ORCID：69201998, SCOPUS ID：36148978949, Web of Science ID：WOS:000252145900006 - Growth rate enhancement of (0001̄)-face silicon-carbide oxidation in thin oxide regime
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DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.46.L770
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=34548458164&origin=inward
DOI ID：10.1143/JJAP.46.L770, ISSN：0021-4922, eISSN：1347-4065, ORCID：69201961, SCOPUS ID：34548458164, Web of Science ID：WOS:000249166000018 - Characterization of oxide films on 4H-SiC epitaxial (000(1)over-bar) faces by high-energy-resolution photoemission spectroscopy: Comparison between wet and dry oxidation
Hijikata, Yasuto; Yaguchi, Hiroyuki; Yoshida, Sadafumi; Takata, Yasutaka; Kobayashi, Keisuke; Nohira, Hiroshi; Hattori, Takeo
Journal of Applied Physics, 巻：100, 号：5, 2006年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1063/1.2345471
DOI ID：10.1063/1.2345471, ORCID：31489859, SCOPUS ID：33748914131, Web of Science ID：WOS:000240602500065 - Off-angle dependence of characteristics of 4H-SiC-oxide interfaces
Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Takata, Y.; Kobayashi, K.; Nohira, H.; Hattori, T.
Materials Science Forum, 巻：527-529, 号：PART 2, 開始ページ：1003, 終了ページ：1006, 2006年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.1003
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.1003, ISSN：0255-5476, ORCID：69201922, SCOPUS ID：37849053034, Web of Science ID：WOS:000244227200235 - RF-MBE growth of cubic InN films on MgO (001) substrates
Iwahashi, Y.; Yaguchi, H.; Nishimoto, A.; Orihara, M.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Hildebrandt, S.; Stutzmann, M.
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics, Vol 3, No 6, 巻：3, 号：6, 開始ページ：1515, 終了ページ：1518, 2006年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200565312
DOI ID：10.1002/pssc.200565312, ORCID：31489863, SCOPUS ID：33746362598, Web of Science ID：WOS:000239543600033 - Simultaneous determination of carrier concentration, mobility, and thickness of SiC homoepilayers by infrared reflectance spectroscopy
Oishi, S.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters, 巻：45, 号：46-50, 開始ページ：L1226, 終了ページ：L1229, 2006年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.45.L1226
DOI ID：10.1143/JJAP.45.L1226, ISSN：0021-4922, ORCID：69201972, SCOPUS ID：34547874643, Web of Science ID：WOS:000243208300002 - Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys
Yaguchi, H.; Morioke, T.; Aoki, T.; Shimizu, H.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Yoshita, M.; Akiyama, H.; Usami, N.; Aoki, D.; Onabe, K.
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 巻：3, 号：6, 開始ページ：1907, 終了ページ：1910, 2006年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200565372
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=33746359358&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssc.200565372, ISSN：1862-6351, ORCID：69201981, SCOPUS ID：33746359358, Web of Science ID：WOS:000239543600124 - Real time observation of SiC oxidation using an in-situ ellipsometer
Kakubari, K.; Kuboki, R.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
Materials Science Forum, 巻：527-529, 号：PART 2, 開始ページ：1031, 終了ページ：1034, 2006年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.1031
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.527-529.1031, ISSN：0255-5476, ORCID：69201923, SCOPUS ID：34548454843, Web of Science ID：WOS:000244227200242 - Growth of high-quality hexagonal InN on 3C-SiC (001) by molecular beam epitaxy
Yaguchi, H.; Kitamura, Y.; Nishida, K.; Iwahashi, Y.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Stutzmann, M.
Physica Status Solidi C - Conferences and Critical Reviews, Vol 2, No 7, 巻：2, 号：7, 開始ページ：2267, 終了ページ：2270, 2005年, ［査読有り］
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200461386
DOI ID：10.1002/pssc.200461386, ORCID：31489867, Web of Science ID：WOS:000230421400058 - Characterization of oxide films on SiC epitaxial (000-1) faces by angle-resolved photoemission spectroscopy measurements using synchrotron radiation
Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Takata, Y.; Kobayashi, K.; Shin, S.; Nohira, H.; Hattori, T.
Materials Science Forum, 巻：483-485, 開始ページ：585, 終了ページ：588, 2005年, ［査読有り］
Materials Science Forum, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.585
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=33748898380&origin=inward
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.585, ISSN：0255-5476, eISSN：1662-9752, ORCID：69201925, SCOPUS ID：33748898380 - Effect of Ar post-oxidation annealing on oxide-4H-SiC interfaces studied by capacitance to voltage measurements and photoemission spectroscopy
Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Ishida, Y.; Yoshikawa, M.
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films, 巻：23, 号：2, 開始ページ：298, 終了ページ：303, 2005年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1116/1.1865153
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=31344435125&origin=inward
DOI ID：10.1116/1.1865153, ISSN：0734-2101, CiNii Articles ID：80017842170, ORCID：69201948, SCOPUS ID：31344435125, Web of Science ID：WOS:000227739200013 - Photoemission spectroscopic studies on oxide/SiC interfaces formed by dry and pyrogenic oxidation
Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Ishida, Y.; Yoshikawa, M.; Kamiya, T.; Yoshida, S.
Materials Science Forum, 巻：457-460, 号：II, 開始ページ：1341, 終了ページ：1344, 2004年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.1341
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.1341, ISSN：0255-5476, ORCID：69201918, SCOPUS ID：8744311763, Web of Science ID：WOS:000222802200319 - Characterization of electrical properties in high-dose implanted and post-implantation-annealed 4H-SiC wafers using infrared reflectance spectroscopy
Narita, N.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.; Senzaki, J.; Nakashima, S.
Materials Science Forum, 巻：457-460, 号：II, 開始ページ：905, 終了ページ：908, 2004年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.905
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.905, ISSN：0255-5476, ORCID：69201919, SCOPUS ID：6444226901, Web of Science ID：WOS:000222802200215 - Epitaxial growth of hexagonal and cubic InN films
Nishida, K.; Kitamura, Y.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshida, S.
Physica Status Solidi (B) Basic Research, 巻：241, 号：12, 開始ページ：2839, 終了ページ：2842, 2004年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssb.200405049
DOI ID：10.1002/pssb.200405049, ISSN：0370-1972, eISSN：1521-3951, ORCID：69201971, SCOPUS ID：7444245442, Web of Science ID：WOS:000224488800047 - Characterization of Carrier Concentration and Mobility in n-type SiC Wafers Using Infrared Reflectance Spectroscopy
Narita Katsutoshi; Hijikata Yasuto; Yaguchi Hiroyuki; Yoshida Sadafumi; Nakashima Shinichi
Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes, 巻：43, 号：8 A, 開始ページ：5151, 終了ページ：5156, 2004年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.43.5151
DOI ID：10.1143/JJAP.43.5151, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：150000043643, CiNii Books ID：AA10457675, ORCID：69201989, SCOPUS ID：6444243848, Web of Science ID：WOS:000224841400013 - ファブリペロー型光ファイバ超音波プローブの受音特性
中村 健太郎; 土方 泰斗
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C, 巻：86, 号：12, 開始ページ：1340, 終了ページ：1341, 2003年12月
copyright(c)2003 IEICE許諾番号：08RB0010光ファイバの先端に微小なファブリペロー共振器を製作し,その共振光波長変調を検出することで音圧を測定する超音波プローブが提案されている.筆者らは, このプローブの指向性と空間分解能を実験的に評価したところ,シングルモードファイバを用いれば2.25MHzに対してほぼ無指向性であること,空間分解能はファブリペロー共振器の大きさ程度であることが明らかになった.
社団法人電子情報通信学会, 日本語
ISSN：1345-2827, CiNii Articles ID：110003172094, CiNii Books ID：AA11412446 - 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果
吉川 正人; 石田 夕起; 直本 保; 土方 泰斗; 伊藤 久義; 奥村 元; 高橋 徹夫; 土田 秀一; 吉田 貞史
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C, 巻：86, 号：4, 開始ページ：426, 終了ページ：433, 2003年04月
copyright(c)2003 IEICE許諾番号：08RB00101200℃ドライ酸化やそれに引き続いて行われる熱アニーリングが，酸化膜と4積層周期六方晶炭化ケイ素（4H-SiC）基板の界面に与える影響を調べた．n型及びp型4H-SiC基板を1200℃の乾燥酸素雰囲気中で3時間酸化して50 nmの酸化膜を作製した後，酸化膜を500℃から950℃のアルゴン雰囲気中で3時間熱アニーリングした．その酸化膜を用いて金属/酸化膜/半導体（MOS）構造を形成してC-V特性を測定し，酸化膜と4H-SiC界面の電気特性に及ぼす熱アニーリング効果を調べた．1200℃ドライ酸化膜を用いて形成した4H-SiC MOS構造のC-V特性は，電圧軸に沿って正方向へ大きくシフトした．界面には負電荷が蓄積していた．600℃で3時間の熱アニーリングを行うとC-V特性が負方向へシフトし始め，950℃ 3時間の熱アニーリングで電圧シフトが消失した．一方，p型4H-SiC MOS構造のC-V特性を調べると，n型とは反対に電圧軸に沿って負方向へ大きくシフトした．界面には正電荷が蓄積していた．n型とp型のシフト方向の違いと界面欠陥の荷電状態の関連性について調べ，界面欠陥の熱アニーリングのメカニズムを議論した．
社団法人電子情報通信学会, 日本語
ISSN：1345-2827, CiNii Articles ID：110003172129, CiNii Books ID：AA11412446 - Electrical Characteristics of Interface Defects in Oxides Grown at 1200℃ in Dry Oxygen Ambient on Silicon Carbide and Their
YOSHIKAWA Masahito; ISHIDA Yuuki; JIKIMOTO Tamotsu; HIJIKATA Yasuto; ITOH Hisayoshi; OKUMURA Hajime; TAKAHASHI Tetsuo; TSUCHIDA Hidekazu; YOSHIDA Sadafumi
IEICE transactions on electronics, 巻：86, 号：4, 開始ページ：688, 終了ページ：688, 2003年04月
copyright(c)2003 IEICE許諾番号：08RB0010 http://search.ieice.org/index.html
社団法人電子情報通信学会, 英語
ISSN：0916-8524, CiNii Articles ID：110003223445, CiNii Books ID：AA10826283 - Improvement in the luminescence efficiency of GaAsN alloys by photoexcitation
Yaguchi, H; Morioke, T; Aoki, T; Hijikata, Y; Yoshida, S; Akiyama, H; Usami, N; Aoki, D; Onabe, K; Stutzmann, M
5th International Conference on Nitride Semiconductors (Icns-5), Proceedings, 巻：0, 号：7, 開始ページ：2782, 終了ページ：2784, 2003年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200303514
DOI ID：10.1002/pssc.200303514, ISSN：1862-6351, ORCID：31489872, Web of Science ID：WOS:000189401700190 - Spectroscopic ellipsometry study on the dielectric functions of GaPN alloys
Kanaya, H; Yaguchi, H; Hijikata, Y; Yoshida, S; Miyoshi, S; Onabe, K; Stutzmann, M
5th International Conference on Nitride Semiconductors (Icns-5), Proceedings, 巻：0, 号：7, 開始ページ：2753, 終了ページ：2756, 2003年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/pssc.200303430
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=33749433192&origin=inward
Scopus Citedby：https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=33749433192&origin=inward
DOI ID：10.1002/pssc.200303430, ISSN：1610-1634, ORCID：31489873, SCOPUS ID：33749433192, Web of Science ID：WOS:000189401700183 - The investigation of 4H-SiC/SiO
2 interfaces by optical and electrical measurements
Ishida, Y.; Takahashi, T.; Okumura, H.; Jikimoto, T.; Tsuchida, H.; Yoshikawa, M.; Tomioka, Y.; Midorikawa, M.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.
Materials Science Forum, 巻：389-393, 開始ページ：1013, 終了ページ：1016, 2002年, ［査読有り］
Materials Science Forum, 英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1013
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1013, ISSN：0255-5476, ORCID：47642231, SCOPUS ID：0036433805 - X-ray photoelectron spectroscopy studies of post-oxidation process effects on oxide/SiC interfaces
Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshikawa, M.; Yoshida, S.
Materials Science Forum, 巻：389-393, 開始ページ：1033, 終了ページ：1036, 2002年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1033
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1033, ISSN：0255-5476, ORCID：47642230, SCOPUS ID：0036429057, Web of Science ID：WOS:000177321100249 - Characterization of the interfaces between SiC and oxide films by spectroscopic ellipsometry
Tomioka, Y.; Iida, T.; Midorikawa, M.; Tukada, H.; Yoshimoto, K.; Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshikawa, M.; Ishida, Y.; Kosugi, R.; Yoshida, S.
Materials Science Forum, 巻：389-393, 開始ページ：1029, 終了ページ：1032, 2002年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1029
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1029, ISSN：0255-5476, ORCID：47642245, SCOPUS ID：0036433806, Web of Science ID：WOS:000177321100248 - Spatial mapping of the carrier concentration and mobility in SiC wafers by micro fourier-transform infrared spectroscopy
Yaguchi, H.; Narita, K.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Nakashima, S.; Oyanagi, N.
Materials Science Forum, 巻：389-393, 号：1, 開始ページ：621, 終了ページ：624, 2002年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.621
DOI ID：10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.621, ISSN：0255-5476, ORCID：69201924, SCOPUS ID：34247249828, Web of Science ID：WOS:000177321100150 - Measurements of the depth profile of the refractive indices in oxide films on SiC by spectroscopic ellipsometry
Iida, T; Tomioka, Y; Yoshimoto, K; Midorikawa, M; Tukada, H; Orihara, M; Hijikata, Y; Yaguchi, H; Yoshikawa, M; Itoh, H; Ishida, Y; Yoshida, S
Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers, 巻：41, 号：2A, 開始ページ：800, 終了ページ：804, 2002年, ［査読有り］
研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.41.800
Scopus：https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=0036478462&origin=inward
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Yaguchi, H.; Matsumoto, S.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Maeda, T.; Ogura, M.; Aoki, D.; Onabe, K.
Physica Status Solidi (B) Basic Research, 巻：228, 号：1, 開始ページ：269, 終了ページ：272, 2001年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1002/1521-3951(200111)228:1<269::AID-PSSB269>3.0.CO;2-3
DOI ID：10.1002/1521-3951(200111)228:1<269::AID-PSSB269>3.0.CO;2-3, ISSN：0370-1972, ORCID：47642236, SCOPUS ID：0035541085, Web of Science ID：WOS:000172513100060 - Composition analysis of SiO
2 /SiC interfaces by electron spectroscopic measurements using slope-shaped oxide films
Hijikata, Y.; Yaguchi, H.; Yoshikawa, M.; Yoshida, S.
Applied Surface Science, 巻：184, 号：1-4, 開始ページ：161, 終了ページ：166, 2001年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1016/S0169-4332(01)00491-3
DOI ID：10.1016/S0169-4332(01)00491-3, ISSN：0169-4332, eISSN：1873-5584, ORCID：69201992, SCOPUS ID：0035852219, Web of Science ID：WOS:000173000100027 - Photoluminescence study on temperature dependence of band gap energy of GaAsN alloys
Yaguchi, H.; Kikuchi, S.; Hijikata, Y.; Yoshida, S.; Aoki, D.; Onabe, K.
Physica Status Solidi (B) Basic Research, 巻：228, 号：1, 開始ページ：273, 終了ページ：277, 2001年, ［査読有り］
英語, 研究論文（学術雑誌）
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研究論文（学術雑誌）
ORCID：69201927, SCOPUS ID：0033742714 - Characterization of Oxide Films on SiC by Spectroscopic Ellipsometry
Iida Takeshi; Tomioka Yuichi; Hijikata Yasuto; Yaguchi Hiroyuki; Yoshikawa Masahito; Ishida Yuuki; Okumura Hajime; Yoshida Sadafumi
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英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.39.L1054
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Uno Yasuto; Nakamura Kentaro
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英語, 研究論文（学術雑誌）
DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.38.3120
DOI ID：10.1143/JJAP.38.3120, ISSN：0021-4922, CiNii Articles ID：130004526269, ORCID：31489884, Web of Science ID：WOS:000081575800028
- 埼玉大学研究シーズ集2021-23
2021年04月 - 埼玉大学研究マップ
2019年10月 - 埼玉大学研究シーズ集2018-19
2018年04月
寄稿（P.85） - 埼玉大学研究シーズ集2016-17
2016年04月
寄稿（P.74） - InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討
徳田英俊; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：74th, 号：8, 開始ページ：ROMBUNNO.17P-P7-15, 終了ページ：08JL06-4, 2013年08月31日
Creation of short-period InN/GaN superlattices is one of the possible ways of conducting band gap engineering in the green-blue range of the spectrum. The present paper reports results of photoluminescence experiments, including pressure effects, on a superlattice sample consisting of unit cells with one monolayer of InN and 40 monolayers of GaN. The results are compared with calculations performed for different types of superlattices: InN/GaN, InGaN/GaN, and InN/InGaN/GaN with single monolayers of InN and/or InGaN. The superlattices are simulated by band structure calculations based on the local density approximation (LDA) with a semi-empirical correction for the ``LDA gap error''. A similarity is observed between the results of calculations for an InGaN/GaN superlattice (with one monolayer of InGaN) and the experimental results. This indicates that the fabricated InN quantum wells may contain some Ga atoms due to interdiffusion.
The Japan Society of Applied Physics, 日本語
DOI：https://doi.org/10.7567/JJAP.52.08JL06
DOI ID：10.7567/JJAP.52.08JL06, ISSN：0021-4922, J-Global ID：201302285385764625, CiNii Articles ID：40019758965, CiNii Books ID：AA12295836 - 埼玉大学理工学研究科編「理学・工学の散歩道I」
2012年11月
寄稿（P.112〜113） - 酸化中のSi及びC原子のSiC層への放出現象における理論的検討＜研究成果報告＞
土方 泰斗; 矢口 裕之; 吉田 貞史
埼玉大学工学部紀要 第一部 論文集, 巻：44, 開始ページ：34, 終了ページ：37, 2010年
To understand the structure of SiC-oxide interface more in detail, we propose a theory for calculating the depth profiles of Si and C emitted into SiC layer during oxidation. Simulations of the depth profiles of Si and C interstitials results in the structures analogous with those observed from a spectroscopic ellipsometry. To determine the diffusivities of Si and C interstitials, we performed capacitance-voltage measurements for examining the re-distribution profiles of nitrogen after oxidation. By comparing between observed and calculated profile, we obtained the self-diffusivity of C interstitials and confirmed that the proposed theory was appropriate to estimate depth profiles of Si and C interstitials emitted into SiC layer.
埼玉大学工学部広報委員会, 日本語
ISSN：1880-4446, CiNii Articles ID：120005386082 - 首都圏北部４大学研究室紹介・産学官連携の入り口「４u」
開始ページ：137, 終了ページ：138, 2009年
研究室紹介記事 - 分光エリプソメトリによるSiC半導体の酸化界面評価と酸化メカニズム解明＜研究成果報告＞
土方 泰斗; 矢口 裕之; 吉田 貞史
埼玉大学工学部紀要 第一部 論文集, 巻：43, 開始ページ：17, 終了ページ：21, 2009年
We tried to elucidate the oxidizing interface structure of SiC semiconductor and its oxidation mechanism. First of all, we investigated the analysis method for deriving the thickness of interface layer and verified the validity of the method by analyzing the multi-angle measurement data. As a result of analysis for SiC-oxide interfaces using the analysis method, it is found that the photon energy dispersion of optical constants of the interface layer is similar to that for SiC, the real part of dielectric function is larger than that of SiC, and the imaginary part agrees with that of SiC. In addition, we examined the thickness dependence of optical constants of interface layer and found that the standing point in energy dispersion of the imaginary part of dielectric function shifted to the lower energy-side at 40 nm of oxide thickness. In addition to the observation of SiC-oxide interface, real-time measurements of oxide growth-rates of SiC at various oxidation temperatures were conducted using an in-situ spectroscopic ellipsometer. We tried to apply 'Si and C emission model', which is proposed as the SiC oxidation model by us, to the experimental growth-rate data. As a result, the Si and C emission model well reproduced the growth-rate at the entire oxide thickness region at all of the oxidation temperatures measured for both of (0001)Si-face and (000-1)C-face. Based on the knowledge on oxidizing interface layer and oxidation mechanism obtained from spectroscopic ellipsometry studies, we discuss the structure of interface layer and the formation mechanism of interface states.
埼玉大学工学部, 日本語
CiNii Articles ID：120005386070 - 技術＆事業インキュベーション・フォーラム （平成19年1月25日掲載）
2008年01月25日
・ニュースリリース - 解説記事「炭化ケイ素半導体でシリコンの限界を超えろ」
国際技術情報誌「M&E」, 開始ページ：38, 終了ページ：39, 2007年04月 - 日経BP総合ニュースサイト 「nikkei BP net」（平成19年2月14日掲載）
nikkei BP net, 2007年02月14日
日経BP社 - 日経BPニュースサイト 「Tech-On！」（平成19年2月14日掲載）
Tech-On！, 2007年02月14日
日経BP社 - 技術＆事業インキュベーション・フォーラム （平成19年2月14日掲載）
2007年02月14日 - 日経産業新聞（平成19年1月30日掲載）
日経産業新聞, 2007年01月30日
日本経済新聞社 - 日刊工業新聞 （平成19年1月26日掲載）
日刊工業新聞, 2007年01月26日
日刊工業新聞社 - 等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製
矢口裕之; 吉田貞史; 土方泰斗
科学研究費補助金(基盤研究(c))研究成果報告書, 巻：平成17-18年度, 2007年 - 酸化膜／炭化珪素半導体界面の窒素による界面順位密度低減のメカニズム解明
土方泰斗
総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書, 巻：第5号(18年度), 開始ページ：592, 終了ページ：593, 2007年 - 等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製
矢口裕之; 吉田貞史; 土方泰斗
巻：平成17-18年度, 2007年 - 酸化膜／炭化珪素半導体界面の窒素による界面順位密度低減のメカニズム解明
土方泰斗
巻：第5号(18年度), 開始ページ：592, 終了ページ：593, 2007年 - RFI-MBE法を用いたSiC基板上へのInNエピタキシャル層およびInN/InGaN量子井戸の成長
吉田 貞史; 矢口 裕之; 土方 泰斗; 折原 操
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：5, 開始ページ：63, 終了ページ：63, 2004年
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371469 - RF-MBE法を用いた六方晶および立方晶InNのエピタキシャル成長
吉田 貞史; 矢口 裕之; 土方 泰斗; 折原 操
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 号：4, 開始ページ：61, 終了ページ：64, 2003年
We have grown InN films on 3C-SiC (001) substrates with and without cubic GaN underlayers by RF-MBE. It was found that, in the case of direct growth on 3C-SiC (001), hexagonal InN grows with the crystal orientation as hexagonal InN [1-100]//3C-SiC [110], while, in the case of the growth on cubic GaN underlayers, cubic InN grows with the crystal orientation as cubic InN [110]//cubic GaN [110]. Photoluminescence emissions from the cubic and hexagonal InN films were clearly observed at around 0.7 eV.
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
DOI ID：10.24561/00016696, ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120006388491, CiNii Books ID：AA11808968 - 分光偏光解析等によるSiC酸化膜の評価
吉田 貞史; 矢口 裕之; 土方 泰斗; 折原 操
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 号：3, 開始ページ：41, 終了ページ：48, 2002年
We have developed the method of obtaining the refractive indices of SiC/oxide interfaces by use of spectroscopic ellipsometry, and by using this method we have characterized SiC/oxide interfaces obtained by various oxidation methods and/or post oxidation annealing (POA). We have designed and fabricated the system with which in situ spectroscopic ellipsometry measurements can be carried out. We have observed the initial oxidation stage of SiC. We have also observed the changes of the refractive indices of interfaces by annealing in Ar atmosphere (Ar POA). The changes of atomic bond states at the interface by Ar POA were also observed by angle-resolved XPS and UPS, and compared with the results obtained form optical measurements and C-V measurements. We have developed the measurement method of obtaining carrier density and mobility distribution in SiC wafers by use of microscopic FT-IR. We have shown that the values obtained by this method well agree with those obtained from Hall measurements, suggesting that the method is useful to characterize electrical properties of SiC wafers quantitatively, non-destructively and without contact.
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
DOI ID：10.24561/00016656, ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120006388453, CiNii Books ID：AA11808968 - 広禁制帯幅半導体のナノ表層構造評価用極端紫外分光装置の開発紫外分光偏光解析による広禁制帯幅半導体に関する研究開発
矢口 裕之; 土方 泰斗
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：3, 開始ページ：40, 終了ページ：40, 2002年
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001371525 - 分光偏光解析等によるSiC酸化膜の評価
吉田 貞史; 矢口 裕之; 土方 泰斗
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 号：2, 開始ページ：150, 終了ページ：156, 2001年
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：40006206458, CiNii Books ID：AA11808968 - 分光偏向解析等によるSiC酸化膜の評価
吉田 貞史; 矢口 裕之; 土方 泰斗
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 号：1, 開始ページ：25, 終了ページ：32, 2000年
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：40006206430, CiNii Books ID：AA11808968 - 炭化ケイ素高温半導体新結晶成長法の開発 : 結晶物性評価 <平成12年度 受託研究の概要>
吉田 貞史; 矢口 裕之; 土方 泰斗; 折原 操
埼玉大学地域共同研究センター紀要, 巻：1, 開始ページ：74, 終了ページ：74, 2000年
埼玉大学地域共同研究センター, 日本語
ISSN：1347-4758, CiNii Articles ID：120001389831
- Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices (Chapter8)
Y. Hijikata, Y.-I. Matsushita, and T. Ohshima
Taylor & Francis, CRC, 2023年05月
総ページ数：444
ISBN：9780367188269 - Silicon carbide (SiC): An extremely tough semiconducting material
Yasuto Hijikata
Science Impact ltd., UK, 2020年03月
総ページ数：3 - Investigation of SiC/Oxide Interface Structures by Spectroscopic Ellipsometry" (Chapter 4) in "Advanced Silicon Carbide Devices and Processing
Sadafumi Yoshida, Yasuto Hijikata and Hiroyuki Yaguchi
InTech, 2015年09月
総ページ数：256
ISBN：9789535121688 - Physics and Technology of Silicon Carbide Devices
Yasuto Hijikata
InTech, 2013年01月
総ページ数：402
DOI：https://doi.org/10.5772/3428
DOI ID：10.5772/3428 - Thermal Oxidation Mechanism of Silicon Carbide
Yasuto Hijikata, Shuhei Yagi, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
InTech, 2013年01月
総ページ数：402
DOI：https://doi.org/10.5772/50748
DOI ID：10.5772/50748 - Nondestructive and Contactless Characterization Method for Spatial Mapping of the Thickness and Electrical Properties in Homo-Epitaxially Grown SiC Epilayers Using Infrared Reflectance Spectroscopy
Sadafumi Yoshida, Yasuto Hijikata and Hiroyuki Yaguchi
InTech, 2013年01月
総ページ数：402
DOI：https://doi.org/10.5772/50749
DOI ID：10.5772/50749 - SiC/GaNパワーデバイスの製造プロセスと放熱・冷却技術
技術情報協会, 2010年02月
総ページ数：340 - SiCパワｰデバイス最新技術 =次世代パワｰエレクトロニクス=
サイエンス&テクノロジｰ, 2010年
総ページ数：309 - テラヘルツ反射分光法による炭化珪素半導体の電気的特性の非破壊マッピング測定
土方, 泰斗
[土方泰斗], 2007年03月
総ページ数：1冊
CiNii Books：http://ci.nii.ac.jp/ncid/BA82582794
CiNii Books ID：BA82582794 - 軟X線光電子分光による4H-SiC(000-1)面上酸化膜の評価
土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史、高田恭孝、小林啓介、野平博司、服部健雄
2005年度前期高輝度光科学研究センター成果報告書, 2005年 - Characterization of Thermal Oxidation Films Formed on 4H Silicon Carbide by Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy
Hijikata Y., Yaguchi H., Yoshida S., Ikenaga E., Takata Y., Nohira H., and Hattori T.
SPring-8 User Experiment Report, 2005年 - Properties and Applications of Silicon Carbide
Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
INTECH open access publisher
総ページ数：535
DOI：https://doi.org/10.5772/14591
DOI ID：10.5772/14591
- もつれ光子源を用いた偏光検出量子イメージング
M. Samad; M. Shimizu; Y. Hijikata
第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月
英語, 口頭発表（一般） - ITO透明導電膜によるSiC/SiO2界面単一光子源の発光強度制御
武藤 隆太; 針井 一哉; 清水 麻希; 木菱 完太; 矢崎 結也; 相川 慎也; 大島 武; 土方 泰斗
第72回応用物理学会春季学術講演会, 2025年03月
日本語, 口頭発表（一般） - 4H-SiC中シリコン空孔のODMR特性に対する13C核スピンの影響
山城 宏育; 佐藤 真一郎; 村田 晃一; 花輪 雅史; 山﨑 雄一; 土田 秀一; 土方 泰斗; 大島 武
先進パワー半導体分科会第11回講演会, 2024年11月
日本語, ポスター発表 - ITO透明導電膜を用いたSiC/SiO2界面単一光子源の電界制御
武藤 隆太; 針井 一哉; 清水 麻希; 木菱 完太; 相川 慎也; 大島 武; 土方 泰斗
先進パワー半導体分科会第11回講演会, 2024年11月
日本語, ポスター発表 - A SiC Single-Photon Emitting Device Embedded with the MOS Interface Color Centers
Yasuto Hijikata
The 5th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2024 (Shenzhen, China), 2024年11月, ［招待有り］
英語, 口頭発表（招待・特別） - Polarization control of SiO2/SiC interfacial single-photon sources by oxygen pressure during thermal oxidation
Rinku Oyama; Yasuto Hijikata
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2024 (Raleigh, USA), 2024年10月
英語, ポスター発表 - 高酸素圧熱酸化によるSiO2/SiC界面単一光子源の偏光制御
大山 倫句; 土方 泰斗
第85回応用物理学会秋季学術講演会, 2024年09月
日本語, 口頭発表（一般） - 4H-SiC及びSiO2上Pt/Co強磁性薄膜の磁気異方性制御
六田 大貴, 針井 一哉, Qixian Liao, 丁 浩, 好田 誠, 土方 泰斗, 大島 武
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月, ［国内会議］ - 低蛍光強度の透明導電膜を用いたNVセンタの電荷制御
大石 竜嗣, 木菱 完太, 土方 泰斗, 波多野 睦子, 牧野 俊晴, 相川 慎也, 清水 麻希
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月, ［国内会議］ - RFマグネトロンスパッタ法で作製したSnO2:N薄膜のバルク内酸素空孔低減およびバルク内組成の評価
川口 拓真, 大石 竜嗣, 清水 麻希, 土方 泰斗, 相川 慎也
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月, ［国内会議］ - ナノダイヤモンドNVセンタにおける被膜の影響
小島 翔太, 山口 智弘, 土方 泰斗, 石橋 幸治, 清水 麻希
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月, ［国内会議］ - 12C濃縮4H-SiC中に形成したシリコン空孔のODMR特性
山城 宏育, 佐藤 真一郎, 村田 晃一, 花輪 雅史, 張 盛杰, 山﨑 雄一, 土田 秀一, 土方 泰斗, 大島 武
第71回応用物理学会春季学術講演会, 2024年03月, ［国内会議］ - 熱酸化時の酸素圧によるSiO2/SiC界面単一光子源の偏光制御
大山倫句,土方 泰斗
先進パワー半導体分科会第10回講演会, 2023年11月, ［国内会議］ - Density and polarization controls of the single photon sources formed at the MOS interface
Y. Hijikata
APCSCRM2023 (Beijing, China), 2023年11月, ［招待有り］, ［国際会議］
英語, 口頭発表（招待・特別） - ナノダイヤモンド温度センサを用いたカーボンナノチューブの熱電測定
杉本 昂暉, 土方 泰斗, 清水 麻希
第70回応用物理学会春季学術講演会 (四谷/オンライン), 2023年03月, ［国内会議］ - 電子線照射により形成した4H-SiC中シリコン空孔の荷電状態とドーピング濃度の関係
張 盛杰, 佐藤 真一郎, 村田 晃一, 花輪 雅史, 元木 秀, 張 啓航, 土田 秀一, 土方 泰斗, 大島 武
第70回応用物理学会春季学術講演会 (四谷/オンライン), 2023年03月, ［国内会議］ - 電子線照射による 4H-SiC 中窒素・空孔複合欠陥の高濃度形成
張 啓航, 佐藤 真一郎, 村田 晃一, 花輪 雅史, 元木 秀, 張 盛杰, 土田 秀一, 土方 泰斗, 大島 武
第70回応用物理学会春季学術講演会 (四谷/オンライン), 2023年03月, ［国内会議］ - Characteristics of the single photon sources formed at the MOS interface
Y. Hijikata
APCSCRM2022 (Xuzhou, China / Online), 2022年11月, ［招待有り］, ［国際会議］
英語, 口頭発表（招待・特別） - 高エネルギー電子線照射による4H-SiC中シリコン空孔の高濃度形成
元木 秀, 佐藤 真一郎, 佐伯 誠一,村田 晃一,増山 雄太, 山﨑 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
第83回応用物理学会秋季学術講演会 (仙台/オンライン), 2022年09月, ［国内会議］ - Generation of boron vacancy defects in hexagonal boron nitride by high temperature ion irradiation
T. Suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Nishiya, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
ICDCM2022 (Lisbon, Portugal), 2022年09月, ［国際会議］ - Magnetic Sensitivity of Silicon Vacancies in 4H-SiC at Different Temperatures
S. Motoki, S.-I. Sato, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, S. Saiki, Y. Hijikata, T. Ohshima
DSQT2022 (Stockholm, Sweden), 2022年06月, ［国際会議］ - 4H-SiC 結晶中に形成された窒素空孔センタの偏光特性
松下 大記, 佐藤 真一郎, 大島 武, 土方 泰斗
第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月, ［国内会議］ - 電子線照射によって形成した4H-SiC中シリコン空孔の濃度定量
元木 秀, 佐藤 真一郎, 増山 雄太, 山﨑 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月, ［国内会議］ - 高温イオン照射によるhBN中ホウ素空孔欠陥形成
鈴木 哲太, 山崎 雄一, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 松下 雄一郎, 西谷 侑将, 増山 雄太, 土方 泰斗, 大島 武
第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月, ［国内会議］ - 低蛍光強度の透明導電膜の形成
守護 理高, 清水 麻希, 土方 泰斗, 相川 慎也, 森 峻
第69回応用物理学会春季学術講演会, 2022年03月, ［国内会議］ - 熱酸化したSiC半導体表面に形成する単一光子源の偏光特性
小森翔太,土方 泰斗
先進パワー半導体分科会第8回講演会, 2021年12月, ［国内会議］ - Optically detected magnetic resonance of silicon vacancies in 4H-SiC with different temperatures
S. Motoki, S.-I. Sato, Y. Masuyama, Y. Yamazaki, S. Saiki, Y. Hijikata, T. Ohshima
2021年12月, ［国際会議］ - Thermal effects on generation of spin defects in hexagonal boron nitride
T. suzuki, Y. Yamazaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, Y.-I. Matsushita, Y. Masuyama, Y. Hijikata, T Ohshima
4th International Forum on Quantum Metrology and Sensing (IFQMS) (Online), 2021年12月, ［国際会議］
日本語, ポスター発表 - ２次元薄膜h-BNのスピン欠陥形成及びその光学特性の測定
鈴木 哲太,山崎 雄一,谷口 尚,渡邊 賢司,松下 雄一郎,針井 一哉,圓谷 志郎,増山 雄太,土方 泰斗,大島 武
第82回応用物理学会秋季学術講演会, 2021年09月, ［国内会議］ - 4H-SiC中シリコン空孔における 光検出磁気共鳴スペクトルの温度依存性
元木 秀, 佐藤 真一郎, 増山 雄太, 山﨑 雄一, 土方 泰斗, 大島 武
2021年09月, ［国内会議］ - Constructing a thermoelectric measurement system by using nitrogen－vacancy center in nanodiamonds
K. Sugimoto, Y. Hijikata, M. Shimizu
2021年06月, ［国際会議］ - SiC結晶中窒素空孔センタの量子状態測定
若林 健,冨高 祐哉,楢原 拓真, 佐藤 真一郎,児島一聡,大島 武, 土方 泰斗
第68回応用物理学会春季学術講演会, 2021年03月, ［国内会議］ - SiC結晶中窒素空孔センタの量子状態測定
冨高 祐哉,楢原 拓真, 佐藤 真一郎, 大島 武, 児島 一聡, 土方 泰斗
先進パワー半導体分科会第7回講演会, 2020年12月, ［国内会議］ - Structural Identification of the Single-Photon Sources Formed on SiC Surface using Isotope Oxygen
Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
4th QST international symposium, 2020年11月, ［国際会議］
英語, ポスター発表 - NCVSi- Centers in Silicon Carbide and Their Photoluminescence Properties
S.-i. Sato, T. Narahara, T. Higuchi, S. Onoda, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, B. C. Gibson, A. D. Greentree, T. Ohshima
The 2nd International Forum on Quantum Metrology and Sensing (IFQMS), 2019年12月, ［国際会議］ - 量子ビームを用いて形成した炭化ケイ素中の窒素・空孔複合欠陥の 近赤外発光特性
佐藤 真一郎, 楢原 拓真, 山崎 雄一, 樋口 泰成, 小野田 忍, 土方 泰斗, Brant C. Gibson, Andrew D. Greentree, 大島 武
QST高崎サイエンスフェスタ2019, 2019年12月, ［国内会議］ - SiCデバイス内に作製したシリコン空孔の光・電気同時励起時における光学特性
山﨑 雄一,千葉 陽史,佐藤 真一郎,牧野 高絋,山田 尚人,佐藤 隆博,土方 泰斗,児島 一聡,土田 秀一,星野 紀博,大島 武
先進パワー半導体分科会第6回講演会 (広島), 2019年12月, ［国内会議］ - SiC結晶中シリコン空孔の光検出磁気共鳴信号にアニール温度が及ぼす影響
千葉 陽史,山﨑 雄一,牧野 高絋,佐藤 真一郎,山田 尚人,佐藤 隆博,児島 一聡,土方 泰斗,大島 武
先進パワー半導体分科会第6回講演会 (広島), 2019年12月, ［国内会議］ - 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係
楢原 拓真,佐藤 真一郎,児島 一聡,山﨑 雄一,土方 泰斗,大島 武
先進パワー半導体分科会第6回講演会 (広島), 2019年12月, ［国内会議］ - PLイメージング法による異なるオフカット角を有する4H-SiC基板中の酸化誘起積層欠陥の観測
新田 翔司,土方 泰斗
先進パワー半導体分科会第6回講演会 (広島), 2019年12月, ［国内会議］ - Enhancement of ODMR Contrasts of Silicon Vacancy in SiC by Thermal Treatment
Y. Chiba, Y. Yamazaki, S.-i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, Y. Hijikata, T. Ohshima
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019 (Kyoto), 2019年10月, ［国際会議］ - Effects of Nitrogen Impurity Concentration on Nitrogen-Vacancy Center Formation in 4H-SiC
T. Narahara, S.-i. Sato, K. Kojima, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, T. Ohshima
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019 (Kyoto), 2019年10月, ［国際会議］ - Optically detected magnetic resonance study of 3D arrayed silicon vacancies in SiC pn diodes
Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, T. Ohshima
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019 (Kyoto), 2019年09月, ［国際会議］ - Near Infrared Photoluminescence in High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Irradiated with Energetic Charged Particles
S.-i. Sato, T. Narahara, S. Onoda, Y. Yamazaki, Y. Hijikata, B. C. Gibson, A. D. Greentree, T. Ohshima
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019 (Kyoto), 2019年09月, ［国際会議］ - 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成における窒素不純物濃度の影響
楢原 拓真,佐藤 真一郎,児島 一聡, 山﨑 雄一,土方 泰斗,大島 武
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (札幌), 2019年09月, ［国内会議］ - SiC結晶中シリコン空孔のODMR信号に熱処理温度が及ぼす影響
千葉 陽史,山崎 雄一郎,牧野 高紘,佐藤 真一郎,山田 尚人,佐藤 隆博,土方 泰斗,大島 武
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (札幌), 2019年09月, ［国内会議］ - SiCデバイス内の3次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定
山崎 雄一郎,千葉 陽史,佐藤 真一郎,牧野 高紘,山田 尚人,佐藤 隆博,土方 泰斗,児嶋 一聡,土田 秀一,星乃 紀博,大島 武
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (札幌), 2019年09月, ［国内会議］ - Below-Gap励起光を用いたFET構造4H-SiCの欠陥準位の検出
小野寺 奎, 鎌田 憲彦, 土方 泰斗, 武山 昭憲, 大島 武, 吉江 徹
第80回応用物理学会秋季学術講演会 (札幌), 2019年09月, ［国内会議］ - Optical properties of simultaneous optically and electrically excited silicon vacancies in SiC pn diodes
Y. Yamazaki, Y. Chiba, S.-i. Sato, T. Makino, N. Yamada, T. Satoh, K. Kojima, Y. Hijikata, H. Tsuchida, N. Hoshino, T. Ohshima
QST IRI Workshop, 2019年09月, ［国際会議］ - Creation of nitrogen-vacancy centers in SiC by ion irradiation
T. Ohshima, S.-i. Sato, T. Narahara, Y. Yamazaki, Y. Abe, T. Umeda, Y. Hijikata
30th International Conference on Defects in Smiconductors (ICDS-30) (Seattle, WA, USA), 2019年07月, ［国際会議］ - Room temperature electronic-controllable quantum devices using single-photon sources in SiC crystals
Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
2nd The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM) 2019 (Beijing, China), 2019年07月, ［招待有り］, ［国際会議］
英語, 口頭発表（招待・特別） - Structure identification and characterization of the single-photon sources formed on the surface of silicon carbide crystal
Y. Hijikata, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
2019 Energy Materials and Nanotechnology on Epitaxy (EMN Meeting on Epitaxy 2019) (Amsterdam, Netherland), 2019年06月, ［招待有り］, ［国際会議］
英語, 口頭発表（招待・特別） - Position-Selective Silicon Vacancy Formation in Silicon Carbide Devices using Proton Beam Writing
T. Ohshima, Y. Yamazaki, Y. Chiba, Y. Hijikata, K. Kojima, S.-Y. Lee, W. Kada
Quantum 2019, 2019年05月, ［国際会議］ - Room temperature electronic-driven quantum devices using single defects in silicon carbide semiconductors
Yasuto Hijikata
2019 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED-2019) (Prague, Czech), 2019年04月, ［招待有り］, ［国際会議］
英語, 口頭発表（基調） - 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオンビーム照射の影響
楢原 拓真,佐藤 真一郎,土方 泰斗,大島 武
第66回応用物理学会春季学術講演会(大岡山), 2019年03月, ［国内会議］ - γ線照射が炭化ケイ素表面発光中心の生成・発光特性に与える影響
山崎 雄一郎,常見 大貴,佐藤 真一郎,土方 泰斗,大島 武
第66回応用物理学会春季学術講演会(大岡山), 2019年03月, ［国内会議］ - 同位体酸素を用いたSiC表面に形成される単一光子源の構造推定
土方 泰斗,松下 雄一郎,大島 武
第66回応用物理学会春季学術講演会(大岡山), 2019年03月, ［国内会議］ - Growth Rate Simulations of Oxide Films on Silicon Carbide based on the Si and C Emission Model
Yasuto Hijikata
2018 Conference on Intelligent Computing, Communication & Applied Technologies (CICCAT2018) (Zhuhai, China), 2018年12月, ［招待有り］, ［国際会議］
英語, 口頭発表（基調） - Creating single photon sources in SiC pn diodes using proton beam writing
Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Sato, K. Kojima, S.-Y. Lee, T. Ohshima, Y. Hijikata
2018 Conference on Intelligent Computing, Communication & Applied Technologies (CICCAT2018) (Zhuhai, China), 2018年12月, ［国際会議］ - プロトンビーム描画により形成されたSiC pnダイオード中シリコン空孔のODMR測定
千葉 陽史,山﨑 雄一,牧野 高絋,佐藤 真一郎,山田 尚人,佐藤 隆博,児島 一聡,土方 泰斗,大島 武
第5回講演会(京都), 2018年11月, ［国内会議］ - SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性
常見 大貴,佐藤 真一郎,山﨑 雄一,牧野 高絋,土方 泰斗,大島 武
第5回講演会(京都), 2018年11月, ［国内会議］ - SiC半導体を用いた非接触給電装置の耐放射線性評価
赤川拓,川原藤樹,金子裕良,武山昭憲,大島武,土方泰斗
第5回講演会(京都), 2018年11月, ［国内会議］ - プロトンビーム描画により形成したシリコン空孔の光学特性劣化要因に関する研究
山﨑 雄一,千葉 陽史,牧野 高絋,佐藤 真一郎,山田 尚人,佐藤 隆博,加田 渉,土方 泰斗,児島 一聡,S.-Y.Lee,大島 武
第5回講演会(京都), 2018年11月, ［国内会議］ - 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成と発光特性
楢原 拓真,佐藤 真一郎,土方 泰斗,大島 武
第5回講演会(京都), 2018年11月, ［国内会議］ - プロトンビーム描画プロセスがSiC pnダイオード中に導入したシリコン空孔の光学特性に与える影響
山﨑 雄一,千葉 陽史,牧野 高絋,山田 尚人,佐藤 隆博,土方 泰斗,児島 一聡,大島 武
第79回応用物理学会秋季学術講演会(名古屋), 2018年09月, ［国内会議］ - プロトンビーム描画を用いてSiCデバイス中に作製したシリコン空孔のODMR測定
千葉 陽史,山﨑 雄一,牧野 高絋,佐藤 真一郎,山田 尚人,佐藤 隆博,児島 一聡,土方 泰斗,大島 武
第79回応用物理学会秋季学術講演会(名古屋), 2018年09月, ［国内会議］ - SiC p+nn+ダイオード中の単一光子源の発光特性に関する考察
常見 大貴,佐藤 真一郎,山﨑 雄一,牧野 高絋,土方 泰斗,大島 武
第79回応用物理学会秋季学術講演会(名古屋), 2018年09月, ［国内会議］ - SiC半導体表面に形成した単一光子源の低温フォトルミネッセンス特性
音嶋俊介,松下雄一郎,大島武,土方泰斗
第79回応用物理学会秋季学術講演会(名古屋), 2018年09月, ［国内会議］ - Creation of electrically controllable radiation centers in SiC using proton beam writing
Y. Chiba, Y. Yamazaki, T. Makino, S.-i. Sato, N. Yamada, T. Sato, K. Kojima, S.-Y. Lee, Y. Hijikata, T. Ohshima
ECSCRM2018 (Birmingham, UK), 2018年09月, ［国際会議］ - Gate Structure Dependence of Charge Collection and Single Event Burnout Tolerance for SiC MOSFETs
T. Makino, S. Takano, S. Harada, Y. Hijikata, and T. Ohshima
2018 NSREC (Hawaii, USA), 2018年07月, ［国際会議］ - A Macroscopic Simulation of the SiC Thermal Oxidation Process based on the Si and C Emission Model
Yasuto Hijikata
APCSCRM 2018 (Beijing, China), 2018年07月, ［招待有り］, ［国際会議］
英語, 口頭発表（招待・特別） - Radiation Efficiency Enhancement of Single Photon Source near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer
Y. Hijikata, Y. Furukawa, Y.-i. Matsushita, and T. Ohshima
2018 Spring Meeting (Strasbourg, France), 2018年06月, ［国際会議］ - SiC半導体が実現する室温電子駆動量子センサ
土方 泰斗,牧野 高紘,佐藤 真一郎,山崎雄一,大島 武
第２回学術集会, 2018年05月, ［国内会議］ - プロトンビーム描画を用いたSiC pinダイオード中への発光中心の形成
千葉陽史,常見 大貴,本多 智也,牧野 高紘,佐藤 信一郎,山田尚人,佐藤隆博,土方 泰斗,大島 武
第65回応用物理学会春季学術講演会（早稲田）, 2018年03月, ［国内会議］ - 4H-SiC酸化によるアモルファス構造が表面単一光子源に与える影響の理論的分析
古川頼誉,土方泰斗,大島武,松下雄一郎
第65回応用物理学会春季学術講演会（早稲田）, 2018年03月, ［国内会議］ - チャネルサイズがSiC-MOSFETのガンマ線照射効果に及ぼす影響
武山昭憲,牧野高紘,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗,大島武
第65回応用物理学会春季学術講演会（早稲田）, 2018年03月, ［国内会議］ - 4H-SiCエピ層中の積層欠陥近傍における単一光子源の発光効率向上
赤堀周平,古川頼誉,松下雄一郎,大島武,土方泰斗
第65回応用物理学会春季学術講演会（早稲田）, 2018年03月, ［国内会議］ - Functionalization of Silicon Carbide by Particle Irradiation toward Quantum Devices
T. Ohshima, T. Honda, H. Tsunemi, T. Makino, S.-i. Sato, S. Onoda, Y. Hijikata
2017 MRS Fall meeting (Boston, USA), 2017年12月, ［国際会議］ - バイアス印加によるSiCダイオード中の発光中心の発光強度変化
本多智也,常見大貴,小野田忍,牧野高紘,佐藤真一郎,土方泰斗,大島武
第４回講演会（名古屋）, 2017年11月, ［国内会議］ - SiC 中の積層欠陥が単一光子光源の発光波長に及ぼす影響の理論的分析
古川頼誉,土方泰斗,大島武,松下雄一郎
第４回講演会（名古屋）, 2017年11月, ［国内会議］ - トレンチゲート型SiC-MOSFETにおける放射線誘起破壊現象の物理過程探索と耐性評価
高野 修平,牧野 高紘,原田 信介,土方 泰斗,大島 武
第４回講演会（名古屋）, 2017年11月, ［国内会議］ - 負ゲートバイアス印加によるSiC MOSFETのガンマ線照射劣化挙動
武山 昭憲,松田 拓磨,三友 啓,村田 航一,牧野 高紘,小野田 忍,大久保 秀一,田中 雄季,神取 幹郎,吉江 徹,土方 泰斗,大島 武
第４回講演会（名古屋）, 2017年11月, ［国内会議］ - SiC p+nn+ダイオードに形成される単一光子源の発光特性
常見 大貴、本多 智也、牧野 高絋、小野田 忍、佐藤 真一郎、土方 泰斗、大島 武
第４回講演会（名古屋）, 2017年11月, ［国内会議］ - Contraolled 3D Placement of Vacancy Spins for Quantum Applications in Silicon Carbide
H. Kraus, D. Simin, C. Kasper, W. Kada, Y. Hijikata, C. J. Cochrane, T. Ohshima, V. Dyakonov, G. Astakhov
ICSCRM2017 (Washington D.C.), 2017年09月, ［国際会議］ - Enhanced Single Photon Emission near Stacking Fault in 4H-SiC Epilayer
Y. Hijikata, S. Akahori, and T. Ohshima
ICSCRM2017 (Washington D.C.), 2017年09月, ［国際会議］ - Various single photon sources observed in SiC pin diodes
H. Tsunemi, T. Honda, T. Makino, S. Onoda, S-I. Sato, Y. Hijikata, and T. Ohshima
ICSCRM2017 (Washington D.C.), 2017年09月, ［国際会議］ - 4H-SiCエピ層における積層欠陥近傍の単一光子源の発光特性
赤堀 周平、古川 頼誉、松下 雄一郎、大島 武、土方 泰斗
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, ［国内会議］ - SiC p+nn+ダイオードに形成される単一光子源の発光スペクトル
常見 大貴、本多 智也、牧野 高絋、小野田 忍、佐藤 真一郎、土方 泰斗、大島 武
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, ［国内会議］ - SiC p+nn+ダイオード中の発光中心のバイアス電圧による発光強度変化
本多 智也、常見 大貴、児島 一聡、佐藤 真一郎、牧野 高紘、小野田 忍、土方 泰斗、大島 武
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, ［国内会議］ - 負ゲートバイアス印加がSiC MOSFETのガンマ線照射劣化に及ぼす影響
武山 昭憲,牧野 高紘,大久保 秀一,田中 雄季,神取 幹郎,吉江 徹,土方 泰斗,大島 武
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, ［国内会議］ - 重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程
高野 修平,牧野 高紘,原田 信介,土方 泰斗,大島 武
第78回応用物理学会秋季学術講演会, 2017年09月, ［国内会議］ - SiC pinダイオード中の発光中心の観察
常見大貴、本多智也、牧野高紘、小野田忍、佐藤信一郎、土方泰斗、大島武
第64回応用物理学会春季学術講演会 (横浜), 2017年03月, ［国内会議］ - SiC-MOSFETにおける高エネルギー重イオン誘起電荷収集の電圧依存
牧野高紘,高野修平,原田信介,児島一聡,土方泰斗,大島武
第64回応用物理学会春季学術講演会 (横浜), 2017年03月, ［国内会議］ - 高温環境によるSiC MOSFETs のガンマ線照射劣化の抑制
武山昭憲,松田拓磨,三友啓,村田航一,牧野高紘,小野田忍,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗,大島武
第64回応用物理学会春季学術講演会 (横浜), 2017年03月, ［国内会議］ - Creation of Single Photon Sources in Wide Bandgap Semiconductors by Ion Irradiation
T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, Y. Hijikata, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov
MRS-J (Yokohama), 2016年12月, ［国際会議］ - Heavy Ion Induced Charge Collection in SiC MOSFETs
T. Makino, S. Takano, S. Harada, K. Kojima, Y. Hijikata, and T. Ohshima
2016MRS-J (Yokohama), 2016年12月, ［国際会議］ - 高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの照射後経時変化について
松田拓磨,横関貴史,三友啓,村田航一,牧野高紘,武山昭憲,小野田忍,大島武,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗
第３回講演会（つくば）, 2016年11月, ［国内会議］ - 複合環境下でのガンマ線照射によるSiC MOSFETの電気特性変化
武山昭憲,松田拓磨,三友啓,村田航一,牧野高紘,小野田忍,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗,大島武
第３回講演会（つくば）, 2016年11月, ［国内会議］ - ガンマ線耐性向上に向けたSiC-MOSFETの構造最適化の検討
三友啓,松田拓磨,村田航一,横関貴史,牧野高紘,武山昭憲,小野田忍,大島武,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗
第３回講演会（つくば）, 2016年11月, ［国内会議］ - ゲートバイアス印加条件がSiC MOSFETのガンマ線照射効果に及ぼす影響
村田航一,松田拓磨,三友啓,横関貴史,牧野高紘,武山昭憲,小野田忍,大島武,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗
第３回講演会（つくば）, 2016年11月, ［国内会議］ - プロトンビームライティングによるSiC中へのシリコン空孔の形成
本多智也,Hannes Kraus,加田渉,小野田忍,須田義規,春山盛善,佐藤隆博,江夏昌志,神谷富裕,川端駿介,三浦健太,花泉修,土方泰斗,大島武
第３回講演会（つくば）, 2016年11月, ［国内会議］ - SiC MOSFETにおける高エネルギー重イオン誘起電荷過剰収集
牧野高紘、高野修平、原田信介、児島一聡、土方泰斗、大島武
第３回講演会（つくば）, 2016年11月, ［国内会議］ - 重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起電荷のイオンエネルギー・電圧依存性
高野修平、牧野高紘、原田信介、児島一聡、土方泰斗、大島武
第３回講演会（つくば）, 2016年11月, ［国内会議］ - Creation of single photon emitters in silicon carbide using particle beam irradiation
T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, Y. Hijikata, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov
IBMM2016 (Wellington, New Zealand), 2016年11月, ［国際会議］ - 3C-SiC中の表面に形成される単一発光源の発光特性と表面処理
本多智也、小野田忍、土方泰斗、大島武
第77回秋季応用物理学会講演会（新潟）, 2016年09月, ［国内会議］ - SiC-MOSFETにおけるイオン誘起電荷過剰収集
牧野高紘、高野修平、原田信介、児島一聡、土方泰斗、大島武
第77回秋季応用物理学会講演会（新潟）, 2016年09月, ［国内会議］ - 重イオン照射によるSiC-MOSFET中の誘起収集電荷の発生過程
高野修平、牧野高紘、原田信介、児島一聡、土方泰斗、大島武
第77回秋季応用物理学会講演会（新潟）, 2016年09月, ［国内会議］ - Generation of stacking faults in 4H-SiC epilayer during oxidation
Ryosuke Asafuji and Yasuto Hijikata
2016年09月, ［国際会議］ - Creation and Functionalization of Defects in SiC by Irradiation and Thermal Treatment
T. Ohshima, T. Honda, S. Onoda, T. Makino, Y. Hijikata, A. Lohrmann, J. R. Klein, B. C. Johnson, J. C. McCallum, S. Castelletto, B. C. Gibson, H. Kraus, V. Dyakonov, G. Astakhov
ECSCRM2016 (Halkidiki, Greek), 2016年09月, ［国際会議］ - SiC酸化膜界面のパッシベーション技術
土方泰斗
第２回個別討論会（名古屋）, 2016年08月, ［国内会議］ - Impacts of Gate Bias and its Variation on Gamma-ray Irradiation Resistance of SiC MOSFETs
Koichi Murata, Satoshi Mitomo, Takuma Matsuda, Takashi Tokoseki, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda,Shuichi Okubo, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Takeshi Ohshima , Yasuto Hijikata
E-MRS2016 Spring Meeting (Lille, France), 2016年05月, ［国際会議］ - Optimum Structures for Gamma-ray Radiation Resistant SiC-MOSFETs
S. Mitomo, T. Matsuda, K. Murata, T. Tokoseki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, S. Okubo, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata
E-MRS2016 Spring Meeting (Lille, France), 2016年05月, ［国際会議］ - Development of Super Radiation Resistant Metal-Oxide-Semiconductor Transistor Based on Silicon Carbide
T. Ohshima, T. Yokoseki, K. Murata, T. Matsuda, S. Mitomo, T. Makino, S. Onoda, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, S. Okubo, and T. Yoshie
R2SRT2016 (Iwaki), 2016年04月, ［国際会議］ - 高温・高湿度雰囲気中γ線照射によりSiC MOSFETsに生成される電荷の線量依存
武山昭憲,松田拓磨,横関貴史,三友啓,村田航一,牧野高紘,小野田忍,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,大島武,土方泰斗
第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月, ［国内会議］ - ガンマ線照射耐性における SiC-MOSFET の構造最適化
三友啓,松田拓磨,村田航一,横関貴史,牧野高紘,武山昭憲,小野田忍,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,大島武,土方泰斗
第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月, ［国内会議］ - SiC MOSFET のガンマ線照射効果に及ぼすゲートバイアスの影響
村田 航一,三友 啓,松田 拓磨,横関貴史,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大久保 秀一,田中 雄季,神取 幹郎,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月, ［国内会議］ - プロトンマイクロビーム照射による SiC 中の発光中心の形成
本多 智也、Kraus Hannes、加田 渉、小野田 忍、春山 盛善、佐藤 隆博、江夏 昌志、神 谷 富裕、川端 駿介、三浦 健太、花泉 修、土方 泰斗、大島 武
第63回応用物理学会春季学術講演会, 2016年03月, ［国内会議］ - プロトンマイクロビーム照射によるSiC中の発光中心の形成
本多智也; 本多智也; Kraus HANNES; Kraus HANNES; 加田渉; 小野田忍; 春山盛善; 春山盛善; 佐藤隆博; 江夏昌志; 神谷富裕; 川端駿介; 川端駿介; 三浦健太; 花泉修; 土方泰斗; 大島武
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2016年
2016年 - 2016年 - A Development of Super Radiation-Hardened Power Electronics Using Silicon Carbide Semiconductors -Toward MGy-Class Radiation Resistivity-
Y. Hijikata, S. Mitomo, T. Matsuda, K. Murata, T. Yokoseki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, and T. Ohshima
11th RASEDA (Kiryu), 2015年11月, ［国内会議］ - Effect of Humidity and temperature on the Radiation Response of SiC MOSFETs
A. Takeyama, T. Matsuda, T. Yokoseki, S. Mitomo, K. Murata, T. Makino, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata, and T. Ohshima
11th RASEDA (Kiryu), 2015年11月, ［国際会議］ - Effect of Gate Bias on Radiation Response of SiC MOSFETs
K. Murata, S. Mitomo, T. Matsuda, T. Yokoseki, T. Makino, H. Abe, S. Onoda, T. Ohshima, A. Takeyama, S. Okubo, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, and Y. Hijikata
11th RASEDA (Kiryu), 2015年11月, ［国際会議］ - Difference by the Oxide Fabrication Process of the Gamma-ray Irradiation Effect on SiC-MOSFETs
S. Mitomo, T. Matsuda, K. Murata, T. Yokoseki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, S. Okubo, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, and Y. Hijikata
11th RASEDA (Kiryu), 2015年11月, ［国際会議］ - Effect of Gamma-ray Irradiation at High Temperature on the Characteristics of SiC MOSFETs
T. Yokoseki, T. Matsuda, S. Mitomo, K. Murata, T. Makino, H. Abe, A. Takeyama, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata, T. Ohshima
11th RASEDA (Kiryu), 2015年11月, ［国際会議］ - Characteristics of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors Irradiated with Gamma-rays at Elevated Temperature
T.Matsuda, T.Yokoseki, S. Mitomo, K. Murata, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, S. Okubo, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, T. Ohshima, and Y. Hijikata
11th RASEDA (Kiryu), 2015年11月, ［国際会議］ - 4H-SiCエピ層のプロセス起因欠陥に対するガンマ線照射の影響
宮崎 寿基,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大島 武,田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,土方 泰斗
先進パワー半導体分科会第2回講演会 (大阪), 2015年11月, ［国内会議］ - SiC-MOSFETガンマ線照射に及ぼすパッケージ影響
三友 啓,松田 拓磨,村田 航一,横関 貴史,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大島 武,大久保 秀一, 田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,土方 泰斗
先進パワー半導体分科会第2回講演会 (大阪), 2015年11月, ［国内会議］ - ゲート酸化膜生成方法の異なるSiC MOSFETへのゲートバイアス印加ガンマ線照射
村田 航一,三友 啓,松田 拓磨,横関 貴史,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大久保 秀一, 田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
先進パワー半導体分科会第2回講演会 (大阪), 2015年11月, ［国内会議］ - 高温下でガンマ線照射されたSiC MOSキャパシタの特性変化
松田 拓磨,横関 貴史,三友 啓,村田 航一,牧野 高紘,武山 昭憲,小野田 忍,大久保 秀一, 田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
先進パワー半導体分科会第2回講演会 (大阪), 2015年11月, ［国内会議］ - 高温・加湿雰囲気下でのガンマ線照射によるSiC MOSFETの電気特性変化
武山 昭憲,松田 拓磨,横関 貴史,三友 啓,村田 航一,牧野 高紘,小野田 忍,大久保 秀一, 田中 雄季,神取 幹朗,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
先進パワー半導体分科会第2回講演会 (大阪), 2015年11月, ［国内会議］ - Change in Characteristics of SiC MOSFETs by Gamma-ray Irradiation at High Temperature
Takuma Matsuda, Takashi Tokoseki, Satoshi Mitomo, Koichi Murata, Takahiro Makino, Hiroshi Abe, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima
ICSCRM2015 (Giargini Naxos, Italy), 2015年10月, ［国際会議］ - Gamma-ray irradiation response of the motor-driver circuit with SiC MOSFETs
Yugo Kobayashi, Takashi Yokoseki, Takuma Matsuda, Satoshi Mitomo, Koichi Murata, Michihiro Hachisuka, Yasuyoshi Kaneko, Takahiro Makino, Akinori Takeyama, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Yuki Tanaka, Mikio Kandori, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata
ICSCRM2015 (Giargini Naxos, Italy), 2015年10月, ［国際会議］ - 高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの電気的特性評価
松田拓磨、横関貴史、三友啓、村田航一、牧野高紘、武山昭憲、小野田忍、大久保秀一、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、大島武、土方泰斗
第76回秋季応用物理学会講演会（名古屋）, 2015年09月, ［国内会議］ - 構造の異なるSiC-MOSFETへのガンマ線照射効果
三友啓、松田拓磨、村田航一、横関貴史、牧野高紘、武山昭憲、小野田忍、大島武、大久保秀一、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、土方泰斗
第76回秋季応用物理学会講演会（名古屋）, 2015年09月, ［国内会議］ - フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察
浅藤亮祐、八木修平、土方泰斗、矢口裕之
第76回秋季応用物理学会講演会（名古屋）, 2015年09月, ［国内会議］ - 酸化膜形成プロセスの異なるSiC MOSFETへのゲートバイアス印加を伴うガンマ線照射効果
村田航一、三友啓、松田拓磨、横関貴史、牧野高紘、武山昭憲、小野田忍、大久保秀一、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、大島武、土方泰斗
第76回秋季応用物理学会講演会（名古屋）, 2015年09月, ［国内会議］ - Si及びC原子放出モデルに基づくSiC熱酸化メカニズムの統合理論
土方泰斗、浅藤亮祐
第76回秋季応用物理学会講演会（名古屋）, 2015年09月, ［国内会議］ - GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性
金日国、高宮健吾、八木修平、土方泰斗、矢口裕之
第76回秋季応用物理学会講演会（名古屋）, 2015年09月, ［国内会議］ - Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers
T.Miyazaki, T. Makino, A. Takeyama, S. Onoda, T. Ohshima, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata
DRIP-XVI 2015 (Suzhou, China), 2015年09月, ［国際会議］ - SiC熱酸化における界面からのSi、C放出と界面欠陥
土方泰斗
第１回個別討論会 (東京), 2015年08月, ［国内会議］ - Radiation Response of Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Transistors in High Dose Region
T. Ohshima, T. Yokoseki, K. Murata, T. Matsuda, S. Mitomo, H. Abe, T. Makino, S. Onoda, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, S. Okubo, and T. Yoshie
ISPlasma2015 (Nagoya), 2015年03月, ［国際会議］ - ゲートバイアス印加を伴うSiC MOSFETへのガンマ線照射効果
村田 航一,三友 啓,松田 拓磨,横関貴史,牧野 高紘,阿部 浩之,小野田 忍,大久保 秀一,田中 雄季,神取 幹郎,吉江 徹,大島 武,土方 泰斗
第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 2015年03月, ［国内会議］ - 第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究
宮崎貴史, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 2015年03月, ［国内会議］ - GaAs:N δドープ超格子を有する太陽電池の二段階吸収
鈴木智也, 八木修平, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 2015年03月, ［国内会議］ - 高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの耐放射線性評価
松田拓磨,横関貴史,三友啓,村田航一,牧野高紘,阿部浩之,小野田忍,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,大島武,土方泰斗
第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 2015年03月, ［国内会議］ - SiC-MOSFETへのガンマ線照射効果の酸化膜作製プロセスによる違い
三友啓,松田拓磨,村田航一,横関貴史,牧野高紘,阿部浩之,小野田忍,大島武,大久保秀一,田中雄季,神取幹郎,吉江徹,土方泰斗
第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 2015年03月, ［国内会議］ - 4H-SiC(0001)微傾斜基板を用いたInNドット配列の自己形成
森誠也, 高宮健吾, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 2015年03月, ［国内会議］ - Control of Intermediate Band Configuration in GaAs:N δ-doped Superlattice
K. Osada, T, Suzuki, S. Yagi, S. Naito, Y. Shoji, Y. Okada, Y. Hijikata, and H. Yaguchi
6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (Kyoto), 2014年11月, ［国際会議］ - Molecular Beam Epitaxy Growth of Intermediate Band Materials Based on GaAs:N δ-Doped Superlattices
T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naito, Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi
6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (Kyoto), 2014年11月, ［国際会議］ - In-situ分光エリプソメータによるSiC酸化過程の面方位依存性測定 (II)
後藤 大祐、八木 修平、土方 泰斗、矢口 裕之
応用物理学会先進パワー半導体分科会第１回講演会, 2014年11月, ［国内会議］ - ガンマ線照射したSiC MOSFETの熱アニールによる特性劣化の回復
横関貴史、阿部浩之、牧野高紘、小野田忍、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、土方泰斗、大島武
応用物理学会先進パワー半導体分科会第１回講演会, 2014年11月, ［国内会議］ - フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察
宮野祐太郎、八木修平、土方泰斗、矢口裕之
応用物理学会先進パワー半導体分科会第１回講演会, 2014年11月, ［国内会議］ - Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas (Grenoble, France), 2014年09月, ［国際会議］ - Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry
D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas (Grenoble, France), 2014年09月, ［国際会議］ - Recovery of the Electrical Characteristics of SiC MOSFETs Irradiated with Gamma-rays by Thermal Treatments
T. Yokoseki, H. Abe, T. Makino, S. Onoda, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie, Y. Hijikata and T. Ohshima
10th Europian Concerence on Silicon Carbide and Related Materilas (Grenoble, France), 2014年09月, ［国際会議］ - 中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長
鈴木智也, 長田一輝, 八木修平, 内藤俊弥, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集, 2014年09月, ［国内会議］ - SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化
今野良太郎, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集, 2014年09月, ［国内会議］ - ガンマ線照射したSiC MOSFETの特性の安定性
横関貴史、牧野高紘、阿部浩之、小野田忍、大島武、田中雄季、神取幹郎、吉江徹、土方泰斗
第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集, 2014年09月, ［国内会議］ - GaAs:N δドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御
長田一輝, 鈴木智也, 八木修平, 内藤駿弥, 庄司 靖, 岡田至崇, 土方泰斗, 矢口裕之
第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集, 2014年09月, ［国内会議］ - Gamma-Ray Irradiation Response of Silicon Carbide Semiconductor Devices: Extremely High Radiation Resistance
S. Sato, S. Onoda, T. Makino, N. Fujuta, T. Ohshima1, T. Yokoseki, K. Tanaka, Y. Hijikata, Y. Tanaka, M. Kandori, T. Yoshie
7th International Youth Nuclear Congress (Burgos, Spain), 2014年07月, ［国際会議］ - Resonant tunneling of electrons through cubic-InN quantum dots embedded in GaN
S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi
The 41st International Symposium on Compound Semiconductors (Montpellier, France), 2014年05月, ［国際会議］ - Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well
Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, H. Yaguchi
The 41st International Symposium on Compound Semiconductors (Montpellier, France), 2014年05月, ［国際会議］ - SiC-MOSキャパシタの電気特性のガンマ線照射線量依存性
田中量也; 横関貴史; 藤田奈津子; 牧野高紘; 小野田忍; 大島武; 田中雄季; 神取幹郎; 吉江徹; 土方泰斗
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2014年
2014年 - 2014年 - Si及びSiC-MOSFETのI-V特性に対するガンマ線照射の影響
横関貴史; 田中量也; 藤田奈津子; 牧野高紘; 小野田忍; 大島武; 田中雄季; 神取幹郎; 吉江徹; 土方泰斗
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2014年
2014年 - 2014年 - ワイドギャップ半導体MIS界面の電気的評価
土方泰斗
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会予稿集, 2013年12月, ［国内会議］ - In-situ分光エリプソメーターによるSiC酸化過程の面方位依存性測定
後藤大祐, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会予稿集, 2013年12月, ［国内会議］ - 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS構造の作製(II)
大谷 篤志, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会予稿集, 2013年12月, ［国内会議］ - Co-60ガンマ線によるSiC-MOSFETのI-V特性の劣化評価
横関貴史, 田中量也, 藤田奈津子, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会予稿集, 2013年12月, ［国内会議］ - ガンマ線照射後のSiC-MOSキャパシタ及びPiN ダイオードの電気的特性の変化
田中量也, 横関貴史, 藤田奈津子,岩本直也, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会予稿集, 2013年12月, ［国内会議］ - 窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定
高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
2013年09月, ［国内会議］ - GaInNAs量子井戸の発光効率へのレーザー照射の影響
岩崎卓也, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之, 上田修
2013年09月, ［国内会議］ - GaAsN/GaAs量子井戸構造からの発光の励起強度依存性
山崎泰由, 八木修平, 土方泰斗, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
2013年09月, ［国内会議］ - 六方晶SiC無極性面の酸化過程の実時間観察
後藤大祐, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
2013年09月, ［国内会議］ - GaAs:N δドープ超格子を用いた中間バンド型太陽電池の特性評価
八木修平, 野口駿介, 土方泰斗, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 岡田至崇, 矢口裕之
2013年09月, ［国内会議］ - InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討
徳田英俊, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
2013年09月, ［国内会議］ - InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討
徳田英俊; 折原操; 八木修平; 土方泰斗; 矢口裕之
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 2013年08月, The Japan Society of Applied Physics
2013年08月 - 2013年08月, 日本語
Creation of short-period InN/GaN superlattices is one of the possible ways of conducting band gap engineering in the green-blue range of the spectrum. The present paper reports results of photoluminescence experiments, including pressure effects, on a superlattice sample consisting of unit cells with one monolayer of InN and 40 monolayers of GaN. The results are compared with calculations performed for different types of superlattices: InN/GaN, InGaN/GaN, and InN/InGaN/GaN with single monolayers of InN and/or InGaN. The superlattices are simulated by band structure calculations based on the local density approximation (LDA) with a semi-empirical correction for the ``LDA gap error''. A similarity is observed between the results of calculations for an InGaN/GaN superlattice (with one monolayer of InGaN) and the experimental results. This indicates that the fabricated InN quantum wells may contain some Ga atoms due to interdiffusion. - SiC酸化メカニズム解明への試み : Si酸化との共通点/異なる点 (シリコン材料・デバイス)
土方 泰斗; 八木 修平; 矢口 裕之
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報, 2013年06月, 一般社団法人電子情報通信学会
2013年06月 - 2013年06月, 日本語
SiC半導体を用いたパワーMOSFETが従来のSi系パワーデバイスを凌駕するには,SiC酸化メカニズムのより一層の理解が不可欠である.本稿では,SiCの酸化メカニズムに対し,何がどこまでわかったかを総括し,Si酸化との共通点と相違点を織り交ぜながら近年の研究事例や課題を紹介していく. - SiC酸化メカニズム解明への試み－Si酸化との共通点/異なる点－
土方 泰斗,八木 修平,矢口 裕之
2013年06月, ［国内会議］ - 4H-SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について
宮野 祐太郎,矢口 裕之,土方 泰斗,八木 修平
2013年03月, ［国内会議］ - 中間バンド型太陽電池へ向けたGaAs中窒素δドープ超光子のE+バンド光吸収の観測
野口 駿介,八木 修平,土方 泰斗,窪谷 茂幸,岡田 至崇,尾鍋 研太郎,矢口 裕之
2013年03月, ［国内会議］ - RF-MBE法による立方晶InNドット積層構造の作製
鈴木 潤一郞,折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
2013年03月, ［国内会議］ - RF-MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長
五十嵐健,折原 操,八木修平,土方泰斗,窪谷茂幸,片山竜二,矢口裕之
第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 2013年03月, ［国内会議］ - Si及びSiC-MOSFETのI-V特性に対するガンマ線照射の影響
横関貴史, 田中量也, 藤田奈津子, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 2013年03月, ［国内会議］ - SiC-MOSキャパシタの電気特性のガンマ線照射線量依存性
田中量也, 横関貴史, 藤田奈津子,牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 田中雄季, 神取幹郎, 吉江徹, 土方泰斗
第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 2013年03月, ［国内会議］ - 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
大谷 篤志,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
2012年10月, ［国内会議］ - RF-MBE法によるTiO2(001)基板上への立方晶GaNの成長
折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
2012年09月, ［国内会議］ - 窒素δドープGaAs 中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定
高宮 健吾,八木 修平,土方 泰斗,望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,矢口 裕之
2012年09月, ［国内会議］ - MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長
金 日国, 八木 修平, 土方 泰斗, 窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎, 片山 竜二, 矢口 裕之
2012年09月, ［国内会議］ - 第一原理計算によるGaAsN の電子構造に対する原子配置の影響に関する研究
坂本 圭,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
2012年09月, ［国内会議］ - RF-MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響
五十嵐 健,折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
2012年09月, ［国内会議］ - InN成長におけるInN高温バッファ層の効果に関する検討
増田 篤, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
2012年09月, ［国内会議］ - スパッタ薄膜成長による4H-SiC 基板中の非発光再結合中心生成
加藤 寿悠 ,八木 修平 ,土方 泰斗 ,矢口 裕之
2012年09月, ［国内会議］ - 堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
大谷 篤志,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
2012年09月, ［国内会議］ - Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures using the Si and C emission model
Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, and S. Yoshida
ECSCRM2012, Saint-Petersburg, Russia, 2012年09月, ［国際会議］ - RF-MBE法によるInN量子ドットの結晶構造制御
徳田英俊,鈴木潤一郎、折原操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之
2012年04月, ［国内会議］ - 窒素δドープGaAs 中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
新井 佑也,星野 真也,高宮 健吾, 八木 修平,土方 泰斗,望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸, 尾鍋 研太郎,矢口 裕之
第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, 2012年03月 - GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価
野口 駿介,八木 修平,土方 泰斗,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,矢口 裕之
第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, 2012年03月 - 熱酸化が4H‐SiC エピ膜中積層欠陥に及ぼす影響の 顕微フォトルミネッセンスによる観察
山形 光,八木 修平,土方 泰斗, 矢口 裕之
第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, 2012年03月 - 窒素δドープGaAs における単一等電子トラップからの励起子分子発光
高宮 健吾,福島 俊之,星野 真也,八木 修平,土方 泰斗,望月 敏光, 吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,矢口 裕之
第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, 2012年03月 - 分光エリプソメトリによる立方晶InNの光学的特性評価
吉田 倫大,折原 操,八木 修平,土方 泰斗, 矢口 裕之
第59回応用物理学関係連合講演会予稿集, 2012年03月 - MOS構造の電気的特性に対する4H-SiCエピ層中積層欠陥の影響
外谷 彰悟, 土方 泰斗, 矢口 裕之,吉田 貞史
第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演予稿集, 2011年12月 - 顕微フォトルミネッセンスを用いた4H-SiCエピ膜中積層欠陥に対する酸化の影響に関する研究
山形 光, 土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演予稿集, 2011年12月 - SiC熱酸化機構の解明への取り組み
土方 泰斗, 矢口 裕之, 吉田 貞史
第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会予稿集, 2011年12月 - Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs
K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi
3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (Traunkirchen, Austria), 2011年09月 - 共鳴トンネル構造を用いたエネルギー選択層における熱励起電流のホットキャリア型太陽電池特性への影響
八木修平, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之
第72回応用物理学会学術講演会予稿集, 2011年09月 - Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi
7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (Quebec, Canada), 2011年08月 - SiCの2段階酸化における酸化膜成長速度の測定
篠田 龍, 土方泰斗, 矢口裕之, 八木修平, 吉田貞史
第72回応用物理学会学術講演会予稿集, 2011年08月 - RF-MBE法による立方晶GaN上への立方晶InNドットの成長（II）
鈴木潤一郎, 折原 操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
第72回応用物理学会学術講演会予稿集, 2011年08月 - RF-MBE法によるInN(10-13)及びInGaN(10-13)のGaAs(110)基板上への成長
折原 操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之
第72回応用物理学会学術講演会予稿集, 2011年08月 - 窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性
高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
第72回応用物理学会学術講演会予稿集, 2011年08月 - RF-MBE Growth of Semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)
M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi
9th International Conference on Nitride Semiconductors (Glasgow, UK), 2011年07月 - Quantum Well Double Barrier Resonant Tunneling Structures for Selective Contacts of Hot Carrier Solar Cells
S. Yagi, Y. Hijikata, Y. Okada, H. Yaguchi
37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Seattle, USA), 2011年06月 - InN/p-4H-SiC構造の作製と電気･光学特性評価
鈴木 潤一郎,折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之
第58回応用物理学関係連合講演会予稿集, 2011年03月 - InN/p-4H-SiC構造の作製と電気･光学特性評価
矢野 貴大,折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之
第58回応用物理学関係連合講演会予稿集, 2011年03月 - GaAs(110)基板上に作製した窒素δドｰプGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価
高宮健吾,福島俊之,星野真也,八木修平,土方泰斗,望月敏光,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎,矢口裕之
第58回応用物理学関係連合講演会予稿集, 2011年03月 - SiC熱酸化機構の解明への取り組み:特にSi酸化との類似点及び相違点について
土方 泰斗,矢口 裕之,吉田 貞史
第58回応用物理学関係連合講演会予稿集, 2011年03月 - In-situ分光エリプソメｰタによるSiC酸化過程の酸素分圧依存性測定
甲田 景子,土方 泰斗, 八木 修平,矢口 裕之,吉田 貞史
第19回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会講演予稿集, 2010年10月 - 酸化中のS i C 層へのS i およびC 原子放出についての理論的検討
土方 泰斗,八木 修平,矢口 裕之,吉田 貞史
第71回応用物理学会学術講演会予稿集, 2010年09月 - 窒素δドｰプGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価
高宮 健吾,遠藤 雄太,福島 俊之,星野 真也,八木 修平,土方 泰斗, 望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,サノーピン サクンタム,矢口 裕之
第71回応用物理学会学術講演会予稿集, 2010年09月 - 窒素δドｰプGaAs 中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究
星野 真也,遠藤 雄太,福島 俊之,高宮 健吾,八木 修平,土方 泰斗, 望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,矢口 裕之
第71回応用物理学会学術講演会予稿集, 2010年09月 - 極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
新井 佑也,遠藤 雄太,石川 輝,八木 修平,土方 泰斗,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,矢口 裕之
第71回応用物理学会学術講演会予稿集, 2010年09月 - 極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル
大久保 航,石川 輝,八木 修平,土方 泰斗, 吉田 貞史,片山 竜二,尾鍋 研太郎, 矢口 裕之
第71回応用物理学会学術講演会予稿集, 2010年09月 - 極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性
石川 輝,八木 修平,土方 泰斗, 吉田 貞史,岡野 真人,望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎,片山 竜二,矢口 裕之
第71回応用物理学会学術講演会予稿集, 2010年09月 - Theoretical studies for Si and C emission into SiC layer during oxidation
Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
ECSCRM2010, Oslo, Norway, 2010年08月, ［国際会議］ - Observation of SiC Oxidation in Ultra-Thin Oxide Regime by In-Situ Spectroscopic Ellipsometry
Toshiyuki Takaku, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
European Conference on SiC and Related Materials, 2009年09月 - Model Calculation of SiC Oxide Growth Rate based on the Silicon and Carbon Emission Model
Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
European Conference on SiC and Related Materials, 2009年09月 - Characterization of 4H-SiC-SiO2 Interfaces by a Deep Ultraviolet Spectroscopic Ellipsometer
Hideyasu Seki, Takahiro Wakabayashi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
European Conference on SiC and Related Materials, 2009年09月 - 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光 (II)
福島俊之,伊藤正俊,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,岡野真人,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月 - 窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光 (III)
伊藤正俊,福島俊之,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,岡野真人,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月 - 厚い酸化膜領域におけるSiCの酸化速度の測定
若林敬浩、柴崎俊哉,土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月 - 界面Si及びC原子放出現象に基づくSiC酸化モデル
土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月 - In-situ 分光エリプソメータによるSiC酸化速度の酸素分圧依存性測定 (II)
甲田景子,高久英之,土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年03月 - SiC酸化膜界面の分光エリプソメトリによる評価
吉田貞史,矢口裕之,土方泰斗
第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2008年12月 - 分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価
若林敬浩、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2008年12月 - 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -紫外領域への拡張-
関秀康,若林敬浩,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2008年12月 - in-situ 分光エリプソメータによるSiCの極薄膜厚領域における酸化過程の観察
高久英之,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2008年12月 - 界面Si及びC原子放出現象に基づくSiC酸化速度のモデル計算
土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2008年12月 - 第一原理計算を用いた立方晶 GaN の電気的特性解析
中島洋,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第17回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2008年12月 - 分光エリプソメータを用いたGaAsN混晶の電子構造に関する研究
鈴木直也,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,片山竜二,尾鍋研太郎
第69回応用物理学会講演会, 2008年09月 - 窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光 (II)
伊藤正俊,福島俊之,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
第69回応用物理学会講演会, 2008年09月 - RF-MBE法を用いた4H-SiC(0001)基板上へのInNの直接成長
折原操,富田康浩,瀧澤伸,佐藤貴紀,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第69回応用物理学会講演会, 2008年09月 - 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光
福島俊之,伊藤正俊,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
第69回応用物理学会講演会, 2008年09月 - 多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価 II
若林敬浩,関秀康,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第69回応用物理学会講演会, 2008年09月 - 極低濃度窒素をドーピングしたGaAs中の等電子トラップからの発光
福島俊之,遠藤雄太,伊藤正俊,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月 - ラマン分光を用いたGaInAsN混晶の発光効率の変化に関する研究
谷岡健太郎,堀口歩,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,片山竜二,尾鍋研太郎,吉田正裕,秋山英文
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月 - 多入射角分光エリプソメトリによるSiC/酸化膜界面の光学的評価
若林敬浩,関秀康,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月 - In-situ 分光エリプソメータによるSiCの極薄領域における酸化過程の観察
高久英之,山本健史,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月 - 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化膜厚依存性-
関秀康,若林敬浩,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月 - RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上への立方晶InNの結晶成長およびその物性評価
富田康浩,井上赳,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,平林康男
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月 - RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定 （II）
井上赳,四方剛,塚越裕介,富田康浩,中島洋,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月 - RF-MBE法により成長させたA面InN膜のフォトルミネッセンス特性
四方剛,井上赳,佐藤貴紀,平山秀樹,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年03月 - In-situ 分光エリプソメータによるSiCの極薄膜厚領域における酸化過程の観察
高久英之,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
2007年11月 - 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性- (2)
橋本英樹,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
2007年11月 - In-situ 分光エリプソメータによるSiC酸化速度の酸素分圧依存性測
山本健史,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
2007年11月 - SiC酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算
土方泰斗,山本健史,矢口裕之,吉田貞史
2007年11月 - SiC-MOSデバイスの現状と初期酸化過程の観察
土方泰斗
第37回日本結晶成長学会国内会議, 2007年11月 - Oxygen-Partial-Pressure Dependence of SiC Oxidation Rate Studied by In-situ Spectroscopic Ellipsometry
Takeshi Yamamoto, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
2007年10月 - Model Calculation of SiC Oxidation Rates in the Thin Oxide Regime
Yasuto Hijikata, Takeshi Yamamoto, Hiroyuki Yaguchi and Sadafumi Yoshida
2007年10月 - Improvement of the surface morphology of a-plane InN using low-temperature InN buffer layers
G. Shikata, S. Hirano, T. Inoue, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
2007年09月 - Photoluminescence Study of Hexagonal InN/InGaN Quantum Well Structures Grown on 3C-SiC (001) Substrates by Molecular Beam Epitaxy
S. Hirano, T. Inoue, G. Shikata, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida
2007年09月 - Photoluminescence of cubic InN films on MgO (001) substrates
T. Inoue, Y.Iwahashi, S. Oishi, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
2007年09月 - 窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光
伊藤正俊,遠藤雄太,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,中島史博,片山竜二,尾鍋研太郎
第68回応用物理学会講演会, 2007年09月 - 窒素をδドープしたGaAs における単一の等電子トラップからの発光の偏光特性
遠藤雄太,伊藤正俊,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,中島史博,片山竜二,尾鍋研太郎
第68回応用物理学会講演会, 2007年09月 - 光照射によるGaInAsN混晶の発光効率向上に関する研究
谷岡健太郎,遠藤雄太,伊藤正俊,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,片山竜二,尾鍋研太郎,吉田正裕,秋山英文
第68回応用物理学会講演会, 2007年09月 - 分光エリプソメトリによるInGaN混晶の光学的評価
塚越裕介,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,崔成伯,石谷善博,吉川明彦
第68回応用物理学会講演会, 2007年09月 - RF-MBE法を用いた4H-SiC基板(0001)面および(000-1)面上へのInGaN成長
折原操,四方剛,井上赳,塚越裕介,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第68回応用物理学会講演会, 2007年09月 - 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-
橋本英樹,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第68回応用物理学会講演会, 2007年09月 - SiC酸化速度の極薄膜厚領域におけるモデル計算
土方泰斗,山本健史,矢口裕之,吉田貞史
第68回応用物理学会講演会, 2007年09月 - In-situ 分光エリプソメータによるSiC酸化速度の酸素分圧依存性測定
山本健史,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第68回応用物理学会講演会, 2007年09月 - Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen delta-doped GaAs
Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe
2007年07月 - RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製 (III)
折原操、平野茂、四方剛、井上赳、塚越裕介、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
2007年03月 - RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
平野茂、四方剛、井上赳、塚越裕介、折原操、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
2007年03月 - RF-MBE法によるGaNバッファ層を用いたサファイアR面基板上へのA面InNの成長
四方剛,平野茂,ファリズ・アブドゥルラーシッド,平山秀樹,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
2007年03月 - 窒素をδドープしたGaAs における単一の等電子トラップからの発光
遠藤雄太,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,中島史博,片山竜二,尾鍋研太郎
2007年03月 - RF-MBE growth of InN/InGaN quantum well structures on 3C-SiC substrates
S. Hirano, T. Inoue, G. Shikata, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi, and S. Yoshida
2007年 - 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -複数の入射角による測定-
窪木亮一、橋本英樹、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
2006年11月 - 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-
橋本英樹、窪木亮一、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
2006年11月 - 窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製
土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,F.Moscatelli,A.Poggi,S.Solmi,R.Nipoti
2006年11月 - テラヘルツ分光法によるSiC エピタキシャル成長膜のキャリヤ濃度、移動度、膜厚の同時評価
大石慎吾、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
2006年11月 - In-situ 分光エリプソメータによるSiC酸化速度の酸素分圧依存性測定
山本健史、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
2006年11月 - Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC Preamorphized by Nitrogen Ion Implantation
Yasuto Hijikata, Sadafumi Yoshida, Francesco Moscatelli, Antonella Poggi, Sandro Solmi, Stefano Cristiani and Roberta Nipoti
2006年09月 - Determination of the Carrier Concentration, Mobility and Thickness of SiC Homo-Epilayers Using Terahertz Reflectance Spectroscopy
Shingo Oishi, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi, and Sadafumi Yoshida
2006年09月 - Characterization of MOS Capacitors Fabricated on n-type 4H-SiC Implanted with Nitrogen at High Dose
Antonella Poggi, Francesco Moscatelli, Yasuto Hijikata, Sandro Solmi, Michele Sanmartin, Fabrizio Tamarri and Roberta Nipoti
2006年09月 - 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -酸化法、面方位依存性-
橋本英樹、窪木亮一、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
2006年08月 - 窒素イオン注入によりアモルファス化された4H-SiCを用いたMOSキャパシタの作製
土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,F.Moscatelli,A.Poggi,S.Solmi,R.Nipoti
2006年08月 - 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
大石慎吾、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
2006年08月 - 分光エリプソメトリによる高In 組成InGaN の光学的評価
塚越裕介,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,崔成伯,石谷善博,吉川明彦
2006年08月 - 窒素をδドープしたGaAs における等電子トラップの顕微フォトルミネッセンス測定
遠藤雄太、谷岡健太郎、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史、吉田正裕、秋山英文、中島史博、片山竜二、尾鍋研太郎
2006年08月 - RF-MBE法により成長した立方晶InNのPL測定
井上赳,平野茂,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
2006年08月 - ラマン分光を用いたGaAsN混晶の発光効率向上に関する研究
谷岡健太郎,遠藤雄太,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,青木大一郎,尾鍋研太郎
第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年 - RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長 (IV)
岩橋洋平,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年 - RF-MBE法を用いた3C-SiC(001)基板上への六方晶InNの結晶成長
井上赴,岩橋洋平,平野茂,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年 - RF-MBE growth of a-plane InN on r-plane sapphire with a GaN underlayer
G. Shikata, S. Hirano, T. Inoue, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi and S. Yoshida
2006年 - Real-time Observation of SiC Oxidation using an in situ Ellipsometer
Yoshida S., Kabubari K., Hijikata Y., Yaguchi H. and Yoshikawa M.
Optoelectronic Materials and Devices (Berlin), 2006年 - Photoluminescence Study of Isoelectronic Traps in Dilute GaAsN alloys
H. Yaguchi, T. Aoki, T. Morioke, Y. Hijikata, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, D. Aoki, and K. Onabe
2006年 - Micro-photoluminescence study of nitrogen -doped GaAs grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe
2006年 - Micro-photoluminescence study of nitrogen atomic-layer doped GaAs
Y. Endo, K. Tanioka, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, W. Ono, F. Nakajima, R. Katayama, and K. Onabe
2006年 - Micro Raman study on the improvement of luminescence efficiency of GaAsN alloys
K. Tanioka, Y. Endo, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, M. Yoshita, H. Akiyama, and K. Onabe
2006年 - In-situ 分光エリプソメータによるSiCの酸化の実時間観察
覚張光一,窪木亮一,山本健史,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年 - RF-MBE法を用いた中間組成InGaN膜上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
平野茂,岩橋洋平,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月 - RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製 （II）
折原操,岩橋洋平,平野茂,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月 - ラマン分光を用いたGaAsN混晶の光照射による構造変化の評価
矢口裕之,清水博史,森桶利和,青木貴嗣,土方泰斗,吉田貞史,宇佐美徳隆,吉田正裕,秋山英文,青木大一郎,尾鍋研太郎
第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月 - 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -紫外領域への拡張-
窪木亮一,覚張光一,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月 - 低オフ角C面SiC基板上の酸化膜の評価
土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,高田恭孝,小林啓介,野平博司,服部健雄
第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月 - 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
大石慎吾,土方泰斗,矢口祐之,吉田貞史
第66回応用物理学会学術講演会, 2005年09月 - 様々な傾斜角を有するSiC基板上の酸化膜の評価
土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,高田恭孝,小林啓介,野平博司,服部健雄
第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年 - 分光エリプソメータによるSiO2/SiC界面の光学的評価 -紫外領域への拡張-
窪木亮一、覚張光一、橋本英樹、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第14回講演会, 2005年 - 窒素をδドープしたGaAsの顕微フォトルミネッセンス
花島君俊,森桶利和,青木貴嗣,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,吉田正裕,秋山英文,平山琢,片山竜二,尾鍋研太郎
第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年 - 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
大石慎吾、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第14回講演会, 2005年 - 赤外反射分光法を用いたSiCエピ膜の電気的特性の評価
大石慎吾,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年 - RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInN/InGaN量子井戸構造の作製
折原操,北村芳広,岩橋洋平,平野茂,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年 - RF-MBE growth of cubic InN films on MgO(001) substrates
Iwahashi Y., Yaguchi H., Nishimoto A., Orihara M., Hijikata Y., and Yoshida S.
6th International Conference on Nitride Semiconductors (Bremen), 2005年 - Real Time Observation of SiC Oxidation using an In-Situ Ellipsometer
Kakubari K., Kuboki R., Hijikata Y., Yaguchi H., and Yoshida S.
International Conference on SiC and Related Materials (Pittsburg), 2005年 - Photo-induced improvement of radiative efficiency and structural changes in GaAsN alloys
Yaguchi H., Morioke T., Aoki T., Shimizu H., Hijikata Y., Yoshida S., Yoshita M., Akiyama H., Usami N., Aoki D., and Onabe K.
6th International Conference on Nitride Semiconductors (Bremen), 2005年 - Off-Angle Dependence of Characteristics of 4H-SiC-Oxide Interfaces
Hijikata Y., Yaguchi H., Yoshida S., Takata Y., Kobayashi K., Nohira H. and Hattori T.
International Conference on SiC and Related Materials (Pittsburg), 2005年 - In-situ 分光エリプソメータによるSiCの酸化の実時間観察
覚張光一,窪木亮一,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年 - In-situ エリプソメータによるSiC の酸化の実時間観察
覚張光一、窪木亮一、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第14回講演会, 2005年 - 分光エリプソメータによるSiC 上酸化膜の初期酸化過程の観察 (IV)
覚張光一,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第65回応用物理学会講演会, 2004年 - 分光エリプソメータによるSiC の初期酸化過程の観察
覚張光一,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
2004年 - 低窒素濃度GaPN混晶のフォトルミネッセンス
青木貴嗣,森桶利和,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,張保平,三吉靖郎,尾鍋研太郎
第65回応用物理学会講演会, 2004年 - 高エネルギー分解能光電子分光による4H-SiC(000-1)面上酸化膜の評価
土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,高田恭孝,小林啓介,辛埴,野平博司,服部健雄
2004年 - レーザー照射によるGaAsN混晶の発光効率向上の窒素濃度依存性
森桶利和,青木貴嗣,呉智元,吉田正裕,秋山英文,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,青木大一郎,尾鍋研太郎
第65回応用物理学会講演会, 2004年 - ラマン分光法によるInAsN混晶の評価
本村寛,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史,飛田聡,西尾晋,片山竜二,尾鍋研太郎
第65回応用物理学会講演会, 2004年 - RF-MBE法を用いた立方晶InNの結晶成長 (III)
岩橋洋平,北村芳広,多田宏之,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第65回応用物理学会講演会, 2004年 - RF-MBE法を用いた4H-SiC基板上へのInGaN 結晶成長
折原操,北村芳広,岩橋洋平,多田宏之,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第65回応用物理学会講演会, 2004年 - RF-MBE法を用いた4H-SiC(0001)基板上へのInN の結晶成長
北村芳広,岩橋洋平,多田宏之,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第65回応用物理学会講演会, 2004年 - RF-MBEによるMgO(001)基板上への立方晶GaN の成長
多田宏之,北村芳広,岩橋洋平,折原操,土方泰斗,矢口裕之,吉田貞史
第65回応用物理学会講演会, 2004年 - Growth of high-quality hexagonal InN on 3C-SiC (001) by molecular beam epitaxy
Yaguchi H., Kitamura Y., Nishida K., Iwahashi Y., Hijikata Y. and Yoshida S.
2004年 - Epitaxial Growth of hexagonal and Cubic InN Films by Gas Source Molecular beam Epitaxy
Yoshida S., Kitamura Y., Iwahashi Y., Tada H., Orihara M., Hijikata Y. and Yaguchi H.
2004年 - Characterization of Oxide Films on SiC Epitaxial (000-1) Faces by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Measurements using Synchrotron Radiation
Hijikata Y., Yaguchi H., Yoshida S., Takata Y., Kobayashi K., Shin S., Nohira H., Hattori T.
2004年 - Photoemission spectroscopy and in-situ spectroscopic ellipsometry studies on the Ar post-oxidation-annealing effects of oxide/SiC interfaces
Y. Hijikata; S. Kawato; S. Sekiguchi; H. Yaguchi; Y. Ishida; M. Yoshiawa; T. Kamiya; S. Yoshida
Proceedings of 1st Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, 2003年
2003年 - 2003年 - 高周波超音波測定用光ファイバプローブの細径化と音圧・温度の同時測定
二村 浩司; 土方 泰斗; 中村 健太郎
光波センシング技術研究会講演論文集 = Proceedings of ... Meeting on Lightwave Sensing Technology, 1999年12月
1999年12月 - 1999年12月, 日本語 - 微小プローブの諸特性の検討 -高周波超音波計測のための小型光ファイバープローブの試作(III)-
土方 泰斗; 二村 浩司; 中村 健太郎
日本音響学会研究発表会講演論文集, 1999年09月
1999年09月 - 1999年09月, 日本語
■ 共同研究・競争的資金等の研究課題
- 炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(B), 2022年04月01日 - 2025年03月31日
土方 泰斗; 大島 武; 松下 雄一郎, 埼玉大学
配分額（総額）：17810000, 配分額（直接経費）：13700000, 配分額（間接経費）：4110000
課題番号：22H01517 - 界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明
日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 基盤研究(A), 2021年04月05日 - 2024年03月31日
松下 雄一郎; 藤ノ木 享英; 大島 武; 吉岡 裕典; 土方 泰斗; 押山 淳, 東京工業大学
配分額（総額）：42250000, 配分額（直接経費）：32500000, 配分額（間接経費）：9750000
課題番号：21H04553 - マルチスケール計算によるSiC酸化機構に現れる複合相関とその界面電子物性への影響
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(A), 基盤研究(A), 2018年04月01日 - 2021年03月31日
松下 雄一郎; 大島 武; 土方 泰斗; 押山 淳; 櫻井 鉄也, 東京工業大学
配分額（総額）：41860000, 配分額（直接経費）：32200000, 配分額（間接経費）：9660000
本年度は、SiC/SiO2界面近傍における欠陥構造特定に向けて研究を進めた。実際に、３つの大きな成果を得ることに成功した。①SiC/SiO2界面近傍における炭素関連欠陥の生成エネルギー計算、②SiC表面単一光子光源の波長ゆらぎの微視的メカニズム解明、③、PbCセンターの生成機構解明、である。以下において、その成果を具体的に説明する。
①SiC/SiO2界面近傍における炭素関連欠陥の生成エネルギー計算。エネルギー論に立脚してSiC/SiO2界面近傍における欠陥構造を絞り込んだ。SiC側、SiO2側、SiC/SiO2ジャスト界面、の３つの領域で炭素欠陥構造を作り込み、static計算を行い欠陥の形成エネルギーを初めて求めることに成功した。網羅的な欠陥構造に対して、その生成エネルギーの酸化条件依存性を明らかにした。その結果、高温低酸素条件下において欠陥の生成エネルギーが高くなり、欠陥濃度が小さくなることが理論的にわかった。このことは、近年の実験事実とも整合していることを明らかにした。
②SiC表面単一光子光源の波長ゆらぎの微視的メカニズム解明。SiC/SiO2界面に出来ている単一光子光源の発行波長が場所場所によって大きくばらつくことが実験的に知られていたが、その微視的メカニズムは理解されてこなかった。本研究では、その微視的メカニズムが単一光子光源近傍の局所歪みによって生じていることを理論計算によって明らかにした。
③PbCセンターの生成機構解明。①の研究で得られた計算結果において見られた特徴的な欠陥の１つに、ジャスト界面における炭素ダングリングボンド（PbCセンター）がある。PbCセンターはごく最近、電子スピン共鳴(ESR)測定で発見された欠陥構造である。我々は、PbCセンターの歪み依存性を計算し、界面でのPbCセンター生成メカニズムを明らかにした。
課題番号：18H03770
受賞ID：30040889 - 炭化ケイ素半導体デバイス中の単一光子源の量子状態計測
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(A), 基盤研究(A), 2017年04月01日 - 2020年03月31日
大島 武; 波多野 睦子; 藤ノ木 享英; 土方 泰斗, 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構
配分額（総額）：43940000, 配分額（直接経費）：33800000, 配分額（間接経費）：10140000
炭化ケイ素（SiC）中の単一光子源（SPS）としてシリコン空孔（Vsi）及び表面SPSなどに引き続き着目し、これらSPSをpinダイオードや金属-酸化膜-半導体（MOS）電界効果トランジスタ（FET）などのデバイスに導入する技術を開発するとともに、それらSPSの発光特性に関する研究を推進した。
2018年度は、昨年度に引き続き陽子線描画（PBW）技術を活用しpinダイオード中にVsiを導入した。PBWにより一つのスポットへの照射量とVsiからのフォトルミネッセンス（PL）発光強度、エレクトロルミネッセンス（EL）発光強度、電流－電圧特性やそこから導出される抵抗値の関係を詳細に調べることで、デバイス特性の劣化を抑制した状態でVsiからの発光強度を最大にできる最適な陽子線照射量として一つのスポットあたり1x10^6 個であることを決定した。VsiのODMRに関しては、装置の整備・改良を含めて高感度化へ向けた研究を進め、低ノイズでの測定に成功することで、mT領域での磁場依存性の取得に成功した。
表面SPSに関しては、酸化膜形成方法や温度と表面SPSの発生量や発光の安定性を調べた。その結果、プラズマ化学気相成長（CVD）法により350Cの成長温度で酸化膜成長した場合でも表面SPSは形成されるが、発光は不安定であることが見出された。また、酸化膜厚（熱酸化で形成）の影響に関しては、酸化膜厚が厚くなるに従い、発光のピークの平均値は変化しないが、発光ピークが短波長側に広がっていくこと、酸化膜厚が10nm以上になると表面SPSの数は徐々に減少することが見出された。加えて、酸化膜付きSiCへガンマ線照射を行うことで、表面SPSの形成との関係を調べたところ、ガンマ線照射によって表面SPSの数が増加するが、10kGy以上では増加は飽和傾向にあることが見いだされた。
課題番号：17H01056
受賞ID：30040889 - 炭化ケイ素半導体を用いた耐極限環境CCDの開発
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 基盤研究(B), 2015年04月01日 - 2019年03月31日
土方 泰斗, 埼玉大学
配分額（総額）：16510000, 配分額（直接経費）：12700000, 配分額（間接経費）：3810000
本研究では高い耐放射線性を有し、高温下でも動作が可能なSiC半導体を用い、CCDを作製することを試みた。まずはSiC MOSキャパシタの光応答、MOSキャパシタアレーにおける電荷輸送といったCCDの基本原理の検証から着手した。その結果、六方晶系SiC基板使用の場合は紫外光に対して、立方晶SiC基板では紫外-緑色域に対する光応答を確認した。フォトリソグラフィーを用いてMOSキャパシタアレーを作製し、SiCによる電荷輸送に世界で初めて成功した。SiCおよびSi MOSキャパシタに対するガンマ線照射試験を行い、Siに比べSiCは３桁もの高いガンマ線耐性を有することを示した。
課題番号：15H03967 - 局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 基盤研究(B), 2012年04月01日 - 2015年03月31日
矢口 裕之; 尾鍋 研太郎; 片山 竜二; 窪谷 茂幸; 土方 泰斗; 八木 修平; 秋山 英文, 埼玉大学
配分額（総額）：19240000, 配分額（直接経費）：14800000, 配分額（間接経費）：4440000
原子層ドーピングを利用して、窒素原子およびエルビウム原子局所ドーピング構造半導体を作製し、量子情報通信において重要な役割を担う完全ランダム偏光かつ優れた波長再現性を有する単一光子および量子もつれ光子対の高効率生成を目指した。窒素原子局所ドーピング構造半導体を用いて、量子もつれ光子対生成に応用できるランダム偏光の励起子分子および励起子発光の観測に成功した。エピタキシャル成長中のエルビウム原子の表面偏析の温度依存性を定量的に調べることによって、原子層ドーピング構造半導体を作製するための条件として低温成長が必須であることを明らかにした。
課題番号：24360004 - 炭化ケイ素半導体の酸化誘因欠陥の形成メカニズム解明
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 基盤研究(C), 2012年04月01日 - 2015年03月31日
土方 泰斗; 矢口 裕之, 埼玉大学
配分額（総額）：5460000, 配分額（直接経費）：4200000, 配分額（間接経費）：1260000
炭化ケイ素(SiC)半導体の酸化メカニズムのより深い理解を目指し、1)SiC上の酸化膜構造分析、2)酸化処理基板のフォトルミネッセンス・イメージング観察、3)SiC酸化過程の実時間観察等の実験を行った。
1)の結果から、SiCの酸化時における酸化界面から酸化層への“Si原子放出現象”を世界で初めて観察することに成功した。2)の結果より、積層欠陥が酸化によって変形すること、Si酸化で見られる“酸化誘起積層欠陥”と同様の欠陥がSiCでもまた形成する可能性が示唆された。3)の結果から、統合SiC酸化モデルが構築され、SiおよびC原子の界面濃度から界面欠陥の形成をシミュレーションした。
課題番号：24560365 - 局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 基盤研究(B), 2009年 - 2011年
矢口 裕之; 土方 泰斗; 尾鍋 研太郎; 片山 竜二; 八木 修平; 窪谷 茂幸; 秋山 英文, 埼玉大学
配分額（総額）：18460000, 配分額（直接経費）：14200000, 配分額（間接経費）：4260000
原子層ドーピング技術を用いて局所ドーピング構造半導体を作製し、量子暗号通信などの量子情報技術において重要となる、優れた波長再現性・完全なランダム偏光などの特徴を有する単一光子発生の実現を目指した。窒素原子局所ドーピング構造半導体の作製に用いる基板面方位の選択によって量子暗号通信への応用にとって望ましい完全なランダム偏光を実現した。また、量子もつれ光子対生成につながる励起子分子発光の観測に成功した。
課題番号：21360004 - 等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(C), 基盤研究(C), 2005年 - 2006年
矢口 裕之; 吉田 貞史; 土方 泰斗, 埼玉大学
配分額（総額）：3500000, 配分額（直接経費）：3500000
単一光子発生素子は、量子暗号等、量子情報技術の分野で重要な役割を果たすデバイスと考えられている。そこで、本研究では、単一光子発生素子への応用を目指して、窒素原子や窒素原子対によって形成される等電子トラップが、励起子を束縛する効果に着目して、窒素原子対を基本的な単位構造とする半導体量子ナノ構造を作製し、特異な光物性を発現させ、その物理的な解明を行なうことを目的とした。具体的には、原子層ドーピング技術を用いて窒素原子を局所的にドーピングすると同時に、電子線リソグラフィーを用いた微細加工技術によって、特定の配列をした単一の窒素原子対からの発光を観測できるような構造を作製した。母体となる半導体材料にはガリウム砒素およびガリウム燐を用いて、これに極低濃度の窒素原子をドーピングした。特定の配列をした窒素原子対を得るために、窒素原子のドーピング濃度、成長温度や原料の供給比などの最適化を行った。このような構造についての検討の結果、直径1μmの範囲内に特定の配列をした窒素原子対が一つだけ存在するような構造を作製することに成功するとともに、顕微フォトルミネッセンス測定によって線幅が50μeV以下の鋭い発光を得ることに成功した。この結果は、等電子トラップを用いた単一光子発生素子を実現する可能性が十分に高いことを示すものである。また、互いに偏光方向が直交し、わずかにエネルギーの異なる2つの発光線も観測されたことから新規デバイスへの応用も期待される。さらに、素子への応用の上で不可欠となる発光効率を向上させる方法に関して検討を行い、ガリウム砒素・窒素系の混晶半導体において、極低温下でレーザー光を照射することによって発光効率を向上させる独自の方法を確立するとともに、この現象が局所的な構造変化と関連していることを顕微ラマン散乱分光によるその場観察によって明らかにした。
課題番号：17560004 - テラヘルツ反射分光法による炭化珪素半導体の電気的特性の非破壊マッピング測定
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 若手研究(B), 若手研究(B), 2005年 - 2006年
土方 泰斗, 埼玉大学
配分額（総額）：3600000, 配分額（直接経費）：3600000
炭化珪素(SiC)等のワイドギャップ半導体は,現状では高品質なバルク基板が得られていないため,電子デバイスは通常,バルクウェハ上に成長した厚さ数ミクロン程のエピタキシャル膜を用いて作製する.従って,光を用いた非接触・非破壊物性測定を行うには,バルク基板とエピタキシャル膜の情報を分離する解析手法が必要となる.
代表者らはこれまで,SiCバルク基板やイオン注入層の電気的特性を,赤外反射分光法を用いて求める手法を開発し,キャリア濃度,移動度,イオン注入層の膜厚・ダメージ体積分率等の値が定量的に求まることを示した.本研究において,冒頭の問題を克服するため、エピタキシャル層両端における多重反射によって生じる干渉スペクトル振動に着目した.すなわち,その干渉振動の周期はエピタキシャル層の膜厚に依存し,振幅・位相はエピタキシャル層とバルク基板層の複素誘電率差に依存するため,カーブフィッティングを用いて解析することで,エピタキシャル層の膜厚及び両層のキャリア濃度・移動度が一挙に求められると考えた.
昨年度は、本手法により得られたエピタキシャル層の膜厚・キャリア濃度・移動度が、電気的手法により求めた真値とほぼ等しくなることを示した。しかしその一方、低いキャリア濃度を有する試料に対しては、測定に用いた赤外反射分光装置の低波数側の制限により、キャリア濃度が測定できなくなるという問題が見られた。これを解決するため、本年度においてテラヘルツ分光測定を導入し、得られた電気的特性値の妥当性を検証した。
テラヘルツ分光によるスペクトルデータと赤外反射分光によるスペクトルの結合を試みた結果、両者は無補正で結合し、何れの測定値には高い信頼性を有することがわかった。全波数域に対するフィッティングにより求めた電気的特性値は、真値にほぼ近く、テラヘルツ分光の導入によって低いキャリア濃度を有する試料にも本手法が適用できることがわかった。
課題番号：17760247 - IV族半導体の極薄酸化膜の界面評価に関する研究
日本学術振興会, 科学研究費助成事業 基盤研究(B), 基盤研究(B), 2001年 - 2002年
吉田 貞史; 土方 泰斗; 矢口 裕之, 埼玉大学
配分額（総額）：15300000, 配分額（直接経費）：15300000
分光偏光解析を用いて酸化膜/SiC界面の解析を行うと同時に、酸化膜形成後の種々の熱処理による変化についても調べ、電気的特性との対応について検討した。特に、SiC上の極薄酸化膜の形成過程および界面のミクロ構造を明らかにし、良好なSiC MOS椿造を形成するための知見を得ることを目的として分光偏光解析でその場観察できる装置を開発し、SiCの酸化初期過程や、熱処理による酸化膜/SiC界面の構造変化について研究を行った。その結果、SiCの酸化初期過程においては、SiO2と化学量論組成が異なる酸化膜が形成していることや、SiCやSiO_2よりも大きな屈折率を有する界面層の屈折率が、熱処理によって変化することを見出した。また、γ線照射によって界面準位密度だけを増加させる方法を用いて作製したSiC MOS構造について分光偏光解析とC-V測定とを行うことにより、分光偏光解析でとらえた界面層の屈折率とMOSFETのチャンネル移動度に影響を与える界面準位密度との関係を明らかにした。さらに、角度分解X線光電子分光・紫外光電子分光測定により、熱処理に伴うSiC-SiO_2界面の組成・結合状態の変化を明らかにした。このように、本研究によってSiC-SiO_2界面構造に対する理解が深まるとともに、分光偏光解析法が、界面構造を評価するための優れた方法であることと、その場観察できる方法であることからデバイスプロセスのモニタリングへの応用も可能であることを実証することができた。また、従来SiO_2の光学定数を仮定して行っている酸化膜厚測定法では誤った値を与える問題点があることを初めて明らかにすることができた。偏光解析による評価技術の開発と共に、顕微赤外反射分光を用いてSiCバルク結晶における電気的特性の分布を測定する手法を開発し、ウエハのキャリア濃度および移動度の分布を非破壊・非接触で測定できることを示した。
課題番号：13450120