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清水　麻希（シミズ　マキ）
理工学研究科 数理電子情報部門助教
工学部 電気電子物理工学科

業績情報

■ 論文
  • Ar/N2混合雰囲気中RFマグネトロンスパッタリング法で作製したアモルファスSnO2:N薄膜の特性評価　　　　　　　　　　　　　　　
    川口拓真; 大石竜嗣; 清水麻希; 土方泰斗; 相川慎也
    電気学会論文誌 C, 巻：144, 号：11, 2024年11月, ［査読有り］
    ISSN：0385-4221, J-Global ID：202402262108223225
  • Thermoelectric measurements of nanomaterials by nanodiamond quantum thermometry　　　　　　　　　　　　　　　
    Maki Shimizu; Koki Sugimoto; Yasuto Hijikata
    APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：17, 号：9, 2024年09月, ［査読有り］
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.35848/1882-0786/ad6fe9
    DOI ID：10.35848/1882-0786/ad6fe9, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, Web of Science ID：WOS:001308935300001
  • Charge states of nitrogen-vacancy centers in Fermi level controlled diamond n-i-n junctions　　　　　　　　　　　　　　　
    M. Shimizu; T. Makino; H. Kato; M. Fujiwara; M. Ogura; N. Mizuochi; M. Hatano
    Journal of Applied Physics, 2023年06月
    研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/5.0148921
    DOI ID：10.1063/5.0148921, ORCID：138427471
  • The Influence of Oxygen‐Related Defects on the Formation of In2O3‐Based Low‐Fluorescence Transparent Conducting Film　　　　　　　　　　　　　　　
    Maki Shimizu; Masataka Shugo; Shun Mori; Yasuto Hijikata; Shinya Aikawa
    physica status solidi (a), 2023年06月, ［査読有り］
    研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.202200896
    DOI ID：10.1002/pssa.202200896, ORCID：138427468
  • Charge state control by band engineering　　　　　　　　　　　　　　　
    Toshiharu Makino; Hiromitsu Kato; Maki Shimizu; Mutsuko Hatano; Norikazu Mizuochi
    DIAMOND FOR QUANTUM APPLICATIONS, PT 1, 巻：103, 開始ページ：137, 終了ページ：159, 2020年
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/bs.semsem.2020.03.005
    DOI ID：10.1016/bs.semsem.2020.03.005, ISSN：0080-8784, Web of Science ID：WOS:000609240800006
  • 垂直配向カーボンナノチューブを用いた最大静止摩擦力の測定　　　　　　　　　　　　　　　
    福田美実; 福田美実; 井上枝実; 四本松康太; 清水麻希; 本間芳和; 本間芳和
    表面と真空, 巻：62, 号：1, 2019年
    ISSN：2433-5835, J-Global ID：201902288489820950
  • Terahertz Spectroscopy of Individual Carbon Nanotube Quantum Dots　　　　　　　　　　　　　　　
    Takuma Tsurugaya; Kenji Yoshida; Fumiaki Yajima; Maki Shimizu; Yoshikazu Homma; Kazuhiko Hirakawa
    NANO LETTERS, 巻：19, 号：1, 開始ページ：242, 終了ページ：246, 2019年01月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.8b03801
    DOI ID：10.1021/acs.nanolett.8b03801, ISSN：1530-6984, eISSN：1530-6992, Web of Science ID：WOS:000455561300030
  • Engineering of Fermi level by nin diamond junction for control of charge states of NV centers　　　　　　　　　　　　　　　
    T. Murai; T. Makino; H. Kato; M. Shimizu; T. Murooka; E. D. Herbschleb; Y. Doi; H. Morishita; M. Fujiwara; M. Hatano; S. Yamasaki; N. Mizuochi
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：112, 号：11, 2018年03月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.5010956
    DOI ID：10.1063/1.5010956, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118, Web of Science ID：WOS:000428456800014
  • Charge-state control of ensemble of nitrogen vacancy centers by n-i-n diamond junctions　　　　　　　　　　　　　　　
    Maki Shimizu; Toshiharu Makino; Takayuki Iwasaki; Kosuke Tahara; Hiromitsu Kato; Norikazu Mizuochi; Satoshi Yamasaki; Mutsuko Hatano
    APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：11, 号：3, 2018年03月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7567/APEX.11.033004
    DOI ID：10.7567/APEX.11.033004, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, Web of Science ID：WOS:000425746000001
  • カーボンナノチューブのオゾンによる損傷の評価　　　　　　　　　　　　　　　
    石川諒; 石川諒; 中野尭雄; 中野尭雄; 島龍之介; 清水麻希; 本間芳和; 本間芳和
    表面と真空, 巻：61, 号：12, 2018年
    ISSN：2433-5835, J-Global ID：201802215298572008
  • Effect of interfacial water formed between graphene and SiO2/Si substrate　　　　　　　　　　　　　　　
    Tomohiro Koyama; Takumi Inaba; Katsuyoshi Komatsu; Satoshi Moriyama; Maki Shimizu; Yoshikazu Homma
    APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：10, 号：7, 2017年07月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7567/APEX.10.075102
    DOI ID：10.7567/APEX.10.075102, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, Web of Science ID：WOS:000404262700001
  • Raman imaging of millimeter-long carbon nanotubes grown by a gas flow method　　　　　　　　　　　　　　　
    Katsuya Kihara; Akihiro Ishitani; Tomohiro Koyama; Mamoru Fukasawa; Takumi Inaba; Maki Shimizu; Yoshikazu Homma
    APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：10, 号：2, 2017年02月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7567/APEX.10.025103
    DOI ID：10.7567/APEX.10.025103, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, Web of Science ID：WOS:000395448900001
  • Correlation between active layer thickness and ambient gas stability in IGZO thin-film transistors erg　　　　　　　　　　　　　　　
    Xu Gao; Meng-Fang Lin; Bao-Hua Mao; Maki Shimizu; Nobuhiko Mitoma; Takio Kizu; Wei Ou-Yang; Toshihide Nabatame; Zhi Liu; Kazuhito Tsukagoshi; Sui-Dong Wang
    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 巻：50, 号：2, 2017年01月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1088/1361-6463/50/2/025102
    DOI ID：10.1088/1361-6463/50/2/025102, ISSN：0022-3727, eISSN：1361-6463, Web of Science ID：WOS:000402605800002
  • Charge state modulation of nitrogen vacancy centers in diamond by applying a forward voltage across a p-i--n junction　　　　　　　　　　　　　　　
    M. Shimizu; T. Makino; T. Iwasaki; J. Hasegawa; K. Tahara; W. Naruki; H. Kato; S. Yamasaki; M. Hatano
    DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 巻：63, 開始ページ：192, 終了ページ：196, 2016年03月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1016/j.diamond.2015.10.022
    DOI ID：10.1016/j.diamond.2015.10.022, ISSN：0925-9635, eISSN：1879-0062, Web of Science ID：WOS:000371942700035
  • Fabrication of diamond lateral p-n junction diodes on (111) substrates　　　　　　　　　　　　　　　
    Kazuki Sato; Takayuki Iwasaki; Maki Shimizu; Hiromitsu Kato; Toshiharu Makino; Masahiko Ogura; Daisuke Takeuchi; Satoshi Yamasaki; Mutsuko Hatano
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 巻：212, 号：11, 開始ページ：2548, 終了ページ：2552, 2015年11月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1002/pssa.201532266
    DOI ID：10.1002/pssa.201532266, ISSN：1862-6300, eISSN：1862-6319, Web of Science ID：WOS:000366588100026
  • Influence of Al2O3 layer insertion on the electrical properties of Ga-In-Zn-O thin-film transistors　　　　　　　　　　　　　　　
    Kazunori Kurishima; Toshihide Nabatame; Maki Shimizu; Nobuhiko Mitoma; Takio Kizu; Shinya Aikawa; Kazuhito Tsukagoshi; Akihiko Ohi; Toyohiro Chikyow; Atsushi Ogura
    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 巻：33, 号：6, 2015年11月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1116/1.4928763
    DOI ID：10.1116/1.4928763, ISSN：0734-2101, eISSN：1520-8559, Web of Science ID：WOS:000365503800040
  • Improvement of fluorescence intensity of nitrogen vacancy centers in self-formed diamond microstructures　　　　　　　　　　　　　　　
    S. Furuyama; K. Tahara; T. Iwasaki; M. Shimizu; J. Yaita; M. Kondo; T. Kodera; M. Hatano
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：107, 号：16, 2015年10月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4933103
    DOI ID：10.1063/1.4933103, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118, Web of Science ID：WOS:000363781900024
  • Low-temperature processable amorphous In-W-O thin-film transistors with high mobility and stability　　　　　　　　　　　　　　　
    Takio Kizu; Shinya Aikawa; Nobuhiko Mitoma; Maki Shimizu; Xu Gao; Meng-Fang Lin; Toshihide Nabatame; Kazuhito Tsukagoshi
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：104, 号：15, 2014年04月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4871511
    DOI ID：10.1063/1.4871511, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118, Web of Science ID：WOS:000335145200026
  • Stable amorphous In2O3-based thin-film transistors by incorporating SiO2 to suppress oxygen vacancies　　　　　　　　　　　　　　　
    Nobuhiko Mitoma; Shinya Aikawa; Xu Gao; Takio Kizu; Maki Shimizu; Meng-Fang Lin; Toshihide Nabatame; Kazuhito Tsukagoshi
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：104, 号：10, 2014年03月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.4868303
    DOI ID：10.1063/1.4868303, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118, Web of Science ID：WOS:000333082800036
  • Influence of Al2O3 gate dielectric on transistor properties for IGZO thin film transistor　　　　　　　　　　　　　　　
    Kazunori Kurishima; Toshihide Nabatame; Maki Shimizu; Shinya Aikawa; Kazuhito Tsukagoshi; Akihiko Ohi; Toyohiro Chikyo; Atsushi Ogura
    WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIALS AND DEVICES 15, 巻：61, 号：4, 開始ページ：345, 終了ページ：351, 2014年
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI：https://doi.org/10.1149/06104.0345ecst
    DOI ID：10.1149/06104.0345ecst, ISSN：1938-5862, eISSN：1938-6737, Web of Science ID：WOS:000338846600043
  • Fabrication of Homogeneous Thin Films of Semiconductor-Enriched Single-Wall Carbon Nanotubes for Uniform-Quality Transistors by Using Immersion Coating　　　　　　　　　　　　　　　
    Maki Shimizu; Shunjiro Fujii; Satoshi Asano; Takeshi Tanaka; Hiromichi Kataura
    APPLIED PHYSICS EXPRESS, 巻：6, 号：10, 2013年10月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.7567/APEX.6.105103
    DOI ID：10.7567/APEX.6.105103, ISSN：1882-0778, eISSN：1882-0786, Web of Science ID：WOS:000325704800033
  • Effects of Surfactants on the Electronic Transport Properties of Thin-Film Transistors of Single-Wall Carbon Nanotubes　　　　　　　　　　　　　　　
    Maki Shimizu; Shunjiro Fujii; Takeshi Tanaka; Hiromichi Kataura
    JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 巻：117, 号：22, 開始ページ：11744, 終了ページ：11749, 2013年06月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/jp3113254
    DOI ID：10.1021/jp3113254, ISSN：1932-7447, eISSN：1932-7455, Web of Science ID：WOS:000320214800035
  • Electronic Transport of Single-Wall Carbon Nanotubes with Superconducting Contacts　　　　　　　　　　　　　　　
    Maki Shimizu; Hikota Akimoto; Koji Ishibashi
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 巻：50, 号：3, 2011年03月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1143/JJAP.50.035102
    DOI ID：10.1143/JJAP.50.035102, ISSN：0021-4922, Web of Science ID：WOS:000288649800059
  • Fabrication of quantum-dot devices in graphene　　　　　　　　　　　　　　　
    Satoshi Moriyama; Yoshifumi Morita; Eiichiro Watanabe; Daiju Tsuya; Shinya Uji; Maki Shimizu; Koji Ishibashi
    SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS, 巻：11, 号：5, 2010年10月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1088/1468-6996/11/5/054601
    DOI ID：10.1088/1468-6996/11/5/054601, ISSN：1468-6996, Web of Science ID：WOS:000287648900009
  • Fabrication of single electron transistors using transfer-printed aligned single walled carbon nanotubes arrays　　　　　　　　　　　　　　　
    Hiroshi Tabata; Maki Shimizu; Koji Ishibashi
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：95, 号：11, 2009年09月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.3227835
    DOI ID：10.1063/1.3227835, ISSN：0003-6951, Web of Science ID：WOS:000270096900066
  • Coupled Quantum Dots in a Graphene-Based Two-Dimensional Semimetal　　　　　　　　　　　　　　　
    Satoshi Moriyama; Daiju Tsuya; Eilchiro Watanabe; Shinya Uji; Maki Shimizu; Takahiro Mori; Tomohiro Yamaguchi; Koji Ishibashi
    NANO LETTERS, 巻：9, 号：8, 開始ページ：2891, 終了ページ：2896, 2009年08月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1021/nl9011535
    DOI ID：10.1021/nl9011535, ISSN：1530-6984, eISSN：1530-6992, Web of Science ID：WOS:000268797200016
  • Classical Coulomb blockade of a silicon nanowire dot　　　　　　　　　　　　　　　
    Shaoyun Huang; Naoki Fukata; Maki Shimizu; Tomohiro Yamaguchi; Takashi Sekiguchi; Koji Ishibashi
    APPLIED PHYSICS LETTERS, 巻：92, 号：21, 2008年05月
    英語, 研究論文（学術雑誌）
    DOI：https://doi.org/10.1063/1.2937406
    DOI ID：10.1063/1.2937406, ISSN：0003-6951, eISSN：1077-3118, Web of Science ID：WOS:000256303500066
  • Statistical characterization of dispersed single-wall carbon nanotube quantum dots　　　　　　　　　　　　　　　
    M. Shimizu; S. Moriyama; M. Suzuki; T. Fuse; Y. Homma; K. Ishibashi
    SEVENTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NEW PHENOMENA IN MESOSCOPIC STRUCTURES AND FIFTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACES AND INTERFACES OF MESOSCOPIC DEVICES, 2005, 巻：38, 開始ページ：17, 終了ページ：20, 2006年
    英語, 研究論文（国際会議プロシーディングス）
    DOI：https://doi.org/10.1088/1742-6596/38/1/005
    DOI ID：10.1088/1742-6596/38/1/005, ISSN：1742-6588, eISSN：1742-6596, Web of Science ID：WOS:000245589400005
■ MISC
  • ナノダイヤモンド温度センサを用いたカーボンナノチューブの熱電測定　　　　　　　　　　　　　　　
    杉本昂暉; 土方泰斗; 清水麻希
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：70th, 2023年
    ISSN：2758-4704, J-Global ID：202302266404671483
  • 低蛍光強度の透明導電膜の形成　　　　　　　　　　　　　　　
    守護理高; 森峻; 土方泰斗; 相川慎也; 清水麻希
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：69th, 2022年
    ISSN：2758-4704, J-Global ID：202202286926570030
  • Composite carbon nanotube - nanofiber device　　　　　　　　　　　　　　　
    Mark Sadgrove; Maki Shimizu; Yoshikazu Homma
    14th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO PR 2020), 開始ページ：P4_21, 2020年01月01日
    We demonstrate the characterization of composite devices made by combining carbon nanotubes with optical nanofibers. Characterization is performed optically and using a scanning electron microscope. Advantages are discussed and future prospects considered.
    Optica Publishing Group
    DOI：https://doi.org/10.1364/cleopr.2020.p4_21
    DOI ID：10.1364/cleopr.2020.p4_21
  • テラヘルツ分光による単一カーボンナノチューブ量子ドットの電子状態の評価　　　　　　　　　　　　　　　
    鶴谷拓磨; 吉田健治; 矢島史彬; 清水麻希; 本間芳和; 平川一彦
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：65th, 2018年
    ISSN：2758-4704, J-Global ID：201802221449119768
  • 二次元シートとしてみた単層カーボンナノチューブ　　　　　　　　　　　　　　　
    本間芳和; 齋藤裕太; 田中湧一郎; 清水麻希; 千足昇平
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：65th, 2018年
    ISSN：2758-4704, J-Global ID：201802265185683834
  • 原子間力顕微鏡を用いたグラフェン表面・界面水の評価　　　　　　　　　　　　　　　
    石谷暁拡; 清水麻希; 本間芳和
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：65th, 2018年
    ISSN：2758-4704, J-Global ID：201802287923645838
  • ダイヤモンドnin接合におけるNVセンタの電荷状態の制御　　　　　　　　　　　　　　　
    清水麻希; 清水麻希; 牧野俊晴; 牧野俊晴; AMICI R.G.; 岩崎孝之; 岩崎孝之; 長谷川淳一; 田原康佐; 田原康佐; 成木航; 成木航; 加藤宙光; 加藤宙光; 竹内大輔; 竹内大輔; 山崎聡; 山崎聡; 波多野睦子; 波多野睦子
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：63rd, 2016年
    ISSN：2758-4704, J-Global ID：201602209424321340
  • nin構造を用いたダイヤモンドNV中心の電荷状態制御　　　　　　　　　　　　　　　
    村井拓哉; 牧野俊晴; 牧野俊晴; 加藤宙光; 加藤宙光; 土井悠生; 鈴木義茂; 波多野睦子; 波多野睦子; 山崎聡; 山崎聡; 清水麻希; 清水麻希; 水落憲和; 水落憲和; 水落憲和
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：63rd, 2016年
    ISSN：2758-4704, J-Global ID：201602212925542355
  • (111)基板上へのアンサンブルNVセンターを含むダイヤモンド薄膜合成　　　　　　　　　　　　　　　
    小澤勇斗; 岩崎孝之; 岩崎孝之; 田原康佐; 古山聡子; 清水麻希; 清水麻希; 波多野睦子; 波多野睦子
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：62nd, 2015年
    ISSN：2758-4704, J-Global ID：201502215349708120
  • ダイヤモンド選択成長によるNVセンターの集光率向上　　　　　　　　　　　　　　　
    古山聡子; 岩崎孝之; 岩崎孝之; 清水麻希; 清水麻希; 矢板潤也; 小寺哲夫; 小寺哲夫; 波多野睦子; 波多野睦子
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：62nd, 2015年
    ISSN：2758-4704, J-Global ID：201502253095553537
  • (111)基板上の{110}面を接合面としたダイヤモンド横型p-n接合の作製　　　　　　　　　　　　　　　
    佐藤一樹; 岩崎孝之; 岩崎孝之; 岩崎孝之; 清水麻希; 清水麻希; 加藤宙光; 加藤宙光; 牧野俊晴; 牧野俊晴; 小倉政彦; 小倉政彦; 竹内大輔; 竹内大輔; 山崎聡; 山崎聡; 波多野睦子; 波多野睦子; 波多野睦子
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：62nd, 2015年
    ISSN：2758-4704, J-Global ID：201502285011255187
  • PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性　　　　　　　　　　　　　　　
    栗島一徳; 栗島一徳; 生田目俊秀; 生田目俊秀; 清水麻希; 相川慎也; 塚越一仁; 大井暁彦; 知京豊裕; 小椋厚志
    応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM), 巻：61st, 2014年
    ISSN：2758-4704, J-Global ID：201402230066197643
  • An n-type silicon nanowire dot based single-electron transistor　　　　　　　　　　　　　　　
    Shaoyun Huang; Maki Shimizu; Naoki Fukata; Takashi Sekiguchi; Tomohiro Yamaguchi; Koji Ishibashi
    開始ページ：109, 終了ページ：+, 2008年
    英語
    Web of Science ID：WOS:000279102800056
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